KR20100094589A - 최소 출력 네트워크를 포함한 3-웨이 도허티 증폭기 - Google Patents

최소 출력 네트워크를 포함한 3-웨이 도허티 증폭기 Download PDF

Info

Publication number
KR20100094589A
KR20100094589A KR1020107016305A KR20107016305A KR20100094589A KR 20100094589 A KR20100094589 A KR 20100094589A KR 1020107016305 A KR1020107016305 A KR 1020107016305A KR 20107016305 A KR20107016305 A KR 20107016305A KR 20100094589 A KR20100094589 A KR 20100094589A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
output
amplifier
peak
input
stage
Prior art date
Application number
KR1020107016305A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101107827B1 (ko
Inventor
네오 더블유씨이
엠 펠크
데 브리드 엘씨엔
자오 지
레드진드레퍼사드 가자드하르싱
Original Assignee
엔엑스피 비 브이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔엑스피 비 브이 filed Critical 엔엑스피 비 브이
Publication of KR20100094589A publication Critical patent/KR20100094589A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101107827B1 publication Critical patent/KR101107827B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/391Indexing scheme relating to amplifiers the output circuit of an amplifying stage comprising an LC-network
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/543A transmission line being used as coupling element between two amplifying stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

3-웨이 도허티 증폭기는 증폭기 입력과 증폭기 출력을 갖는다. 증폭기는 메인 스테이지, 제 1 피크 스테이지, 및 제 2 피크 스테이지를 갖는다. 증폭기는, 상기 스테이지들의 입력에 증폭기 입력을 연결하는 입력 네트워크와, 상기 스테이지들을 증폭기 출력에 연결하는 출력 네트워크를 갖는다. 출력 네트워크는, 메인 스테이지의 출력과 증폭기 출력 사이에서 90°의 위상 시프트, 제 1 피크 스테이지의 출력과 증폭기 출력 사이에서 180°의 위상 시프트, 및 제 3 출력과 증폭기 출력 사이에서 90°의 위상 시프트를 구현한다.

Description

최소 출력 네트워크를 포함한 3-웨이 도허티 증폭기{3-WAY DOHERTY AMPLIFIER WITH MINIMUM OUTPUT NETWORK}
본 발명은 증폭기 입력 및 증폭기 출력을 갖는 3-웨이 도허티 증폭기를 포함하는 전자 장치에 관한 것으로, 상기 증폭기는, 메인 스테이지, 제 1 피크 스테이지, 및 제 2 피크 디바이스를 갖고, 상기 증폭기는, 증폭기 입력을, 메인 스테이지의 제 1 입력, 제 1 피크 스테이지의 제 2 입력, 및 제 2 피크 스테이지의 제 3 입력에 연결하는 입력 네트워크를 갖고, 상기 증폭기는, 메인 스테이지의 제 1 출력, 제 1 피크 스테이지의 제 2 출력, 및 제 2 피크 스테이지의 제 3 출력을, 증폭기 출력에 연결하는 출력 네트워크를 갖는다.
공지된 바와 같이, 종래의 도허티 증폭기는 2개의 증폭 스테이지가 병렬로 배치되고 동일한 전력 능력(power capability)을 갖는다. 이들 스테이지 중 첫 번째 스테이지는(메인 스테이지)는 클래스-AB 증폭기 모드에서 동작하고, 두 번째 스테이지(피크 스테이지)는 클래스-C 증폭기 모드에서 동작한다. 이들 스테이지는 그들의 입력과 출력에서 90° 위상 시프트 네트워크에 의해 분리되어 있다. 출력 위상 시프트 네트워크는, 메인 스테이지의 최적 부하 임피던스 RLm과 같아야 하는 소정의 특성 임피던스 Z0를 갖는다. 입력 신호는 상기 2개의 증폭기를 구동하도록 분리되어 있고, "임피던스 인버터" 또는 "도허티 결합기"로서 알려진 써밍 네트워크(summing network)는, a) 2개의 신호를 결합하고, b) 2개의 출력 신호간의 위상차를 보정하고, c) 메인 스테이지의 출력에서 본 임피던스에 대해, 도허티 증폭기의 출력에서 전환된 임피던스를 제공하도록 동작한다.
종래의 도허티 증폭기는 메인 스테이지와 단일의 피크 스테이지를 포함한 이른바 2-웨이 증폭기이다. 멀티-웨이(또는 N-웨이) 도허티 증폭기는 메인 스테이지와, 병렬로 동작하는 복수의 피크 스테이지를 갖는다. 멀티-웨이 도허티 시스템의 이점은, 효율 피크 포인트간에서 효율의 현저한 저하를 보이지 않고서, 대칭적인 2-웨이 설계를 넘어 멀리 백오프(back-off) 레벨을 확장한다는 것이다. 그 결과, 대칭적인 2-웨이 도허티 증폭기에서의 6dB 백오프가 아니라, 12dB 전력 백오프로 효율을 개선할 수 있다. 12dB 전력 백오프는 3G-LET(third generation long-term evolution) 및 WiMAX(Worldwide Interoperability for Microwave Access)와 같은 새로운 통신 시스템에 의해 현재 요구되고 있다. 종래의 3-웨이 도허티는, 메인 스테이지와 제 1 피크 스테이지의 출력 사이에서, 또한 제 1 피크 스테이지와 추가적인 피크 스테이지의 출력 사이에서도 1/4파장 라인을 필요로 한다. 이는, 상기 도허티 시스템의 설계를 매우 복잡하게 한다. 또한, 이러한 설계는 그것을 수용하기 위해서 큰 공간을 필요로 하고, 또한 대량 생산된 샘플은 매우 일관되지 않은 행동을 나타내는 것으로 예측될 수 있다.
통상, 메인 스테이지와 피크 스테이지는 각각의 스테이지마다 개별적인 전력 트랜지스터를 이용하여 구현된다.
발명의 개시
2-웨이 도허티 증폭기(메인 스테이지와 단일의 피크 스테이지를 갖음)의 효율은, 제 2 피크 스테이지를 추가하여 3-웨이 도허티 증폭기로 확장함으로써 증대될 수 있다. 이는, 피크대 평균비(peak-to-average ratios)가 큰 입력 신호에 유리하다. 이러한 종래의 3-웨이 도허티 증폭기의 문제점은, 메인 스테이지의 부하 라인(load-line) 변조가 소정의 전력 레벨에서 정지하여, 메인 스테이지의 과도한 포화를 일으킴에 따라, 도허티 증폭의 입력과 출력간에서 선형성이 심각하게 저하되는 것이다. 이러한 저하를 피하기 위한 종래의 방식은, 입력에서 복잡한 구동 프로파일을 이용함으로써, 입력 스플리터(input splitter)의 복잡성을 증가시킨다. 다른 문제점은, 메인 스테이지와 피크 스테이지가 동일한 구조를 갖는 경우에, 대칭적인 2-웨이 도허티 증폭기와 비교해서 미미한 개선이 얻어진다는 것이다. 이에 따라, 설계자로 하여금 상이한 트랜지스터 크기를 선택하게 하여, 복잡한 장치 선택 절차를 초래한다.
이하에, "A Mixed-Signal Approach Towards Linear and Efficient N-Way Doherty Amplifiers"의 공보(W.C. Edmund Neo, Jawad Qureshi, Marco J.Pelk, John R.Gajadharsing, Leo C.N. de Vreede, 마이크로파 이론과 기술에 관한 IEEE 저널, Vol.55, No.5, pp 866-879, 2007년 5월)를 참조한다. 이 공보에서, 저자는 (N+1)-포트 네트워크로서 N-웨이 도허티 증폭기의 출력 네트워크를 모델링한다. 이러한 모델링은, 자유롭게 선택할 수 있는 (N-1)의 고효율 전력 백오프 지점의 소정의 집합에 있어서, 출력 네트워크의 적절한 파라미터 및 구동 전류의 관련 기능을 찾을 수 있게 한다. 이는, 입력 전력에 선형적으로 의존하는(또는 입력 전압의 제곱에 비례하는) 도허티 증폭기의 총출력 전력을 제공해야 하지만, 이와 동시에 전체적인 드레인 효율이 피크 레벨 및 N-1의 백오프 전력 레벨에서 최대화된다.
이하에, 본 발명자들은 3-웨이 도허티 증폭기의 일반적인 출력 네트워크를 모델링하기 위해 4-포트 네트워크를 고려한다. 출력 네트워크는, 전체적으로, 실제 변형(가상적인 부분을 갖는 복잡한 변형과는 반대)이 메인 스테이지와 피크 스테이지의 출력 사이에서 실행되는 한편, 다른 한편으로는 도허티 증폭기의 출력과의 사이에서 구현되는 방식으로 구성되는 것이 바람직하다. 도허티 증폭기의 부하는 저항, 즉 실수값의 부하로 간주된다. 변형이 허수 부분을 가졌으면, 전력 효율은 저하된다. 이것은, 보상 소자를 추가함으로써 보상될 수 있지만, 반대로 설계의 비용 및 복잡성에 기여한다. 본 발명은 특히 출력 네트워크의 구성요소의 수를 최소화하는 것도 목적으로 한다.
상기의 모델링을 통해서, 본 발명자들은, 입력 네트워크에서 단순한 패시브 스플리터(psssive splitter)를 이용하여, 실제의 실시예에서는, 출력 네트워크를 구현하는 최소수의 구성요소를 이용하여, 출력 네트워크가 풀 다이내믹 레인지(full dynamic range)에 걸쳐서 부하 라인 변조를 가능하게 하는 N-웨이 도허티 증폭기를 발견하였다. 또한, 본 발명자들은 이러한 종류의 개념을 집중형 소자(lumped-element)의 실시예뿐만 아니라 1/4파 전송선의 실시예에서의 3-웨이 도허티 증폭기에도 적용하였다.
보다 구체적으로, 본 발명자들은 청구항 1에 특정되는 바와 같은 전자 장치를 제안한다. 본 발명의 전자 장치는, 증폭기 입력과 증폭기 출력을 포함한 N-웨이 도허티 증폭기를 포함한다. 개수 N은 2보다 큰 정수이다. 상기 증폭기는 차례로 배치된 메인 스테이지와, (N-1) 피크 스테이지를 갖는다. 상기 (N-1) 피크 스테이지는 적어도 제 1 피크 스테이지와 제 2 피크 스테이지를 포함한다. 상기 증폭기는, 메인 스테이지의 제 1 입력과, 피크 스테이지의 각각의 입력에, 증폭기 입력을 연결하는 입력 네트워크를 갖는다. 상기 증폭기는, 메인 스테이지의 제 1 출력과, (N-1) 피크 스테이지의 각각의 출력을, 증폭기 출력에 연결하는 출력 네트워크를 갖는다. 상기 출력 네트워크는, 메인 스테이지에 의해 경험되는 제 1 임피던스를, 제 1 출력과 증폭기 출력 간에 90°의 제 1 위상 시프트를 갖도록 구현한다. 상기 출력 네트워크는, (N-1) 피크 스테이지의 각각에 의해 경험되는 각각의 추가적인 임피던스를, 각각의 피크 스테이지의 출력과 증폭기 출력 간에 각각의 추가적인 위상 시프트를 갖도록 구현한다. 상기 피크 스테이지 중 특정한 하나에 대한 추가적인 위상 시프트 중 특정한 하나는, 차례로 배치되는 다른 피크 스테이지의 다른 추가적인 위상 시프트보다 90°만큼 크다. 상기 입력 네트워크는, 증폭기 입력과 메인 스테이지의 제 1 입력 사이에서 (N-2)×90°의 제 2 위상 시프트를 갖는 제 2 임피던스를 구현한다. 상기 입력 네트워크는, 증폭기 입력과 각각의 피크 스테이지의 각각의 입력 사이에서 각각의 추가적인 위상 시프트를 갖는 각각의 추가적인 임피던스를 구현한다. 상기 피크 스테이지 중 특정한 하나에 대한 추가적인 위상 시프트 중 특정한 하나는, 차례로 배치되는 이전의 피크 스테이지의 추가적인 위상 시프트보다 90°만큼 크다. 상기 증폭기 입력과 상기 제 1 피크 스테이지 사이의 추가적인 위상 시프트는 0°이다.
실시예에서, 제 1 임피던스, 제 2 임피던스, 다른 임피던스, 및 추가적인 임피던스의 각각은 1/4파 전송선으로 각각 구현된다.
본 발명의 전자 장치의 실시예는, 증폭기 입력과 증폭기 출력을 갖는 3-웨이 도허티 증폭기를 포함한다. 상기 증폭기는 메인 스테이지, 제 1 피크 스테이지, 및 제 2 피크 스테이지를 갖는다. 상기 증폭기는 메인 스테이지의 제 1 입력과, 제 1 피크 스테이지의 제 2 입력과, 제 2 피크 스테이지의 제 3 입력에 증폭기 입력을 연결하는 입력 네트워크를 갖는다. 상기 증폭기는 메인 스테이지의 제 1 출력과, 제 1 피크 스테이지의 제 2 출력과, 제 2 피크 스테이지의 제 3 출력을 증폭기 출력에 연결하는 출력 네트워크를 갖는다. 상기 출력 네트워크는, 메인 스테이지에 의해 경험되는 제 1 임피던스를, 제 1 출력과 증폭기 출력 간에 90°의 제 1 위상 시프트를 갖도록 구현하고; 제 1 피크 스테이지에 의해 경험되는 제 2 임피던스를, 제 2 출력과 증폭기 출력 간에 180°의 제 2 위상 시프트를 갖도록 구현하고; 제 2 피크 스테이지에 의해 경험되는 제 3 임피던스를, 제 3 출력과 증폭기 출력 간에 90°의 제 3 위상 시프트를 갖도록 구현한다. 상기 입력 네트워크는, 증폭기 입력과 제 1 입력 사이에 제 4 임피던스를 갖고, 증폭기 입력과 제 3 입력 사이에 제 5 임피던스를 갖는 것이 바람직하고, 상기 제 4 및 제 5 임피던스는 각각 90°의 위상 시프트로 제공된다.
단지 90° 대신에, 90°×홀수, 예를 들어 270°의 위상 시프트가 동작되지만, 전력 손실 및 밴드폭 감소로도 이어진다.
본 발명의 실시예에 따른 3-웨이 도허티 증폭기의 전송선에 있어서, 출력 네트워크는, 제 1 출력과 증폭기 출력 사이에 연결된 제 1의 1/4파 전송선과, 제 2 출력과 제 3 출력 사이에 연결된 제 2의 1/4파 전송선과, 제 3 출력과 증폭기 출력 사이에 연결된 제 3의 1/4파 전송선으로 구성된다.
본 발명의 실시예에 따른 집중형 소자에 있어서, 출력 네트워크는, 제 1 출력과 신호 접지 사이의 제 1 캐피시터와, 제 2 출력과 신호 접지 사이의 제 2 캐피시터와, 제 3 출력과 신호 접지 사이의 제 3 캐패시터와, 증폭기 출력과 신호 접지 사이의 제 4 캐패시터와, 제 1 출력과 증폭기 출력 사이의 제 1 인덕터와, 제 2 출력과 제 3 출력 사이의 제 2 인덕터와, 제 3 출력과 증폭기 출력 사이의 제 3 인덕터로 구성된다.
따라서, 상기 전송선의 실시예와 상기 집중형 소자의 실시예의 양쪽에 있어서 사용되는 임피던스의 값은, 선택적인 전력 백오프 지점에 주로 의존한다.
따라서, 본 발명은 메인 스테이지, 제 1 피크 스테이지, 및 제 2 피크 스테이지의 출력을 결합하는 새로운 방식을 제공하여, 풀 다이내믹 레인지에 대해서 부하 라인 변조를 가능하게 함과 아울러, 과도한 비선형 작용을 피할 수 있게 한다. 결합의 새로운 방식은 단순한 패시브 스플리터를 사용한다. 결합의 새로운 방식은 3개의 디바이스 크기보다 적으면서 큰 백오프에서 매우 즉각적인 효율을 제공한다. 결합의 새로운 방식은 단지 하나의 디바이스 크기만을 갖고서, 6dB 백오프와 9.5dB 백오프에서 매우 즉각적인 효율을 가능하게 한다.
본 기재에 있어서, 위상 시프트는 0°, 90° 또는 180°와 같이 수치적으로 표시되어 있다. 이들 수치는 각각 대략 0°, 90°, 180° 정도의 (작은) 범위를 포함하는 것으로 이해되고, 실제 사용하는 도허티 증폭기에 있어서, 위상 시프트는 각각 0°, 90°, 180°로 생각되는 수치로 가정한다.
예시로서 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 종래의 3-웨이 도허티 증폭기의 도면,
도 2는 도 1의 증폭기의 동작을 설명하는 회로도,
도 3은 출력 네트워크가 통상의 4-포트 네트워크로서 모델링되어 있는 도허티 증폭기의 도면,
도 4는 1/4파 전송선으로 구현된 본 발명의 도허티 증폭기의 도면,
도 5는 도 4의 증폭기의 동작을 설명하는 회로도,
도 6은 집중형 소자(lumped elements)로 구현된 본 발명에서의 도허티 증폭기의 도면,
도 7은 본 발명에서의 N-웨이 도허티 증폭기의 도면.
도면 전체에서, 유사하거나 대응하는 특징부들은 동일한 참조 번호로 표시된다.
2-웨이 도허티 증폭기의 효율은 3-웨이 도허티 증폭기를 형성하기 위해 추가적인 피크 스테이지를 확장함으로써 증대될 수 있다. 종래의 3-웨이 도허티 증폭기의 한가지 문제점은, 메인 스테이지의 부하 라인 변조가 소정의 전력 레벨에서 정지하여, 메인 스테이지의 심한 포화 및 선형성의 심각한 저하를 야기하는 것이다. 이것을 피하기 위한 하나의 방법은, 3-웨이 도허티 증폭기의 입력 네트워크에서 복잡한 구동 프로파일을 이용하기 때문에, 입력 스플리터의 복잡성이 증대한다. 다른 문제점은, 3개의 스테이지를 구현하는데 동일한 3개의 트랜지스터 디바이스가 사용되면, 대칭적인 2-웨이 도허티 증폭기와 비교해서 미미한 개선이 얻어진다는 것이다. 그 후, 설계자로 하여금 상이한 트랜지스터 전력 크기를 선택하도록 하여, 3-웨이 도허티 증폭기의 개별적인 구성에 대한 복잡한 선택 절차를 초래한다. 이하에 본 발명은 2가지의 문제점을 다룬다.
도 1은 증폭기 입력(102), 증폭기 출력(104), 입력 네트워크(106), 출력 네트워크(108), 제 1 피크 스테이지(112), 및 제 2 피크 스테이지(114)를 갖는 종래의 3-웨이 도허티 증폭기(100)의 도면이다. 입력 네트워크는 입력(102)에서 수신된 입력 신호의 전력을 스테이지(110, 112, 114) 사이에서 분배시키는 스플리터(116)를 포함한다. 입력 네트워크는, 입력(102)과 제 1 피크 스테이지(112)의 입력 사이의 임피던스(118), 및 입력(102)과 제 2 피크 스테이지(124)의 입력 사이의 임피던스(120)를 더 포함한다. 출력 네트워크(108)는 메인 스테이지(110)의 출력과 출력(104) 사이에 직렬 배치된 임피던스(122)와 임피던스(124)를 포함한다. 제 1 피크 스테이지(112)의 출력은 임피던스(122, 124) 사이에 연결되고, 제 2 피크 스테이지의 출력(114)은 출력(104)에 연결된다. 증폭기(100)는 저항(126)으로 표시되는 부하(126)를 구동하는데 사용된다.
스테이지(110, 112, 114)로부터의 출력 신호가 출력 네트워크(108)에서 결합되는 방식은, 메인 스테이지(110)의 부하 라인 변조에 지장을 일으켜, 스플리터(116)를 단순히 패시브 소자(passive components)로 구현하는 경우에 과도한 포화 및 선형성의 심한 저하를 야기한다.
도 2는 3-웨이 도허티 증폭기의 동작을 설명하기 위한 회로도이다. 증폭기(100)의 동작은 3개의 메인 영역으로 나누어질 수 있다. 입력 전력이 피크 스테이지(112, 114)의 임계 레벨보다 낮은 로우 전력 레벨에서, 메인 스테이지(110)는 부하(126)로 전류를 공급하는 단 하나의 디바이스이다. 메인 스테이지(110)의 출력에 존재하는 임피던스는, 더블 임피던스 인버터(122, 124) 때문에, 메인 스테이지(110)가 그 최대 피크 전력 능력 바로 아래에서 전압 포화에 진입해서, 그 최대 효율 지점에 도달하는 것을 보장한다. 이에 따라, 백오프(back-off)에서의 제 1 피크 효율 지점이 생긴다. 입력 전력 레벨이 제 1 피크 스테이지(112)의 임계 레벨(천이 지점)을 초과하면, 스테이지(112)는, 임피던스(122, 124) 사이의 노드(128)에서 메인 스테이지(110)로부터의 전류와 같은 위상으로 부가되는 전류를 전달하기 시작하는데, 당해 전류는 등가 부하 ZO4 2/RLoad로 전달되어, 노드(128)에서 RF 출력 전압이 증가하게 된다. 따라서, 임피던스 인버터(122)의 출력에서 본 겉보기 임피던스(apparent impedance)는 노드(128)에서의 실제 등가 부하 임피던스보다 높다. 이러한 액티브한 부하 인입 현상(load-pulling effect) 때문에, 메인 스테이지(110)의 출력에서 본 임피던스가 감소하고, 그 전력 기여도가 증가한다. 양쪽 스테이지(110, 112)로부터의 출력 전력은, 제 1 피크 스테이지(112)가 또한 전압 포화에 진입할 때까지, 신호 레벨의 증가와 함께 증가한다. 이에 따라, 백오프에서의 제 2 피크 효율 지점이 생긴다. 노드(128)에서의 전압 포화 때문에, 메인 스테이지(110)에서 전류 포화가 발생하여, 부하 라인 변조에 지장이 생긴다. 나머지의 입력 전력 영역에 있어서, 메인 스테이지(110)는 과도한 포화 및 심한 선형성 저하를 초래하는 오버드라이브(overdrive)를 겪는다. 이것을 피하기 위한 하나의 방법은, 회로의 복잡성을 상당히 증가시키는 액티브 구동 프로파일링(active drive profiling)을 이용하는 것이다. 입력 전력 레벨이 제 2 피크 스테이지(114)의 임계 레벨을 초과하면, 제 2 스테이지(114)는 제 1 피크 스테이지(112) 및 메인 스테이지(110)로부터의 전류와 같은 위상으로 출력(104)에 부가되는 전류를 전달하기 시작한다. 이는, 다시, 부하(126)에서 RF 출력 전압을 더욱 증가시킨다.
각 피크 스테이지(112, 114)로부터의 출력 전력은, 피크 전력 능력에 도달될 때까지, 신호 레벨의 증가와 함께 증가한다. 제 1 천이 지점과 피크 전력 사이의 영역 내에서, 메인 스테이지(110)의 효율은 그 최대값을 유지한다. 제 1 피크 스테이지(112)의 효율은 제 2 천이 지점과 피크 전력 사이에서 최대값을 유지한다. 제 2 피크 스테이지(114)의 효율은 0과 그 최대값 사이에서 최대 피크 전력 레벨로 변화한다. 따라서, 3-웨이 도허티 증폭기(100)는 3개의 효율 피크 포인트를 나타낸다.
도 3은 출력 네트워크(108)가 4-포트 네트워크로서 모델링되는 통상의 3-웨이 도허티 증폭기(300)의 도면이다. 네트워크(108)는 임피던스(301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310)를 포함한다. 임피던스(301-310)는, 스테이지(110, 112, 114)의 출력, 출력(104), 및 신호 접지 중 어느 한 쌍 사이에서 가능한 모든 상호 접속을 나타낸다. 입력 네트워크(106)는 스테이지(110, 112, 114)의 입력에 스플리터(116)를 각각 연결하는 임피던스(311, 312, 313)를 포함한다.
임피던스의 (복소)값과 그에 따른 위상 시프트 속성은, 메인 스테이지(110)와 제 1 및 제 2 피크 스테이지(112, 114) 사이에서 전력(X1, X2, X3)의 분배를 교대로 결정하는 선택적인 전력 백오프 지점에 의존한다.
도 4는 최소수의 전송선, 여기서는 3개의 1/4파 전송선(406, 408, 410)을 사용하는 본 발명에 있어서의 실시예 1의 3-웨이 도허티 증폭기(400)의 도면이다. 입력 네트워크(106)는 입력(102)과 메인 스테이지(110)의 입력 사이에서 1/4파 전송선(402)을 사용하고, 입력(102)과 제 2 피크 스테이지(112)의 입력 사이에서 1/4파 전송선(404)을 사용한다. 메인 스테이지(110) 및 피크 스테이지(112, 114)는 이상적인 전압 제어형 전류원으로 한다.
앞서와 같이, 그 임피던스의 값들은 전력 백오프 지점에 의존적이다. 출력 네트워크(108)에 있어서 스테이지(110-114)에 의해 발생되는 전류는 개별적으로 결정되고 나서, 선형 네트워크인 네트워크(108) 때문에 선형적으로 결합될 수 있다.
도 5는 3-웨이 도허티 증폭기(400)의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
증폭기(400)의 동작은 3개의 메인 영역으로 나누어질 수 있다. 입력 전력이 피크 스테이지(112, 114)의 임계 레벨보다 낮은 로우 전력 레벨에서, 메인 스테이지(110)는 부하(126)로 전류를 공급하는 단 하나의 디바이스이다. 출력에 존재하는 임피던스는, 임피던스 인버터(406) 때문에, 메인 증폭기(110)가 그 최대 피크 전력 능력 바로 아래에서 전압 포화에 진입해서, 그 최대 효율 지점에 도달하는 것을 보장한다. 이에 따라, 백오프에서의 제 1 피크 효율 지점이 생긴다. 입력 전력 레벨이 제 1 피크 스테이지(112)의 임계 레벨(천이 지점)을 초과하면, 스테이지(112)는, 노드(104)에서 메인 스테이지(110)로부터의 전류를 같은 위상으로 부가되는 전류를 부하(126)로 전달하기 시작하며, 이에 의해 부하(126)에서의 RF 출력 전압이 증가한다. 따라서, 임피던스 인버터(406)의 출력에서 본 겉보기 임피던스는 실제 부하 임피던스보다 높다. 이러한 액티브한 부하 인입 현상을 통해서, 메인 스테이지(110)의 출력에서 본 임피던스가 감소하고, 그 전력 기여도가 증가한다. 스테이지(110, 112)로부터의 출력 전력은, 제 1 피크 스테이지(112)가 그 최대 피크 전력 능력 아래에서 전압 포화에 진입할 때까지, 신호 레벨의 증가와 함께 증가한다. 이에 따라, 백오프에서의 제 2 피크 효율 지점이 생긴다. 입력 전력 레벨이 제 2 피크 스테이지(114)의 임계 레벨을 초과하면, 스테이지(114)는, 노드(412)에서 제 1 피크 스테이지로부터의 전류와 같은 위상으로 부가되고, 이어서 노드(104)에서 메인 스테이지(110)로부터의 전류와 같은 위상으로 부가되는 전류를 전달하기 시작하여, 부하(126)에서의 RF 출력 전압이 더욱 증가한다. 그 결과, 메인 스테이지(110)의 부하는 전체 전력 범위에 걸쳐서 변조된다. 피크 전력 능력에 도달할 때까지, 스테이지(110, 112, 114)로부터의 출력 전력은 신호 레벨의 증가에 따라 증가한다. 제 1 천이 지점과 피크 전력 사이의 영역 내에서, 메인 스테이지(110)의 효율은 그 최대값을 유지한다. 제 1 피크 스테이지(112)의 효율은 제 2 천이 지점과 피크 전력 사이에서 그 최대값을 유지한다. 제 2 피크 스테이지(114)의 효율은 0과 그 최대값 사이에서 그 최대 피크 전력 레벨로 변화된다.
따라서, 3-웨이 도허티 증폭기(400)는 3개의 효율 피크 지점을 나타낸다.
도 6은 출력 네트워크(108)에서 최소수의 집중형 소자를 사용하고 있는 본 발명에서의 제 2 실시예의 3-웨이 도허티 증폭기(600)의 도면이다. 본 실시예에서, 출력 네트워크(108)는, 메인 스테이지(110)의 출력과 신호 접지 사이의 제 1 캐패시터(602); 제 1 피크 스테이지(112)의 출력과 신호 접지 사이의 제 2 캐패시터(604); 제 2 피크 스테이지(114)의 출력과 신호 접지 사이의 제 3 캐패시터(606); 출력(104)과 신호 접지 사이의 제 4 캐패시터(608); 메인 스테이지(110)의 출력과 출력(104) 사이의 제 1 인덕터(610); 제 1 피크 스테이지(112)의 출력과 제 2 피크 스테이지의 출력 사이의 제 2 인덕터(612); 제 2 피크 스테이지(114)의 출력과 출력(104) 사이의 제 3 인덕터(614)로 구성된다. 입력 네트워크(106)는, 입력(102)과 메인 스테이지(110)의 입력 사이의 임피던스(402), 입력(102)과 제 2 피크 스테이지(114)의 입력 사이의 임피던스(404)를 사용하고, 이들 양쪽의 임피던스는 90° 위상 시프트를 제공하도록 동작한다.
기능적으로, 본 실시예의 동작은 도 5를 참조하여 설명된 동작과 동일하다.
도 7은 본 발명에서의 N-웨이 도허티 증폭기(700)의 도면이다. 일반적으로 시스템적인 방식을 이용하여, 3-웨이 도허티 증폭기(400, 600)에 대해서 상기한 바와 같은 개념을 멀티-웨이 도허티 증폭기로 확장할 수 있다. 증폭기(700)는 입력 네트워크(106), 출력 네트워크(108), 메인 스테이지(110), 제 1 피크 스테이지(112), 제 2 피크 스테이지(114), (N-3) 추가의 피크 스테이지를 포함하고, 도면을 명확하게 하기 위해서 피크 스테이지(702) 및 피크 스테이지(704)만이 도시되어 있다. 스플리터(116)는 라벨 "X1dB", "X2dB", "X3dB", …, "XN -1dB", "XNdB"로 표시되는 바와 같이 스테이지(110, 112, 114, …, 702, 704) 중에서 전력을 분배한다. 입력 네트워크(106)는 임피던스(706), 임피던스(708), 임피던스(710), 임피던스(712)를 포함한다. 임피던스(706)는 증폭기 입력(102)과 메인 스테이지(110)의 입력 사이에 연결되어 있다. 임피던스(706)는 입력(102)에서의 신호의 위상을 (N-2)×90°만큼 시프트한다. 임피던스(708)는 증폭기 입력(102)과 제 2 피크 스테이지(114)의 입력 사이에 연결되어 있다. 임피던스(708)는 입력(102)에서의 신호 위상을 90°만큼 시프트한다. 임피던스(710)는 증폭기 입력(102)과 피크 스테이지(702)의 입력 사이에 연결되어 있다. 임피던스(710)는 입력에서의 신호 위상을 (N-3)×90°만큼 시프트한다. 임피던스(712)는 증폭기 입력(102)과 피크 스테이지(704)의 입력 사이에 연결되어 있다. 임피던스(712)는 입력에서의 신호 위상을 (N-2)×90°만큼 시프트한다. 출력 네트워크(108)는 메인 스테이지(110)와 출력(104) 사이에 연결된 임피던스(406)를 갖고, 도 4의 증폭기(400) 및 도 6의 증폭기(600)를 참조해서 설명한 바와 같이 90°의 위상 시프트를 실행한다. 출력 네트워크(108)는 제 1 피크 스테이지(112)의 출력과 출력(104) 사이에서 직렬 배치된 (N-1) 임피던스(714, 716, …, 718, 720)를 더 포함한다. 증폭기(114, …, 702, 704)의 각각의 출력은 복수의 임피던스(714-720) 중 인접한 한 쌍 사이에 각각 연결되어 있다. 도면에서 명백한 바와 같이, N-웨이 도허티 증폭기(700)의 구조는 회로의 레이아웃을 최적화를 가능하게 하는 본질적인 규칙성 및 대칭성을 나타낸다.

Claims (5)

  1. 증폭기 입력(102) 및 증폭기 출력(104)을 갖는 N-웨이 도허티 증폭기(400; 600; 700)를 포함하는 전자 장치로서,
    N은 2보다 큰 정수이고,
    상기 증폭기는 차례로 배치된 메인 스테이지(110)와, (N-1)개의 피크 스테이지(112, 114, …, 702, 704)를 갖고,
    상기 (N-1) 피크 스테이지는 적어도 제 1 피크 스테이지(112)와 제 2 피크 스테이지(114)를 포함하고,
    상기 증폭기는, 상기 메인 스테이지의 제 1 입력과, 상기 피크 스테이지의 각각의 입력에, 상기 증폭기 입력을 연결하는 입력 네트워크(106)를 갖고,
    상기 증폭기는, 상기 메인 스테이지의 제 1 출력과, 상기 (N-1)개의 피크 스테이지의 각각의 출력을, 상기 증폭기 출력에 연결하는 출력 네트워크(108)를 갖고,
    상기 출력 네트워크는, 상기 메인 스테이지에 의해 경험되면 상기 제 1 출력과 상기 증폭기 출력 사이에서 90°의 제 1 위상 시프트를 갖는 제 1 임피던스(406)를 구현하고,
    상기 출력 네트워크는, 상기 (N-1) 피크 스테이지의 각각에 의해 경험되면 상기 각각의 피크 스테이지의 출력과 상기 증폭기 출력 사이에서 각각의 추가적인 위상 시프트들을 갖는 각각의 또 다른 임피던스(408, 410; 714, 716, …, 718, 720)를 구현하고,
    상기 피크 스테이지들 중 특정한 하나에 대한 상기 추가적인 위상 시프트들 중 각각의 특정한 하나는, 차례로 배치되는 다른 피크 스테이지의 다른 추가적인 위상 시프트보다 90°만큼 크고,
    상기 입력 네트워크는, 상기 증폭기 입력과 상기 메인 스테이지의 제 1 입력 사이에서 (N-2)×90°의 제 2 위상 시프트를 갖는 제 2 임피던스(402; 706)를 구현하고,
    상기 입력 네트워크는, 상기 증폭기 입력과 상기 각각의 피크 스테이지의 각각의 입력 사이에서 각각의 추가적인 위상 시프트들을 갖는 각각의 추가적인 임피던스(404; 708, 710, 712)를 구현하고,
    상기 피크 스테이지들 중 특정한 하나에 대한 상기 추가적인 위상 시프트들 중 각각의 특정한 하나는, 차례로 배치되는 이전의 피크 스테이지의 추가적인 위상 시프트보다 90°만큼 크고,
    상기 증폭기 입력과 상기 제 1 피크 스테이지 사이의 추가적인 위상 시프트는 0°인
    전자 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 임피던스, 상기 제 2 임피던스, 상기 또 다른 임피던스, 및 상기 추가적인 임피던스의 각각은 1/4파 전송선으로 각각 구현되는
    전자 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 N은 3인
    전자 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 N은 3인
    전자 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 출력 네트워크는,
    상기 제 1 출력과 신호 접지 사이의 제 1 캐패시터(602)와,
    상기 제 2 출력과 신호 접지 사이의 제 2 캐패시터(604)와,
    상기 제 3 출력과 신호 접지 사이의 제 3 캐패시터(606)와,
    상기 증폭기 출력과 신호 접지 사이의 제 4 캐패시터(608)와,
    상기 제 1 출력과 상기 증폭기 출력 사이의 제 1 인덕터(610)와,
    상기 제 2 출력과 상기 제 3 출력 사이의 제 2 인덕터(612)와,
    상기 제 3 출력과 상기 증폭기 출력 사이의 제 3 인덕터(614)를 포함하는
    전자 장치.
KR1020107016305A 2007-12-21 2008-12-18 최소 출력 네트워크를 포함한 3-웨이 도허티 증폭기 KR101107827B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07123961 2007-12-21
EP07123961.0 2007-12-21
PCT/IB2008/055410 WO2009081341A1 (en) 2007-12-21 2008-12-18 3-way doherty amplifier with minimum output network

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100094589A true KR20100094589A (ko) 2010-08-26
KR101107827B1 KR101107827B1 (ko) 2012-01-31

Family

ID=40470019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107016305A KR101107827B1 (ko) 2007-12-21 2008-12-18 최소 출력 네트워크를 포함한 3-웨이 도허티 증폭기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8022760B2 (ko)
EP (1) EP2235820B1 (ko)
JP (1) JP5001435B2 (ko)
KR (1) KR101107827B1 (ko)
CN (1) CN101904089B (ko)
WO (1) WO2009081341A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019039650A1 (ko) * 2017-08-23 2019-02-28 순천향대학교 산학협력단 도허티 결합기
WO2023101476A1 (ko) * 2021-12-01 2023-06-08 삼성전자 주식회사 전력 증폭기 및 이를 포함하는 전자 장치

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2339746B1 (en) * 2009-12-15 2013-02-20 Nxp B.V. Doherty amplifier with composed transfer characteristic having multiple peak amplifiers
EP2383883B1 (en) 2010-04-23 2013-07-17 Nxp B.V. Power amplifier
KR101091971B1 (ko) 2010-06-01 2011-12-09 포항공과대학교 산학협력단 이중 도허티 전력증폭기
EP2403135B1 (en) 2010-06-24 2013-12-11 Alcatel Lucent Power amplifier for mobile telecommunications
EP2413498A1 (en) 2010-07-30 2012-02-01 Nxp B.V. Doherty amplifier
US8400216B2 (en) * 2010-11-05 2013-03-19 Postech Academy-Industry Foundation 3-way Doherty power amplifier using driving amplifier
WO2012076924A1 (en) * 2010-12-09 2012-06-14 Freescale Semiconductors, Inc. Rf amplifier circuit and electronic system comprising such a circuit
EP2475095B1 (en) * 2011-01-07 2013-09-18 Alcatel Lucent Doherty amplifier
JP5606371B2 (ja) * 2011-03-24 2014-10-15 株式会社東芝 ドハティ増幅器
JP5678768B2 (ja) * 2011-03-30 2015-03-04 日本電気株式会社 増幅装置
CN102158184A (zh) * 2011-04-29 2011-08-17 中兴通讯股份有限公司 一种功率放大管以及功率放大方法
CN102170271A (zh) * 2011-04-29 2011-08-31 中兴通讯股份有限公司 功率放大装置及功放电路
WO2013086658A1 (en) * 2011-12-15 2013-06-20 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Doherty power amplification apparatus and method
EP2608400B1 (en) 2011-12-20 2014-08-13 Nxp B.V. N way Doherty amplifier
CN103178786A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 瑞典爱立信有限公司 多路Doherty放大器
US8717099B2 (en) 2012-03-16 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Wideband doherty amplifier circuit with peaking impedance absorption
US9077285B2 (en) 2012-04-06 2015-07-07 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic devices with multiple amplifier stages and methods of their manufacture
CN102694508B (zh) * 2012-05-02 2015-02-04 数微(福建)通信技术有限公司 一种多路Doherty放大器
US8653889B1 (en) 2012-09-06 2014-02-18 Alcatel Lucent Doherty amplifier having compact output matching and combining networks
US8975955B2 (en) 2012-12-11 2015-03-10 Alcatel Lucent Analysis of Doherty amplifiers
CN103066923A (zh) * 2012-12-29 2013-04-24 福州大学 一种四阶双平衡式功率放大电路
CN103199798B (zh) * 2013-03-20 2015-12-02 华为技术有限公司 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器
JP5921482B2 (ja) * 2013-03-29 2016-05-24 株式会社東芝 ドハティ型増幅器
US9768735B2 (en) 2013-06-28 2017-09-19 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Amplifier circuit and method
WO2014206502A1 (en) 2013-06-28 2014-12-31 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Amplifier circuit and method
US9071202B2 (en) 2013-10-18 2015-06-30 Alcatel Lucent Doherty amplifier with peak branch RF conditioning
EP2876810B1 (en) * 2013-11-22 2016-04-13 Samba Holdco Netherlands B.V. Doherty Amplifier
WO2015139745A1 (en) 2014-03-19 2015-09-24 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Amplifier circuit and method
US9954492B2 (en) 2014-03-19 2018-04-24 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Amplifier circuit and method
US9866190B2 (en) 2014-04-03 2018-01-09 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Multi-stage amplifiers with low loss
US9484863B2 (en) 2014-05-08 2016-11-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Amplifier circuit and method
EP3140908B1 (en) * 2014-05-08 2018-02-21 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Amplifier circuit and method
EP2983291B1 (en) * 2014-08-07 2017-12-06 Ampleon Netherlands B.V. Integrated 3-way doherty amplifier
US9503028B2 (en) 2015-01-30 2016-11-22 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Three-way sequential power amplifier system for wideband RF signal
US9748902B2 (en) 2015-05-15 2017-08-29 Nxp Usa, Inc. Phase correction in a Doherty power amplifier
KR101686351B1 (ko) * 2015-10-28 2016-12-14 성균관대학교산학협력단 3-웨이 도허티 전력증폭기 장치
WO2017108874A1 (en) * 2015-12-24 2017-06-29 Koninklijke Philips N.V. A device and method for driving a transmit coil in a magnetic resonance imaging system
EP3391537A1 (en) * 2016-01-11 2018-10-24 Huawei Technologies Co., Ltd. Composite power amplifier
US10749478B2 (en) 2016-05-03 2020-08-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Amplifier arrangement
US9667199B1 (en) 2016-06-09 2017-05-30 Nxp Usa, Inc. Doherty amplifiers with minimum phase output networks
US10211784B2 (en) 2016-11-03 2019-02-19 Nxp Usa, Inc. Amplifier architecture reconfiguration
US11233483B2 (en) 2017-02-02 2022-01-25 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. 90-degree lumped and distributed Doherty impedance inverter
EP3616318B1 (en) 2017-04-24 2023-11-22 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. Inverted doherty power amplifier with large rf fractional and instantaneous bandwidths
EP3616320B1 (en) 2017-04-24 2023-11-08 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. Inverted doherty power amplifier with large rf and instantaneous bandwidths
CN110785927B (zh) 2017-04-24 2024-03-08 麦克姆技术解决方案控股有限公司 效率提高的对称多尔蒂功率放大器
FR3070100A1 (fr) * 2017-08-14 2019-02-15 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Architecture d'amplificateur de puissance sans modulation, a large bande et a haut rendement
JP2019057809A (ja) * 2017-09-20 2019-04-11 株式会社東芝 増幅器及び送信機
EP3692631A1 (en) 2017-10-02 2020-08-12 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. No-load-modulation, high-efficiency power amplifier
US10601375B2 (en) * 2017-10-03 2020-03-24 Sumitomo Electronic Devices Innovations, Inc. Modified three-stage doherty amplifier
WO2019072400A1 (en) 2017-10-13 2019-04-18 Huawei Technologies Co., Ltd. POWER AMPLIFIER
US10797653B2 (en) 2018-01-31 2020-10-06 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Consecutive Doherty amplifier
US10491165B2 (en) 2018-03-12 2019-11-26 Psemi Corporation Doherty amplifier with adjustable alpha factor
JP7307532B2 (ja) 2018-09-14 2023-07-12 株式会社東芝 増幅回路および送信装置
EP3861633A1 (en) 2018-10-05 2021-08-11 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. Low-load-modulation power amplifier
US10938358B2 (en) * 2018-10-31 2021-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Digital power amplifier
EP3723282A1 (en) 2019-04-12 2020-10-14 NXP USA, Inc. Power amplifier packages and systems incorporating design-flexible package platforms
EP3813253A1 (en) * 2019-10-23 2021-04-28 Nxp B.V. Radio-frequency amplifier
WO2021137951A1 (en) 2019-12-30 2021-07-08 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Low-load-modulation broadband amplifier
CN111934633A (zh) * 2020-09-27 2020-11-13 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种高功率增益高回退效率功率放大器
US11967936B2 (en) 2021-05-06 2024-04-23 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Output-integrated transistor device packages
US11936342B2 (en) * 2021-05-06 2024-03-19 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Output-integrated transistor amplifier device packages incorporating internal connections

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5025225A (en) * 1989-12-15 1991-06-18 Raytheon Company Amplifier having substantially constant D.C. to r.f. conversion efficiency
SE520760C2 (sv) * 2000-06-06 2003-08-19 Ericsson Telefon Ab L M Doherty-förstärkare av flerstegstyp
US6472934B1 (en) * 2000-12-29 2002-10-29 Ericsson Inc. Triple class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters
SE522479C2 (sv) * 2002-01-16 2004-02-10 Ericsson Telefon Ab L M Sammansatt effektförstärkare
US6700444B2 (en) * 2002-01-28 2004-03-02 Cree Microwave, Inc. N-way RF power amplifier with increased backoff power and power added efficiency
DE60231065D1 (de) * 2002-12-19 2009-03-19 Ericsson Telefon Ab L M Zusammengesetzte verstärkerstruktur
JP4520204B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-04 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
US7884668B2 (en) * 2004-06-29 2011-02-08 Nxp B.V. Integrated doherty type amplifier arrangement with high power efficiency
US7847630B2 (en) 2004-11-05 2010-12-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Amplifier
JP4700470B2 (ja) * 2004-12-15 2011-06-15 株式会社日立国際電気 増幅器
KR20060077818A (ko) 2004-12-31 2006-07-05 학교법인 포항공과대학교 비대칭 전력 구동을 이용한 전력 증폭 장치
US20100001802A1 (en) 2005-05-20 2010-01-07 Nxp B.V. Integrated doherty type amplifier arrangement with high power efficiency
WO2007003219A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-11 Freescale Semiconductor, Inc Wireless communication unit, integrated circuit and biasing circuit therefor
KR101083920B1 (ko) * 2006-08-11 2011-11-15 엘지에릭슨 주식회사 다중 입출력 경로 도허티 증폭기

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019039650A1 (ko) * 2017-08-23 2019-02-28 순천향대학교 산학협력단 도허티 결합기
CN111133676A (zh) * 2017-08-23 2020-05-08 顺天乡大学工业学院合作基金会 多尔蒂组合器
US11201592B2 (en) 2017-08-23 2021-12-14 Soonchunhyang University Industry Academy Cooperation Foundation Doherty combiner
CN111133676B (zh) * 2017-08-23 2023-03-28 顺天乡大学工业学院合作基金会 多尔蒂组合器
WO2023101476A1 (ko) * 2021-12-01 2023-06-08 삼성전자 주식회사 전력 증폭기 및 이를 포함하는 전자 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP2235820A1 (en) 2010-10-06
US8022760B2 (en) 2011-09-20
US20100315162A1 (en) 2010-12-16
WO2009081341A1 (en) 2009-07-02
KR101107827B1 (ko) 2012-01-31
CN101904089A (zh) 2010-12-01
EP2235820B1 (en) 2013-08-28
CN101904089B (zh) 2012-10-31
JP5001435B2 (ja) 2012-08-15
JP2011507445A (ja) 2011-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101107827B1 (ko) 최소 출력 네트워크를 포함한 3-웨이 도허티 증폭기
EP2608400B1 (en) N way Doherty amplifier
JP4792273B2 (ja) 増幅器
CN1770622B (zh) 放大器
US8400216B2 (en) 3-way Doherty power amplifier using driving amplifier
KR101709347B1 (ko) 결합셀 도허티 전력 증폭 장치 및 방법
EP2145385B1 (en) N-way doherty distributed power amplifier
US8324965B2 (en) Final stage three-way power combining amplifying circuit applied to power amplifier of mobile communications base station system
US10749478B2 (en) Amplifier arrangement
US20140320214A1 (en) Doherty power amplification apparatus and method
CN101567665B (zh) 一种数字Doherty功率放大器
EP2191567A1 (en) Multi-way doherty amplifier
EP2963810B1 (en) Doherty power amplification circuit and power amplifier
CN102710222A (zh) 一种行波管线性化信号调理驱动装置
EP2413498A1 (en) Doherty amplifier
EP3140907B1 (en) Amplifier circuit and method
US9941851B2 (en) Amplifier circuit and method
CN112865709A (zh) 一种功放合路装置及功放电路
US20210359652A1 (en) Bias circuit for a doherty amplifier, and a wireless communication system
CN116865683B (zh) 一种深回退区间Doherty功率放大器
CN107911084A (zh) 一种功率放大器
CN103151992A (zh) 选择电路及包括该选择电路的放大器
CN212785274U (zh) 功率放大芯片和功率放大电路
KR20200043803A (ko) 3단 불균형 도허티 전력 증폭 장치 및 그의 설계 방법
Ronaghzadeh et al. Efficiency improvement of power amplifiers without degraded linearity using a new topology and control method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151231

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161230

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 8