KR20100084157A - Ｇｓｔ 필름 증착용 텔루륨 전구체 - Google Patents
Ｇｓｔ 필름 증착용 텔루륨 전구체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100084157A KR20100084157A KR1020107008188A KR20107008188A KR20100084157A KR 20100084157 A KR20100084157 A KR 20100084157A KR 1020107008188 A KR1020107008188 A KR 1020107008188A KR 20107008188 A KR20107008188 A KR 20107008188A KR 20100084157 A KR20100084157 A KR 20100084157A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- tellurium
- reactor
- cyclic
- branched
- Prior art date
Links
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 56
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 45
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- -1 hydrogen- Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 22
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 21
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- ASNHGEVAWNWCRQ-UHFFFAOYSA-N 4-(hydroxymethyl)oxolane-2,3,4-triol Chemical group OCC1(O)COC(O)C1O ASNHGEVAWNWCRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWFYHOXZOBEFTG-UHFFFAOYSA-N [GeH3]N Chemical class [GeH3]N GWFYHOXZOBEFTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N ac1l3fa4 Chemical compound [SiH3]N([SiH3])[SiH3] VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 claims description 3
- IOHYCLXFDVVYDO-UHFFFAOYSA-N dimethylstibane Chemical compound C[SbH]C IOHYCLXFDVVYDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001470 diamides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 8
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- NPUKDXXFDDZOKR-LLVKDONJSA-N etomidate Chemical group CCOC(=O)C1=CN=CN1[C@H](C)C1=CC=CC=C1 NPUKDXXFDDZOKR-LLVKDONJSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229940059260 amidate Drugs 0.000 description 1
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000007334 memory performance Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/023—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by chemical vapor deposition, e.g. MOCVD, ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(a) 반응기 내로 기재를 제공하는 단계; (b) 화학식 TeLn 또는 시클릭 LTe(-L-)2TeL을 갖는 텔루륨-함유 전구체 1 이상을 반응기 내에 주입하는 단계(상기 식에서 1 이상의 L이 상기 Te 하나에 결합된 N을 함유하고, "n"은 2 내지 6 사이이며, 각각의 "L"은 독립적으로 특정한 알킬 및 아릴기로부터 선택된다)를 포함하는 텔루륨-함유 필름을 기재 위에 증착하기 위한 방법이 제공된다. 방법은 추가로 (c) 임의로, M이 Si, Ge, Sb, Sn, Pb, Bi, In, Ag 또는 Se 또는 그들의 임의의 조합인 M-함유원 1 이상을 주입하는 단계; (d) 임의로, 수소-함유 유체를 주입하는 단계; (e) 임의로, 산소-함유 유체를 주입하는 단계; (f) 임의로, 질소-함유 유체를 주입하는 단계; (g) 반응기 내에서 전구체(들) 및, 만약 존재한다면, M-함유원(들)을, 만약 존재한다면, 수소-, 산소- 및/또는 질소-함유 유체와 반응시키는 단계; 및 (h) 기재 위에 텔루륨-함유 필름을 증착시키는 단계를 포함한다.
Description
<관련 출원의 상호 참조>
이 출원은 여기서 그 개시내용이 참조문헌으로 도입된 2007년 9월 17일 출원된 미국 가출원번호 60/973,090 출원의 우선권을 주장한다.
<본 발명의 기술분야>
본 발명은 전체적으로 반도체 제조 분야, 더 구체적으로는 비휘발성 기억 장치 제조에 사용되는 상 변화 물질에 관한 것이다. 또 더 특정하게는, 본 발명은 기재 위에 게르마늄 안티모니 텔루라이드(GST) 필름 형성용 텔루륨 전구체 화합물에 관한 것이다.
상 변화 물질은 표준 벌크 규소 기술에 사용되어 비휘발성 기억 장치의 기억 소자를 형성한다. 상 변화 물질은 2 이상의 상이한 상태를 나타내며, 하나는 비정질이고 다른 것(들)은 결정형이다. 비정질 상태는 결정성의 부재 또는 장 범위 배열의 결여로 특징 되며, 장 범위 배열로 특징 되는 결정형 상태와 반대된다. 따라서, 매우 여러 번 반복되는, 단위 셀 내의 배열은 전체 물질의 대표 특징이다.
비휘발성 기억 장치 내의 각각의 기억 셀은 상 변화 물질의 비정질 상태 및 결정형 상태에 상응하는 더 높은 및 더 낮은 저항성 상태 사이에서 가역적으로 변화하는 가변 저항기로 여겨질 수 있다. 각각의 상태가 몇몇 크기의 전도도 차이로 특징 될 수 있으므로 상태들은 식별될 수 있다. 이들 장치에서, 기억 소자의 상 변화는 높은 프로그래밍 전류로 상 변화 물질을 직접 가열함으로써 수행된다. 통상적으로, 상 변화 물질을 직접적으로 가열함으로써 높은 프로그래밍 전류를 전달하기 위해 바이폴라 트렌지스터가 사용된다. 높은 전류는 상 변화 물질의 직접적인 가열을 불러오고, 이는 반복되는 프로그래밍 작동 중 상 변화 물질이 분해되게 할 수 있으며, 그로 인해 기억 장치 성능을 감소시킬 수 있다.
오늘날 실용되는 물질 중 대부분은 텔루륨을 포함한다. 이들 물질 중, 가장 널리 연구된 물질은 Ge2Sb2Te5이다. 증착은 통상적으로 플라즈마 기상 증착(PVD) 기술 예컨대 스퍼터링(sputtering), 화학적 기상 증착(CVD) 및 원자층 증착(ALD) 및 펄스-CVD, 원격 플라즈마 CVD, 플라즈마 보조 CVD, 플라즈마 강화 ALD를 포함한 관련 기술로 수행될 수 있지만, 홈으로 구성된 것을 포함한, 복잡한 구조에서의 증착의 문제를 극복하기 위해 다양한 물질들이 현재 연구되고 있다. 예컨대 Ge(tBu)4, Sb(iPr)3 및 Te(iPr)2의 사용이 보고되었다. 그러나, 게르마늄-안티모니-텔루륨(GST) 물질의 증착을 위한 이와 같은 분자의 사용은 몇 가지 어려운 점을 야기한다. 예컨대, 텔루륨 알킬 또는 아릴 화합물(예컨대 Te(iPr)2)은 재생가능한 공정에 불충분하게 열적으로 안정하다. 해당 분야에 현저한 진보가 있었음에도 불구하고, 개선된 안정성을 갖는 전구체 화합물의 설계 및 사용에 계속적인 관심이 존재한다.
