KR20100109309A - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
태양전지 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100109309A KR20100109309A KR1020090027872A KR20090027872A KR20100109309A KR 20100109309 A KR20100109309 A KR 20100109309A KR 1020090027872 A KR1020090027872 A KR 1020090027872A KR 20090027872 A KR20090027872 A KR 20090027872A KR 20100109309 A KR20100109309 A KR 20100109309A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solar cell
- layer
- upper panel
- reflection film
- forming
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- YNLHHZNOLUDEKQ-UHFFFAOYSA-N copper;selanylidenegallium Chemical compound [Cu].[Se]=[Ga] YNLHHZNOLUDEKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
실시예에 따른 태양전지는 광 흡수층 및 전극층을 포함하는 태양전지셀; 상기 태양전지 셀 상에 배치된 상부 패널; 및 상기 상부 패널 상에 배치된 반사방지층을 포함하며, 상기 반사방지층은 모스 아이(moth eye) 구조로 형성된 것을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 광 흡수층 및 전극층을 포함하는 태양전지셀을 형성하는 단계; 상기 태양전지 셀 상에 상부 패널을 형성하는 단계; 및 상기 상부 패널 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반사방지층은 모스 아이(moth eye) 구조로 형성된 것을 포함한다.
태양전지
Description
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지들에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리 기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
이러한 태양전지의 성능을 향상시키기 위해서, 입광 효율을 향상시키기 위한 연구들이 진행 중이다.
실시예는 광효율을 증가시킬 수 있는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 태양전지는 광 흡수층 및 전극층을 포함하는 태양전지셀; 상기 태양전지 셀 상에 배치된 상부 패널; 및 상기 상부 패널 상에 배치된 반사방지층을 포함하며, 상기 반사방지층은 모스 아이(moth eye) 구조로 형성된 것을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 광 흡수층 및 전극층을 포함하는 태양전지셀을 형성하는 단계; 상기 태양전지 셀 상에 상부 패널을 형성하는 단계; 및 상기 상부 패널 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반사방지층은 모스 아이(moth eye) 구조로 형성된 것을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 상부 패널 상에 모스 아이 패턴을 가지는 반사방지층을 형성하여 평평한 구조에 비해 빛의 흡수를 향상시킬 수 있다.
즉, 입사되는 태양광이 태양전지 외부로 반사되는 비율이 감소하게 되며, 태양전지 내부로 태양광이 흡수되는 비율이 증가하게 되어 태양전지의 효율이 향상될 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 8은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 후면전극(200)을 형성한다.
상기 기판(100)은 유리(glass)가 사용되고 있으며, 세라믹 기판, 금속 기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime glass) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 사용할 수 있으며, 금속 기판으로는 스테인레스 스틸 또는 티타늄을 포함하는 기판을 사용할 수 있다.
또한, 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.
상기 후면전극(200)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 후면전극(200)은 몰리브덴(Mo) 타겟을 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
상기 후면전극(200)인 몰리브덴(Mo) 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야 하고, 또한 열팽창 계수의 차이로 인하여 박리 현상이 일어나지 않도록 기판에의 점착성이 뛰어나야 한다.
그리고, 상기 후면전극(200)을 형성하는 물질은 이에 한정되지 않고, ITO(Indium tin oxide), 나트륨(Na) 이온이 도핑된 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 후면전극(200)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 후면전극(200)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 후면전극(200)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 후면전극(200) 상에 광 흡수층(300), 버퍼층(400)을 형성한다.
상기 광 흡수층(300)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다.
더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.
이와는 다르게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극(200) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(300)이 형성된다.
또한, 상기 광 흡수층(300)은 구리,인듐,갈륨,셀레나이드(Cu, In, Ga, Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다.
상기 광 흡수층(300)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(300)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS) 또는 황화아연(ZnS)이 적층되어 형성될 수 있다.
이때, 상기 버퍼층(400)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(300)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)은 pn 접합을 형성한다.
본 실시예에서는 상기 버퍼층(400)을 하나의 층으로 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 버퍼층(400) 상에 추가적인 버퍼층을 더 형성할 수도 있다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)과 이후 형성될 전면전극의 사이에 배치된다.
즉, 상기 광 흡수층(300)과 전면전극은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(400)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(400) 상에 상부전극(500), 투명수지(550) 및 상부패널(600)을 형성한다.
상기 상부전극(500)은 투명전도층으로 형성될 수 있으며, 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga) 등의 불순물을 포함하는 아연계 산화물 또는 ITO(Indium tin Oxide)로 형성될 수 있다.
