KR20100123593A - 칩 분할 무단 벨트 - Google Patents
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Abstract
제조 비용의 증가 및 주행성의 악화를 방지하면서 칩 분할 무단 벨트의 내구성을 개선한다. 직포(11)의 양면을 표면재(12)에 의해 피복함으로써 칩 분할 무단 벨트(10)를 형성한다. 제1 및 제2 방향으로 연장되는 제1 실(11a) 및 제2 실(11b)을 직조함으로써 직포(11)를 형성한다. S연에 90 T/m으로 꼬여진 연사를 제1 실(11a)로 사용한다. 제1 실(11a)이 칩 분할 무단 벨트(10)의 길이 방향을 향하도록 칩 분할 무단 벨트(10)를 형성한다.
Description
본 발명은 세라믹으로 구성된 칩 저항기 등의 칩을 소정의 크기로 분할하기 위한 칩 분할 무단 벨트에 관한 것이다.
최근, 세라믹으로 구성된 칩 저항기 등의 칩 사이즈는 예를 들면 0603 사이즈 또는 그 이하까지 소형화되고 있다. 그러므로, 칩을 커터로 절단하는 다이싱 방식(dicing method)을 이용한 경우, 생산성이 저하되고, 칩의 제조 비용이 증가한다.
그래서, 이와 같이 소형화된 칩을 상하 한 쌍의 칩 분할 무단 벨트 사이에 통과시켜 분할하는 것이 알려져 있다. 칩 분할에서의 수율을 향상시키기 위해, 칩 분할 무단 벨트의 코어재(core material)로서 직포(woven fabric)를 사용하는 것이 제안되어 있다(특허 문헌 1을 참조).
칩 분할 무단 벨트에서는 양호한 주행성이 요구된다. 양호한 주행성을 얻기 위해서는, 직포의 주방향(周方向)의 실이 무연사(non-twisted yarn)이지만, 주방향으로 S연(撚) 및 Z연(撚)의 연사가 정렬된 직포(특허 문헌 2를 참조)를 사용하는 것이 고려되고 있었다.
무연사를 사용하는 경우에는, 칩 분할 무단 벨트는 사용시에 측면으로부터 보풀이 발생하기 쉽고, 또한 벨트의 측면이 물결치는 것에 의해, S연 및 Z연의 연사를 가지는 직포를 사용하는 경우에 비해 내구성이 낮았다. 또한, S연 및 Z연의 연사를 가지는 직포를 사용하는 경우에는, 상이한 연의 연사를 사용하여 직포를 형성할 필요가 있으므로, 직포의 제조 공정이 복합하게 되고, 제조 비용이 증가하고 있었다.
특허 문헌 1 : 일본공개특허 제2006-62141호 공보
특허 문헌 2 : 일본 실용신안등록출원 공개 평02-124916호 공보
따라서, 본 발명에서는 주행성의 악화 및 제조 비용의 증가를 방지하면서, 칩 분할 무단 벨트의 내구성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 칩 분할 무단 벨트는, S연 및 Z연 중의 어느 한 쪽에 연수(撚數)가 30∼150 T/m로 되도록 꼬여진 연사가 주방향을 향하도록 배치한 직포를 코어재로서 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
그리고, 연수가 90 T/m 이하인 것이 바람직하다. 또한, 연수가 60 T/m 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 주방향으로 연장하고 동일 방향으로 꼬여진 연사를 코어재로서 이용함으로써 제조 비용의 증가를 억제하면서, 내구성을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 연수를 제한함으로써 주행성의 악화를 억제하는 것도 가능하다.
도 1은 칩 분할 무단 벨트에 의한 칩의 분할 방법을 개략적으로 설명하는 도면이다.
도 2는 본 실시형태에서의 칩 분할 무단 벨트를 사용한 칩 분할 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 실시형태에서의 칩 분할 무단 벨트의 두께 방향의 단면을 포함하는 사시도이다.
도 4는 주행 시험기의 모식도이다.
도 2는 본 실시형태에서의 칩 분할 무단 벨트를 사용한 칩 분할 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 실시형태에서의 칩 분할 무단 벨트의 두께 방향의 단면을 포함하는 사시도이다.
도 4는 주행 시험기의 모식도이다.
이하에서는 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시형태의 칩 분할 무단 벨트를 사용한 칩의 분할에 대하여 이하에 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 먼저 보드(30)를 하나의 방향을 따라 분할함으로써, 다수의 스트립(32)이 형성된다. 다음에, 각각의 스트립(32)을 추가로 그 길이 방향의 수직 방향을 따라 분할함으로써, 다수의 칩(34)이 형성된다.
이와 같이, 보드(30)를 분할하여 스트립(32)을 형성하는 공정 및 스트립(32)을 분할하여 칩(34)을 형성하는 공정에서, 칩 분할 장치(40)가 사용된다(도 2를 참조). 칩 분할 장치(40)에는 한 쌍의 칩 분할 무단 벨트가 사용된다.