텔루륨-함유 박막(예컨대, 게르마늄 안티모니 텔루라이드 필름)을 형성하기 위한 특정한 텔루륨 전구체 화합물을 사용하는 방법 및 결과로 얻은 필름-코팅된 기재가 개시된다. 개선된 안정성을 갖는 일부 전구체 화합물은 잠재적으로, 산업적으로 확대가능한 비휘발성 기억 장치 제조용 공정을 생성시킬 수 있다.
본 발명의 특정 실시예에 따라, 텔루륨-함유 필름을 기재 위에 증착하기 위한 일 방법이 제공된다. 방법은 (a) 화학 기상 증착 또는 원자층 증착을 위해 구성된 반응기 내로 기재를 제공하는 단계; (b) 화학식 TeLn 또는 시클릭 LTe(-L-)2TeL을 갖는 텔루륨-함유 전구체 1 이상을 반응기 내에 주입하는 단계(상기 식에서 1 이상의 L이 상기 Te 하나에 결합된 N을 함유하고, "n"은 2 내지 6 사이이며, 각각의 "L"은 독립적으로 다음으로 구성되는 알킬 및 아릴기로부터 선택된다: R1, R2가 H, 알킬기 또는 실릴기를 나타내는 -NR1R2 형태의 아미드; R이 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기를 나타내는 -NR 형태의 시클릭 아미드; R이 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기를 나타내는 =NR 형태의 이미도기; -N(R)-이 2개의 텔루륨에 다리걸친 -N(R)-형태의 기; R1, R2 및 A가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-A-R2N- 형태의 디아미드; R1, R2, R3 및 A가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-A-NR2R3 형태의 아미노아미드기; R1, R2 및 A가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-A-OR2 형태의 알콕시아미드기; R1, R2, R3가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-C(R2)-NR3 형태의 아미디네이트기; 및 R1, R2, R3, R4가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-C(NR2R3)-NR4 형태의 구아니디네이트기)를 포함한다. 일부 실시예에서, "n"은 2 또는 4이다.
일부 실시예에서, 방법은 추가로 (c) 임의로, M이 Si, Ge, Sb, Sn, Pb, Bi, In, Ag 또는 Se 또는 그들의 임의의 조합인 M-함유원 1 이상을 반응기 내로 주입하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 방법은 추가로 (d) 임의로, 수소-함유 유체를 반응기 내로 주입하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 방법은 추가로 (e) 임의로, 산소-함유 유체를 반응기 내로 주입하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 방법은 추가로 (f) 임의로, 질소-함유 유체를 반응기 내로 주입하는 단계를 포함한다. 방법은 (g) 반응기 내에서 전구체(들) 및, 만약 존재한다면, M-함유원(들)을, 만약 존재한다면, 수소-, 산소 및/또는 질소-함유 유체(들)와 반응시키는 단계, 및 (h) 기재 위에 텔루륨-함유 필름을 증착시키는 단계를 포함한다.
일부 실시예에서, 단계 (h)에서, 증착은 200 ℃ 내지 600 ℃ 사이의 온도에서 수행된다. 일부 실시예에서, 증착은 350 ℃ 내지 550 ℃ 사이의 온도에서 수행된다. 일부 실시예에서, 단계 (h)에서, 증착은 1 Pa 내지 100000 Pa 사이의 압력에서 수행된다.
일부 실시예에서, 1 이상의 텔루륨-함유 전구체가 100 ℃ 미만의 녹는점을 갖고, 일부 경우에 녹는점은 50 ℃ 미만이다. 일부 실시예에서, 1 이상의 텔루륨-함유 전구체가 실온에서 액체이다.
일부 실시예에서, 단계 (b)에서, 앞서 명시한 텔루륨-함유 전구체 2 이상이 함께 혼합되어 전구체 혼합물을 제공하고, 그 후 상기 혼합물은 반응기 내로 주입된다.
일부 실시예에서, 단계 (c)는 트리게르밀아민, 게르만, 디게르만 및 x가 0 내지 4 사이이고, R, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 화학식 GeRx(NR1R2)4-x의 아미노게르만 화합물로 구성되는 군에서 선택된 1 이상의 게르마늄원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 게르마늄원은 4DMAG, Ge(NMe2)4, 3DMAG, GeH(NMe2)3, BDEAG, GeH2(NEt2)2), 또는 그들의 임의의 혼합물이다.
일부 실시예에서, 단계 (c)는 트리메틸안티모니, 디메틸안티모니 히드리드, SbCl3, SbCl5, 및 x가 0 내지 3 사이이고, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 화학식 SbRx(NR1R2)3-x의 아미도안티모니 화합물, 및 그들의 임의의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 1 이상의 안티모니원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함한다.
일부 실시예에서, 단계 (c)는 BiCl3, Bi(NMe2)3, Bi(NEt2)3, Bi(NEt2)3, 및 각각의 R1 ,R2 및 R3가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 Bi(=NR1)(NR2R3)3 및 그들의 임의의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 1 이상의 비스무트원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 아미노 리간드는 상이한 치환기를 가질 수 있다.
일부 실시예에서, 단계 (c)는 스타난, SnCl4 및 x가 0 내지 4 사이이고, R, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 화학식 SnRx(NR1R2)4-x을 갖는 아미노게르만 화합물로 구성된 군에서 선택된 1 이상의 주석원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 주석원은 4DMASn, Sn(NMe2)4, 3DMASn, 또는 SnH(NMe2)3 또는 그들의 임의의 혼합물이다.
일부 실시예에서, 단계 (c)는 트리실릴아민, 실란, 디실란, 트리실란, x가 0 내지 4 사이이고, R, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 화학식 SiRx(NR1R2)4-x의 아미노실란 화합물으로 구성된 군에서 선택된 1 이상의 규소원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 이러한 규소원 1 이상이 4DMAS, Si(NMe2)4, 3DMAS, SiH(NMe2)3, BDEAS, SiH2(NEt2)2 또는 그들의 임의의 조합이다.
일부 실시예에서, (d) 단계에서, 수소-함유 유체는 H2, NH3, 히드라진 또는 히드라진의 알킬 또는 아릴 유도체, 또는 H+, NH+, 또는 NH2 + 라디칼, 또는 그들의 임의의 혼합물이다. 일부 실시예에서, (f) 단계에서, 질소-함유 유체는 N2, NH3, 히드라진 또는 히드라진의 알킬 또는 아릴 유도체, 또는 N+, NH+, 또는 NH2 + 라디칼, 또는 그들의 임의의 혼합물을 포함한다.
일부 실시예에서, 반응기는 화학적 기상 증착을 위해 구성되며 단계 (b) 및 (c)-(f)는 동시에 수행된다. 일부 실시예에서, 반응기는 원자층 증착을 위해 구성되며, 단계 (b) 및 (c)-(f)는 순차적으로 수행된다. 일부 실시예에서, 수정된 원자층 증착을 위해, 단계 (b) 및 (c)가 1 펄스 중 함께 수행되고 (d) 단계가 별도의 펄스에서 수행된다. 일부 실시예에서, (d) 단계에서, 펄스형 화학적 기상 증착을 위해, 수소 기체가 연속적으로 주입되고 단계 (b) 및/또는 (d)에서, 텔루륨 및/또는 M-함유원이 펄스로 주입된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따라, 앞서 설명된 방법의 생성물인 텔루륨-함유 박막-코팅된 기재가 제공된다. 뒤따르는 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용이 더 잘 이해될 수 있도록, 앞의 내용은 본 발명의 일부 실시예의 특정 특징 및 기술적 장점을 다소 광범위하게 약술하였다. 이들 및 추가적인 실시예, 특징 및 잠재적인 장점들이 뒤따르는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에서 명백해질 것이다.
정의
특정 용어들이 다음의 명세서 및 청구항 전체에서 특정한 시스템 요소를 지칭하기 위해 사용된다. 이 명세서는 명칭은 상이하나 기능은 그렇지 않은 성분들을 구분하도록 의도하지 않는다.
다음의 논의 및 청구항에서, 용어 "포함" 및 "함유"는 제한이 없는 방식에 사용되었고, 따라서 "포함하나, 여기에 제한되지 않는..."을 의미하는 것으로 해석되어야 한다.
여기서 사용된 바와 같이, 약자 "Me"는 메틸기를 지칭하고, "Et"는 에틸기를 지칭하며; "Pr"은 프로필기를 지칭하고, "iPr"은 이소프로필기를 지칭하며, "Bu"는 부틸기를 지칭하고, "tBu"는 3차 부틸기를 지칭한다.
텔루륨 전구체
1 이상의 리간드가 텔루륨에 결합된 질소를 함유하는 특정한 텔루륨 화합물(전구체)이 여기서 개시된다. 이들 화합물은 잠재적으로 상 변화 기억 장치 내의 상 변화 층 제조와 같은, 반도체 제조 응용(예컨대, RAM 제조)을 위한 화학적 기상 증착(CVD), 펄스형-CVD 및 원자층 증착(ALD)법에 유용한 전구체이다.
이들 화합물은 웨이퍼 표면 위로 화학흡착을 허용하기 위해, 또한 화합물의 원자층 증착 또는 화학적 증기 증착을 수행하기 위해, 1 이상의 단일, 이중, 또는 삼중 Te-N 결합을 함유한다. 화합물은 일반식 TeLn이거나 일반식 시클릭 LTe(-L-)2TeL로 정의되는 고리형 구조를 갖는다. 구조적 형태 둘 다에서, 1 이상의 L성분은 Te에 결합된 N을 함유한다. 각각의 "L"은, 개별적으로 알킬 또는 아릴 분자이다. 리간드("L")의 수는 1 내지 6 사이이다. 일부 실시예에서, 바람직한 리간드 수는 2이다. 일부 실시예에서, L은 R1, R2가, 독립적으로 H, 알킬기, 또는 실릴기(예컨대, 트리메틸실릴기)인 -NR1R2 형태의 아미드이다. 일부 실시예에서, L은 R이 C1-C6 선형, 분지 또는 시클릭기, 또는 실릴기를 나타내는 -NR 형태의 시클릭 아미드이다. 일부 실시예에서, L은 R이 C1-C6 선형, 분지 또는 시클릭기, 또는 실릴기를 나타내는 =NR 형태의 이미도이다. 일부 실시예에서, L은 2개의 텔루륨에 다리걸친 -N(R)-형태의 기이다. 일부 실시예에서, L은 R1, R2 및 A가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-A-R2N- 형태의 디아미드이다. 일부 실시예에서, L은 R1, R2, R3 및 A가 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-A-NR2R3 아미노아미드기이다. 일부 실시예에서, L은 R1, R2 및 A가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-A-OR2 알콕시아미드기이다. 일부 실시예에서, L은 R1, R2, R3가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-C(R2)-NR3 아미디네이트기이다. 일부 실시예에서 L은 R1, R2, R3, R4가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 화학식 -NR1-C(NR2R3)-NR4로 기술되는 구아니디네이트기이다.
상기한 일반식(I 및 II) 중 하나를 갖는 예시적인 텔루륨 전구체 화합물 일부는 Te(NMe2)2, Te(NEt2)2, TeMe(NMe2), TeMe(NEt2), TeMe(NiPr2), Me2Te=NtBu, 시클릭 Me2Te(-NtBu-)2TeMe2, 텔루륨 아미디네이트, 예컨대 Te(NiPr-CiPr-NiPr)2, MeTe(NiPr-CiPr-NiPr), 텔루륨 구아니디네이트, 예컨대 Te(NiPr-C(-NMe2)-NiPr)2, MeTe(NiPr-C(-NMe2)-NiPr), 텔루륨 아미노아미드, 예컨대 Te(MeN-CH2-CH2-NMe2), TeMe(MeN-CH2-CH2-NMe2), Te(EtN-CH2-CH2-NMe2), TeMe(EtN-CH2-CH2-NMe2), Te(MeN-CMe2-CH2-NMe2), TeMe(MeN-CMe2-CH2-NMe2), 텔루륨 알콕시아미드 Te(MeN-CH2-CH2-OMe), TeMe(MeN-CH2-CH2-OMe), 및 시클릭 (tBuN=)Te(-NtBu-)2Te(=NtBu) 및 (iPrN=)Te(-NiPr-)2Te(=NiPr)이다.
일부 실시예에서, 상기한 아미노계 텔루륨 전구체는 ALD 또는 금속-유기 화학적 기상 증착(MOCVD) 공정에 의한 Te-함유 박막의 증착에 적절하다. Te 전구체의 다양한 실시예가 실온에서 액체이거나 50 ℃ 미만의 녹는점을 갖는다. 상기한 Te-N 화합물 중 일부는 입자 생성 없이 적절한 분산(예컨대 기체 상 또는 직접적인 액체 주입)을 가능하게 할 만큼 충분히 열적으로 안정하다. 상기한 Te-N 화합물 중 일부는 넓은 자기-제한성 ALD 창을 허용할 정도로 충분히 열적으로 안정하며, 공-반응물 하나 또는 조합을 사용함으로써, 4개 이상의 성분을 함유하는 물질을 포함한, 다양한 텔루륨-함유 필름의 증착을 허용한다. 예시적인 공-반응물 일부는 H2, NH3, H2O, SiH4, Si2H6, Si3H8, TriDMAS, BDMAS, BDEAS, TDEAS, TDMAS, TEMAS, (SiH3)3N, 및 (SiH3)2O이다. 상기한 Te 전구체는 규소 기재 위에 순수 텔루륨 박막 또는 텔루륨-함유 합금 필름을 제조하는데 바람직하게 사용될 수 있다.
텔루륨 박막 형성
기재(예컨대, 표준 규소 웨이퍼) 위에 순수 텔루륨 박막을 증착시키기 위한 예시적인 방법은 다음의 단계를 포함한다:
(a) 반응 챔버(반응기), 예컨대 통상적인 CVD 또는 ALD 반응기 내로 기재를 제공하는 단계.
(b) 화학식 TeLn 또는 시클릭 LTe(-L-)2TeL을 갖는 텔루륨-함유 전구체 1 이상을 반응기 내에 주입하는 단계(상기한 바와 같이, 상기 식에서 n은 2 내지 6 사이이다). 일부 실시예에서, n은 2 또는 4이다. 각각의 리간드, "L"은, 전구체 화합물에 대해 상기한 바와 같이, 독립적으로 정의되며, 1 이상의 L이 Te에 결합된 N을 함유한다. 주입된 텔루륨-함유 전구체 1 이상이 100 ℃ 미만의 녹는점을 갖는다. 일부 실시예에서, 녹는점은 500 ℃미만이며, 일부 실시예에서, 텔루륨 전구체는 실온에서 액체이다. 일부 실시예에서, 2 이상의 상이한 텔루륨-함유 전구체(화학식 I 및/또는 화학식 II)가 혼합되어 전구체 혼합물을 제공하며, 그 후 반응기 내로 주입된다.
(c) 반응기 내로 수소원(환원제)를 주입하는 단계. 적절한 환원제 유체는 H2, NH3, 히드라진 및 그의 알킬 또는 아릴 유도체, H+, NH+, 또는 NH2 +와 같은 수소-함유 라디칼, 및 그들의 임의의 혼합물을 포함하나, 여기에 제한되지 않는다.
(d) 반응기 내에서 텔루륨-함유 전구체(들)를 수소원과 반응시키는 단계;
(e) 200 ℃ 내지 600 ℃ 사이의 온도에서 기재 위로 텔루륨 필름을 증착하는 단계. 일부 응용에서, 증착 온도는 350 ℃ 내지 550 ℃ 사이이다.
(f) 필름 증착 공정 중, 압력은 1 Pa 내지 100000 Pa 사이로 유지된다. 일부 응용에서 압력은 25 Pa 내지 1000 Pa이다.
텔루륨 합금 박막
텔루륨 알킬의 열적 불안정성은 규소 웨이퍼와 같은 기재 위에 텔루륨-함유 합금 필름(예컨대, 게르마늄-안티모니-텔루륨(GST) 필름)의 증착을 위한 안정한 공정의 확립을 어렵게 한다. 전이 온도를 낮춰 상태를 비정질에서 결정형으로 가역적으로 변화시키기 위해, 결정형 상태 내의 세립체 크기는 더 쉬운 상 전이를 보장하기 위해 최소화되어야 한다. 세립체의 감소된 크기는 GST 물질을 특정 성분으로, 예컨대 산소, 질소, 주석, 규소 또는 탄소를 사용하여, 도핑하는 것에 적합하다. 따라서, 일부 예시적인 텔루륨 합금 필름은 다음과 같은 화학식을 갖는다.
Gea Sbb TecOd Ne Mf,
상기 식에서 0 ≤ a < 3; 0 ≤ b ≤ 3; 0 < c ≤ 8; O ≤ d < 1 ; 0 ≤ e < 1; 및 0 ≤ f < 1이다. 일부 실시예에서, 1.5 ≤ a ≤ 2.5이다. 일부 실시예에서, 1.5 ≤ b ≤ 2.5이다. 일부 실시예에서, 4 ≤ c ≤ 6이다. 일부 실시예에서, 0.1 ≤ d ≤ 0.5이다. 일부 실시예에서, 0.1 ≤ e ≤ 0.5이다. 일부 실시예에서, 0.3 ≤ f ≤ 0.8이다. "M"은 Si, Ge, Sn, Pb, Bi, In, Ag 또는 Se, 또는 그들의 임의의 조합으로 구성된 군에서 선택된 임의적인 금속 또는 반금속 성분이다. "O"는 임의적인 산소이다. "N"은 임의적인 질소이다. 일부 실시예에서, GST 필름은 화학식 Ge2Sb2Te5를 갖는다.
텔루륨 합금 박막의 형성
기재(예컨대, 표준 규소 웨이퍼) 위에 GST 또는 다른 텔루륨 합금 박막을 증착시키기 위한 예시적인 방법은 일반적으로 다음의 단계를 포함한다:
(a) 반응 챔버(반응기), 예컨대 통상적인 CVD 또는 ALD 반응기 내로 기재를 제공하는 단계.
(b) 화학식 TeLn 또는 시클릭 LTe(-L-)2TeL을 갖는 텔루륨-함유 전구체 1 이상을 반응기 내에 주입하는 단계(상기한 바와 같이, 상기 식에서 n은 2 내지 6 사이이다). 일부 실시예에서, n은 2 또는 4이다. 각각의 리간드, "L"은, 전구체 화합물에 대해 상기한 바와 같이, 독립적으로 정의되며, 1 이상의 L이 Te에 결합된 N을 함유한다. 주입된 텔루륨-함유 전구체 1 이상이 100 ℃ 미만의 녹는점을 갖는다. 일부 실시예에서, 녹는점은 50 ℃미만이며, 일부 실시예에서, 텔루륨-함유 전구체는 실온에서 액체이다. 일부 실시예에서, 2 이상의 상이한 텔루륨-함유 전구체(화학식 I 및/또는 화학식 II)가 혼합되어 전구체 혼합물을 제공하며, 그 후 반응기 내로 주입된다.
(c) 임의로, M이 Si, Ge, Sb, Sn, Pb, Bi, In, Ag 또는 Se 또는 그들의 임의의 조합인 M-함유 전구체 1 이상을 주입하는 단계. 예컨대, 일부 적절한 M-함유 전구체들은 다음과 같다:
(1) 게르마늄원, 예컨대 트리게르밀아민, 게르만, 디게르만 또는 화학식 GeRx(NR1R2)4-x(상기 식에서 x는 0 내지 4 사이이고; R, R1 및 R2는 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬임)의 아미노게르만. 일부 예에서, 게르마늄원은 4DMAG, Si(NMe2)4, 3DMAG, SiH(NMe2)3 또는 BDEAG, GeH2(NEt2)2 또는 그들의 임의의 혼합물이다;
(2) 안티모니원, 예컨대 트리메틸안티모니, 디메틸안티모니 히드리드, SbCl3, SbCl5, 및 화학식 SbRx(NR1R2)3-x(상기 식에서 x가 0 내지 3 사이이고; R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬임)의 아미도안티모니 화합물, 및 그들의 혼합물;
(3) 비스무트원, 예컨대 BiCl3, Bi(NMe2)3, Bi(NEt2)3, Bi(NEt2)3, 또는 Bi(=NR1)(NR2R3)3(상기 식에서 각각의 R1, R2 및 R3가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬이고, 아미노 리간드가 상이한 치환기를 가질 수 있음) 및 그들의 임의의 혼합물;
(4) 주석원, 예컨대 스타난, SnCl4 또는 화학식 SnRx(NR1R2)4-x(상기 식에서 x가 0 내지 4 사이이고; R, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬임)을 갖는 아미노스타난 화합물. 적절한 주석원의 제한되지 않은 예는 4DMASn, Sn(NMe2)4, 3DMASn, SnH(NMe2)3 및 그들의 혼합물이다; 및
(5) 규소원, 예컨대 트리실릴아민, 실란, 디실란, 트리실란 또는 화학식 SiRx(NR1R2)4-x(상기 식에서 x가 0 내지 4 사이이고; R, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬임)의 아미노실란 화합물. 적절한 규소원의 제한되지 않은 예는 4DMAS, Si(NMe2)4, 3DMAS, SiH(NMe2)3, BDEAS, SiH2(NEt2)2 및 그들의 임의의 혼합물이다.
(d) 임의로, 반응기 내로 수소-함유(즉, 환원제), 산소-함유 또는 질소 함유 유체 또는 그들의 임의의 조합을 주입하는 단계. 적절한 환원제 유체는 H2, NH3, 히드라진 및 그의 알킬 또는 아릴 유도체, H+, NH+, 또는 NH2 +와 같은 수소-함유 라디칼, 및 그들의 임의의 혼합물을 포함하나, 여기에 제한되지 않는다. 적절한 질소-함유 유체는 N2, NH3, 히드라진 및 그의 알킬 또는 아릴 유도체, N+, NH+, NH2 +와 같은 질소-함유 라디칼, 및 그들의 임의의 혼합물을 포함하나, 여기에 제한되지 않는다.
(e) 반응기 내에서 전구체(들)을, 만약 존재한다면, 수소-, 산소- 및/또는 질소-함유 유체와 반응시키는 단계.
(f) 200 ℃ 내지 600 ℃ 사이의 온도에서 기재 위로 텔루륨-함유 필름을 증착하는 단계. 일부 응용에서, 증착 온도는 350 ℃ 내지 550 ℃ 사이이다.
(g) 필름 증착 공정 중, 압력은 1 Pa 내지 100000 Pa 사이로 유지된다. 일부 응용에서 압력은 25 Pa 내지 1000 Pa이다.
다양한 반응물들이 동시에(화학적 기상 증착), 순차적으로(원자층 증착), 또는 임의의 다른 적절한 조합으로 반응기 내로 주입될 수 있다. 예컨대, 수정된 원자층 증착을 위해, 두 금속원은 1 펄스 중 함께 주입되고 수소-함유 기체가 별도의 펄스에서 주입될 수 있다. 또 다른 실시예로, 펄스형 화학적 기상 증착을 위해, 수소가 연속적으로 주입되고 금속원이 펄스로 주입될 수 있다.
<실시예>
실시예 1. 순수 텔루륨 필름의 증착
웨이퍼의 표면 위에 순수 텔루륨 필름의 증착을 수행하기 위해, Te-N원을 상기 단계 (b)에서 정의된 바와 같이 반응기 내에서 기화시키고, 수소원(예컨대 수소 또는 암모니아)을 반응기 내로 주입하며, 상기 반응물을 150 ℃ 내지 350 ℃의 온도 및 25 Pa 내지 1000 Pa의 압력에서 ALD, PEALD 또는 펄스 CVD 공정으로 기재 위의 박막 증착을 달성하기 위해 또는 홈을 메우기 위해 필수적인 지속시간 동안 반응시킨다. 펄스 CVD 공정에서, 텔루륨의 규칙적인 증착을 허용하기 위해 금속원의 순차적인 펄스 주입이 필수적이다.
실시예 2.
Ge2Sb2Te5 합금의 증착
반응기 내에서 금속성 텔루륨-함유 필름을 통상적인 규소 웨이퍼와 같은 지지체 위에 ALD, CVD, MOCVD, 펄스 CVD 방법을 사용하여 증착시킨다. 텔루륨 합금 박막을 형성하기 위한 상기한 공정 및 실시예 1에서 기술한 조건이 이 실시예에서 사용된다. 적절한 게르마늄원을 반응기 내로 주입한다. 일부 예시적인 게르마늄원은 GeCl4, Ge(NMe2)4 및 GeH2(NEt2)2이다. 적절한 안티모니원 역시 반응기 내로 주입한다. 일부 예시적인 안티모니원은 SbCl3, SbCl5, Sb(NMe2)3 및 SbMe2(NMe)이다. 적절한 수소원을 반응기 내로 주입한다. 여기서 상기한 바와 같이, 일부 예시적인 수소원은 수소, 수소 라디칼 및 암모니아이다. 텔루륨, 게르마늄 및 안티모니 전구체(들) 외에 두 개의 M-함유 전구체 또한 반응기에 주입되어 금속 M원을 제공한다.
웨이퍼 표면 위 또는 홈 내에 합금 필름을 증착하여 PRAM용 기억 구조체를 생산하기 위해, 상기 단계 (b)에서 정의한 바와 같이, 금속원을 반응기 내로 기화시킨다. 이들 반응물들은 150 ℃ 내지 350 ℃ 사이의 적절한 온도 및 25 Pa 내지 1000 Pa의 압력에서, ALD, PEALD 또는 펄스 CVD 공정으로 기재 위의 박막 증착을 달성하기 위해 또는 홈을 메우기 위해 충분한 적절한 시간 기간 동안 반응한다. 후자의 경우에, 홈 내에 금속의 규칙적인 침착을 허용하여 이 홈을 점진적으로 메우고 금속성 필름 내에 빈틈이 없고, 따라서 축전기 내에 결함이 없는 것을 보장하기 위해 금속원의 순차적인 펄스 주입이 필수적이다.