상기 상부전극(500)은 상기 광 흡수층(300)과 pn접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 물질로 형성된다.
이때, 상기 산화 아연에 알루미늄 또는 알루미나를 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
상기 투명수지(550)는 EVA(Ethylene Vinyle Acetate copolymer)를 이용한 열공정을 진행하여 형성할 수 있다.
상기 상부 패널(600)은 저철분 강화 유리 또는 반강화유리로 형성될 수 있으며, 양쪽 또는 한쪽면에 패턴이 형성될 수도 있다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 상부패널(600) 상에 반사방지막(710)을 형성한다.
상기 반사방지막(710)은 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)를 포함하는 플라스틱 소재 또는 폴리메틸메타크릴레이트(poly methyl methacrylate; PMMA), 디에틸렌 글리콜 비스 아릴카르보네이트, 메틸메타크릴레이트(methyl methacrylate; MMA)를 함유하는 중합체 또는 실란(silane) 가스로 형성되는 산화규소(SiO2) 등의 산화물로 형성될 수 있다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 반사방지막(710)을 모스 아이(moth eye) 패턴을 가지는 반사방지층(700)을 형성한다.
상기 반사방지층(700)은 상기 반사방지막(710)에 모스 아이 패턴이 형성된 스탬프(10)를 상기 반사방지막(710) 상으로 압력을 주어 모스 아이 패턴을 형성한다.
상기 스탬프(10)는 패턴을 가지는 금형(mold)이 될 수 있다.
이때, 상기 스탬프(10)를 상기 반사방지막(710) 상으로 압력을 주기 전 상기 반사방지막(710)에 50~150 ℃의 열을 가하여 진행될 수 있다.
즉, 상기 반사방지막(710)에 유동성을 제공한 후, 상기 스탬프(10)에 형성된 패턴 사이로 상기 반사방지막(710)이 채워짐으로써 상기 모스 아이 패턴이 형성된다.
상기 반사방지층(700)에 형성된 모스 아이 패턴은 상기 스탬프(10)에 형성된 패턴의 모양에 따라 변화될 수 있으며, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 원뿔형 또는 피라미드 형태로 형성될 수 있다.
이때, 상기 피라미드 형태의 모스 아이 패턴은 상기 상부 패널(600)과 닿는 면의 폭이 0.01~5 mm로, 높이가 0.2~1 mm로 형성될 수 있다.
또한, 상기 원뿔 형태의 모스 아이 패턴은 상기 상부 패널(600)과 닿는 면의 직경이 0.01~5 mm로, 높이가 0.2~1 mm로 형성될 수 있다.
또한, 실시예의 도면에 상기 프리즘 배열의 형상은 규칙적으로 배치되지만, 이에 한정되지 않고, 상기 프리즘 배열의 형상은 불규칙한 크기 및 불규칙한 위치에 형성될 수 있다.
그리고, 모스 아이 패턴이 형성된 상기 반사방지층(700)은 상기의 방법에 한정되지 않고, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 반사방지막(710)에 플라즈마 처리(plasma treatment) 공정을 진행하여 형성될 수 있다.
이때, 상기 플라즈마 처리 공정은 아르곤(Ar) 가스 분위기에서 진행될 수 있으며, 플라즈마 처리 공정으로 형성된 모스 아이 패턴은 불규칙한 원뿔형으로 형성될 수 있다.
또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 모스 아이 패턴이 형성된 상기 반사방지층(700)은 상기의 방법에 한정되지 않고, 자가 정렬(self assembly) 방법으로도 형성될 수 있다.
이때, 상기 반사방지막(710)은 금속유기체로 이루어질 수 있으며, 금속유기체에 리플로우(reflow) 공정을 진행하여 응집현상이 발생함으로써 자가 정렬된 모스 아이 패턴을 형성할 수 있다.
이와 같이, 상기 반사방지층(700)이 원뿔 또는 피라미드 모양을 가지는 모스 아이 형상으로 형성되어, 평평한 구조에 비해 빛의 흡수를 향상시킬 수 있다.
즉, 입사되는 태양광이 태양전지 외부로 반사되는 비율이 감소하게 되며, 태양전지 내부로 태양광이 흡수되는 비율이 증가하게 되어 태양전지의 효율이 향상될 수 있다.
이상에서 설명한 실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 상부 패널 상에 모스 아이 패턴을 가지는 반사방지층을 형성하여 평평한 구조에 비해 빛의 흡수를 향상시킬 수 있다.
