CN102170271A - 功率放大装置及功放电路 - Google Patents

功率放大装置及功放电路 Download PDF

Info

Publication number
CN102170271A
CN102170271A CN2011101117606A CN201110111760A CN102170271A CN 102170271 A CN102170271 A CN 102170271A CN 2011101117606 A CN2011101117606 A CN 2011101117606A CN 201110111760 A CN201110111760 A CN 201110111760A CN 102170271 A CN102170271 A CN 102170271A
Authority
CN
China
Prior art keywords
amplifier
power
power amplifier
circuit
ldmos
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011101117606A
Other languages
English (en)
Inventor
崔晓俊
陈化璋
安晋元
刘建利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZTE Corp
Original Assignee
ZTE Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZTE Corp filed Critical ZTE Corp
Priority to CN2011101117606A priority Critical patent/CN102170271A/zh
Publication of CN102170271A publication Critical patent/CN102170271A/zh
Priority to EP11854523.5A priority patent/EP2538551A4/en
Priority to PCT/CN2011/081489 priority patent/WO2012146016A1/zh
Priority to US13/521,125 priority patent/US8797099B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602—Combinations of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602—Combinations of several amplifiers
    • H03F3/604—Combinations of several amplifiers using FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/405—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising more than three power stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/411—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明涉及一种功率放大装置及功放电路，所述功放电路采用Doherty电路结构，采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器，采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)实现辅助(Peak)放大器。本发明功率放大装置及功放电路提高了功率放大的效率。

