KR101284698B1 - 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 상에 형성된 제 1 전극층과, 제 1 전극층 상에 형성된 접착층과, 접착층 상에 형성된 광 흡수층과, 광 흡수층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고, 접착층은 제 1 전극층의 구성 원소 및 광 흡수층의 구성 원소의 적어도 하나의 화합물로 형성되며, 두께 방향으로 구성 원소들의 비율이 다르게 형성된 태양 전지 및 그 제조 방법이 제시된다.
Description
본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 화합물 반도체를 이용한 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지(Solar Cell)는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심 소자이다. 태양 전지는 시계나 계산기 등 휴대용 전자기기의 전원으로 이용되거나, 건물 지붕에 설치된 소규모 분산 발전용으로부터 넓은 개활지에 설치된 산업 발전용에 이르기까지 다양한 형태로 이용되고 있다.
태양 전지는 일반적으로 단결정 실리콘 태양 전지, 다결정 실리콘 태양 전지 및 박막 태양 전지로 분류될 수 있다. 그 중에서 단결정 및 다결정 실리콘 태양 전지에 비해 변환 효율은 낮지만, 기판의 두께를 혁신적으로 줄일 수 있고 유리 등의 저렴한 기판 상에 제조 가능하여 저가화할 수 있는 박막 태양 전지가 주목을 받고 있다.
박막 태양 전지는 기판 상의 서로 이격된 제 1 전극층 및 제 2 전극층 사이에 광 흡수층, 버퍼층 및 윈도우층이 마련된 구조를 갖는다. 또한, 광 흡수층의 재료로서 변환 효율이 상대적으로 높은 CdTe, CuInGaSe2계의 화합물 반도체를 이용한 박막 태양 전지에 대한 연구가 증가하고 있다. 특히, 변환 효율이 비교적 우수한 CuInGeSe2계(CIGS)의 화합물 반도체를 이용하여 박막 태양 전지의 변환 효율을 더욱 증가시키기 위한 다양한 시도가 이루어지고 있다. 예를 들어, 한국공개특허 제10-2011-0025581호에는 셀레늄 또는 황이 흡착 또는 흡수된 흡착제 또는 흡수제를 사용하여 셀렌화 또는 황화된 광흡수층을 포함하는 화합물 반도체 태양 전지가 제시되어 있다.
CIGS를 광 흡수층으로 이용하는 태양 전지는 CIGS와의 오믹 특성이 우수하고, 열적 안정성 및 Se과의 내부식성이 우수한 물질, 예를 들어 Mo를 제 1 전극층의 재료로 주로 이용한다. 그러나, Mo와 CIGS는 이종의 물질이기 때문에 고온 열처리 등의 후속 공정에서 열팽창 계수 등의 차이로 인한 계면의 접착력이 저하되어 이들이 박리될 수 있으며, 이로 인해 효율 및 안정성이 저하될 수 있다.
본 발명은 제 1 전극층과 광 흡수층의 접착력을 향상시켜 효율 및 안정성을 향상시킬 수 있는 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 제 1 전극층과 광 흡수층 사이에 두께 방향으로 농도가 변화하는 혼합물로 형성된 접착층을 포함하는 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따른 태양 전지는 기판 상에 형성된 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 형성된 접착층; 상기 접착층 상에 형성된 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고, 상기 접착층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 적어도 하나 및 상기 광 흡수층 구성 원소의 적어도 하나로 형성되며, 두께 방향으로 상기 구성 원소들의 비율이 다르게 형성된다.
상기 접착층은 상기 제 1 전극층 측으로부터 상기 광 흡수층 측으로 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 낮아지고 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 높아지게 형성된다.
상기 접착층은 복수의 층으로 형성되고, 상기 제 1 전극층 측의 적어도 하나의 제 1 층이 상기 광 흡수층 구성 원소보다 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 높고, 상기 광 흡수층 측의 적어도 하나의 제 2 층이 상기 제 1 전극층 구성 원소보다 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 높게 형성된다.
상기 제 1 층은 상기 제 1 전극층 측으로부터 두께 방향으로 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 점차 줄어들게 형성되고, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층으로부터 상기 광 흡수층 측으로 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 점차 증가하여 형성된다. 또한, 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 제 3 층이 더 형성되고, 상기 제 3 층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율과 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 동일하다.
상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층 및 윈도우층을 더 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따른 태양 전지의 제조 방법은 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극층 상에 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 접착층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 적어도 하나 및 상기 광 흡수층 구성 원소의 적어도 하나로 형성되고, 두께 방향으로 상기 구성 원소들의 비율이 다르게 형성된다.
상기 접착층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 적어도 하나로 이루어진 제 1 타겟과 상기 광 흡수층 구성 원소의 적어도 하나로 이루어진 제 2 타겟을 이용한 스퍼터링 공정으로 형성한다.
상기 제 1 타겟 및 제 2 타겟에 인가되는 바이어스를 조절하여 상기 접착층의 구성 원소의 비율을 조절한다.
상기 접착층은 상기 제 1 전극층 측으로부터 상기 광 흡수층 측으로 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 낮아지고 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 높아지게 형성한다.
상기 접착층은 복수의 층으로 형성되고, 상기 제 1 전극층 측의 적어도 하나의 제 1 층이 상기 광 흡수층 구성 원소보다 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 높게 형성되고, 상기 광 흡수층 측의 적어도 하나의 제 2 층이 상기 제 1 전극층 구성 원소보다 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 높게 형성된다.
상기 제 1 층은 상기 제 1 전극층 측으로부터 두께 방향으로 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 점차 줄어들게 형성되고, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층으로부터 상기 광 흡수층 측으로 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 점차 증가하여 형성된다. 또한, 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 제 3 층이 더 형성되고, 상기 제 3 층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율과 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 동일하다.
본 발명의 실시 예의 태양 전지는 제 1 전극층과 광 흡수층 사이에 형성된 접착층을 포함하고, 접착층은 제 1 전극층 구성 원소의 적어도 하나와 광 흡수층 구성 원소의 적어도 하나의 화합물로 형성되어 제 1 전극층 측으로부터 광 흡수층 측으로 제 1 전극층의 구성 원소의 비율이 낮아지도록 형성된다. 즉, 접착층은 중심으로부터 제 1 전극층 측으로 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 높고, 광 흡수층 측으로 광 흡수층의 구성 원소의 비율이 높아지도록 형성된다.
따라서, 제 1 전극층 측으로는 제 1 전극층과 물성이 유사한 물질이 형성되고 광 흡수층 측으로는 광 흡수층과 물성이 유사한 물질이 형성되기 때문에 제 1 전극층 및 광 흡수층의 접착력이 저하되지 않고, 그에 따라 태양 전지의 효율 및 안정성 저하를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 태양 전지의 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 태양 전지의 단면도.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 태양 전지의 단면도.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 태양 전지의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 태양 전지는 기판(100) 상에 형성된 제 1 전극층(200)과, 제 1 전극층(200) 상에 형성된 접착층(300)과, 접착층(300) 상에 형성된 광 흡수층(400)과, 광 흡수층(400) 상에 적층 형성된 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)과, 윈도우층(600) 상에 형성된 제 2 전극층(700)을 포함한다.
기판(100)은 용도에 따라 다양한 특성의 기판을 이용할 수 있다. 예를 들어, 광 투과 특성에 따라 투명 기판, 불투명 또는 반투명 기판을 이용할 수 있다. 또한, 기판(100)은 재질에 따라 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 폴리머 기판 등을 이용할 수도 있다. 그리고, 기판(100)은 굽힘 특성에 따라 리지드(rigid) 기판 또는 플렉서블(flexible) 기판을 이용할 수 있다. 이러한 기판(100)은 바람직하게는 광 투과성을 가지고 비용이 저렴한 유리 기판을 이용할 수 있다. 유리 기판으로는 예를 들어 소다라임 유리(sodalime galss) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 이용할 수 있다. 또한, 금속 기판으로는 스테인레스 스틸 또는 티타늄을 포함하는 기판을 이용할 수 있고, 폴리머 기판으로는 폴리이미드(polyimide)를 이용할 수 있다.
제 1 전극층(200)은 금속 등의 도전 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 물질의 복수의 층으로 형성할 수 있다. 여기서, 제 1 전극층(200)은 비저항이 낮고, 열팽창 계수의 차이로 인해 기판(100)과 박리 현상이 일어나지 않도록 기판(100)과의 점착성이 뛰어난 물질을 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 제 1 전극층(200)으로는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 크롬과 몰리브덴의 합금을 이용할 수 있다. 특히, 제 1 전극층(200)으로 전기 전도도가 높고, 광 흡수층(400)과의 오믹(ohmic) 특성이 우수하며, 셀레늄(Se) 분위기에서의 고온 안정성이 뛰어난 몰리브덴(Mo)을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 전극층(200)은 도전 물질에 나트륨(Na) 이온이 도핑되어 형성될 수 있다.
접착층(300)은 제 1 전극층(200)과 광 흡수층(400)의 접착력을 향상시키기 위해 형성되며, 제 1 전극층(200) 구성 원소의 적어도 하나와 광 흡수층(400) 구성 원소의 적어도 하나의 화합물로 형성될 수 있다. 예를 들어 접착층(300)은 MoCu, MoIn, MoGa, MoCuIn, MoCuGa, MoInGa 등의 물질로 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 접착층(300)은 제 1 전극층(200) 측으로부터 광 흡수층(400) 측으로 구성 원소의 비율이 변화되어 형성된다. 이때, 접착층(300)은 제 1 전극층(200) 측으로 제 1 전극층(200)의 구성 원소의 비율이 높고 광 흡수층(400) 측으로 광 흡수층(400)의 구성 원소의 비율이 높도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 접착층(300)은 MoCu로 형성되며, 제 1 전극층(200) 측으로 Mo의 비율이 높고 광 흡수층(400) 측으로 Mo의 비율이 낮게 형성될 수 있다. 즉, 접착층(300)은 하부로부터 상부로 Mo 비율이 낮아지고 Cu 비율이 높아지도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 접착층(300)은 제 1 전극층(200)과 접하는 영역의 Mo와 Cu의 비가 90:10으로부터 두께 방향으로 이들의 비율이 변화하여 광 흡수층(400)과 접하는 영역의 Mo와 Cu의 비가 10:90으로 변화되도록 형성된다. 이렇게 제 1 전극층(200) 측에는 제 1 전극층(200)의 구성 원소의 비율이 높고 광 흡수층(400) 측에는 광 흡수층(400)의 구성 원소의 비율이 높게 접착층(300)이 형성되면 이종 물질이 접하는 경우에 비해 접착력을 향상시킬 수 있다.
광 흡수층(400)은 접착층(300) 상에 형성되어 외부로부터 입사되는 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시킨다. 이러한 광 흡수층(400)은 예를 들어 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ계 화합물로 형성할 수 있다. 즉, 광 흡수층(400)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드(CuInGaSe2, CIGS) 화합물로 형성하거나, 구리-인듐-셀레나이드(CuInSe2, CIS) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드(CuGaSe2, CGS) 화합물로 형성할 수 있다. 광 흡수층(400)은 다양한 방식으로 형성할 수 있는데, 예를 들어 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 각각 이용하거나 구리, 인듐 및 갈륨의 혼합 타겟을 이용하여 스퍼터링 방식으로 보호층(300) 상에 CIG 금속 전구체(precursor)막을 형성한 후 고온에서 셀레늄를 이용하여 셀레니제이션(selenization) 공정을 실시함으로써 CIGS 화합물의 광 흡수층(400)을 형성할 수 있다. 이러한 셀레니제이션 공정에 의해 셀레늄이 CIG 금속 전구체막으로 확산되면서 광 흡수층(400)이 형성된다.
버퍼층(500)은 광 흡수층(400) 상에 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 버퍼층(500)은 예를 들어 화학 용액 증착법(chemical bath deposition: CBD)에 의하여 황화 카드뮴(CdS)으로 형성할 수 있다. 윈도우층(600)은 버퍼층(500) 상에 투명 도전성 물질로 형성할 수 있는데, 예를 들어 ITO, ZnO 및 i-ZnO의 어느 하나로 형성될 수 있다. 이러한 윈도우층(600)은 다양한 방식으로 형성할 수 있는데, 예를 들어 ZnO을 타겟으로 한 스퍼터링 공정으로 ZnO층으로 형성할 수 있고, 산소 분위기에서 Zn 타겟을 이용하여 ZnO층을 형성할 수도 있다. 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)은 광 흡수층(400)과 이후 형성되는 제 2 전극층(700)의 사이에 형성되어 광 흡수층(400)과 제 2 전극층(700)이 양호하게 접합되도록 한다. 즉, 광 흡수층(400)과 제 2 전극층(700)은 격자 상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에 두 물질의 중간 밴드 갭을 갖는 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 형성하여 광 흡수층(400)과 제 2 전극층(700)이 양호하게 접합될 수 있다.
제 2 전극층(700)은 금속 등의 도전성 물질, 예를 들어 알루미늄을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제 2 전극층(700)이 태양 전지 전면의 투명 전극으로 기능할 수 있도록 투명 도전성 물질로 형성할 수도 있는데, 예를 들어 ZnO 등의 광투과율이 높은 투명 도전성 산화물을 이용하여 형성할 수도 있다. 또한, ZnO에 알루미늄 또는 알루미나를 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 제 2 전극층(700)을 형성할 수 있다. 한편, 제 2 전극층(700)은 다양한 방법으로 형성할 수 있는데, 예를 들어 RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 형성하는 방법과, Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 방법, 그리고 유기금속화학 증착법 등으로 형성될 수 있다. 또한, 전기 광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 ZnO 박막 상에 증착하여 이중 구조의 제 2 전극층(700)을 형성할 수도 있다.
상기와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 태양 전지는 제 1 전극층(200)과 광 흡수층(400) 사이에 제 1 전극층(200) 구성 원소와 광 흡수층(400) 구성 원소의 적어도 하나의 원소의 화합물로 접착층(300)이 형성되고, 접착층(300)은 제 1 전극층(200) 측으로 제 1 전극층(200) 구성 원소의 비율이 높고 광 흡수층(400) 측으로 광 흡수층(400) 구성 원소의 비율이 높도록 구성 원소의 비율이 조절되어 형성된다. 이러한 접착층(300)이 형성됨으로써 이종 물질이 접촉되어 형성되는 경우에 비해 제 1 전극층(200)과 광 흡수층(400)의 접착력을 향상시킬 수 있다
한편, 상기 실시 예는 접착층(300)의 구성 원소의 비율이 두께 방향으로 구배되도록 형성되었으나, 접착층(300)을 복수의 층으로 형성하고, 각 층의 구성 원소의 비율을 다르게 하여 형성할 수도 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 즉, 접착층(300)은 제 1 내지 제 3 접착층(310, 320, 330)으로 형성된다. 이때, 제 2 접착층(320)은 Mo와 Cu가 50:50의 비율로 형성되고, 제 1 전극층(200) 측의 제 1 접착층(310)은 Mo와 Cu가 예를 들어 70:30의 비율로 형성되며, 광 흡수층(400) 측의 제 3 접착층(330)은 Mo와 Cu가 예를 들어 30:70의 비율로 형성될 수 있다. 물론, 제 1 및 제 3 접착층(310, 330)은 두께 방향으로 Mo와 Cu의 비율이 다르게 형성할 수 있는데, 예를 들어 제 1 접착층(310)은 제 1 전극층(200) 측으로부터 Mo와 Cu가 90:10의 비율로부터 제 2 접착층(320)으로 갈수록 Mo의 비율이 낮아져 Mo와 Cu가 60:40의 비율로 형성될 수 있다. 마찬가지로, 제 3 접착층(330)은 제 2 접착층(320) 측으로부터 Mo와 Cu가 40:60의 비율로부터 광 흡수층(400)으로 갈수록 Cu의 비율이 높아져 Mo와 Cu가 10:90의 비율로 형성될 수 있다
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 기판(100) 상에 제 1 전극층(200)을 형성한다. 기판(100)은 용도에 따라 다양한 특성의 기판을 이용할 수 있는데, 바람직하게는 광 투과성을 가지는 유리 기판을 이용할 수 있다. 또한, 제 1 전극층(200)은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 크롬과 몰리브덴의 합금을 이용할 수 있으며, 특히 전기 전도도가 높고, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 특성이 우수하며, 셀레늄(Se) 분위기에서의 고온 안정성이 뛰어난 몰리브덴(Mo)을 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 제 1 전극층(300)은 다양한 방식으로 형성할 수 있는데, 예를 들어 금속 타겟(target)을 이용하여 스퍼터링(sputtering) 공정으로 형성할 수 있다. 