한쪽의 칩 분할 무단 벨트인 제1 칩 분할 무단 벨트(10a)는 제1 풀리(41) 및 제2 풀리(42)에 걸어서 돌려진다. 다른 쪽의 칩 분할 무단 벨트인 제2 칩 분할 무단 벨트(10b)는 제1 풀리(41) 및 제3 풀리(43)에 걸어서 돌려진다.
제2 풀리(42)는 제3 풀리(43)보다 직경이 크도록 형성된다. 제1 칩 분할 무단 벨트(10a)는 제2 풀리(42)에 의해 제2 칩 분할 무단 벨트(10b)에 가압된다. 제2 칩 분할 무단 벨트(10b)는 제3 풀리(43)에 의해 제1 칩 분할 무단 벨트(10a)에 가압된다. 제1 및 제2 칩 분할 무단 벨트(10a, 10b)를 가압함으로써, 제1 및 제2 칩 분할 무단 벨트(10a, 10b)에 굴곡부(44)가 형성된다.
보드(30) 또는 스트립(32)은 제1 및 제2 칩 분할 무단 벨트(10a, 10b) 사이의 간극 S에 도입된다. 간극 S에 도입된 보드(30) 또는 스트립(32)은 굴곡부(44)에서 상하 방향으로 가압되고, 스트립(32) 또는 칩(34)으로 분할된다.
다음에, 칩 분할 무단 벨트의 구성에 대하여 설명한다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 칩 분할 무단 벨트(10)는 직포(11)의 양면을 표면재(12)에 의해 피복함으로써 형성된다.
직포(11)는 제1 방향으로 연장시킨 제1 실(11a)과 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장시킨 제2 실(11b)을 두께가 0.3 mm 이하로 되도록 직조함으로써 형성된다. 제1 실(11a) 및 제2 실(11b)로는, 예를 들면, 아라미드 섬유(aramid fiber), 폴리에틸렌테레프탈레이트 실, 폴리아미드 섬유, 폴리에스테르 섬유, 유리 섬유, 및 면사 중의 어느 하나 또는 이들을 조합한 것이 사용된다.
제1 실(11a)로는, 실질적으로 90 T/m의 연수로 S연으로 꼬여진 연사가 사용된다. 제1 실(11a)이 칩 분할 무단 벨트(10)의 길이 방향을 향하도록 직포(11)를 배치하여, 칩 분할 무단 벨트(10)가 형성된다.
표면재(12)는 고무 또는 수지 등에 의해 형성된다. 예를 들면, 니트릴 고무, 클로로프렌 고무, 폴리부타디엔 고무, 에틸렌 프로필렌 고무, 수소화된 아크릴로니트릴 부타디엔 고무, 스티렌 부타디엔 고무, 불소 고무, 실리콘 고무, 천연 고무, 밀러블 우레탄(millable urethane), 폴리우레탄, 폴리아미드, 염화 비닐, 페놀 수지, 폴리이미드, 폴리에스테르, 불소 수지 중의 어느 하나 또는 이들을 혼합시킨 것이 사용된다.
(실시예)
다음에, 본 발명의 구성을 보다 구체적으로 설명한다.
[내구성 시험 및 그 평가]
무연사와, 연수가 각각 30 T/m과 90 T/m인 연사를 제1 실(11a)로 하는 직포(11)를 사용하여, 각각 비교예 무단 벨트, 실시예 무단 벨트 1, 및 실시예 무단 벨트 2를 제조하였다. 비교예 무단 벨트, 실시예 무단 벨트 1, 및 실시예 무단 벨트 2를 전술한 칩 분할 장치(40)에 사용하여 내구성 시험을 행하였다.
내구성 시험에서는, 칩 분할 무단 벨트(10)가 고장날 때까지, 칩 분할 장치(40)를 사용하여 스트립(32)을 분할하였다. 그리고, 칩 분할 무단 벨트(10)의 측면으로부터 보풀이 발생할 때, 또는 칩 분할 무단 벨트의 표면이 요철로 물결치는 상태로 되는 때를, 칩 분할 무단 벨트(10)의 고장 상태로 하였다. 칩 분할 무단 벨트(10)가 고장이 날 때까지 분할한 스트립(32)의 개수를 칩 분할 무단 벨트의 수명으로서 측정함에 의해 내구성을 평가했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
- 비교예 무단 벨트가 분할한 스트립의 개수에 대한 각각의 무단 벨트가 분할한 스트립의 개수의 비 B/A(A : 비교예 무단 벨트가 분할한 스트립의 개수, B : 무단 벨트가 분할한 스트립의 개수).
표 1로부터 명백한 바와 같이, 제1 실(11a)로서 사용하는 실의 연수가 증가하면, 칩 분할 무단 벨트의 수명이 증가하고 있다는 것을 알 수 있다. 무연사를 사용하는 경우에 비하면, 연수가 30 T/m의 연사를 사용하여도 내구성이 충분히 향상되는 것을 알 수 있다. 또한, 연수가 90 T/m의 연사를 사용함으로써 내구성이 더욱 크게 향상되는 것을 알 수 있다. 따라서, 연수를 크게 하면, 내구성이 향상되는 것이 추정된다.
[주행성 시험 및 그 평가]
연수가 30, 60, 90, 150 T/m인 연사를 제1 실(11a)로 하는 직포(11)를 사용하여, 실시예 무단 벨트 1∼4를 제조하였다. 실시예 무단 벨트 1∼4는 폭이 10 mm, 1주의 길이가 875 mm로 되도록 형성하였다. 실시예 무단 벨트 1∼4를 도 4에 나타낸 바와 같은 주행성 시험기(50)에 사용하여 주행성 시험을 행하였다.
주행성 시험기(50)는 2개의 크라운 풀리(51a, 51b)에 의해 구성된다. 한쪽의 크라운 풀리(51a)는 회전 운동이 가능하게 지지된다. 다른 쪽의 크라운 풀리(51b)는 모터(도시하지 않음)에 의해 설정된 회전수로 회전한다. 그리고, 크라운 높이/벨트폭을 O.13, 0.063, 0.042, 0.025, 및 0.013으로 하여 크라운 가공된 직경 20 mm의 크라운 풀리를 주행 시험기(50)에 사용하였다.
실시예 무단 벨트 1∼4를 신장율 1.0%로 크라운 풀리(51a, 51b)에 걸어서 돌리고, 크라운 풀리(51b)를 회전시켜, 실시예 무단 벨트 1∼4를 주행시켰다. 약 5초 동안 주행시킨 후에, 실시예 무단 벨트의 크라운 풀리(51a, 51b)에서의 걸어서 돌린 위치로부터의 편향의 양을 측정하는 것에 의해 주행성을 평가하였다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
[표 2]
표 2에 나타낸 바와 같이, 크라운 높이/벨트폭이 0.13∼0.025의 범위에서는, 무단 벨트는 편향되지 않았다. 또한, 약 5초의 주행 후에도, 편향을 발생함이 없이 안정적인 주행이 유지된다. 또한, 크라운 높이/벨트폭이 0.013에서는, 실시예 무단 벨트 2∼3에 0.5 mm의 편향이 발생하였지만, 이후의 주행에서 0.5 mm 이상으로 편향되지 않고 주행이 유지된다. 10 mm의 폭의 무단 벨트에서 0.5 mm의 편향은 주행상 문제가 되지 않는 범위이다. 따라서, 연수가 60∼150 T/m인 연사를 사용하여도, 주행성에 문제가 없다는 것을 알 수 있다.
이상과 같은 구성의 본 실시형태의 칩 분할 무단 벨트에 의하면, 소정의 연수 이하의 연사를 사용함으로써 양호한 주행성을 실현하면서, S연 또는 Z연 중의 어느 한쪽의 연사를 사용하므로 비용 증가의 방지 및 내구성을 향상시키는 것이 가능하다.
그리고, 본 실시형태에서, 제1 실(11a)에는 S연으로 꼬여진 연사가 사용되는 구성이지만, Z연으로 꼬여진 연사를 사용하는 구성이어도 된다. S연 및 Z연 중의 어느 한쪽에 꼬여진 연사를 이용하면, 본 실시형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하다.
또한, 본 실시형태에서, 두께가 0.3 mm 이하의 직포가 사용되었지만, 직포의 두께는 0.3 mm 이하로 한정되지 않는다. 직포의 두께에 좌우되지 않고, 양호한 주행성의 유지 및 비용 증가의 방지를 실현하면서, 내구성이 높은 칩 분할 무단 벨트를 얻는 것이 가능하다. 단, 소형화된 칩을 얻기 위해서는, 얇은 직포를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에서, 고무 또는 수지 등의 부재에 의해 표면재가 형성되는 구성이지만, 다른 탄성 부재에 의해 표면재가 형성되어도 된다. 또한, 표면재가 설치되지 않아도, 본 실시형태와 동일한 효과를 얻는 것은 가능하다.
10 : 칩 분할 무단 벨트
11 : 직포
11a : 제1 실
11b : 제2 실
12 : 표면재
30 : 보드
40 : 칩 분할 장치
11 : 직포
11a : 제1 실
11b : 제2 실
12 : 표면재
30 : 보드
40 : 칩 분할 장치
Claims (3)
- S연 및 Z연 중의 어느 한쪽에 연수(撚數)가 30∼150 T/m로 되도록 꼬여진 연사가 주방향(周方向)을 향하도록 배치한 직포를 코어재로서 구비한 것을 특징으로 하는 칩 분할 무단 벨트.
- 제1항에 있어서,
상기 연수가 90 T/m 이하인 것을 특징으로 하는 칩 분할 무단 벨트. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 연수가 60 T/m 이상인 것을 특징으로 하는 칩 분할 무단 벨트.
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