Description

功率放大装置及功放电路
技术领域
本发明涉及通信领域，尤其涉及通信领域的功率放大装置及功放电路(包括末级和推动级)。
背景技术
面对目前日益激烈的市场竞争，基站产品的效率高低已经成为行业竞争的焦点，基站中决定效率的主要部件——功放效率的提升也成了重中之重，业界都纷纷投入进行效率提升技术的研究，目前最为广泛应用的一种成熟技术就是Doherty技术，功放厂家都已开始批量生产应用Doherty功放，如何在该技术上进一步提高效率也显得尤为重要。
Doherty技术是由W.H.Doherty于1936年发明的，最初应用于行波管，为广播提供大功率发射机，其架构简单易行，效率高。
传统的Doherty结构由2个功放组成：一个主功放，一个辅助功放，主功放工作在B类或者AB类，辅助功放工作在C类。两个功放不是轮流工作，而是主功放一直工作，辅助功放到设定的峰值才工作(这个功放也叫作Peakpower amplifier)。主功放后面的90°四分之一波长线是阻抗变换，目的是在辅助功放工作时，起到将主功放的视在阻抗减小的作用，保证辅助功放工作的时候和后面的电路组成的有源负载阻抗变低，这样主功放输出电流就变大。由于主功放后面有了四分之一波长线，为了使两个功放输出同相，在辅助功放前面也需要90°相移，如图1所示。
主功放工作在B类，当输入信号比较小的时候，只有主功放处于工作状态；当管子的输出电压达到峰值饱和点时，理论上的效率能达到78.5％。如果这时候将激励加大一倍，那么，管子在达到峰值的一半时就出现饱和了，效率也达到最大的78.5％，此时辅助功放也开始与主放大器一起工作。辅助功放的引入，使得从主功放的角度看，负载减小了，因为辅助功放对负载的作用相当于串连了一个负阻抗，所以，即使主功放的输出电压饱和恒定，但输出功率因为负载的减小却持续增大(流过负载的电流变大了)。当达到激励的峰值时，辅助功放也达到了自己效率的最大点，这样两个功放合在一起的效率就远远高于单个B类功放的效率。单个B类功放的最大效率78.5％出现在峰值处，现在78.5％的效率在峰值的一半就出现了，所以这种系统结构能达到很高的效率(每个放大器均达到最大的输出效率)。
由于基站系统对机顶输出功率的要求，射频功放一般增益需求都在几十dB，这样一级放大是不够的，一般都需要3-4级放大，即预推动、推动、末级。目前业界普遍采用的链路结构为：预推动采用射频小信号放大器，工作模式为CLASS A；推动和末级均采用同一类型射频功放管(目前业界采用的是LDMOS器件)，推动的工作模式为CLASS AB，末级为Doherty结构。
随着业界绿色环保理念的提出，运营商对通讯系统的效率要求近乎苛刻，即使采用了先进的Doherty技术，功放效率也仍然无法满足其日益提高的要求，因此必须在Doherty技术的基础上不断改进，来实现效率的不断提升。
传统的射频功放中Doherty结构只应用于末级，而且推动级及末级均采用同一类型功放管，这样的优点是：供电电压及偏置方式相同，因此偏置电路设计简单；由于功放管为同类型，其批量生产的离散也相对容易控制。但一个不容忽视的现状是：业界主流的LDMOS器件已经发展到第八代，其成本低廉，但性能的提升空间非常有限，已远远不能满足绿色环保要求；另外，虽然功放的效率主要由末级确定，末级贡献了90％的工作电流，进一步提升效率意义重大，但推动级的10％也越发不可忽视，因此也需要在推动级进行电路改进。
从目前通讯系统不同制式的信号功率谱分布来看，功放输出的70％-80％的能量集中在平均功率附近，也就是说，采用Doherty技术的末级功放工作电流大部分由Carrier放大器贡献，因此，将末级的Carrier放大器的效率提高对整个功放的效率提升意义重大。同时，在推动级部分也进一步提升效率，也能更好地实现整个功放的效率提升。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种功率放大装置及功放电路，以解决功放效率无法满足要求的问题。
为解决以上技术问题，本发明提供了一种功率放大装置，该装置包括一个或多个串联的推动级功放电路以及与最后一个推动级功放电路的输出端连接的末级功放电路，所述推动级功放电路采用Doherty电路结构。
进一步地，所述Doherty电路结构包括功率分配子电路、与所述功率分配子电路输出端连接的一个主放大器和至少一个辅助放大器，以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。
进一步地，所述主放大器和辅助放大器均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管，或，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管，所述辅助放大器采用LDMOS功放管。
进一步地，所述末级功放电路采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现主功放功能，采用LDMOS功放管实现辅助功放功能。
为解决以上技术问题，本发明提供了一种功率放大装置的推动级功放电路，所述推动级电路包括：
功率分配子电路；
与所述功率分配子电路输出端连接的一个主放大器和至少一个辅助放大器；
以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。
进一步地，所述主放大器和辅助放大器均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管，或，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管，所述辅助放大器采用LDMOS功放管。
为解决以上技术问题，本发明提供了一种功率放大装置的功放电路，所述功放电路采用Doherty电路结构，采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器，采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)实现辅助(Peak)放大器。