즉, 입사되는 태양광이 태양전지 외부로 반사되는 비율이 감소하게 되며, 태양전지 내부로 태양광이 흡수되는 비율이 증가하게 되어 태양전지의 효율이 향상될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 8은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
Claims (7)
- 광 흡수층 및 전극층을 포함하는 태양전지셀;상기 태양전지 셀 상에 배치된 상부 패널; 및상기 상부 패널 상에 배치된 반사방지층을 포함하며,상기 반사방지층은 모스 아이(moth eye) 구조로 형성된 것을 포함하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 모스 아이 구조는 피라미드 형상 또는 원뿔 형상을 포함하는 태양전지.
- 제 2항에 있어서,상기 피라미드 형상 또는 원뿔 형상은 불규칙한 크기 및 불규칙한 위치에 형성된 태양전지.
- 광 흡수층 및 전극층을 포함하는 태양전지셀을 형성하는 단계;상기 태양전지 셀 상에 상부 패널을 형성하는 단계; 및상기 상부 패널 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 반사방지층은 모스 아이(moth eye) 구조로 형성된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,상기 반사방지층을 형성하는 단계는,상기 상부 패널 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 반사방지막에 열을 가한 후, 모스 아이 패턴이 형성된 스탬프를 상기 반사방지막 상으로 압력을 주어, 상기 반사방지막을 모스 아이 패턴으로 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,상기 반사방지층을 형성하는 단계는,상기 상부 패널 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 반사방지막에 플라즈마 처리(plasma treatment) 공정을 진행하여, 상기 반사방지막을 모스 아이 패턴으로 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,상기 모스 아이 구조는 피라미드 형상 또는 원뿔 형상을 포함하는 태양전지의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090027872A KR101628360B1 (ko) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090027872A KR101628360B1 (ko) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100109309A true KR20100109309A (ko) | 2010-10-08 |
| KR101628360B1 KR101628360B1 (ko) | 2016-06-08 |
Family
ID=43130442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090027872A KR101628360B1 (ko) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101628360B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101355828B1 (ko) * | 2011-11-08 | 2014-01-28 | 제이엠티(주) | 솔라셀의 표면에 나노패턴을 형성하는 방법 및 그에 따라 제작된 솔라셀 |
| KR101367530B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2014-02-27 | 고려대학교 산학협력단 | 복합기능 광학 필름의 제조방법 |
| WO2018112067A1 (en) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Sunpower Corporation | Plasma-curing of light-receiving surfaces of solar cells |
| KR20220025389A (ko) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 재단법인 구미전자정보기술원 | 광기능성 필름을 갖는 실내용 태양전지 및 이를 이용한 사물인터넷 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189479A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Misawa Homes Co Ltd | 太陽電池パネルおよびこれを備えた太陽電池付屋根 |
| JP2007201304A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP2008256785A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Seiko Epson Corp | 光学部品およびその製造方法、ならびに電子装置 |
| KR20090017760A (ko) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | 삼성전기주식회사 | 태양전지의 기판 및 그 제조방법 |
-
2009
- 2009-03-31 KR KR1020090027872A patent/KR101628360B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189479A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Misawa Homes Co Ltd | 太陽電池パネルおよびこれを備えた太陽電池付屋根 |
| JP2007201304A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP2008256785A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Seiko Epson Corp | 光学部品およびその製造方法、ならびに電子装置 |
| KR20090017760A (ko) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | 삼성전기주식회사 | 태양전지의 기판 및 그 제조방법 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101355828B1 (ko) * | 2011-11-08 | 2014-01-28 | 제이엠티(주) | 솔라셀의 표면에 나노패턴을 형성하는 방법 및 그에 따라 제작된 솔라셀 |
| KR101367530B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2014-02-27 | 고려대학교 산학협력단 | 복합기능 광학 필름의 제조방법 |
| WO2018112067A1 (en) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Sunpower Corporation | Plasma-curing of light-receiving surfaces of solar cells |
| KR20220025389A (ko) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 재단법인 구미전자정보기술원 | 광기능성 필름을 갖는 실내용 태양전지 및 이를 이용한 사물인터넷 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101628360B1 (ko) | 2016-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101072204B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101154727B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101592576B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| US20110308606A1 (en) | Solar cell of improved photo-utilization efficiency | |
| KR101628360B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101428146B1 (ko) | 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 | |
| EP2434551A2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| KR101081270B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20110092023A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101091495B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20110036173A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101072153B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101251870B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20100109305A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101091319B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101765924B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20100109286A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20100109306A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20100136585A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20210017497A (ko) | 경사형 박막 태양전지 | |
| KR20150057820A (ko) | 태양 전지 | |
| KR101283174B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101628365B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101284698B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| KR20100066975A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |