KR20100108959A - 인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법 - Google Patents

인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법 Download PDF

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Abstract

인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법은, 기판을 예열하는 예열 챔버(200), 예열된 기판을 열처리하는 메인 챔버(300) 및 열처리된 기판을 냉각하는 냉각 챔버(400)가 연속적으로 연결되는 인라인 열처리 장치에서 기판을 열처리하는 방법으로서, (a) 예열 챔버(200)에서 기판을 예열하는 단계; (b) 예열된 기판을 메인 챔버(300)로 로딩하는 단계; (c) 메인 챔버(300)에 로딩된 기판을 열처리하는 단계; (d) 열처리된 기판을 냉각 챔버(400)로 로딩하는 단계; 및 (e) 냉각 챔버(400)에 로딩된 기판을 냉각하는 단계를 포함하고, 메인 챔버(300)는 제1 열처리 존(HZ1)과 제2 열처리 존(HZ2)을 포함하고, 제1 기판(1A)이 제1 열처리 존(HZ1)에서 열처리되면 제1 기판(1A)에 후속하는 제2 기판(1B)은 제2 열처리 존(HZ2)에서 열처리되는 것을 특징으로 한다.
인라인 열처리 장치, 기판, 예열, 열처리, 냉각

Description

인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법{Method For Heat Treatment Of Substrate In In-line Heat Treatment Apparatus}
본 발명은 기판 열처리 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 인라인 열처리 장치의 메인 챔버에 복수개의 열처리 존을 형성하여 복수개의 기판이 동시에 열처리될 수 있고 기판의 대기 시간 없이 기판의 예열, 열처리 및 냉각 과정이 연속적으로 이루어져 열처리 생산성이 획기적으로 향상될 수 있는 인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법에 관한 것이다.
평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 박막에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리 단계를 담당하는 장치이다.
이와 같은 열처리 단계를 수행하기 위해서는 소정의 박막이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 필요하다. 열처리 온도는 다양하게 변경할 수 있으며 평판 디스플레이 및 태양전지 제조의 경우에는 통상적으로 500 내지 900℃의 온도가 필요하다.
한편, 열처리되는 기판의 사이즈가 증대됨에 따라 기존의 기판 보트를 사용 하여 열처리 장치에 기판을 로딩 또는 언로딩하는 방식은 기판 로딩 장치가 복잡해지는 등 여러 가지 문제점을 보이고 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 복수개의 구동 롤러를 열처리 장치의 전후에 연속적으로 배치하여, 상기 구동 롤러 상에 기판을 배치하고 상기 구동 롤러의 회전에 의하여 기판을 열처리 장치에 로딩 또는 언로딩되도록 하는 인라인(in-line) 방식의 인라인 열처리 장치가 개발되었다.
한편, 인라인 방식의 열처리 장치에서는 메인 챔버에 하나의 기판만이 로딩되어 열처리가 진행되어서 열처리 생산성이 많이 떨어지는 단점이 있는바, 이를 보완하기 위하여 통상적인 인라인 열처리 장치에서는 메인 챔버 전후에 기판을 예열하는 예열 챔버와 기판을 냉각하는 냉각 챔버를 연속적으로 설치하여, 예열 챔버에서 기판을 열처리 온도로 예열한 후 메인 챔버로 로딩하여 열처리를 수행하고 메인 챔버에서 열처리가 완료된 후에는 냉각 챔버에서 냉각이 진행되도록 하여 왔다.
그러나, 상기와 같은 방식의 열처리 방법은 통상적으로 메인 챔버에서의 열처리 시간은 예열 챔버에서의 예열 시간 보다 길기 때문에 예열 챔버에서 예열이 종료된 기판이 메인 챔버로 로딩되지 못하고 일정 시간 동안 대기하는 경우가 발생하여 열처리 과정이 연속적으로 진행되지 못하는 문제점이 있었다. 즉, 상기 방식은 기판의 예열 시간, 열처리 시간 및 냉각 시간이 서로 다르기 때문에 필연적으로 기판의 대기 과정이 발생하여 기판의 열처리 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 인라인 열처리 장치의 메인 챔버에 복수개의 열처리 존을 형성하여 복수개의 기판이 동시에 열처리될 수 있는 인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법을 제공하는 데에 목적이 있다.
또한, 본 발명은 기판의 대기 시간 없이 기판의 예열, 열처리 및 냉각 과정이 연속적으로 이루어질 수 있는 인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법을 제공하는 데에 목적이 있다.
또한, 본 발명은 열처리 생산성을 획기적으로 향상시킬 수 있는 인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법을 제공하는 데에 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치에서의 기판 열처리 방법은, 기판을 예열하는 예열 챔버, 예열된 기판을 열처리하는 메인 챔버 및 열처리된 기판을 냉각하는 냉각 챔버가 연속적으로 연결되는 인라인 열처리 장치에서 기판을 열처리하는 방법으로서, 상기 메인 챔버는 복수개의 열처리 존을 포함하고, 임의의 기판이 상기 복수개의 열처리 존 중 임의의 열처리 존에서 열처리되면 상기 임의의 기판에 후속하는 기판은 상기 임의의 열처리 존과 다른 열처리 존에서 열처리되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 인라인 열처리 장 치에서의 기판 열처리 방법은, 기판을 예열하는 예열 챔버, 예열된 기판을 열처리하는 메인 챔버 및 열처리된 기판을 냉각하는 냉각 챔버가 연속적으로 연결되는 인라인 열처리 장치에서 기판을 열처리하는 방법으로서, (a) 상기 예열 챔버에서 기판을 예열하는 단계; (b) 상기 예열된 기판을 상기 메인 챔버로 로딩하는 단계; (c) 상기 메인 챔버에 로딩된 기판을 열처리하는 단계; (d) 상기 열처리된 기판을 상기 냉각 챔버로 로딩하는 단계; 및 (e) 상기 냉각 챔버에 로딩된 기판을 냉각하는 단계를 포함하고, 상기 메인 챔버는 제1 열처리 존과 제2 열처리 존을 포함하고, 임의의 제1 기판이 상기 제1 열처리 존에서 열처리되면 상기 제1 기판에 후속하는 제2 기판은 상기 제2 열처리 존에서 열처리되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 기판이 상기 제1 열처리 존에 위치하는 경우 상기 제2 기판은 상기 예열 챔버에서 예열될 수 있다.
상기 제2 기판이 상기 제2 열처리 존에 위치하는 경우 상기 제1 기판은 상기 냉각 챔버에서 냉각될 수 있다.
상기 제2 기판이 상기 제2 열처리 존에 위치하는 경우 상기 제2 기판에 후속하는 제3 기판은 상기 예열 챔버에서 예열될 수 있다.
상기 제2 기판이 상기 제2 열처리 존에 위치하는 경우 상기 제2 기판에 후속하는 제3 기판은 상기 메인 챔버에 로딩될 수 있다.
본 발명에 따르면, 인라인 열처리 장치의 메인 챔버에 복수개의 열처리 존을 형성하여 복수개의 기판이 동시에 열처리될 수 있고 기판의 대기 시간 없이 기판의 예열, 열처리 및 냉각 과정이 연속적으로 이루어져 열처리 생산성이 획기적으로 향상될 수 있는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치(100)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치(100)의 동작을 나타내는 도면이다.
도시한 바와 같이, 인라인 열처리 장치는 예열 챔버(200), 메인 챔버(300) 및 냉각 챔버(400)를 포함하여 구성될 수 있다.
예열 챔버(200)는 열처리를 수행할 예정인 기판을 후술하는 메인 챔버(300)로 로딩하기 전에 소정의 온도로 예열한다.
예열 챔버(200)는 기판이 로딩될 수 있는 크기로 형성되고, 예열 챔버(200)의 전방과 후방으로는 기판의 로딩과 언로딩을 위한 제1 및 제2 예열 도어(202, 204)가 각각 형성된다. 제1 및 제2 예열 도어(202, 204)는 개폐 가능하게 형성되는 것이 바람직하다. 예열 챔버(200)의 내부에는 기판의 예열을 위한 예열 히터(210)가 설치된다.
메인 챔버(300)는 예열이 완료된 기판을 로딩하여 기판에 대한 열처리를 진행한다.
메인 챔버(300)는 복수개의 기판이 로딩될 수 있는 크기로 형성되고, 메인 챔버(300)로 로딩된 메인 챔버(300)의 전방과 후방으로는 기판의 로딩과 언로딩을 위한 로딩 도어(302)와 언로딩 도어(304)가 각각 개폐 가능하게 설치된다.
메인 챔버(300)의 내부는 로딩 존(LZ), 제1 및 제2 열처리 존(HZ1, HZ2)으로 구분된다.
로딩 존(LZ)은 기판이 메인 챔버(300)로 로딩된 후 후술하는 제1 또는 제2 열처리 존(HZ1, HZ2)으로 이동하기 전, 그리고 열처리가 완료된 기판이 메인 챔버(300) 외부로 언로딩되기 전에 일시적으로 위치한다.
제1 및 제2 열처리 존(HZ1, HZ2)은 메인 챔버(300)로 로딩된 기판이 위치된 후 열처리되는 장소이다. 메인 챔버(300)로 로딩된 기판은 제1 또는 제2 열처리 존(HZ1, HZ2) 중 비어 있는 열처리 존으로 이동한 후 열처리된다.
도시한 바와 같이, 메인 챔버(300)의 내측 상부와 하부가 각각 제1 열처리 존(HZ1)과 제2 열처리 존(HZ2)으로 구분되어 있다. 여기서, 열처리 존의 순서를 나타내는 번호는 설명의 편의를 위한 것이다.
제1 및 제2 열처리 존(HZ1, HZ2) 각각에는 기판에 대하여 열을 인가할 수 있도록 메인 히터(310)가 설치된다. 메인 히터(310)는 제1 및 제2 열처리 존(HZ1, HZ2)에 각각 동일한 용량과 개수로 설치되는 것이 바람직하다.
냉각 챔버(400)는 메인 챔버(300)에서 열처리가 완료되어 언로딩되는 기판을 로딩하여 소정의 온도로 냉각한다.
냉각 챔버(400)의 전방과 후방으로는 기판의 로딩과 언로딩을 위한 제1 및 제2 냉각 도어(402, 404)가 개폐 가능하게 설치된다. 냉각 챔버(400)의 내부에는 기판의 냉각을 위해 냉각관(410)이 복수개로 설치될 수 있으며, 냉각관(410)으로는 저온의 액체 또는 기체를 흐르게 하여 냉각 챔버(400)로 로딩된 기판의 온도를 사용자가 원하는 온도로 냉각할 수 있다.
상기와 같이 구성된 예열 챔버(200), 메인 챔버(300) 및 냉각 챔버(400)는 일직선상에 연속적으로 배치되는 것이 바람직하다. 따라서, 예열 챔버(200)의 제2 예열 도어(204)는 메인 챔버(300)의 로딩 도어(302)와 대향하고, 메인 챔버(300)의 언로딩 도어(304)는 냉각 챔버(400)의 제1 냉각 도어(402)와 대향하게 된다.
또한, 기판이 제2 예열 도어(204)에서 로딩 도어(302)로 이동할 때와 언로딩 도어(304)에서 제1 냉각 도어(404)로 이동할 때, 기판과 외기와의 접촉에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하기 위해 예열 챔버(200), 메인 챔버(300) 및 냉각 챔버(400)는 서로 밀착되게 하는 것이 바람직하다.
또한, 예열 챔버(200), 메인 챔버(300) 및 냉각 챔버(400)의 내부 및 전방과 후방으로는 기판의 이동 및 로딩과 언로딩을 위한 구동 롤러(미도시)가 복수개로 설치될 수 있다. 복수개의 구동 롤러와 구동 롤러의 동작에 필요한 회전력을 발생시키는 모터의 구성은 인라인 열처리 장치에서는 공지의 기술이므로 이에 대한 상세한 도시와 설명은 생략한다.
이하에서는 상기와 같이 구성된 인라인 열처리 장치를 이용한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 방법에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.
우선, 열처리 공정을 수행하기 위한 기판을 준비한다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 제1 기판(1A)은 예열 챔버(200) 전방의 제1 예열 도어(202)를 통해 예열 챔버(200) 내로 로딩된다. 여기서, 인라인 열처리 장치에서 열처리되는 기판(1)은 모두 동일한 크기 및 구성으로 이루어진 기판이며, 로딩 및 언로딩에 관한 설명을 용이하게 하기 위해 예열 챔버(200)로 로딩되는 기판의 순서에 따라 1A, 1B와 같은 부호를 사용하기로 한다.
제1 기판(1A)은 기판 트레이(2)에 놓여진 상태로 예열 챔버(200)로 로딩되고, 이후 냉각 챔버(400)에서 언로딩 될 때까지 기판 트레이(2)로 놓여진 상태를 유지한다. 그리고, 후술하는 기판도 모두 기판 트레이(2)에 놓여진 상태에서 예열, 열처리 및 냉각되므로 앞으로 기판 트레이(2)에 대한 기재는 생략한다.
이후, 예열 히터(210)를 동작시켜 제1 기판(1A)의 온도가 소정 수준에 도달할 때까지 소정 시간 동안 예열한다. 예열 챔버(200)에서 이루어지는 기판의 예열 온도는 메인 챔버(300)에서의 열처리 온도에 근접하는 정도로 설정되고, 설정된 예열 온도에 도달하는 예열 시간은 대략 열처리 시간의 1/2에 해당하는 시간 동안 행해지는 것이 일반적이다.
예열 챔버(200)에서 제1 기판(1A)에 대한 예열이 완료되면, 도 2b에 도시한 바와 같이, 예열 챔버(200) 후방의 제2 예열 도어(204)를 통하여 제1 기판(1A)을 언로딩하고, 예열 챔버(200)에서 언로딩된 제1 기판(1A)은 메인 챔버(300)의 전방의 로딩 도어(302)를 통하여 메인 챔버(300) 내측으로 로딩되어 로딩 존(LZ)에 위치하게 된다.
이후, 도 2c에 도시한 바와 같이, 로딩 존(LZ)의 제1 기판(1A)은 메인 챔버(300)의 내측 상부에 형성된 제1 열처리 존(HZ1)으로 이동한다. 도시한 바와 같 이, 제1 및 제2 열처리 존(HZ1, HZ2) 모두가 비어있는 경우에 제1 기판(1A)은 제1 또는 제2 열처리 존(HZ1, HZ2)으로 이동하여 열처리될 수 있지만, 설명의 편의를 위하여 기판의 로딩 순서에 따라 제1 및 제2 열처리 존(HZ1, HZ2)에 순차적으로 이동하는 것으로 상정하여 설명하기로 한다.
여기서, 메인 챔버(300)의 내부에는 기판 이송 암과 같은 이송 기구가 설치되어 로딩 존(LZ)과 제1 및 제2 열처리 존(HZ1, HZ2) 사이의 기판 이동을 원활히 할 수 있다.
제1 열처리 존(HZ1)으로 이동한 제1 기판(1A)은 제1 열처리 존(HZ1)에 설치된 메인 히터(310)에 의해 소정 시간 동안 소정 온도로 열처리된다.
한편, 예열 챔버(200)는 예열된 제1 기판(1A)을 언로딩 한 후, 제1 예열 도어(202)를 통해 제2 기판(1B)을 로딩한 후 이를 예열된다.
예열 챔버(200)에서 제2 기판(1B)에 대한 예열이 완료되면, 도 2d에 도시한 바와 같이, 메인 챔버(300)의 내부에서 제1 기판(1A)에 대한 열처리가 진행되는 도중이라도 예열이 완료된 제2 기판(1B)은 예열 챔버(200)에서 언로딩된 후 메인 챔버(300)의 로딩 존(LZ)으로 로딩된다.
전술한 바와 같이, 메인 챔버(300)에서 기판의 열처리에 소요되는 시간은 예열 챔버(200)에서 기판의 예열에 소요되는 시간보다 긴 것이 일반적이다. 따라서, 제2 기판(1B)이 예열 챔버(200)로 로딩되어 예열되고, 예열이 완료되어 언로딩되는 시점에서도 제1 열처리 존(HZ1)에서의 제1 기판(1A)에 대한 열처리는 완료되지 않은 상태일 수 있다.
예열된 제2 기판(1B)이 메인 챔버(300)로 로딩되었을 때, 제1 열처리 존(HZ1)에 위치되어 있는 제1 기판(1A)에 대해서는 열처리가 완료되지 않고 진행 중이므로, 도 2e에 도시한 바와 같이, 제2 기판(1B)은 로딩 존(LZ)에서 기판이 위치되어 있지 않은 열처리 존, 즉 제2 열처리 존(HZ2)으로 이동하여 소정 시간 동안 소정 온도로 열처리될 수 있다.
이후, 제1 열처리 존(HZ1)에 위치되어 있는 제1 기판(1A)에 대한 열처리가 완료되면, 도 2f에 도시한 바와 같이, 이를 로딩 존(LZ)으로 이동시켜 언로딩을 준비한다. 이 과정에서 예열 챔버(200)에는 제3 기판(1C)이 로딩되어 예열될 수 있다.
이후, 도 2g에 도시한 바와 같이, 로딩 존(LZ)의 제1 기판(1A)은 언로딩 도어(304)를 통해 언로딩되고 제1 냉각 도어(402)를 통해 냉각 챔버(400)로 로딩된다. 즉, 열처리가 완료된 제1 기판(1A)은 제2 열처리 존(HZ2)에 위치한 제2 기판(1B)에 대한 열처리가 진행되는 도중에도 메인 챔버(300)의 후방에 형성된 언로딩 도어(304)를 통해 언로딩될 수 있다.