본 발명의 실시예들이 도시되고 기술되었으나, 그들의 수정이 본 발명의 사상 및 교시를 벗어나지 않고 당업자에 의해 만들어질 수 있다. 여기서 기술된 실시예 및 제공된 예들은 단지 예시이며, 제한을 의도하지 않는다. 여기서 개시된 발명의 많은 변경 및 수정이 가능하며 본 발명의 범위 내이다. 따라서, 보호의 범위는 위에서 제시된 명세서에 의해 제한되지 않고, 범위가 청구항의 발명적 사상의 모든 등가물을 포함하는 다음의 청구항에 의해서만 제한된다.
Claims (25)
- (a) 화학 기상 증착 또는 원자층 증착을 위해 구성된 반응기 내로 기재를 제공하는 단계;
(b) 화학식 TeLn 또는 시클릭 LTe(-L-)2TeL을 갖는 텔루륨-함유 전구체 1 이상을 반응기 내에 주입하는 단계(상기 식에서 1 이상의 L이 상기 Te 하나에 결합된 N을 함유하고, "n"은 2 내지 6 사이이며, 각각의 "L"은 독립적으로 다음으로 구성되는 알킬 및 아릴기로부터 선택된다:
R1, R2가 H, 알킬기 또는 실릴기를 나타내는 -NR1R2 형태의 아미드;
R이 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기를 나타내는 -NR 형태의 시클릭 아미드;
R이 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기를 나타내는 =NR 형태의 이미도기;
-N(R)-이 2개의 텔루륨에 다리걸친 -N(R)-형태의 기;
R1, R2 및 A가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-A-R2N- 형태의 디아미드;
R1, R2, R3 및 A가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-A-NR2R3 형태의 아미노아미드기;
R1, R2 및 A가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-A-OR2 형태의 알콕시아미드기;
R1, R2, R3가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-C(R2)-NR3 형태의 아미디네이트기; 및
R1, R2, R3, R4가 독립적으로 C1-C6 선형, 분지, 시클릭 또는 실릴기인 -NR1-C(NR2R3)-NR4 형태의 구아니디네이트기);
(c) 임의로, M이 Si, Ge, Sb, Sn, Pb, Bi, In, Ag 또는 Se 또는 그들의 임의의 조합인 M-함유원 1 이상을 상기 반응기 내로 주입하는 단계;
(d) 임의로, 수소-함유 유체를 반응기 내로 주입하는 단계;
(e) 임의로, 산소-함유 유체를 반응기 내로 주입하는 단계;
(f) 임의로, 질소-함유 유체를 반응기 내로 주입하는 단계;
(g) 반응기 내에서 전구체(들) 및, 만약 존재한다면, M-함유원(들)을, 만약 존재한다면, 수소-, 및/또는 산소- 및/또는 질소-함유 유체(들)과 반응시키는 단계; 및
(h) 기재 위에 텔루륨-함유 필름을 증착시키는 단계
를 포함하는 기재 위에 텔루륨-함유 필름을 증착시키는 방법. - 제1항에 있어서, 상기 (h) 단계에서, 상기 증착이 200 ℃ 내지 600 ℃ 사이의 온도에서 수행되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (h) 단계에서, 상기 증착이 1 Pa 내지 100000 Pa 사이의 압력에서 수행되는 방법.
- 제1항에 있어서, 적어도 제1 텔루륨-함유 전구체가 화학식 시클릭 LTe(-L-)2TeL를 가지는 방법.
- 제1항에 있어서, 1 이상의 상기 텔루륨-함유 전구체가 100 ℃ 미만의 녹는점을 갖는 방법.
- 제1항에 있어서, 1 이상의 상기 텔루륨-함유 전구체가 50 ℃ 미만의 녹는점을 갖는 방법.
- 제1항에 있어서, 1 이상의 상기 텔루륨-함유 전구체가 실온에서 액체인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 주입이 상기 텔루륨-함유 전구체 2 이상을 함께 혼합하여 전구체 혼합물을 제공하고, 상기 혼합물을 반응기 내로 주입하는 것을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 n이 2 또는 4인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계가, 트리게르밀아민, 게르만, 디게르만 및 x가 0 내지 4 사이이고, R, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 화학식 GeRx(NR1R2)4-x의 아미노게르만 화합물로 구성되는 군에서 선택된 1 이상의 게르마늄원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 게르마늄원이 4DMAG, Ge(NMe2)4, 3DMAG, GeH(NMe2)3, BDEAG, GeH2(NEt2)2 및 그들의 임의의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계가 트리메틸안티모니, 디메틸안티모니 히드리드, SbCl3, SbCl5, 및 x가 0 내지 3 사이이고, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 화학식 SbRx(NR1R2)3-x의 아미도안티모니 화합물, 및 그들의 임의의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 1 이상의 안티모니원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계가 BiCl3, Bi(NMe2)3, Bi(NEt2)3, Bi(NEt2)3, 및 각각의 R1, R2 및 R3가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 Bi(=NR1)(NR2R3)3 및 그들의 임의의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 1 이상의 비스무트원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계가 스타난, SnCl4 및 x가 0 내지 4 사이이고, R, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 화학식 SnRx(NR1R2)4-x을 갖는 아미노게르만 화합물 및 그들의 임의의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 1 이상의 주석원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함하는 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 주석원 1종이 4DMASn, Sn(NMe2)4, 3DMASn, SnH(NMe2)3 및 그들의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계가 트리실릴아민, 실란, 디실란, 트리실란, x가 0 내지 4 사이이고, R, R1 및 R2가 독립적으로 H 또는 선형, 분지 또는 시클릭 C1-C6 탄소 사슬인 화학식 SiRx(NR1R2)4-x의 아미노실란으로 구성된 군에서 선택된 1 이상의 규소원을 상기 반응기 내로 주입하는 것을 포함하는 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 규소원 1종이 4DMAS, Si(NMe2)4, 3DMAS, SiH(NMe2)3, BDEAS, SiH2(NEt2)2 및 그들의 임의의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계에서, 상기 수소-함유 유체가 H2, NH3, 히드라진 및 그의 알킬 또는 아릴 유도체, H+, NH+, 및 NH2 + 라디칼, 및 그들의 임의의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (f) 단계에서, 상기 질소-함유 유체가 N2, NH3, 히드라진 및 그의 알킬 또는 아릴 유도체, N+, NH+, 및 NH2 + 라디칼, 및 그들의 임의의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (h) 단계가 상기 텔루륨-함유 필름을 기재 위에 350 ℃ 내지 550 ℃의 온도에서 증착하는 것을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 주입이 (b) 단계 및 (c)-(f) 단계를 동시에 수행하는 것을 포함하고, 상기 반응기가 화학적 기상 증착을 위해 구성된 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 주입이 (b) 단계 및 (c)-(f) 단계를 순차적으로 수행하는 것을 포함하고, 상기 반응기가 원자층 증착을 위해 구성된 방법.