为解决以上技术问题，本发明提供了另一种功率放大装置的功放电路，所述功放电路包括：
功率分配子电路；
与所述功率分配子电路输出端连接的主放大器，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现；
至少一个与所述功率分配子电路输出端连接的辅助放大器，所述辅助放大器采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管实现；
以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。
本发明功率放大装置及功放电路采用Doherty技术，并给出了Carrier放大器和Peak放大器的全新组合，相比于现有技术，提升了功率放大的效率。
附图说明
图1为传统的Doherty功率放大器框图；
图2为Doherty电路结构的原理框图；
图3为本发明实施例1的原理框图；
图4为本发明实施例2的原理框图；
图5为本发明实施例3的原理框图；
图6为本发明实施例4的原理框图。
具体实施方式
本发明功率放大装置在推动级功放电路采用高效率的Doherty电路结构，从而提升功率放大装置的效率。
本发明功率放大装置包括一个或多个串联的推动级功放电路(DriverStage Power Amplifier)，以及与最后一个推动级功放电路的输出端连接的末级功放电路(Final Stage Power Amplifier)，特别地，本发明中，该推动级功放电路采用Doherty电路结构。
具体地，如图2所示，该Doherty电路结构包括：功率分配子电路10、与所述功率分配子电路10输出端连接的一个主放大器20和至少一个辅助放大器30，以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路40。
可理解地，主放大器20，也称Carrier(载波)放大器，提供主要的功率放大的功能，如持续提供功放。辅助放大器也称Carrier(载波)放大器，提供辅助的功率放大功能，比如仅在特定条件下(如达到预设峰值)工作。如图1所示，功率分配子电路10包括功率分配、90度四分之一波长线、相位补偿线等一系列功能器件，功率合成子电路40包括90度四分之一波长线、相位补偿线、阻抗变换等一系列功能器件，器件的具体类型、型号和连接关系根据具体的实现需求，进行设计、选择及匹配，本发明对此不做限定。
主放大器和辅助放大器可以采用多种类型的功放管实现，优选地，均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS，Lateral double-diffusedmetal-oxide semiconductor)功放管，或主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管，辅助放大器采用LDMOS功放管。
现有技术中，末级功放电路也采用如图2所示的Doherty结构电路实现，优选地，采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现主功放功能，采用LDMOS功放管实现辅助功放功能。
下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
实施例1
功率放大装置实施例1如图3所示，在该实施例1中，推动级采用两路的Doherty结构电路，且采用LDMOS功放管实现主功放功能及辅助功放功能，末级采用两路的Doherty结构电路，且采用HVHBT功放管实现主功放功能，采用LDMOS功放管实现辅助功放功能。
具体地，推动级放大部分采用Doherty电路结构实现，其Carrier放大器和Peak放大器均使用LDMO S(Lateral double-diffused metal-oxidesemiconductor，横向扩散金属氧化物半导体场效应管，基于Si)功放管。
在推动级采用Doherty电路的同时在末级也采用全新组合的两路Doherty电路结构实现。
对于末级的两路结构的Doherty(含传统的两路对称Doherty、非对称Doherty等)以及在此基础上演变的一个Carrier放大器加一个Peak放大器的架构，通过采用HVHBT(High Voltage Heterojunction Bipolar Transistor，高压异质结双极晶体管，基于GaAs)功放管来作为Carrier放大器，用LDMOS功放管来作为Peak放大器以实现效率提升。
实施例2
功率放大装置的实施例2如图4所示，在该实施例2中，推动级采用两路的Doherty结构电路，且采用LDMOS功放管实现主功放功能及辅助功放功能，末级采用多路的Doherty结构电路，且采用HVHBT功放管实现主功放功能，采用LDMOS功放管实现辅助功放功能。
具体地，推动级放大部分采用Doherty电路结构实现，其Carrier放大器和Peak放大器均使用LDMOS(Lateral double-diffused metal-oxidesemiconductor，横向扩散金属氧化物半导体场效应管，基于Si)功放管。
在推动级采用Doherty电路的同时在末级也采用全新组合的多路Doherty电路结构实现。
对于末级的多路结构的Doherty以及在此基础上演变的一个Carrier加多个Peak的架构，通过采用HVHBT功放管来作为Carrier放大器，用LDMOS功放管来作为多个Peak放大器以实现效率提升。
实施例3
功率放大装置的实施例3如图5所示，在该实施例3与实施例1的电路结构相同，不同之处在于，推动级采用HVHBT(High Voltage HeterojunctionBipolar Transistor，高压异质结双极晶体管，基于GaAs)功放管来作为Carrier放大器，采用LDMOS功放管来作为Peak放大器。
实施例4
功率放大装置的实施例3如图6所示，在该实施例4与实施例2的电路结构相同，不同之处在于，推动级采用HVHBT(High Voltage HeterojunctionBipolar Transistor，高压异质结双极晶体管，基于GaAs)功放管来作为Carrier放大器，采用LDMOS功放管来作为Peak放大器。
该发明的关键点为：推动级采用了高效率的Doherty电路结构，实现推动级效率的提升；同时推动级或末级也采用了突破性的全新组合方式，充分利用HVHBT功放管效率高的优势，将其作为Carrier放大器来提高效率，实现性能最优；并利用LDMOS功放管技术成熟度高、成本低廉、器件种类齐全的优势，将其作为Peak放大器来实现成本最优，最终实现性能与成本的完美结合。
采用本发明所述方法和装置，与现有的推动级采用CLASS AB模式，末级Carrier、Peak放大器均采用LDMOS的Doherty功放相比，整个功放效率可大幅提升；
LDMOS器件发展非常成熟，其中功率器件种类齐全，成本低廉。推动采用LDMOS器件+Doherty结构，既提升了效率，又保证了成本；
由于目前GaAs的HVHBT功放管较Si的LDMOS成本高2-3倍，因此本发明所述方法和装置中的末级功放部分与Carrier、Peak放大器均采用HVHBT的末级Doherty功放相比，在性能提升的同时成本也会下降；
另外，由于目前HVHBT的产品种类单一(只有1-2款)，无法实现基站产品多样化的功率等级需求；而LDMOS发展非常成熟，各厂家产品较为齐全，不同功率等级的产品种类众多，应用时可根据不同功率等级采用不同型号LDMOS产品来作为Peak放大器，与采用HVHBT功放管的Carrier放大器灵活组合，并根据需要采用不同Doherty结构(对称、非对称、多路等)来实现，这样既兼顾了成本、性能，又保证了使用的便利性、灵活性。
实现本发明功率放大装置的具体实施步骤包括：
1、根据不同的实现需求，先确定末级Carrier放大器所用的HVHBT功放管型号；
2、根据不同的实现需求，对比分析确定采用的Doherty结构；
3、根据不同的实现需求，确定出末级Peak放大器所用的LDMOS功放管型号；
4、根据末级增益，确定出推动级Carrier放大器所用的HVHBT功放管或LDMOS功放管型号、推动级Peak放大器所用LDMOS功放管的型号；
5、完成末级、推动级放大管的匹配设计以及框图中的功率分配、功率合成部分的设计；
6、完成本发明所述装置的其余部分设计。
具体示例如下：
针对2.1GHz UMTS系统应用(PAR：6dB)的55W Doherty功放设计，需要用到两只功放管合计至少200W以上的饱和功率来进行末级设计。结合功放管厂家现有器件，可采用两个120W的LDMOS功放管通过对称Doherty结构实现，按照业界目前的器件水平，其单末级功放效率约52％左右；而采用基于本发明的方法实现(Carrier放大器用120W的HVHBT功放管，Peak放大器用120W的LDMOS功放管)，其单末级功放效率约57％左右，提高近10％；而采用两个HVHBT功放管实现的话，单末级功放效率也是约57％左右，但成本至少要比基于本发明的方法实现高3倍左右。
对于Doherty推动设计，由于末级至少要采用200W以上的饱和功率，目前2.1GHz的末级功放Doherty增益在16dB左右，因此，推动级可采用两个10W的LDMOS功放管来实现Doherty推动级放大部分设计，这样，比原来的CLASS AB设计，推动级效率还能提升20％左右(如：采用CLASS AB设计推动级的效率在15％，采用Doherty设计则可达到18％)。
因此，采用本发明所述的方法及装置，在保证成本的前提下，效率将大幅提升。
综上所述，本发明的实现简单，设计及调试方便、灵活且成本低廉。在Doherty功放的工作频带范围内可使其效率指标显著提升，本装置可广泛的应用于各种Doherty功率放大器的设计中。
相应地，该功率放大装置的推动级功放电路，还可描述为：所述推动级功放电路包括：
功率分配子电路10；
与所述功率分配子电路输出端连接的一个主放大器20和至少一个辅助放大器30；
以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路40。
如前所述，优选地，该推动级功放电路的主放大器和辅助放大器均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管，或，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管，所述辅助放大器采用LDMOS功放管。
本发明还提供了一种功率放大装置的功放电路，所述功放电路采用Doherty电路结构，采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器，采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)实现辅助(Peak)放大器。
具体地，所述功放电路是所述功率放大装置的推动级或末级，具体包括：
功率分配子电路10；
与所述功率分配子电路输出端连接的主放大器20，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现；
至少一个与所述功率分配子电路输出端连接的辅助放大器30，所述辅助放大器采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管实现；
以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路40。
以上采用高效率的Doherty技术实现推动级功放电路，可以从整体上提高功放装置的功放效率，另外采用Doherty技术的推动级或末级功放中对Carrier放大器和Peak放大器进行全新组合，采用新的组合架构来提升推动级或末级的Carrier放大器的效率；进而从两个方面来实现整个Doherty功放效率的大幅提升。

Claims (10)

1.一种功率放大装置，该装置包括一个或多个串联的推动级功放电路以及与最后一个推动级功放电路的输出端连接的末级功放电路，其特征在于：所述推动级功放电路采用Doherty电路结构。
2.如权利要求1所述的功率放大装置，其特征在于：所述Doherty电路结构包括功率分配子电路、与所述功率分配子电路输出端连接的一个主放大器和至少一个辅助放大器，以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。
3.如权利要求2所述的功率放大装置，其特征在于：所述主放大器和辅助放大器均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管，或，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管，所述辅助放大器采用LDMOS功放管。
4.如权利要求1所述的功率放大装置，其特征在于：所述末级功放电路采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现主功放功能，采用LDMOS功放管实现辅助功放功能。
5.一种功率放大装置的推动级功放电路，其特征在于，所述推动级电路包括：
功率分配子电路；
与所述功率分配子电路输出端连接的一个主放大器和至少一个辅助放大器；
以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。
6.如权利要求5所述的推动级功放电路，其特征在于：所述主放大器和辅助放大器均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管，或，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管，所述辅助放大器采用LDMOS功放管。
7.一种功率放大装置的功放电路，其特征在于：所述功放电路采用Doherty电路结构，采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器，采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)实现辅助(Peak)放大器。
8.如权利要求7所述的功放电路，其特征在于：所述功放电路是所述功率放大装置的推动级或末级。
9.一种功率放大装置的功放电路，其特征在于，所述功放电路包括：
功率分配子电路；
与所述功率分配子电路输出端连接的主放大器，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现；
至少一个与所述功率分配子电路输出端连接的辅助放大器，所述辅助放大器采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管实现；
以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。
10.如权利要求9所述的功放电路，其特征在于：所述功放电路是所述功率放大装置的推动级或末级。
CN2011101117606A 2011-04-29 2011-04-29 功率放大装置及功放电路 Pending CN102170271A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101117606A CN102170271A (zh) 2011-04-29 2011-04-29 功率放大装置及功放电路
EP11854523.5A EP2538551A4 (en) 2011-04-29 2011-10-28 POWER AMPLIFIER AND POWER AMPLIFIER CIRCUIT FOR THIS
PCT/CN2011/081489 WO2012146016A1 (zh) 2011-04-29 2011-10-28 功率放大装置及功放电路
US13/521,125 US8797099B2 (en) 2011-04-29 2011-10-28 Power amplifier device and power amplifier circuit thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101117606A CN102170271A (zh) 2011-04-29 2011-04-29 功率放大装置及功放电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102170271A true CN102170271A (zh) 2011-08-31

Family

ID=44491275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011101117606A Pending CN102170271A (zh) 2011-04-29 2011-04-29 功率放大装置及功放电路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8797099B2 (zh)
EP (1) EP2538551A4 (zh)
CN (1) CN102170271A (zh)
WO (1) WO2012146016A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012146016A1 (zh) * 2011-04-29 2012-11-01 中兴通讯股份有限公司 功率放大装置及功放电路
CN103391052A (zh) * 2013-07-03 2013-11-13 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 一种s波段大功率功放组件的设计方法
CN103647516A (zh) * 2013-12-11 2014-03-19 中国电子科技集团公司第二十九研究所 发射机线性度设计方法
CN105308857A (zh) * 2014-05-28 2016-02-03 华为技术有限公司 多赫蒂功率放大器和发射机

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2545778Y (zh) * 2002-04-29 2003-04-16 深圳市中兴通讯股份有限公司上海第二研究所 一种移动通讯基站中的线性功率放大器
CN101567665A (zh) * 2008-12-26 2009-10-28 芯通科技（成都）有限公司 一种数字Doherty功率放大器
CN101589550A (zh) * 2006-09-29 2009-11-25 北方电讯网络有限公司 具有非对称半导体的增强型Doherty放大器
WO2011046031A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 日本電気株式会社 電力増幅器およびその動作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050031663A (ko) 2003-09-30 2005-04-06 광운대학교 산학협력단 도허티 전력 증폭 장치
KR100654650B1 (ko) * 2004-11-25 2006-12-08 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 하이브리드 커플러가 없는 직렬구조의 도허티 증폭기
KR100760519B1 (ko) 2006-07-28 2007-09-20 김종헌 2단 도허티 전력 증폭 장치
US20080122542A1 (en) * 2006-11-27 2008-05-29 Gregory Bowles Enhanced amplifier with auxiliary path bias modulation
US7521995B1 (en) 2007-09-28 2009-04-21 Motorola, Inc. Inverted doherty amplifier with increased off-state impedence
KR101107827B1 (ko) * 2007-12-21 2012-01-31 엔엑스피 비 브이 최소 출력 네트워크를 포함한 3-웨이 도허티 증폭기
US7619468B1 (en) * 2008-09-30 2009-11-17 Nortel Networks Limited Doherty amplifier with drain bias supply modulation
JP5243192B2 (ja) * 2008-11-12 2013-07-24 株式会社日立国際電気 増幅器
US8319549B2 (en) * 2009-12-09 2012-11-27 California Institute Of Technology Self-healing power amplifier: methods and apparatus
KR101677555B1 (ko) * 2010-02-25 2016-11-21 삼성전자주식회사 도허티 증폭기에서 낮은 전력 영역에서의 효율을 향상시키기 위한 장치
CN102170271A (zh) 2011-04-29 2011-08-31 中兴通讯股份有限公司 功率放大装置及功放电路
CN102158175A (zh) * 2011-04-29 2011-08-17 中兴通讯股份有限公司 一种功率放大管以及功率放大方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2545778Y (zh) * 2002-04-29 2003-04-16 深圳市中兴通讯股份有限公司上海第二研究所 一种移动通讯基站中的线性功率放大器
CN101589550A (zh) * 2006-09-29 2009-11-25 北方电讯网络有限公司 具有非对称半导体的增强型Doherty放大器
CN101567665A (zh) * 2008-12-26 2009-10-28 芯通科技（成都）有限公司 一种数字Doherty功率放大器
WO2011046031A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 日本電気株式会社 電力増幅器およびその動作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CRAIG STEINBEISER 等: "《Doherty Power Amplifiers using 2nd Generation HVHBT Technology for High Efficiency Basestation Applications》", 《COMPOUND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT SYMPOSIUM (CSICS), 2010 IEEE》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012146016A1 (zh) * 2011-04-29 2012-11-01 中兴通讯股份有限公司 功率放大装置及功放电路
US8797099B2 (en) 2011-04-29 2014-08-05 Zte Corporation Power amplifier device and power amplifier circuit thereof
CN103391052A (zh) * 2013-07-03 2013-11-13 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 一种s波段大功率功放组件的设计方法
CN103647516A (zh) * 2013-12-11 2014-03-19 中国电子科技集团公司第二十九研究所 发射机线性度设计方法
CN105308857A (zh) * 2014-05-28 2016-02-03 华为技术有限公司 多赫蒂功率放大器和发射机
US10084413B2 (en) 2014-05-28 2018-09-25 Huawei Technologies Co., Ltd. Doherty power amplifier and transmitter
CN105308857B (zh) * 2014-05-28 2019-03-26 华为技术有限公司 多赫蒂功率放大器和发射机

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012146016A1 (zh) 2012-11-01
EP2538551A4 (en) 2014-09-10
US20140125415A1 (en) 2014-05-08
US8797099B2 (en) 2014-08-05
EP2538551A1 (en) 2012-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102170269A (zh) 功率放大装置及功放电路
CN102170268A (zh) 功率放大装置及功放电路
CN102185564A (zh) 功率放大装置及功放电路
CN102761310B (zh) 一种多合体功率放大器及其实现方法
CN102185563B (zh) 一种Doherty功放装置
CN102185565A (zh) 功率放大装置及功放电路
WO2012146007A1 (zh) 一种多合体功率放大器及其实现方法
CN102185568A (zh) 一种多合体功率放大器及其实现方法
EP2541766A1 (en) Power amplification tube and power amplification method
CN102170271A (zh) 功率放大装置及功放电路
CN104393843A (zh) 采用多级式辅路放大器的Doherty功率放大器
CN102158184A (zh) 一种功率放大管以及功率放大方法
CN102158176A (zh) 一种多赫蒂功放装置及功率放大方法
CN102185571A (zh) 峰值放大器的导通控制方法、装置及多合体功率放大器
CN102158186A (zh) 一种功率放大管以及功率放大方法
CN102158183A (zh) 一种多赫蒂功放装置及功率放大方法
WO2012146010A1 (zh) 一种多赫蒂功放装置及功率放大方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20110831