또한, 제 1 전극층(300)의 도전 물질에 나트륨(Na) 이온이 도핑되어 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제 1 전극층(200) 상에 접착층(300)을 형성한다. 접착층(300)은 제 1 전극층(200)과 광 흡수층(400)의 접착력을 향상시키기 위해 형성하며, 제 1 전극층(200)의 구성 원소와 광 흡수층(400)의 구성 원소의 적어도 하나의 화합물로 형성된다. 예를 들어 접착층(300)은 MoCu, MoIn, MoGa, MoCuIn, MoCuGa, MoInGa 등의 물질로 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 접착층(300)은 제 1 전극층(200) 측으로 제 1 전극층(200)의 구성 원소의 비율이 높고 광 흡수층(400) 측으로 광 흡수층(400)의 구성 원소의 비율이 높도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 접착층(300)은 MoCu로 형성되며, 제 1 전극층(200) 측으로 Mo의 비율이 높고 광 흡수층(400) 측으로 Mo의 비율이 낮게 형성될 수 있다. 이러한 접착층(300)은 다양한 방식으로 형성할 수 있는데, 예를 들어 스퍼터링 방식으로 형성할 수 있다. 스퍼터링 방식으로 접착층(300)을 형성하기 위해 예를 들어 Mo 타겟과 Cu의 타겟을 이용할 수 있으며, Mo 타겟의 바이어스와 Cu 타겟의 바이어스를 조절하여 접착층(300)의 두께에 따른 Mo와 Cu의 비율을 다르게 형성할 수 있다. 또한 복수의 타겟을 어레이로 배열할 때 Mo와 Cu의 조성비가 순차적으로 변하는 복수개의 타겟을 배열함으로써 기판 이송 중에 자연적으로 농도의 변화가 있는 박막을 순차적으로 형성할 수 있다.
도 5를 참조하면, 접착층(300) 상에 광 흡수층(400)을 형성한 후 광 흡수층(400) 상에 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 형성한다. 광 흡수층(400)은 예를 들어 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ계 화합물로 형성할 수 있다. 즉, 광 흡수층(400)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드(Cu(In,Ga)Se2, CIGS) 화합물로 형성하거나, 구리-인듐-셀레나이드(CuInSe2, CIS) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드(CuGaSe2, CGS) 화합물로 형성할 수 있다. 광 흡수층(400)은 다양한 방식으로 형성할 수 있는데, 예를 들어 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 각각 이용하거나 구리, 인듐 및 갈륨의 혼합 타겟을 이용하여 스퍼터링 방식으로 CIG 금속 전구체막을 형성한 후 고온에서 셀레늄을 이용하여 셀레니제이션(selenization) 공정을 실시함으로써 CIGS 화합물의 광 흡수층(400)을 형성할 수 있다. 이때, 셀레늄 대신에 황 또는 셀레늄과 황의 혼합물을 이용할 수도 있다. 한편, 셀레니제이션 공정을 실시할 때 셀레늄의 확산이 보호층(300)에 의해 억제된다. 따라서, 제 1 전극층(200)과 셀레늄의 반응에 의한 태양 전지의 효율 및 안정성 저하를 억제할 수 있다. 버퍼층(500)은 예를 들어 화학 용액 증착법(chemical bath deposition: CBD)에 의하여 황화 카드뮴(CdS)으로 형성할 수 있다. 윈도우층(600)은 버퍼층(500) 상에 투명 도전성 물질로 형성할 수 있는데, 예를 들어 ITO, ZnO 및 i-ZnO의 어느 하나로 형성될 수 있다. 이러한 윈도우층(600)은 다양한 방식으로 형성할 수 있는데, 예를 들어 ZnO을 타겟으로 한 스퍼터링 공정으로 ZnO층으로 형성할 수 있고, 산소 분위기에서 Zn 타겟을 이용하여 ZnO층을 형성할 수도 있다. 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)은 광 흡수층(400)과 이후 형성될 제 2 전극층(700)의 사이에 형성되어 광 흡수층(400)과 제 2 전극층(700)이 양호하게 접합되도록 한다.
