KR20100075532A - 처리 장치 - Google Patents

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KR20100075532A
KR20100075532A KR1020107008859A KR20107008859A KR20100075532A KR 20100075532 A KR20100075532 A KR 20100075532A KR 1020107008859 A KR1020107008859 A KR 1020107008859A KR 20107008859 A KR20107008859 A KR 20107008859A KR 20100075532 A KR20100075532 A KR 20100075532A
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Abstract

처리 장치는, 피처리체를 보지하는 보지부(1)와, 보지부(1)에 의해 보지된 피처리체(W)를 회전시키는 회전 구동부(60)와, 피처리체(W)의 주연부의 일방의 면에 접촉하여 세정하는 제 1 세정 기구(30)와, 피처리체(W)의 주연부의 타방의 면에 접촉하여 세정하는 제 2 세정 기구(40)를 구비하고 있다. 처리 장치는, 제 1 세정 기구(30)로부터 주연부의 일방의 면에 가해지는 압압력을 조정하는 제 1 조정 기구(10)와, 제 2 세정 기구(40)로부터 주연부의 타방의 면에 가해지는 압압력을 조정하는 제 2 조정 기구(21, 25)를 더 구비하고 있다.

Description

처리 장치{PROCESSING DEVICE}
본원은 2008년 6월 16일에 출원된 특허출원공보 2008-156902호 및 특허출원공보 2008-156919호에 대하여 우선권을 주장하고, 상기 특허출원공보 2008-156902 및 특허출원공보 2008-156919호의 모든 내용이 참조되어 이에 포함되는 것으로 한다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체의 주연부를 처리하는 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 기판(피처리체)을 보지(保持)하는 보지부와, 상기 기판의 주연부의 표면(일방의 면)을 세정하는 스펀지 형태의 제 1 기판 세정 브러쉬와, 상기 제 1 기판 세정 브러쉬에 대향 배치되고 기판의 주연부의 이면(타방의 면)을 세정하는 스펀지 형태의 제 2 기판 세정 브러쉬와, 제 1 기판 세정 브러쉬 및 제 2 기판 세정 브러쉬를 서로 접근 및 이간시키는 브러쉬 접근 이간 기구를 포함하는 처리 장치가 알려져 있다(일본특허공개공보 2007-157936호 참조).
일본특허공개공보 2007-157936호에 기재된 바와 같은 종래의 처리 장치에 따르면, 피처리체의 주연부의 표면과 이면을 세정할 수는 있지만, 제 1 세정부로부터 피처리체의 주연부의 표면에 가해지는 압압(押壓)력과 제 2 세정부로부터 피처리체의 주연부의 이면에 가해지는 압압력을 제어할 수는 없었다. 이 때문에, 종래의 처리 장치에서는 이하에 나타낸 바와 같은 문제가 있다.
일반적으로, 피처리체의 이면에는 쉽게 제거되지 않는 폴리머 또는 파티클이 부착되는 경향이 있다. 이 때문에, 피처리체의 이면에 부착된 폴리머 또는 파티클을 제거하기 위하여 강한 힘으로 세정하면, 피처리체의 표면에 실시된 패터닝이 박리되는 경우가 있다. 한편, 표면에 실시된 패터닝 이 박리되지 않도록 약한 힘으로 세정하면, 이면에 부착된 폴리머 또는 파티클을 제거할 수 없다.
또한, 파티클에도 다양한 종류의 것이 있으므로, 부착되는 파티클의 종류에 따라서는 피처리체로부터 쉽게 제거되지 않는 것도 있다. 그리고, 피처리체의 표면에 부착되는 파티클의 종류와 이면에 부착되는 파티클의 종류가 상이한 경우도 있어, 일방의 면(예를 들면, 표면)에 쉽게 제거되지 않는 파티클이 부착되고 타방의 면(예를 들면, 이면)에 쉽게 제거되는 파티클이 부착되었을 경우에는, 각각의 면에 따른 압압력으로 세정할 수 없다.
또한, 다른 문제로서, 일본특허공개공보 2007-157936호에 기재된 바와 같은 종래의 처리 장치는, 제 1 기판 세정 브러쉬 및 제 2 기판 세정 브러쉬를 서로 접근 및 이간시키도록 구성되어 있으므로, 제 2 기판 세정 브러쉬를 피처리체의 이면측(하방측)에 위치시키고, 그 후에 피처리체의 주연부를 향하여 수평 방향으로 이동시킨 후, 제 1 기판 세정 브러쉬 및 제 2 기판 세정 브러쉬에 의해 피처리체를 샌드위치할 필요가 있다. 이 때문에, 제 2 기판 세정 브러쉬를 피처리체의 이면에 위치시키는 데에 시간이 걸린다.
또한, 보지부에 의해 보지된 피처리체의 주위를 둘러싸는 컵이 설치되어 있는 경우에는 보지부로 보지된 피처리체와 컵의 사이에 제 2 기판 세정 브러쉬를 통과시킬 정도의 간극을 마련할 필요가 있다. 이 때문에, 보지부에 의해 보지된 웨이퍼의 주위를 둘러싸는 컵의 크기가 커진다.
본 발명은 표면에 실시된 패터닝 을 박리시키지 않고 이면에 부착된 폴리머 또는 파티클을 확실히 제거하거나 각각의 면에 따른 압압력으로 각각의 면에 부착된 파티클을 확실히 제거할 수 있는 처리 장치 및 제 2 세정 기구를 피처리체의 주연부의 이면에 용이하고, 신속하게 접촉시킬 수 있고, 또한 보지부에 의해 보지된 피처리체의 주위를 둘러싸는 컵이 설치되어 있는 경우에 상기 컵의 크기를 줄일 있는 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제 1 태양에 따른 처리 장치는, 피처리체를 보지하는 보지부와, 상기 보지부에 의해 보지된 상기 피처리체를 회전시키는 회전 구동부와, 상기 피처리체의 주연부의 일방의 면에 접촉하여 세정하는 제 1 세정 기구와, 상기 피처리체의 상기 주연부의 타방의 면에 접촉하여 세정하는 제 2 세정 기구와, 상기 제 1 세정 기구로부터 상기 주연부의 일방의 면에 가해지는 압압력을 조정하는 제 1 조정 기구와, 상기 제 2 세정 기구로부터 상기 주연부의 타방의 면에 가해지는 압압력을 조정하는 제 2 조정 기구를 구비하고 있다.
본 발명의 제 2 태양에 따른 처리 장치는, 피처리체를 보지하는 보지부와, 상기 보지부에 의해 보지된 상기 피처리체를 회전시키는 회전 구동부와, 상기 피처리체의 주연부의 일방의 면에 접촉하여 세정하는 제 1 세정 기구와, 상기 제 1 세정 기구에 연결되고 상기 피처리체의 상기 주연부의 타방의 면에 접촉하여 세정하는 제 2 세정 기구를 구비하고, 상기 제 2 세정 기구가 요동축을 중심으로 요동 가능하고, 상기 제 1 세정 기구측으로 요동되었을 때에 상기 주연부의 상기 타방의 면에 접촉한다.
본 발명의 제 1 태양에 따르면, 제 1 조정 기구에 의해 제 1 세정 기구로부터 피처리체의 주연부의 일방의 면에 가해지는 압압력을 조정할 수 있고, 제 2 조정 기구에 의해 제 2 세정 기구로부터 피처리체의 주연부의 타방의 면에 가해지는 압압력을 조정할 수 있다. 이 때문에, 표면에 실시된 패터닝 을 박리시키지 않고, 이면에 부착된 폴리머 또는 파티클을 확실히 제거하거나 각각의 면에 따른 압압력으로 각각의 면에 부착된 파티클을 확실히 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 태양에 따르면, 제 2 세정 기구가 요동축을 중심으로 요동 가능하고, 제 1 세정 기구측으로 요동되었을 때에 주연부의 타방의 면에 접촉하여 상기 주연부의 타방의 면을 세정한다. 이 때문에, 제 2 세정 기구를 피처리체의 주연부의 이면에 용이하고 신속하게 접촉시킬 수 있다. 또한, 보지부에 의해 보지된 피처리체의 주위를 둘러싸는 컵이 설치되어 있는 경우에 상기 컵의 크기를 줄일 수도 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 처리 장치의 구성을 도시한 측방 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 처리 장치의 제 1 조정 기구 및 제 2 조정 기구의 구성을 도시한 측방 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 처리 장치의 제 1 세정부 및 제 2 세정부의 구성을 도시한 상방 단면도 및 측방 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 처리 장치의 제 1 세정 기구 및 제 2 세정 기구의 이동 태양을 도시한 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 처리 장치의 제 1 세정부 및 제 2 세정부의 구성을 도시한 측방 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 처리 장치의 구성을 도시한 측방 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 처리 장치의 제 1 조정 기구의 구성을 도시한 측방 단면도이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 처리 장치의 제 1 세정 기구 및 제 2 세정 기구의 이동 태양을 도시한 개략도이다.
제 1 실시예
이하, 본 발명에 따른 처리 장치의 제 1 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 여기서, 도 1 내지 도 5는 본 발명의 제 1 실시예를 도시하는 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 처리 장치는 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)(이하, 간단히 웨이퍼(W)라고 함)를 진공 흡착에 의해 보지(保持)하는 보지부(1)와, 보지부(1)의 중심으로부터 하방으로 연장된 회전축(5)과, 상기 회전축(5)을 회전시킴으로써 보지부(1)로 보지된 웨이퍼(W)를 회전시키는 회전 구동부(60)와, 보지부(1)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸는 컵(70)과, 웨이퍼(W)의 주연부의 표면(일방의 면)에 접촉하여 세정하는 표면 세정 기구(제 1 세정 기구)(30)와, 표면 세정 기구(30)에 연결되고 웨이퍼(W)의 주연부의 이면(타방의 면)에 접촉하여 세정하는 이면 세정 기구(제 2 세정 기구)(40)를 구비하고 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 표면 세정 기구(30)는 제 1 기단부(31)와 제 1 기단부(31)의 하단에 설치되고 웨이퍼(W)의 주연부의 표면에 접촉 가능한 스펀지 형태의 표면 세정부(제 1 세정부)(32)를 가지고 있다. 상기 표면 세정부(32)는, 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 횡단면의 중심부가 딱딱한 경질부(32a)로 이루어지고, 상기 중심부의 주위를 둘러싸는 외주부가 경질부(32a)보다 부드러운 연질부(32b)로 이루어져 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 이면 세정 기구(40)는 제 2 기단부(41)와 제 2 기단부(41)의 상단에 설치되고 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 접촉 가능한 스펀지 형태의 이면 세정부(제 2 세정부)(42)를 가지고 있다. 상기 이면 세정부(42)는, 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 횡단면의 중심부가 딱딱한 경질부(42a)로 이루어지고, 상기 중심부의 주위를 둘러싸는 외주부가 경질부(42a)보다 부드러운 연질부(42b)로 이루어져 있다.