- 제1항에 있어서, 수정된 원자층 증착을 위해, 상기 (b) 및 (c) 단계가 1 펄스 중 함께 수행되고 (d) 단계가 별도의 펄스에서 수행되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계에서, 펄스형 화학적 기상 증착을 위해, 수소 기체가 연속적으로 주입되고 (b) 및 (c) 단계가 상기 텔루륨 또는 M-함유원을 펄스로 주입하는 것을 포함하는 방법.
- 제1항의 방법의 생성물을 포함하는, 텔루륨-함유 박막-코팅된 기재.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US97309007P | 2007-09-17 | 2007-09-17 | |
| US60/973,090 | 2007-09-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100084157A true KR20100084157A (ko) | 2010-07-23 |
Family
ID=40084200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107008188A KR20100084157A (ko) | 2007-09-17 | 2008-09-17 | Ｇｓｔ 필름 증착용 텔루륨 전구체 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8454928B2 (ko) |
| KR (1) | KR20100084157A (ko) |
| TW (1) | TWI471449B (ko) |
| WO (1) | WO2009039187A1 (ko) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG171683A1 (en) | 2006-05-12 | 2011-06-29 | Advanced Tech Materials | Low temperature deposition of phase change memory materials |
| EP2511280A1 (en) | 2006-11-02 | 2012-10-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Germanium amidinate complexes useful for CVD/ALD of metal thin films |
| US8454928B2 (en) | 2007-09-17 | 2013-06-04 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Tellurium precursors for GST deposition |
| KR101458953B1 (ko) | 2007-10-11 | 2014-11-07 | 삼성전자주식회사 | Ｇｅ（Ⅱ）소오스를 사용한 상변화 물질막 형성 방법 및상변화 메모리 소자 제조 방법 |
| US8834968B2 (en) | 2007-10-11 | 2014-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming phase change material layer using Ge(II) source, and method of fabricating phase change memory device |
| SG152203A1 (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-29 | Advanced Tech Materials | Amorphous ge/te deposition process |
| US20090162973A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Julien Gatineau | Germanium precursors for gst film deposition |
| US8318252B2 (en) * | 2008-01-28 | 2012-11-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Antimony precursors for GST films in ALD/CVD processes |
| US20090215225A1 (en) | 2008-02-24 | 2009-08-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials |
| US8193388B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-06-05 | American Air Liquide, Inc. | Compounds for depositing tellurium-containing films |
| JP5718808B2 (ja) | 2008-04-25 | 2015-05-13 | エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー．Ａｓｍ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｎ．Ｖ． | テルルおよびセレン薄膜のａｌｄのための前駆体の合成および使用 |
| US8802194B2 (en) | 2008-05-29 | 2014-08-12 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Tellurium precursors for film deposition |
| US8101237B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-01-24 | L'Air Liquide SociétéAnonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude | Tellurium precursors for film deposition |
| US8636845B2 (en) | 2008-06-25 | 2014-01-28 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Metal heterocyclic compounds for deposition of thin films |
| US8236381B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-08-07 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Metal piperidinate and metal pyridinate precursors for thin film deposition |
| JP2013503849A (ja) | 2009-09-02 | 2013-02-04 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | ゲルマニウム含有フィルムの堆積のための二ハロゲン化ゲルマニウム（ｉｉ）先駆物質 |
| CN102687243B (zh) | 2009-10-26 | 2016-05-11 | Asm国际公司 | 用于含va族元素的薄膜ald的前体的合成和使用 |
| WO2011095849A1 (en) | 2010-02-03 | 2011-08-11 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition |
| US8193027B2 (en) | 2010-02-23 | 2012-06-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of making a multicomponent film |
| US8343881B2 (en) | 2010-06-04 | 2013-01-01 | Applied Materials, Inc. | Silicon dioxide layer deposited with BDEAS |
| US8148197B2 (en) | 2010-07-27 | 2012-04-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming germanium-antimony-tellurium materials and a method of forming a semiconductor device structure including the same |
| JP5741382B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜の形成方法及び成膜装置 |
| US9171715B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
| US9330899B2 (en) * | 2012-11-01 | 2016-05-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film |
| KR102022409B1 (ko) | 2013-03-13 | 2019-09-18 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| US9214630B2 (en) | 2013-04-11 | 2015-12-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of making a multicomponent film |
| CN103882383B (zh) * | 2014-01-03 | 2016-01-20 | 华东师范大学 | 一种脉冲激光沉积制备Sb2Te3薄膜的方法 |
| KR102696070B1 (ko) | 2014-10-23 | 2024-08-16 | 인프리아 코포레이션 | 유기 금속 용액 기반의 고해상도 패터닝 조성물 및 상응하는 방법 |
| US9543144B2 (en) * | 2014-12-31 | 2017-01-10 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Vapor deposition of chalcogenide-containing films |
| US9607842B1 (en) | 2015-10-02 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming metal silicides |
| US10634938B2 (en) * | 2017-03-30 | 2020-04-28 | Massachusetts Institute Of Technology | GSST and applications in optical devices |
| WO2019152593A1 (en) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus for modulating light with phase-change materials |
| US20190390341A1 (en) * | 2018-06-26 | 2019-12-26 | Lam Research Corporation | Deposition tool and method for depositing metal oxide films on organic materials |
| WO2024035914A1 (en) | 2022-08-12 | 2024-02-15 | Gelest, Inc. | High purity tin compounds containing unsaturated substituent and method for preparation thereof |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4419386A (en) * | 1981-09-14 | 1983-12-06 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
| US4377613A (en) | 1981-09-14 | 1983-03-22 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
| DE4214281A1 (de) | 1992-04-30 | 1993-11-04 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zur herstellung von germaniumdihalogenid-ether-addukten |
| DE4234998C2 (de) | 1992-10-16 | 2000-11-16 | Michael Denk | Cyclische Amide des Siliciums und des Germaniums |
| CH691209A5 (de) * | 1993-09-06 | 2001-05-15 | Scherrer Inst Paul | Herstellungsverfahren für einen Polmerelektrolyten und elektrochemische Zelle mit diesem Polymerelektrolyten. |
| US5656338A (en) | 1994-12-13 | 1997-08-12 | Gordon; Roy G. | Liquid solution of TiBr4 in Br2 used as a precursor for the chemical vapor deposition of titanium or titanium nitride |