도 6을 참조하면, 윈도우층(600) 상에 제 2 전극층(700)을 형성한다. 제 2 전극층(700)은 알루미늄 등의 금속 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제 2 전극층(700)은 태양 전지 전면의 투명 전극으로 기능할 수 있도록 투명 도전성 물질로 형성할 수도 있다. 그리고, 제 2 전극층(700)은 ZnO 등의 투명 도전성 물질에 알루미늄 또는 알루미나를 도핑함으로써 저항을 낮출 수도 있다. 한편, 제 2 전극층(700)은 다양한 방법으로 형성할 수 있는데, 예를 들어 RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 형성하는 방법과, Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 방법, 그리고 유기금속화학 증착법 등으로 형성될 수 있다. 또한, 전기 광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 ZnO 박막 상에 증착하여 이중 구조의 제 2 전극층(700)을 형성할 수도 있다.
한편, 본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 기판 200 : 제 1 전극층
300 : 접착층 400 : 광 흡수층
500 : 버퍼층 600 : 윈도우층
700 : 제 2 전극층
300 : 접착층 400 : 광 흡수층
500 : 버퍼층 600 : 윈도우층
700 : 제 2 전극층
Claims (15)
- 기판 상에 형성된 제 1 전극층;
상기 제 1 전극층 상에 형성된 접착층;
상기 접착층 상에 형성된 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,
상기 접착층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 적어도 하나 및 상기 광 흡수층 구성 원소의 적어도 하나로 형성되며, 두께 방향으로 상기 구성 원소들의 비율이 다르게 형성되고,
상기 접착층은 MoCu, MoIn, MoGa, MoCuIn, MoCuGa, MoInGa중 어느 하나로 형성된 태양 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접착층은 상기 제 1 전극층 측으로부터 상기 광 흡수층 측으로 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 낮아지고 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 높아지게 형성된 태양 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접착층은 복수의 층으로 형성되고, 상기 제 1 전극층 측의 적어도 하나의 제 1 층이 상기 광 흡수층 구성 원소보다 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 높고, 상기 광 흡수층 측의 적어도 하나의 제 2 층이 상기 제 1 전극층 구성 원소보다 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 높은 태양 전지.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 층은 상기 제 1 전극층 측으로부터 두께 방향으로 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 점차 줄어들게 형성되는 태양 전지.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층으로부터 상기 광 흡수층 측으로 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 점차 증가하여 형성되는 태양 전지.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 제 3 층이 더 형성되고, 상기 제 3 층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율과 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 동일한 태양 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층 및 윈도우층을 더 포함하는 태양 전지.
- 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극층 상에 접착층을 형성하는 단계;
상기 접착층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
상기 광 흡수층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 접착층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 적어도 하나 및 상기 광 흡수층 구성 원소의 적어도 하나로 형성되고, 두께 방향으로 상기 구성 원소들의 비율이 다르게 형성하고,
상기 접착층은 MoCu, MoIn, MoGa, MoCuIn, MoCuGa, MoInGa중 어느 하나로 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 접착층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 적어도 하나로 이루어진 제 1 타겟과 상기 광 흡수층 구성 원소의 적어도 하나로 이루어진 제 2 타겟을 이용한 스퍼터링 공정으로 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 타겟 및 제 2 타겟에 인가되는 바이어스를 조절하여 상기 접착층의 구성 원소의 비율을 조절하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 접착층은 상기 제 1 전극층 측으로부터 상기 광 흡수층 측으로 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 낮아지고 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 높아지게 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 접착층은 복수의 층으로 형성되고, 상기 제 1 전극층 측의 적어도 하나의 제 1 층이 상기 광 흡수층 구성 원소보다 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 높게 형성되고, 상기 광 흡수층 측의 적어도 하나의 제 2 층이 상기 제 1 전극층 구성 원소보다 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 높게 형성되는 태양 전지의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 층은 상기 제 1 전극층 측으로부터 두께 방향으로 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율이 점차 줄어들게 형성되는 태양 전지의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층으로부터 상기 광 흡수층 측으로 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 점차 증가하여 형성되는 태양 전지의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 제 3 층이 더 형성되고, 상기 제 3 층은 상기 제 1 전극층 구성 원소의 비율과 상기 광 흡수층 구성 원소의 비율이 동일한 태양 전지의 제조 방법.
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| A201 | Request for examination | ||
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
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