또한, 본 실시예에서는 표면 세정부(32)와 이면 세정부(42)의 양방에 대하여, 그 횡단면의 중심부가 딱딱한 경질부(32a, 42a)로 이루어지고, 중심부의 주위를 둘러싸는 외주부가 경질부(32a, 42a)보다 부드러운 연질부(32b, 42b)로 이루어져 있는 태양을 이용하여 설명한다. 그러나 이에 한정되지 않고, 표면 세정부(32)와 이면 세정부(42) 중 어느 일방만이 그 횡단면의 중심부가 딱딱한 경질부(32a, 42a)로 이루어지고, 중심부의 주위를 둘러싸는 외주부가 경질부(32a, 42a)보다 부드러운 연질부(32b, 42b)로 이루어져 있어도 좋다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 표면 세정 기구(30)의 상단에는 내부에 전자석(21)이 배치된 하우징(24)이 연결되어 있다. 또한, 상기 하우징(24)의 상단에는 표면 세정 기구(30)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 표면에 가해지는 압압력을 조정하는 표면측 조정 기구(제 1 조정 기구)(10)가 연결되어 있다.
상기 표면측 조정 기구(10)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 원통 형상의 실린더(12)와, 상기 실린더(12) 내에서 상하 방향으로 이동 가능한 피스톤(15)을 가지고 있다. 또한, 실린더(12)에는 피스톤(15)의 상방측으로 공기를 유입하기 위한 상방측 유입부(11)와, 피스톤(15)의 하방측으로 공기를 유입하기 위한 하방측 유입부(16)가 설치되어 있다. 또한, 상방측 유입부(11)와 하방측 유입부(16)의 각각은 공기 공급부(도시하지 않음)에 연통되어 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 피스톤(15)의 상단에는 수평 방향으로 연장된 피측정부(19)가 연결되어 있다. 또한, 상기 피측정부(19)의 하단에는 피측정부(19)로부터 가해지는 압압력을 측정하는 측정 센서(51)가 접촉되어 있다. 또한, 상기 측정 센서(51)에는 측정 센서(51)에 의해 검지된 압압력을 출력하는 출력부(52)가 접속되어 있다.
여기서, 상방측 유입부(11)로부터 유입되는 공기에 의해 피스톤(15)에 부여되는 공기압과, 하방측 유입부(16)로부터 유입되는 공기에 의해 피스톤(15)에 부여되는 공기압이 조정됨으로써, 표면 세정부(32)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 표면에 부여되는 압압력이 조정된다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 이면 세정 기구(40)의 하단에는 영구 자석(25)이 연결되어 있다. 또한, 이면 세정 기구(40)에 설치된 영구 자석(25)과 상기 영구 자석(25)에 자력을 가하는 전자석(21)에 의해 이면측 조정 기구(제 2 조정 기구)가 구성되어 있다. 또한, 전자석(21)에 흐르는 전류의 크기(전자석(21)에 가해지는 전압의 크기)가 조정됨으로써, 이면 세정부(42)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 부여되는 압압력이 조정된다.
그런데, 본 실시예에서 이면측 조정 기구(전자석(21) 및 영구 자석(25))는 표면측 조정 기구(10)에 의해 표면 세정 기구(30)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 표면에 가해지는 압압력보다 큰 압압력을 이면 세정 기구(40)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 가할 수도 있고, 반대로, 표면측 조정 기구(10)에 의해 표면 세정 기구(30)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 표면에 가해지는 압압력보다 작은 압압력을 이면 세정 기구(40)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 가할 수도 있도록 구성되어 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 하우징(24)에는 요동축(45a)을 중심으로 요동 가능한 연결 부재(45)가 설치되어 있다. 그리고, 이면 세정 기구(40)는 연결 부재(45) 및 하우징(24)을 개재하여 표면 세정 기구(30)에 연결되어 있다. 그리고, 이면 세정 기구(40)는 요동축(45a)을 중심으로 요동 가능하고, 표면 세정 기구(30)측(상방측)으로 요동되었을 때에(폐쇄 위치에 있을 때) 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 접촉하도록 되어 있다(도 4c 참조).
또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 표면 세정 기구(30)에는 하우징(24) 및 표면측 조정 기구(10)를 개재하여 표면 세정 기구(30)와 이면 세정 기구(40)를 일체로 상하 방향(웨이퍼(W)의 표면으로부터 이면을 향한 방향)으로 이동시키는 세정부 이동 기구(55)가 연결되어 있다.
또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 회전 구동부(60)는 회전축(5)의 주연부 외방에 배치된 풀리(pulley)(62)와 상기 풀리(62)에 감긴 구동 벨트(63)와 상기 구동 벨트(63)에 구동력을 부여함으로써 풀리(62)를 개재하여 회전축(5)을 회전시키는 모터(61)를 가지고 있다. 또한, 회전축(5)의 주연부 외방에는 베어링(66)이 배치되어 있다. 또한, 회전축(5)에는 상기 회전축(5)을 상하 방향으로 이동시킴으로써 보지부(1)를 상하 방향으로 이동시키는 보지부 이동 기구(65)가 연결되어 있다.
또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 처리 장치는 웨이퍼(W)로 처리액을 공급하는 처리액 공급부(75)를 구비하고 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 표면측에는 처리액 공급부(75)에 연결되고 상기 처리액 공급부(75)로부터 공급되는 처리액을 웨이퍼(W)의 표면으로 공급하는 표면측 공급 노즐(71)이 설치되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 이면 측에는 처리액 공급부(75)에 연결되고 상기 처리액 공급부(75)로부터 공급되는 처리액을 웨이퍼(W)의 이면으로 공급하는 이면측 공급 노즐(72)이 설치되어 있다.
또한, 본원에서 처리액이란 약액 또는 순수를 의미하고 있다. 그리고 약액으로서는, 예를 들면 희불산 등을 이용할 수 있다.
이어서, 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시예의 작용에 대하여 서술한다.
우선, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 캐리어(도시하지 않음)로부터 취출된 웨이퍼(W)가 보지부 이동 기구(65)에 의해 전달 위치(상방 위치)에 위치한 보지부(1) 상에 재치된다(보지 공정).
이어서, 보지부 이동 기구(65)에 의해 보지부(1)가 하방으로 이동되어 하방 위치에 위치된다(도 1 참조).
이어서, 세정부 이동 기구(55)에 의해 표면 세정 기구(30)와 이면 세정 기구(40)가 일체가 되어 하방으로 이동된다(도 1 및 도 4a 참조). 이 때, 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(42)는 표면 세정 기구(30)측과는 반대측(하방측)으로 요동되어 개방 위치에 위치되어 있다(도 4a 참조).
이와 같이, 본 실시예에 따르면, 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(42)를 개방 위치에 위치시킨 채로 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 이면측에 위치시킬 수 있다(도 4a 및 도 4b 참조). 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸는 컵(70)의 크기를 줄일 수 있고, 또한 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 용이하고, 신속하게 접촉시킬 수 있다.
즉, 일본특허공개공보 2007-157936호와 같이, 제 1 기판 세정 브러쉬(표면 세정부(32')) 및 제 2 기판 세정 브러쉬(이면 세정부(42'))를 서로 접근 및 이간시키는 것이면, 보지부(1)로 보지된 웨이퍼(W)와 컵(70)의 사이에 제 1 기판 세정 브러쉬(표면 세정부(32')) 및 제 2 기판 세정 브러쉬(이면 세정부(42'))를 통과시킬 정도의 간극을 마련할 필요가 있다(도 1의 70'으로 나타낸 점선 참조). 이 때문에, 보지부(1)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸는 컵(70)의 크기가 커진다.
이에 반해, 본 실시예에 따르면, 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(42)를 개방 위치에 위치시킨 채 이면 세정 기구(40)를 하방으로 이동시키는 것만으로 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 이면측으로 이동시킬 수 있다(도 1의 실선 화살표 참조).
이 때문에, 보지부(1)에 보지된 웨이퍼(W)와 컵(70)의 사이에 이면 세정부(42)를 통과시키기 위한 간극을 마련할 필요가 없다. 이 결과, 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸는 컵(70)의 크기를 줄일 수 있다.
또한, 일본특허공개공보 2007-157936호에 기재된 바와 같은 종래의 것이면, 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 이면의 주연부에 접촉시킬 때에, 제 2 기판 세정 브러쉬(이면 세정부(42'))를 웨이퍼(W)의 이면측에 위치시킨 후에, 웨이퍼(W)의 주연부를 향하여 수평 방향으로 이동시킬 필요가 있는데 반해(도 1의 점선 화살표 참조), 본 실시예에 따르면, 이면 세정 기구(40)를 하방으로 이동시키기만 해도 된다(도 1의 실선 화살표 참조). 이 때문에, 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 이면의 주연부에 접촉시킬 때까지의 공정수를 감소시킬 수 있어(수평 방향의 이동 공정을 생략할 수 있어), 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 용이하고 신속하게 접촉시킬 수 있다.
이어서, 회전 구동부(60)에 의해 회전축(5)이 회전 구동됨으로써, 보지부(11)에 보지된 웨이퍼(W)가 회전된다(회전 공정)(도 1 참조). 이 때, 모터(61)로부터 구동 벨트(63)를 거쳐 풀리(62)에 구동력이 부여됨으로써 회전축(5)이 회전 구동된다.
이어서, 표면측 공급 노즐(71)에 의해 처리액 공급부(75)로부터 공급된 처리액이 웨이퍼(W)의 표면으로 공급되기 시작한다. 또한, 마찬가지로, 이면측 공급 노즐(72)에 의해 처리액 공급부(75)로부터 공급된 처리액이 웨이퍼(W)의 이면으로 공급되기 시작한다(처리액 공급 공정)(도 1 참조). 또한, 이하의 공정은, 이와 같이 표면측 공급 노즐(71)과 이면측 공급 노즐(72)로부터 웨이퍼(W)의 주연부로 처리액이 공급되고 있는 동안에 행해진다.
이와 같이, 표면측 공급 노즐(71) 및 이면측 공급 노즐(72)로부터 처리액이 공급될 때, 표면 세정 기구(30)의 표면 세정부(32)가 웨이퍼(W)의 표면에 접촉된다(도 4b 참조). 그 후, 하우징(24) 내의 전자석(21)에 전류가 흘러(도 4c의 화살표 참조) 이면 세정 기구(40)의 하단에 설치된 영구 자석(25)에 상기 전자석(21)으로부터 가해지는 자력이 작용한다. 이 결과, 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(42)가 요동축(45a)을 중심으로 요동되어 폐쇄 위치에 위치되고, 이면 세정부(42)가 웨이퍼(W)의 이면에 접촉된다(도 4c 참조).
이 때, 전자석(21)에 흐르는 전류의 크기(전자석(21)에 가해지는 전압의 크기)를 조정함으로써, 이면 세정부(42)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 부여되는 압압력을 조정할 수 있다.
또한, 상방측 유입부(11)로부터 유입되는 공기에 의한 공기압과 하방측 유입부(16)로부터 유입되는 공기에 의한 공기압을 조정함으로써, 표면 세정부(32)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 표면에 부여되는 압압력을 조정할 수 있다(도 2 참조). 또한, 상기 압압력은 측정 센서(51)에 의해 검지되고 출력부(52)에 의해 출력된다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 표면 세정 기구(30)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 표면에 가해지는 압압력을 조정할 수 있고, 이면 세정 기구(40)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 가해지는 압압력을 조정할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면은 약한 힘으로 세정하고 웨이퍼(W)의 이면은 강한 힘으로 세정할 수 있고, 반대로 웨이퍼(W)의 이면은 약한 힘으로 세정하고 웨이퍼(W)의 표면은 강한 힘으로 세정할 수도 있다.
그리고, 웨이퍼(W)의 이면에 쉽게 제거되지 않는 폴리머 또는 파티클이 부착되었을 경우에는 웨이퍼(W)의 표면은 약한 힘으로 세정하고 웨이퍼(W)의 이면은 강한 힘으로 세정함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 실시된 패터닝을 박리시키지 않고 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 폴리머 또는 파티클을 확실히 제거할 수 있다.
이 결과, 본 실시예에 따르면 이하에 예시하는 바와 같은 효과를 나타낼 수 있다.
우선, 웨이퍼(W)를 반송할 때에 반송 로봇(도시하지 않음)의 암과 웨이퍼(W)의 사이에, 주연부에 남아 있던 파티클이 끼는 경우가 없어지므로, 파티클에 의해 웨이퍼(W)의 표면 또는 이면이 박리되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)를 캐리어(도시하지 않음) 내로 되돌린 후에 캐리어 내에서 웨이퍼(W)의 주연부에 부착되어 있던 파티클이 떨어지는 경우가 없어지므로, 캐리어 내의 다른 웨이퍼(W)를 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)를 노광하여 처리할 때에 웨이퍼(W) 상에 모인 물에 파티클이 부유하는 일이 없어지므로, 상기 물의 굴절률을 균일하게 유지할 수 있어 웨이퍼(W)를 정확하게 노광하여 처리할 수 있다.
한편, 표면 세정부(32)와 이면 세정부(42)는 횡단면의 중심부가 딱딱한 경질부(32a, 42a)로 이루어지고, 상기 중심부의 주위를 둘러싸는 외주부가 경질부(32a, 42a)보다 부드러운 연질부(32b, 42b)로 이루어져 있다(도 3a 및 도 3b 참조). 이 때문에, 도 3b에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부의 측단면(APEX 부)을 경질부(32a, 42a)에 접촉시키고, 연질부(32b, 42b)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부의 표면 및 이면(베벨부)을 샌드위치할 수 있다.
이 결과, 패터닝이 실시되지 않은 웨이퍼(W)의 주연부의 측단면(APEX 부)을 (웨이퍼(W)의 주연부의 표면 및 이면(베벨부)보다) 강한 힘으로 세정할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 표면측 공급 노즐(71)로부터 웨이퍼(W)의 표면으로 공급되는 처리액과 이면측 공급 노즐(72)로부터 웨이퍼(W)의 이면으로 공급되는 처리액을 적절히 변경할 수 있다(도 1 참조). 예를 들면, 표면측 공급 노즐(71)과 이면측 공급 노즐(72)로부터 최초로 약액이 공급되고, 이어서 린스액이 공급되고 마지막에 건조용액이 공급되도록 할 수 있다. 또한, 표면측 공급 노즐(71)로부터 웨이퍼(W)의 표면으로 공급되는 처리액의 종류와, 이면측 공급 노즐(72)로부터 웨이퍼(W)의 이면으로 공급되는 처리액의 종류를 독립적으로 바꿀 수도 있다.
상술한 바와 같은 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 주연부의 소정의 처리가 종료되면, 표면측 공급 노즐(71)과 이면측 공급 노즐(72)로부터의 처리액의 공급이 정지된다. 이 때, 하우징(24) 내의 전자석(21)에 흐르고 있는 전류가 정지되고(또는 하우징(24) 내의 전자석(21)에 역방향으로 전류가 흐르고), 이면 세정부(42)가 요동축(45a)을 중심으로 하방측으로 요동되어 개방 위치에 위치된다. 그 후, 세정부 이동 기구(55)에 의해 표면 세정 기구(30)와 이면 세정 기구(40)가 일체가 되어 상방으로 이동된다.
이 때, 이면 세정 기구(40)를 (웨이퍼(W)의 주연부 방향 외방으로 이동시키지 않고) 상방으로 이동시키는 것만으로 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 이면측으로부터 표면측으로 이동시킬 수 있으므로, 이면 세정부(42)를 용이하고 신속하게 이동시킬 수 있다.
이어서, 회전 구동부(60)에 의해 웨이퍼(W)가 고속으로 회전되어 웨이퍼(W)의 주연부가 건조된다. 그 후, 회전 구동 기구(60)의 모터(61)가 정지되고 보지부(1)에 의해 보지되어 있는 웨이퍼(W)의 회전도 정지된다.
이어서, 보지부 이동 기구(65)에 의해 보지부(1)가 상방으로 이동되어 전달 위치(상방 위치)에 위치된다.
마지막으로, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 보지부(1) 상으로부터 웨이퍼(W)가 제거된다.
그런데, 상기에서는 전자석(21)을 수용하는 하우징(24)이 표면 세정 기구(30)에 연결되고, 상기 표면 세정 기구(30)에 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(42)가 요동축(45a)을 중심으로 요동 가능하게 연결되어 있는 태양을 이용하여 설명했다(도 2 참조).
그러나 이에 한정되지 않고, 도 5에 도시한 바와 같이, 전자석(21)을 수용하는 하우징(24)이 제 2 기단부(41)의 하단에 설치된 영구 자석(25)의 하방에 배치되고, 제 2 기단부(41)와 이면 세정부(42)를 상하 방향으로 안내하는 안내 홈(44a)을 가지는 안내부(44)가 배치되어 이면 세정부(42)가 상하 방향으로 이동 가능하도록 되어 있어도 좋다. 또한, 이 경우에 표면 세정 기구(30)는 (하우징(24)을 개재하지 않고) 직접 표면측 조정 기구(10)에 연결되어 있다.
이러한 태양에 따라서도, 역시 표면 세정 기구(30)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 표면에 가해지는 압압력을 조정할 수 있고, 이면 세정 기구(40)로부터 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 가해지는 압압력을 조정할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부의 세정을 확실히 행할 수 있고, 웨이퍼(W)의 주연부로부터 파티클을 확실히 제거할 수 있다.
제 2 실시예
이어서, 도 6 내지 도 8d를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 설명한다. 도 1 내지 도 5에 도시한 제 1 실시예는, 표면 세정 기구(30)의 상단의 내부에 전자석(21)이 배치된 하우징(24)이 연결되고, 이면 세정 기구(40)의 하단에 영구 자석(25)이 연결되어, 전자석(21)에 전류를 흘림으로써 이면 세정 기구(40)를 요동축(45a)을 중심으로 표면 세정 기구(30)측(상방측)으로 요동시키는 것이었다. 이에 반해, 도 6 내지 도 8d에 도시한 제 2 실시예는, 이면 세정 기구(제 2 세정 기구)(40)의 하방에 압압 부재(26)가 재치되고, 상기 압압 부재(26)의 접촉부(27)에 이면 세정 기구(40)의 제 2 기단부(41)가 접촉함으로써, 이면 세정 기구(40)가 요동축(145a)을 중심으로 표면 세정 기구(제 1 세정 기구)(30)측(상방측)으로 요동되는 것이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 제 1 기단부(31)의 상단에는 연결부(46)가 설치되고, 상기 연결부(46)의 측면에는 상하 방향으로 연장되어 표면 세정 기구(30)와 이면 세정 기구(40)를 연결하는 연결봉(145)이 설치되어 있다. 또한, 이면 세정 기구(40)는 요동축(145a)을 중심으로 요동 가능하고, 표면 세정 기구(30)측(상방측)으로 요동되었을 때에 웨이퍼(W)의 주연부의 이면(타방의 면)에 접촉하게 된다. 또한, 이면 세정 기구(40)의 제 2 기단부(41)는 연결봉(145)에 연결되어 있다. 또한, 표면 세정 기구(30)의 상부에는 표면측 조정 기구(10)가 연결되어 있다.
또한, 도 6 및 도 8a 내지 도 8d에 도시한 바와 같이, 이면 세정 기구(40)의 하방에는 상기 이면 세정 기구(40)에 접촉하여 이면 세정 기구(40)를 요동축(145a)을 중심으로 표면 세정 기구(30)측(상방측)으로 요동시키는 압압 부재(26)가 재치되어 있다. 또한, 상기 압압 부재(26)는, 도 8a 내지 도 8d에 도시한 바와 같이, 이면 세정 기구(40)의 제 2 기단부(41)에 접촉하는 접촉부(27)와, 접촉부(27)에 연결되고 접촉부(27)에 탄성력을 부여하는 탄성 부재(28)를 가지고 있다.
그 외의 구성은, 도 1 내지 도 5에 도시한 제 1 실시예와 대략 동일하다. 또한, 도 6 내지 도 8d에 도시한 제 2 실시예에서, 도 1 내지 도 5에 도시한 제 1 실시예와 동일 부분에는 동일 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다.
이하, 본 실시예의 작용에 대하여 서술한다.
우선, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 캐리어(도시하지 않음)로부터 취출된 웨이퍼(W)가 보지부 이동 기구(65)에 의해 전달 위치(상방 위치)에 위치된 보지부(1) 상에 재치된다(보지 공정).
이어서, 보지부 이동 기구(65)에 의해 보지부(1)가 하방으로 이동되어 하방 위치에 위치된다(도 6 참조).
이어서, 세정부 이동 기구(55)에 의해 표면 세정 기구(30)와 이면 세정 기구(40)가 일체가 되어 하방으로 이동되기 시작한다(도 6 및 도 8a 참조). 이 때, 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(제 2 세정부)(42)는 표면 세정 기구(30)측과는 반대측(하방측)으로 요동되어 개방 위치에 위치되어 있다(도 8a 참조).
이와 같이, 표면 세정 기구(30)와 이면 세정 기구(40)가 일체가 되어 하방으로 이동하고 있을 때, 회전 구동부(60)에 의해 회전축(5)이 회전 구동됨으로써 보지부(11)에 보지된 웨이퍼(W)가 회전된다(회전 공정)(도 6 참조).
그 후, 이면 세정 기구(40)의 제 2 기단부(41)가 이면 세정 기구(40)의 하방에 재치된 압압 부재(26)의 접촉부(27)에 접촉하여, 상기 제 2 기단부(41)와 이면 세정부(42)는 요동축(145a)을 중심으로 표면 세정 기구(30)측(상방측)으로 요동된다(도 8b 및 도 8c 참조). 여기서, 접촉부(27)에는 탄성 부재(28)에 의한 탄성력이 부여되어 있다.
이 때, 표면측 공급 노즐(71)에 의해 처리액 공급부(75)로부터 공급된 처리액이 웨이퍼(W)의 표면(일방의 면)으로 공급되기 시작한다. 또한, 마찬가지로, 이면측 공급 노즐(72)에 의해 처리액 공급부(75)로부터 공급된 처리액이 웨이퍼(W)의 이면으로 공급되기 시작한다(처리액 공급 공정)(도 6 참조). 또한, 표면 세정 기구(30)와 이면 세정 기구(40)가 완전히 하방에 위치되어 있을 때에는, 제 2 기단부(41)의 하면과 접촉부(27)의 상면은 서로 단차(段差)없이 접촉 되어 있다(도 8d 참조).
이와 같이, 본 실시예에 따르면 제 1 실시예와 마찬가지로, 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(42)를 개방 위치에 위치시킨 채로, 이면 세정 기구(40)의 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 이면측에 위치시킬 수 있다(도 8b 및 도 8c 참조). 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸는 컵(70)의 크기를 줄일 수 있고, 또한 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 용이하고 신속하게 접촉시킬 수 있다.
상술한 바와 같은 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 주연부의 소정의 처리가 종료되면, 표면측 공급 노즐(71)과 이면측 공급 노즐(72)로부터의 처리액의 공급이 정지된다. 이어서, 표면 세정 기구(30)와 이면 세정 기구(40)가 일체가 되어 상방으로 이동된다. 여기서, 압압 부재(26)의 접촉부(27)로부터 제 2 기단부(41)가 멀어짐에 따라, 제 2 기단부(41) 및 이면 세정부(42)가 요동축(145a)을 중심으로 하방측으로 요동되어 최종적으로는 개방 위치에 위치된다.
이 때문에, 본 실시예에 따르면 제 1 실시예와 마찬가지로, 이면 세정 기구(40)를 (웨이퍼(W)의 주연부 방향 외방으로 이동시키지 않고) 상방으로 이동시키는 것만으로 이면 세정부(42)를 웨이퍼(W)의 이면측으로부터 표면측으로 이동시킬 수 있으므로, 이면 세정부(42)를 용이하고 신속하게 이동시킬 수 있다.
이어서, 회전 구동부(60)에 의해 웨이퍼(W)가 고속으로 회전되어 웨이퍼(W)의 주연부가 건조된다. 그 후, 회전 구동 기구(60)의 모터(61)가 정지되고 보지부(1)에 의해 보지되어 있는 웨이퍼(W)의 회전도 정지된다.
이어서, 보지부 이동 기구(65)에 의해 보지부(1)가 상방으로 이동되어 전달 위치(상방 위치)에 위치된다.
마지막으로, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 보지부(1) 상으로부터 웨이퍼(W)가 제거된다.

Claims (14)

  1. 피처리체를 보지하는 보지부와,
    상기 보지부에 의해 보지된 상기 피처리체를 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 피처리체의 주연부의 일방의 면에 접촉하여 세정하는 제 1 세정 기구와,
    상기 피처리체의 상기 주연부의 타방의 면에 접촉하여 세정하는 제 2 세정 기구와,
    상기 제 1 세정 기구로부터 상기 주연부의 일방의 면에 가해지는 압압(押壓)력을 조정하는 제 1 조정 기구와,
    상기 제 2 세정 기구로부터 상기 주연부의 타방의 면에 가해지는 압압력을 조정하는 제 2 조정 기구
    를 구비한 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 조정 기구는, 상기 제 2 세정 기구에 설치된 영구 자석과 상기 영구 자석에 자력을 가함으로써 상기 주연부의 타방의 면에 가해지는 압압력을 조정하는 전자석을 가지는 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 기구는, 상기 주연부의 일방의 면에 접촉 가능하고, 횡단면의 중심부가 경질부로 이루어지고, 상기 중심부의 주위를 둘러싸는 외주부가 상기 경질부보다 부드러운 연질부로 이루어지는 제 1 세정부를 가지는 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 세정 기구는, 상기 주연부의 타방의 면에 접촉 가능하고, 횡단면의 중심부가 경질부로 이루어지고, 상기 중심부의 주위를 둘러싸는 외주부가 상기 경질부보다 부드러운 연질부로 이루어지는 제 2 세정부를 가지는 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 기구에 연결되고 상기 제 1 세정 기구 및 상기 제 2 세정 기구를 상기 피처리체의 일방의 면으로부터 타방의 면으로 향한 방향으로 이동시키는 이동 기구를 더 구비한 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 세정 기구는, 상기 제 1 세정 기구에 연결되고, 요동축을 중심으로 요동 가능하고, 상기 제 1 세정 기구측으로 요동되었을 때에 상기 주연부의 상기 타방의 면에 접촉하는 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 세정 기구는, 상기 제 1 세정 기구가 상기 주연부의 상기 일방의 면에 접촉한 후에 상기 요동축을 중심으로 상기 제 1 세정 기구측으로 요동되어 상기 주연부의 상기 타방의 면에 접촉하는 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 조정 기구는, 제 1 조정 기구에 의해 상기 제 1 세정 기구로부터 상기 주연부의 일방의 면에 가해지는 압압력보다 큰 압압력을 상기 제 2 세정 기구로부터 상기 주연부의 타방의 면에 가하는 처리 장치.
  9. 피처리체를 보지하는 보지부와,
    상기 보지부에 의해 보지된 상기 피처리체를 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 피처리체의 주연부의 일방의 면에 접촉하여 세정하는 제 1 세정 기구와,
    상기 제 1 세정 기구에 연결되고 상기 피처리체의 상기 주연부의 타방의 면에 접촉하여 세정하는 제 2 세정 기구를 구비하고,
    상기 제 2 세정 기구는, 요동축을 중심으로 요동 가능하고, 상기 제 1 세정 기구측으로 요동되었을 때에 상기 주연부의 상기 타방의 면에 접촉하는 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 기구에 연결되고 상기 제 1 세정 기구 및 상기 제 2 세정 기구를 상기 피처리체의 일방의 면으로부터 타방의 면으로 향한 방향으로 이동시키는 이동 기구를 더 구비한 처리 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 세정 기구에 접촉하여 상기 제 2 세정 기구를 상기 요동축을 중심으로 상기 제 1 세정 기구측으로 요동시키는 압압 부재를 더 구비한 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 압압 부재는, 상기 제 2 세정 기구에 접촉하는 접촉부와 상기 접촉부에 연결되고 상기 접촉부에 탄성력을 부여하는 탄성 부재를 가지는 처리 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 기구는, 상기 주연부의 일방의 면에 접촉 가능하고, 횡단면의 중심부가 경질부로 이루어지고, 상기 중심부의 주위를 둘러싸는 외주부가 상기 경질부보다 부드러운 연질부로 이루어지는 제 1 세정부를 가지는 처리 장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 세정 기구는, 상기 주연부의 타방의 면에 접촉 가능하고, 횡단면의 중심부가 경질부로 이루어지고, 상기 중심부의 주위를 둘러싸는 외주부가 상기 경질부보다 부드러운 연질부로 이루어지는 제 2 세정부를 가지는 처리 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104465448B (zh) * 2013-09-18 2017-06-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种片盒升降装置、传输系统及半导体加工设备
JP7479194B2 (ja) * 2020-05-20 2024-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
CN116525507B (zh) * 2023-07-05 2023-08-29 光微半导体(吉林)有限公司 倒装毛刷清洗装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3343503B2 (ja) * 1997-12-12 2002-11-11 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US7777203B2 (en) * 2006-09-27 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate holding apparatus
JP2008098440A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の洗浄装置及び洗浄方法

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