냉각 챔버(400)의 냉각관(410)으로는 저온의 가스 또는 액체가 흐르며 냉각 챔버(400) 내부를 냉각하여 냉각 챔버(400)로 로딩된 제1 기판(1A)을 소정 온도로 냉각시킬 수 있다.
이후, 메인 챔버(300)의 로딩 존(LZ)으로는 예열 챔버(200)에서 예열된 제3 기판(1C)이 로딩된다. 이때, 도 2h에 도시한 바와 같이, 냉각 챔버(400)에서는 제1 기판(1A)이 냉각되는 동안 로딩 존(LZ)의 제3 기판(1C)은 제1 열처리 존(HZ1)으 로 이동하여 열처리되고, 제2 열처리 존(HZ2)에서 열처리가 완료된 제2 기판(1B)은 로딩 존(LZ)으로 이동되어 냉각 챔버(400)로의 언로딩에 대비한다. 한편, 예열 챔버(200)에는 제4 기판(1D)이 로딩되어 예열되고 향후 열처리에 대비하게 된다.
상기와 같은 과정이 반복적으로 진행되어 기판에 대한 열처리가 진행될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 기판 열처리 방법은 인라인 열처리 장치의 메인 챔버에 복수개의 열처리 존을 형성하여 복수개의 기판이 동시에 열처리될 수 있고 기판의 대기 시간 없이 기판의 예열, 열처리 및 냉각 과정이 연속적으로 이루어져 열처리 생산성이 획기적으로 향상될 수 있는 이점이 있다.
예를 들어, 기판의 열처리에 필요한 시간은 20분 내외이고 기판의 예열 및 냉각에 필요한 시간은 10분 내외라고 한다면, 종래 방식의 경우에는 열처리가 완료될 때까지 예열된 기판이 대기해야 하는 관계로 1시간당 기판 처리량은 3개에 불과하나, 본 발명의 방식에 따르면 기판의 대기 과정 없이 기판의 예열, 열처리 및 냉각 과정이 연속적으로 1시간당 기판 처리량을 6개로 증가시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 동작을 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판(제1 내지 제4 기판을 포함함)
2: 기판 트레이
100: 인라인 열처리 장치
200: 예열 챔버
202: 제1 예열 도어
204: 제2 예열 도어
210: 예열 히터
300: 메인 챔버
302: 로딩 도어
304: 언로딩 도어
310: 메인 히터
400: 냉각 챔버
402: 제1 냉각 도어
404: 제2 냉각 도어
410: 냉각관

Claims (6)

  1. 기판을 예열하는 예열 챔버, 예열된 기판을 열처리하는 메인 챔버 및 열처리된 기판을 냉각하는 냉각 챔버가 연속적으로 연결되는 인라인 열처리 장치에서 기판을 열처리하는 방법으로서,
    상기 메인 챔버는 복수개의 열처리 존을 포함하고, 임의의 기판이 상기 복수개의 열처리 존 중 임의의 열처리 존에서 열처리되면 상기 임의의 기판에 후속하는 기판은 상기 임의의 열처리 존과 다른 열처리 존에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.
  2. 기판을 예열하는 예열 챔버, 예열된 기판을 열처리하는 메인 챔버 및 열처리된 기판을 냉각하는 냉각 챔버가 연속적으로 연결되는 인라인 열처리 장치에서 기판을 열처리하는 방법으로서,
    (a) 상기 예열 챔버에서 기판을 예열하는 단계;
    (b) 상기 예열된 기판을 상기 메인 챔버로 로딩하는 단계;
    (c) 상기 메인 챔버에 로딩된 기판을 열처리하는 단계;
    (d) 상기 열처리된 기판을 상기 냉각 챔버로 로딩하는 단계; 및
    (e) 상기 냉각 챔버에 로딩된 기판을 냉각하는 단계
    를 포함하고,
    상기 메인 챔버는 제1 열처리 존과 제2 열처리 존을 포함하고, 임의의 제1 기판이 상기 제1 열처리 존에서 열처리되면 상기 제1 기판에 후속하는 제2 기판은 상기 제2 열처리 존에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판이 상기 제1 열처리 존에 위치하는 경우 상기 제2 기판은 상기 예열 챔버에서 예열될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2 기판이 상기 제2 열처리 존에 위치하는 경우 상기 제1 기판은 상기 냉각 챔버에서 냉각될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제2 기판이 상기 제2 열처리 존에 위치하는 경우 상기 제2 기판에 후속하는 제3 기판은 상기 예열 챔버에서 예열될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제2 기판이 상기 제2 열처리 존에 위치하는 경우 상기 제2 기판에 후속하는 제3 기판은 상기 메인 챔버에 로딩될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.
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