| US6037003A (en) | 1996-10-16 | 2000-03-14 | President And Fellows Of Harvard College | Chemical vapor deposition of aluminum oxide |
| JP2002527528A (ja) | 1998-10-21 | 2002-08-27 | プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ | アルカリ土類金属を含有する材料を形成するための液体化合物 |
| KR20010080412A (ko) | 1998-11-12 | 2001-08-22 | 조이스 브린톤 | 향상된 스텝 커버리지를 갖는 확산 장벽 물질 |
| WO2001066816A1 (en) | 2000-03-03 | 2001-09-13 | President And Fellows Of Harvard College | Liquid sources for cvd of group 6 metals and metal compounds |
| US6984591B1 (en) * | 2000-04-20 | 2006-01-10 | International Business Machines Corporation | Precursor source mixtures |
| EP1180553A1 (en) | 2000-08-15 | 2002-02-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | CVD process for depositing copper on a barrier layer |
| KR100815009B1 (ko) | 2000-09-28 | 2008-03-18 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 | 산화물, 규산염 및 인산염의 증기를 이용한 석출 |
| CN100360710C (zh) | 2002-03-28 | 2008-01-09 | 哈佛学院院长等 | 二氧化硅纳米层压材料的气相沉积 |
| JP4714422B2 (ja) | 2003-04-05 | 2011-06-29 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置 |
| JP4954448B2 (ja) * | 2003-04-05 | 2012-06-13 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 有機金属化合物 |
| US7300873B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-11-27 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming metal-containing layers using vapor deposition processes |
| US7250367B2 (en) * | 2004-09-01 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods using heteroleptic precursors |
| KR100618879B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2006-09-01 | 삼성전자주식회사 | 게르마늄 전구체, 이를 이용하여 형성된 ｇｓｔ 박막,상기 박막의 제조 방법 및 상변화 메모리 소자 |
| US20060172068A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Ovshinsky Stanford R | Deposition of multilayer structures including layers of germanium and/or germanium alloys |
| US20060172067A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Energy Conversion Devices, Inc | Chemical vapor deposition of chalcogenide materials |
| KR100688532B1 (ko) * | 2005-02-14 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 텔루르 전구체, 이를 이용하여 제조된 Ｔｅ-함유 칼코게나이드(ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ) 박막, 상기 박막의 제조방법 및 상변화 메모리 소자 |
| US7678420B2 (en) * | 2005-06-22 | 2010-03-16 | Sandisk 3D Llc | Method of depositing germanium films |
| KR100962623B1 (ko) * | 2005-09-03 | 2010-06-11 | 삼성전자주식회사 | 상변화 물질층 형성 방법, 이를 이용한 상변화 메모리 유닛및 상변화 메모리 장치의 제조 방법 |
| EP1951617B1 (en) | 2005-11-23 | 2013-08-21 | THE ARIZONA BOARD OF REGENTS, a body corporate acting on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY | Novel silicon-germanium hydrides and methods for making and using same |
| WO2007067604A2 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Structured Materials Inc. | Method of making undoped, alloyed and doped chalcogenide films by mocvd processes |
| KR100695168B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 상변화 물질 박막의 형성방법, 이를 이용한 상변화 메모리소자의 제조방법 |
| SG171683A1 (en) | 2006-05-12 | 2011-06-29 | Advanced Tech Materials | Low temperature deposition of phase change memory materials |
| WO2008002546A1 (en) | 2006-06-28 | 2008-01-03 | President And Fellows Of Harvard College | Metal(iv) tetra-amidinate compounds and their use in vapor deposition |
| US7638645B2 (en) * | 2006-06-28 | 2009-12-29 | President And Fellows Of Harvard University | Metal (IV) tetra-amidinate compounds and their use in vapor deposition |
| WO2008008319A2 (en) | 2006-07-10 | 2008-01-17 | President And Fellows Of Harvard College | Selective sealing of porous dielectric materials |
| US7547631B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-06-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Organometallic compounds |
| KR100829602B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2008-05-14 | 삼성전자주식회사 | 상변화 물질층 형성 방법 및 상변화 메모리 장치의 제조방법 |
| EP2511280A1 (en) | 2006-11-02 | 2012-10-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Germanium amidinate complexes useful for CVD/ALD of metal thin films |
| KR101275799B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2013-06-18 | 삼성전자주식회사 | 저온 증착이 가능한 게르마늄 전구체를 이용한 상변화층형성방법 및 이 방법을 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법 |
| US8377341B2 (en) * | 2007-04-24 | 2013-02-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Tellurium (Te) precursors for making phase change memory materials |
| KR100888617B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2009-03-17 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치 및 그 형성 방법 |
| US8454928B2 (en) | 2007-09-17 | 2013-06-04 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Tellurium precursors for GST deposition |
-
2008
- 2008-09-17 US US12/212,350 patent/US8454928B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-17 WO PCT/US2008/076698 patent/WO2009039187A1/en active Application Filing
- 2008-09-17 TW TW97135585A patent/TWI471449B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-09-17 KR KR1020107008188A patent/KR20100084157A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI471449B (zh) | 2015-02-01 |
| TW200925315A (en) | 2009-06-16 |
| US8454928B2 (en) | 2013-06-04 |
| WO2009039187A1 (en) | 2009-03-26 |
| US20090074652A1 (en) | 2009-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8454928B2 (en) | Tellurium precursors for GST deposition | |
| KR100956210B1 (ko) | 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭증착방법 | |
| US8691668B2 (en) | Dihalide germanium(II) precursors for germanium-containing film depositions | |
| KR101137191B1 (ko) | 이원 및 삼원 금속 칼코게나이드 물질 및 이의 제조 및 사용 방법 | |
| US8193388B2 (en) | Compounds for depositing tellurium-containing films | |
| KR101499260B1 (ko) | 상 변화 메모리 재료의 저온 증착 | |
| KR101068013B1 (ko) | Ａｌｄ/ｃｖｄ 공정에서 ｇｓｔ 막을 위한 안티몬 전구체 | |
| US9240319B2 (en) | Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition | |
| US20090299084A1 (en) | Tellurium precursors for film deposition | |
| US20090162973A1 (en) | Germanium precursors for gst film deposition | |
| US8802194B2 (en) | Tellurium precursors for film deposition | |
| KR101295031B1 (ko) | 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭 증착방법 | |
| KR20090107006A (ko) | 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭 증착방법 | |
| TW202340508A (zh) | 形成碘化銅層之方法及包括碘化銅層之結構 | |
| JP2023544202A (ja) | 蒸着用インジウム前駆体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |