KR20100073568A - Vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor - Google Patents

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KR20100073568A KR1020080132281A KR20080132281A KR20100073568A KR 20100073568 A KR20100073568 A KR 20100073568A KR 1020080132281 A KR1020080132281 A KR 1020080132281A KR 20080132281 A KR20080132281 A KR 20080132281A KR 20100073568 A KR20100073568 A KR 20100073568A
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김현탁
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Abstract

PURPOSE: A vertical diffusion furnace for a manufacturing semiconductor is provided to reduce maintenance management costs since an inner tube and an outer tube are not required. CONSTITUTION: A plurality of wafers are installed in a boat(120). An outside supporting board(130) supports a lower part of the boat. An injector(140) is extended upward along one side of the boat. An exhaust line(150) is extended upward along the other side of boat. An outer case(160) is combined in the outside supporting board while covering the boat, the injector and the exhaust line.

Description

반도체 제조용 수직형 확산로{Vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor}Vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor

본 발명은 반도체 제조용 수직형 확산로에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical diffusion furnace for semiconductor manufacturing.

반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서, 웨이퍼의 표면에 분자 기체를 반응시켜서 필요한 박막을 형성하는 공정을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 "CVD"라 한다) 공정이라 하며, CVD 공정에 사용되는 확산로는 튜브(tube)가 설치되는 형상에 따라 수직형 확산로(vertical type furnace)와 수평형 확산로(horizontal type furnace)로 나뉜다.In the process for manufacturing a semiconductor device, a process of forming a required thin film by reacting molecular gas on the surface of a wafer is called chemical vapor deposition (hereinafter referred to as "CVD") process, diffusion used in the CVD process Furnace is divided into a vertical type furnace (horizontal type furnace) and a horizontal type furnace (horizontal type furnace) according to the shape of the tube (tube) is installed.

상기 CVD 공정에 사용되는 확산로 중 수직형 확산로는 복수개의 웨이퍼가 종방향으로 장착되어 있는 보트, 보트가 내측으로 로딩 또는 언로딩되고 하단으로부터 반응 가스가 유입되는 이너 튜브, 이너 튜브의 외측으로 소정 간격 이격되어 설치되고 이너 튜브를 감싸는 벨(bell) 형상으로 형성되는 아웃터 튜브, 이너 튜브 및 아웃터 튜브의 하단을 지지하는 한편 이너 튜브 하측의 가스 유입부로 반응 가스를 공급하는 인젝터가 일측에 관통 결합되고 이너 튜브의 내측으로 공급된 반응 가스가 웨이퍼와 반응한 후 배출되도록 배출관이 타측에 형성된 매니폴드를 포함하 여 이루어진다. 또한, 아웃터 튜브의 외측에는 히터가 설치되어 반응가스의 온도를 제어하도록 하고, 배출관에는 펌프가 설치되어 반응 가스를 배출하도록 되어 있다.Among the diffusion furnaces used in the CVD process, a vertical diffusion furnace includes a boat in which a plurality of wafers are mounted in a longitudinal direction, an inner tube into which a boat is loaded or unloaded inward and a reaction gas flows from the lower end to an outer side of the inner tube. An injector for supporting the lower end of the outer tube, the inner tube and the outer tube, which are installed at a predetermined interval and formed in a bell shape surrounding the inner tube, and supplying the reaction gas to the gas inlet portion below the inner tube, is penetrated to one side. And a discharge pipe is formed on the other side so that the reaction gas supplied into the inner tube is discharged after reacting with the wafer. In addition, a heater is provided outside the outer tube to control the temperature of the reaction gas, and a pump is installed in the discharge pipe to discharge the reaction gas.

이러한 종래의 반도체 제조용 수직형 확산로는 웨이퍼에 증착되는 필름의 균일성이 향상되도록 인너 튜브가 반드시 사용되어야 한다. 만약, 상기 인너 튜브가 사용되지 않으면 공정 가스가 바로 펌핑됨으로써 웨이퍼에 적절한 증착이 이루어지지 않는다.Such a conventional diffusion diffusion furnace for semiconductor manufacturing must use an inner tube to improve the uniformity of the film deposited on the wafer. If the inner tube is not used, the process gas is pumped directly, so that proper deposition on the wafer is not achieved.

한편, 이러한 종래의 반도체 제조용 수직형 확산로는 보트의 수직 길이가 비교적 길고 촘촘하게 웨이퍼가 수직 방향으로 위치되어 있음으로써, 증착 공정중 상부, 중앙 및 하부의 순서로 증착 필름 두께에 차이가 발생하는 문제가 있다.On the other hand, such a vertical diffusion path for manufacturing a conventional semiconductor, because the vertical length of the boat is relatively long and closely located in the vertical direction, the difference in the thickness of the deposited film in the order of the top, center and bottom during the deposition process There is.

또한, 이러한 종래의 반도체 제조용 수직형 확산로는 웨이퍼의 직경이 커짐에 따라, 웨이퍼의 가장 자리와 중앙에서 증착 필름 두께에 차이가 발생하는 문제도 있다.In addition, such a conventional vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor also has a problem that a difference occurs in the thickness of the deposited film at the edge and the center of the wafer as the diameter of the wafer increases.

더불어, 이러한 종래의 반도체 제조용 수직형 확산로는 일정 시간 이상 증착 공정을 진행하고 난 이후에는 인너 튜브 및 아웃터 튜브를 분리하여 습식 클리닝을 실시하거나, 경우에 따라서는 폐기를 하여야 하므로, 장비 유지 비용이 커지는 문제도 있다.In addition, such a conventional vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor, after the deposition process for a predetermined time or more, the inner tube and the outer tube must be separated by wet cleaning or, in some cases, disposed of, and thus equipment maintenance cost is high. There is also a growing problem.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 보트의 모든 영역에서 웨이퍼에 형성되는 증착 필름의 두께가 균일하게 형성되도록 한 반도체 제조용 수직형 확산로를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor in which the thickness of the deposition film formed on the wafer is uniformly formed in all regions of the boat.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체 제조용 수직형 확산로는 다수의 웨이퍼가 설치되는 보트와, 상기 보트를 하부에서 지지하고, 일측에는 가스 도입구이 설치되며, 타측에는 가스 배출구가 설치된 외부 받침대와, 상기 가스 도입구에 결합되어 상기 보트의 일측을 따라 상부 방향으로 연장되며, 다수의 홀이 서로 이격되어 형성된 인젝터와, 상기 가스 배출구에 결합되어 상기 보트의 타측을 따라 상부 방향으로 연장되며, 다수의 홀이 서로 이격되어 형성된 배출관과, 상기 보트, 상기 인젝터 및 상기 배출관을 덮으며 상기 외부 받침대에 결합된 외부 케이스를 포함한다.In order to achieve the above object, the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention supports a boat in which a plurality of wafers are installed, and supports the boat from a lower side, a gas inlet is installed at one side, and a gas outlet is installed at the other side. It is coupled to the pedestal, the gas inlet to extend in the upper direction along one side of the boat, a plurality of holes are formed spaced apart from each other, coupled to the gas outlet is extended in the upper direction along the other side of the boat And a discharge pipe formed with a plurality of holes spaced apart from each other, and an outer case covering the boat, the injector, and the discharge pipe and coupled to the outer pedestal.

상기 인젝터의 홀은 하부에서 상부로 올라감에 따라 점차 크게 형성될 수 있다.The hole of the injector may be gradually enlarged as it rises from the bottom to the top.

상기 인젝터의 홀은 상기 보트를 향하여 형성될 수 있다.The hole of the injector may be formed toward the boat.

상기 배출관의 홀은 상기 인젝터의 홀보다 상대적으로 크게 형성될 수 있다.The hole of the discharge pipe may be formed relatively larger than the hole of the injector.

상기 배출관의 홀은 모두 동일한 크기로 형성될 수 있다.All the holes of the discharge pipe may be formed in the same size.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로는 보트의 모든 영역에서 웨이퍼에 형성되는 증착 필름의 두께 균일도를 향상시킬 수 있다.As described above, the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention can improve the thickness uniformity of the deposited film formed on the wafer in all regions of the boat.

또한, 본 발명에 의한 반도체 제조용 수직형 확산로는 종래와 같이 인너 튜브 및 아웃터 튜브를 각각 구비할 필요가 없음으로써, 유지 관리 비용도 절약할 수 있다.In addition, since the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention does not need to include an inner tube and an outer tube, respectively, the maintenance cost can be saved.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로를 도시한 부분 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view showing a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로(100)는 내부 받침대(110), 보트(120), 외부 받침대(130), 인젝터(140), 배출관(150) 및 외부 케이스(160)를 포함한다.The vertical diffusion path 100 for manufacturing a semiconductor according to the present invention includes an inner pedestal 110, a boat 120, an outer pedestal 130, an injector 140, a discharge pipe 150, and an outer case 160.

상기 내부 받침대(110)는 상기 외부 받침대(130)의 내측 중앙에 설치되며, 상부에 보트(120)가 결합된다. 이러한 내부 받침대(110)에는 도시되지 않은 각종 진공 라인 등이 설치될 수 있으나, 이러한 구조로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 상기 내부 받침대(110)는 당업계에서 통상 페디스탈(pedestal)이라고 부르기도 한다.The inner pedestal 110 is installed in the inner center of the outer pedestal 130, the boat 120 is coupled to the top. The inner pedestal 110 may be provided with various vacuum lines not shown, but the present invention is not limited thereto. The inner pedestal 110 is also commonly referred to in the art as a pedestal.

상기 보트(120)는 상기 내부 받침대(110)의 위에 설치되어 있으며, 상부 방 향으로 일정 길이 연장되어 있다. 이러한 보트(120)에는 다수의 웨이퍼(도시되지 않음)가 장착되어 CVD 공정이 진행될 수 있도록 다수의 격벽이 형성될 수 있다. 물론, 이러한 격벽마다 웨이퍼가 장착될 수 있다.The boat 120 is installed on the inner pedestal 110 and extends a predetermined length in the upper direction. The boat 120 may be equipped with a plurality of wafers (not shown) to form a plurality of partition walls so that the CVD process may proceed. Of course, a wafer may be mounted for each of these partition walls.

상기 외부 받침대(130)는 상기 내부 받침대(110)를 하부에서 지지한다. 또한, 상기 외부 받침대(130)는 일측에 공정 가스가 도입되도록 하는 가스 도입구(131)가 설치되고, 타측에는 공정 가스가 배출되도록 하는 가스 배출구(132)가 설치되어 있다. 물론, 상기 가스 도입구(131)에는 가스 공급원(도시되지 않음)이 연결되고, 상기 가스 배출구(132)에는 펌프(도시되지 않음)가 연결될 수 있다.The outer pedestal 130 supports the inner pedestal 110 from the bottom. In addition, the outer pedestal 130 is provided with a gas inlet 131 for introducing a process gas on one side, and a gas outlet 132 for discharging the process gas on the other side. Of course, a gas supply source (not shown) may be connected to the gas inlet 131, and a pump (not shown) may be connected to the gas outlet 132.

상기 인젝터(140)는 하단이 상기 가스 도입구(131)에 결합되며, 상단이 상기 보트(120)의 일측을 따라 상부 방향으로 소정 길이 연장되어 있다. 실제로, 상기 인젝터(140)의 길이는 상기 보트(120)의 길이보다 더 긴 길이로 형성될 수 있다. 물론, 상기 인젝터(140)는 상기 보트(120)로부터 소정 거리 이격되어 있다. 또한, 상기 인젝터(140)에는 상기 보트(120)를 향하여 다수의 홀(141)이 형성되어 있다.The injector 140 has a lower end coupled to the gas inlet 131, and an upper end thereof extends a predetermined length in an upward direction along one side of the boat 120. In practice, the length of the injector 140 may be formed to be longer than the length of the boat 120. Of course, the injector 140 is spaced apart from the boat 120 by a predetermined distance. In addition, a plurality of holes 141 are formed in the injector 140 toward the boat 120.

여기서, 상기 인젝터(140)의 홀(141)은 하단에서 상단으로 갈수록 직경이 점차 커지도록 형성되어 있다. 이와 같이 함으로써, 상기 인젝터(140)의 하단에서 공급되는 가스량과 상기 인젝터(140)의 상단에서 공급되는 가스량이 동일해지도록 한다. 따라서 보트(120)의 위치에 관계없이 웨이퍼에 형성되는 증착 필름의 두께는 모두 균일해진다. 즉, 보트(120)의 하단, 보트(120)의 중앙 및 보트(120)의 상단에 설치된 웨이퍼에 모두 균일한 두께의 증착 필름이 형성된다. 또한, 웨이퍼의 가장자리와 웨이퍼의 중앙에 형성되는 증착 필름의 두께 역시 균일해진다.Here, the hole 141 of the injector 140 is formed to gradually increase in diameter from the bottom to the top. In this way, the amount of gas supplied from the lower end of the injector 140 and the amount of gas supplied from the upper end of the injector 140 are made equal. Therefore, regardless of the position of the boat 120, the thickness of the deposited film formed on the wafer is all uniform. That is, a deposition film having a uniform thickness is formed on both the bottom of the boat 120, the center of the boat 120, and the wafer installed on the top of the boat 120. In addition, the thickness of the deposited film formed at the edge of the wafer and the center of the wafer is also uniform.

상기 배출관(150)은 하단이 상기 가스 배출구(132)에 결합되며, 상단이 상기 보트(120)의 타측을 따라 상부 방향으로 소정 길이 연장되어 있다. 즉, 상기 배출관(150)은 상기 인젝터(140)와 대향되는 위치에 설치된다. 예를 들면, 상기 보트(120)를 중심으로 상기 인젝터(140)와 상기 배출관(150)은 서로 180ㅀ의 각도를 이룰 수 있다. 더불어, 상기 배출관(150)은 상기 보트(120)로부터 소정 거리 이격되어 있다. 또한, 상기 배출관(150)에는 상기 보트(120)를 향하여 다수의 홀(151)이 형성되어 있다. 더불어, 상기 배출관(150)의 길이는 상기 보트(120)의 길이보다 더 긴 길이로 형성될 수 있다.The discharge pipe 150 has a lower end coupled to the gas outlet 132, and an upper end thereof extends a predetermined length in an upward direction along the other side of the boat 120. That is, the discharge pipe 150 is installed at a position opposite to the injector 140. For example, the injector 140 and the discharge pipe 150 may form an angle of 180 ° with respect to the boat 120. In addition, the discharge pipe 150 is spaced apart from the boat 120 by a predetermined distance. In addition, a plurality of holes 151 are formed in the discharge pipe 150 toward the boat 120. In addition, the length of the discharge pipe 150 may be formed to a length longer than the length of the boat (120).

여기서, 상기 배출관(150)의 홀(151)은 하단이나 상단 모두 동일한 크기로 형성되어 있다. 더불어, 상기 배출관(150)의 홀(151)은 상기 인젝터(140)의 홀(141)보다 큰 크기로 형성되어 있다. 따라서 보트(120)를 통과한 공정 가스는 신속하게 상기 배출관(150)을 통해 외부로 배출된다.Here, the hole 151 of the discharge pipe 150 is formed in the same size of both the bottom or top. In addition, the hole 151 of the discharge pipe 150 is formed to have a larger size than the hole 141 of the injector 140. Therefore, the process gas passing through the boat 120 is quickly discharged to the outside through the discharge pipe 150.

상기 외부 케이스(160)는 상기 보트(120), 상기 인젝터(140) 및 상기 배출관(150)을 모두 덮으며 상기 외부 받침대(130)에 결합되어 있다. 따라서 반도체 제조 공정중 공정 가스는 상기 외부 케이스(160)의 외측으로 누출되지 않게 된다.The outer case 160 covers all of the boat 120, the injector 140, and the discharge pipe 150 and is coupled to the outer pedestal 130. Therefore, the process gas during the semiconductor manufacturing process does not leak to the outside of the outer case 160.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로 중에서 인젝터를 도시한 정면도이다.2 is a front view illustrating an injector in a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 인젝터(140)에 형성된 홀(141)은 하단에서 상단으로 갈수록 점차 큰 직경을 갖는다. 따라서 인젝터(140)의 하단이나 중앙 및 상단에 서 분사되는 공정 가스의 량은 거의 동일하다. 이에 따라, 보트(120)의 하단, 보트(120)의 중앙 및 보트(120)의 상단에 위치된 웨이퍼에는 모두 균일한 두께의 증착 필름이 형성될 수 있다. 또한, 웨이퍼의 가장자리나 중앙에도 모두 균일한 두께의 증착 필름이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 인젝터(140)의 홀(141)은 대략 원형으로 도시하였으나, 이러한 모양으로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.As shown in FIG. 2, the hole 141 formed in the injector 140 has a diameter that gradually increases from the bottom to the top. Therefore, the amount of process gas injected from the lower end, the center, and the upper end of the injector 140 is about the same. Accordingly, a deposition film having a uniform thickness may be formed on the wafer located at the bottom of the boat 120, the center of the boat 120, and the top of the boat 120. In addition, a deposition film having a uniform thickness may be formed at both the edge and the center of the wafer. Here, although the hole 141 of the injector 140 is shown in a substantially circular shape, it does not limit the present invention to this shape.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로 중에서 배출관을 도시한 정면도이다.3 is a front view showing a discharge pipe in a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 배출관(150)에 형성된 홀(151)은 하단이나 상단에서 모두 동일한 크기를 갖는다. 또한, 상기 배출관(150)에 형성된 홀(151)은 상기 인젝터(140)의 홀(151)보다 약간 더 크게 형성되어 있다. 이에 따라, 보트(120)를 통과한 공정 가스는 상기 배출관(150)을 통하여 신속하게 외부로 배출된다. 여기서, 상기 배출관(150)의 홀(151)은 대략 사각형으로 도시하였으나, 이러한 모양으로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.As shown in FIG. 3, the holes 151 formed in the discharge pipe 150 have the same size at both the bottom and the top. In addition, the hole 151 formed in the discharge pipe 150 is slightly larger than the hole 151 of the injector 140. Accordingly, the process gas passing through the boat 120 is quickly discharged to the outside through the discharge pipe 150. Here, although the hole 151 of the discharge pipe 150 is shown in a substantially square, it does not limit the present invention to this shape.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로에서 공정 가스의 흐름을 도시한 것이다.Figure 4 shows the flow of the process gas in the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 공정 가스는 가스 도입구(131)를 통하여 인젝터(140)에 공급된다. 이와 같이 인젝터(140)에 공급된 공정 가스는 홀(141)을 통하여 보트(120)에 분사된다. 이때, 상기 인젝터(140)에는 홀(141)이 일정 간격을 가 지며 하단에서 상단까지 배열되어 있으므로, 공정 가스는 상기 보트(120)의 일측 전체에 균일하게 분사된다. 더욱이, 상기 홀(141)은 하단으로부터 상단으로 갈수록 점차 크게 형성됨으로써, 상기 홀(141)을 통한 공정 가스의 분사량은 거의 동일하다. 따라서 상기 보트(120)의 일측 전체에는 동일한 량의 공정 가스가 공급된다. 따라서 보트(120)에 장착된 웨이퍼의 위치 및 웨이퍼의 영역에 관계없이 모든 웨이퍼에 증착되는 필름의 두께는 균일해진다.As shown in FIG. 4, the process gas is supplied to the injector 140 through the gas inlet 131. As such, the process gas supplied to the injector 140 is injected into the boat 120 through the hole 141. In this case, since the holes 141 are arranged from the lower end to the upper end in the injector 140, the process gas is uniformly sprayed on one side of the boat 120. Further, the hole 141 is gradually formed from the lower end to the upper end, so that the injection amount of the process gas through the hole 141 is about the same. Accordingly, the same amount of process gas is supplied to one side of the boat 120. Therefore, the thickness of the film deposited on all the wafers becomes uniform regardless of the position of the wafer mounted on the boat 120 and the area of the wafer.

한편, 상기와 같이 보트(120)를 통과하여 공정을 마친 공정 가스는 배출관(150)을 통해 가스 배출구(132)로 배출된다. 즉, 보트(120)를 통과한 공정 가스는 홀(151)을 통하여 배출관(150)으로 유입된다. 이때, 상기 배출관(150)에는 비교적 큰 크기의 홀(151)이 일정 간격을 가지며 하단에서 상단까지 배열되어 있으므로, 공정 가스는 효율적으로 배출관(150)으로 유입된다. 더욱이, 상기 홀(151)은 인젝터(140)의 홀(141)보다 상대적으로 큰 크기로 형성되어 있으므로, 수직형 확산로(100)에 유입되는 공정 가스는 신속하게 외부로 배출된다.On the other hand, the process gas is finished through the boat 120 as described above is discharged to the gas outlet 132 through the discharge pipe 150. That is, the process gas passing through the boat 120 flows into the discharge pipe 150 through the hole 151. At this time, since the holes 151 having a relatively large size are arranged in the discharge pipe 150 from a lower end to an upper end, the process gas is efficiently introduced into the discharge pipe 150. Furthermore, since the hole 151 is formed to have a relatively larger size than the hole 141 of the injector 140, the process gas flowing into the vertical diffusion path 100 is quickly discharged to the outside.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for carrying out the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, as claimed in the following claims Without departing from the gist of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains to the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로를 도시한 부분 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view showing a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로 중에서 인젝터를 도시한 정면도이다.2 is a front view illustrating an injector in a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로 중에서 배출관을 도시한 정면도이다.3 is a front view showing a discharge pipe in a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조용 수직형 확산로에서 공정 가스의 흐름을 도시한 것이다.Figure 4 shows the flow of the process gas in the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100; 본 발명에 따른 수직형 확산로100; Vertical diffusion furnace according to the present invention

110; 내부 받침대 120; 보트110; Internal pedestal 120; boat

130; 외부 받침대 131; 가스 도입구130; Outer pedestal 131; Gas inlet

132; 가스 배출구 140; 인젝터132; Gas outlet 140; Injector

141; 홀 150; 배출관141; Hole 150; discharge pipe

151; 홀 160; 외부 케이스151; Hall 160; Outer case

Claims (5)

다수의 웨이퍼가 설치되는 보트;A boat on which a plurality of wafers are installed; 상기 보트를 하부에서 지지하고, 일측에는 가스 도입구이 설치되며, 타측에는 가스 배출구가 설치된 외부 받침대;An outer pedestal for supporting the boat at a lower portion, a gas inlet is installed at one side, and a gas outlet is installed at the other side; 상기 가스 도입구에 결합되어 상기 보트의 일측을 따라 상부 방향으로 연장되며, 다수의 홀이 서로 이격되어 형성된 인젝터;An injector coupled to the gas inlet and extending upward along one side of the boat, the plurality of holes being spaced apart from each other; 상기 가스 배출구에 결합되어 상기 보트의 타측을 따라 상부 방향으로 연장되며, 다수의 홀이 서로 이격되어 형성된 배출관; 및,A discharge pipe coupled to the gas outlet and extending upward along the other side of the boat, the plurality of holes being spaced apart from each other; And, 상기 보트, 상기 인젝터 및 상기 배출관을 덮으며 상기 외부 받침대에 결합된 외부 케이스를 포함하여 이루어진 반도체 제조용 수직형 확산로.And an outer case covering the boat, the injector and the discharge pipe and coupled to the outer pedestal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인젝터의 홀은 하부에서 상부로 올라감에 따라 점차 크게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 수직형 확산로.The hole of the injector is a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor, characterized in that formed gradually larger as going from the bottom to the top. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인젝터의 홀은 상기 보트를 향하여 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조용 수직형 확산로.The hole of the injector is a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor, characterized in that formed toward the boat. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배출관의 홀은 상기 인젝터의 홀보다 상대적으로 크게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 수직형 확산로.The hole of the discharge pipe is a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor, characterized in that formed larger than the hole of the injector. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배출관의 홀은 모두 동일한 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 수직형 확산로.The hole of the discharge pipe is a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor, characterized in that formed in the same size.
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