KR100840897B1 - Assembly for supporting substrate and apparatus for treating substrate and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

A substrate supporting assembly and a method and an apparatus for treating substrates are provided to improve a thickness uniformity of a film during a CVD(Chemical Vapor Deposition) process by effectively ventilating a reaction gas, which is sprayed from a shower head. Plural mount guide grooves are formed in a vertical direction along a circumferential direction of an inner wall of a chamber(10). A shower head(20) is arranged in upper side of the chamber and supplies a reaction gas into the chamber. A substrate supporting plate(30) is implemented inside the chamber to be elevated in the chamber. A substrate is mounted on the substrate supporting plate. A shadow ring(40) covers an edge portion of the substrate. Plural mounting bumps are formed to be apart from each other along an outer periphery of the shadow ring. A through-hole is formed in the mount bump. Outer peripheries of the substrate mounting plate and the shadow ring are apart from an inner wall of the chamber, such that the substrate mount plate and the shadow ring are enclosed. A non-reaction gas is guided to a lower portion of the substrate mounting plate through a flow path(60). A ventilating unit(70) is formed at a position lower than the flow path, such that the non-reaction gas is drained out.

Description

기판 지지 어셈블리와 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{ASSEMBLY FOR SUPPORTING SUBSTRATE AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}ASSEMBLY FOR SUPPORTING SUBSTRATE AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

도 1a는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 일부 절개 사시도이고,1A is a partially cutaway perspective view illustrating a substrate processing apparatus according to the present invention;

도 1b는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이며,1B is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention,

도 2a는 본 발명에 따른 기판 지지 어셈블리를 나타내는 분해 사시도이고,2A is an exploded perspective view illustrating a substrate support assembly according to the present invention;

도 2b는 본 발명에 따른 기판 지지 어셈블리를 나타내는 단면도이며,2B is a cross-sectional view illustrating a substrate support assembly according to the present invention,

도 2c는 도 2b의 요부를 확대한 확대단면도이고,2C is an enlarged cross-sectional view illustrating the main part of FIG. 2B.

도 3a 내지 3c는 기판 처리 장치의 작동 상태를 설명하는 단면 상태도이며,3A to 3C are cross-sectional state diagrams illustrating an operating state of the substrate processing apparatus;

도 4는 실시예와 비교예에 따라 준비된 기판 처리 장치를 이용하여 제조된 박막의 두께를 나타내는 그래프이다.4 is a graph showing the thickness of a thin film manufactured using a substrate processing apparatus prepared according to Examples and Comparative Examples.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

1: 기판(웨이퍼)1: Substrate (wafer)

10: 챔버 11: 투입구10: chamber 11: inlet

13: 안착가이드홈 20: 샤워헤드13: Seating guide groove 20: Shower head

30: 기판 안착 플레이트 31: 요홈30: substrate mounting plate 31: groove

40: 쉐도우링 41: 경사면40: shadow ring 41: inclined surface

43: 안착돌기 43a: 관통공43: seating protrusion 43a: through hole

50: 기판 지지 어셈블리 60: 유로50: substrate support assembly 60: flow path

70: 배기수단 71: 배기공70: exhaust means 71: exhaust hole

73: 배기로 75: 배기펌프73: exhaust passage 75: exhaust pump

77: 배기배관 80: 리프트핀부77: exhaust pipe 80: lift pin

81: 리프트핀 83: 핀고정부81: lift pin 83: pingo government

85: 승강수단85: lifting means

본 발명은 기판 지지 어셈블리와 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 상에 각종 박막을 증착시키기 위하여 챔버 내로 공급되는 반응가스의 배기가 원활하게 이루어지도록 하는 기판 지지 어셈블리와 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support assembly, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method, and more particularly, a substrate support assembly and a substrate for smoothly exhausting a reaction gas supplied into a chamber to deposit various thin films on the substrate. It relates to a processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서 웨이퍼 표면에서 반응기체를 반응시켜서 필요한 재질의 막을 형성하는 공정을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 "CVD"라 한다) 공정이라 하며, CVD 공정이 진행되는 공정 챔버에는 공정 챔버 내에 반응가스를 공급하는 샤워헤드와, 공정 챔버 내에 인입된 기판이 안착되는 기판 안착 플레이트와, CVD 공정 중 기판 가장자리에 CVD 공정에 사용된 반응가스가 증착되는 것을 방지하기 위하여 기판의 가장자리를 커버하는 쉐도우 링(shadow ring)이 설치된다.In the process for manufacturing a semiconductor device, a process of forming a film of a required material by reacting a reactant on a wafer surface is called chemical vapor deposition (hereinafter referred to as "CVD") process, and is a process chamber in which a CVD process is performed. The substrate includes a showerhead for supplying a reaction gas into the process chamber, a substrate seating plate on which a substrate inserted into the process chamber is seated, and an edge of the substrate to prevent deposition of the reaction gas used in the CVD process on the substrate edge during the CVD process. A shadow ring is installed to cover the cover.

그래서, 상기 기판 안착 플레이트는 기판이 챔버 내로 인입되면 승강하여 기판을 안착시키고, 계속적인 승강에 의해 상기 쉐도우링을 그 상부에 안착시킨 다음, 기판의 반응 위치(Process Position), 즉 상기 샤워헤드와 근접되는 위치까지 상승하여 샤워헤드와 기판 사이에 반응가스에 의한 증착반응이 이루어지는 반응 공간을 형성한다.Thus, the substrate seating plate is lifted to seat the substrate when the substrate is introduced into the chamber, and the shadow ring is seated thereon by continuous lifting, and then the process position of the substrate, that is, the shower head and the Ascending to a position close to each other to form a reaction space between the shower head and the substrate deposition reaction by the reaction gas.

일반적으로 상기 쉐도우링은 상기 챔버 내에 안정적으로 지지되기 위하여 외주연의 직경이 챔버의 내벽보다 조금 작게 마련되어 쉐도우링과 챔버 내벽 사이에는 간격이 거의 형성되지 않는 상태를 유지하였다.In general, the shadow ring has a diameter smaller than that of the inner wall of the chamber so that the shadow ring is stably supported in the chamber, so that the gap between the shadow ring and the inner wall of the chamber is hardly formed.

그래서, 상기 챔버 내로 공급된 반응가스의 배기를 위하여 형성되는 배기공은 상기 기판의 반응 위치, 즉 상기 샤워헤드와 근접되는 위치의 챔버 내벽에 형성하였다.Thus, an exhaust hole formed for exhausting the reaction gas supplied into the chamber is formed in the chamber inner wall at the reaction position of the substrate, that is, the position close to the shower head.

또한, 기판 안착 플레이트의 중심부에는 기판이 안착되고, 기판 안착 플레이트의 가장자리에는 기판과 기판 안착 플레이트를 동시에 덮는 쉐도우링이 위치되어 중심부의 높이보다 가장자리의 높이가 더 높아 반응 공간의 끝단이 단차지는 현상이 일어났고, 이러한 이유로 샤워헤드에서 공급된 반응가스가 기판의 상부에 고르게 공급된 다음 배기공을 통하여 원활하게 배기되어야 하는데, 배기가 원활히 이루어지지 않고 상기 쉐도우링 및 배기공 근방에서 정체현상 및 와류현상이 일어나 기판의 가장자리에 형성되는 박막이 기판의 중심부에 형성되는 박막의 두께보다 두꺼워 지는 문제점이 발생하였다.In addition, the substrate is seated at the center of the substrate seating plate, and a shadow ring covering the substrate and the substrate seating plate is positioned at the edge of the substrate seating plate so that the edge of the reaction space is stepped because the edge height is higher than the height of the center. In this case, the reaction gas supplied from the shower head should be evenly supplied to the upper portion of the substrate and then smoothly exhausted through the exhaust hole, and the congestion and vortex in the vicinity of the shadow ring and the exhaust hole are not performed smoothly. The phenomenon occurs that the thin film formed at the edge of the substrate is thicker than the thickness of the thin film formed at the center of the substrate.

더불어, 산화막(Oxide), 질화막(Nitride), 산화질화막(Oxynitride)을 형성하는 반응의 경우에는 샤워헤드와 기판 사이의 간격을 충분히 멀게 하여 반응 공간의 측부에 형성된 배기공이 완전히 노출되지만, 비정질탄소막을 형성하는 경우에는 증착 속도를 높이기 위하여 샤워헤드와 기판 사이를 근접시키게 되고, 이런 경우 상승된 기판 지지 어셈블리가 배기공의 일부 또는 전부를 가리게 되는 현상이 일어나서 반응가스의 배기가 원활히 이루어지지 않고 챔버 내에 반응 가스가 장시간 머무르게 되어 균일한 두께의 박막을 증착하기 어렵게 된다.In addition, in the case of forming the oxide, nitride, and oxynitride, the gap between the showerhead and the substrate is sufficiently spaced so that the exhaust hole formed at the side of the reaction space is completely exposed. In the case of forming, the showerhead and the substrate are brought close to each other to increase the deposition rate, and in this case, the raised substrate support assembly covers part or all of the exhaust holes, so that the reaction gas is not exhausted smoothly. The reaction gas stays for a long time, making it difficult to deposit a thin film of uniform thickness.

상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 본 발명은 쉐도우링의 크기를 기판 안착 플레이트와 같거나 작게 하여 기판 지지 어셈블리와 챔버 사이에 반응가스가 통과할 수 있는 충분한 유로를 형성함으로써 반응 가스의 배기를 원활히 하여 기판에 증착되는 박막이 균일하게 형성되도록 하는 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention devised to solve the above problems is to reduce the size of the shadow ring is equal to or smaller than the substrate seating plate to form a sufficient flow path for the reaction gas to pass between the substrate support assembly and the chamber to smoothly exhaust the reaction gas It is an object of the present invention to provide a substrate support assembly and a substrate processing apparatus for uniformly forming a thin film deposited on a substrate.

또한, 쉐도우링의 상면 형상을 개선하여 반응가스의 와류현상을 최소화할 수 있는 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치를 제공하는데 다른 목적이 있다. In addition, it is another object to provide a substrate support assembly and a substrate processing apparatus that can minimize the vortex of the reaction gas by improving the top shape of the shadow ring.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 지지 어셈블리는 기판이 안착되는 기판 안착 플레이트와; 상기 기판의 가장자리를 커버하는 쉐도우링을 포함하고, 상기 쉐도우링의 외주연 크기는 상기 기판 안착 플레이트의 외주연과 같거나 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.Substrate support assembly according to the present invention for achieving the above object is a substrate mounting plate on which the substrate is seated; And a shadow ring covering the edge of the substrate, wherein the outer circumferential size of the shadow ring is equal to or smaller than the outer circumference of the substrate seating plate.

그리고, 상기 쉐도우링은 그 상면의 내측이 소정구간 외측에서 내측으로 하향경사 지는 경사면으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the shadow ring is characterized in that the inner surface of the upper surface is formed as an inclined surface which is inclined downward from the outside of the predetermined section inward.

이때 상기 경사면의 경사각도는 10도 이하인 것을 특징으로 한다.At this time, the inclination angle of the inclined surface is characterized in that less than 10 degrees.

그리고, 상기 기판 안착 플레이트의 상면에는 중앙에 기판이 안착되도록 기판의 형상과 대응되고, 크기가 기판의 크기와 동일하거나 큰 요홈이 형성되며, 상기 쉐도우링은 그 하면을 평평하게 형성하여, 상기 기판 안착 플레이트의 요홈 외측에 안착되는 것을 특징으로 한다.In addition, a groove is formed on the upper surface of the substrate seating plate to correspond to the shape of the substrate so that the substrate is seated at the center thereof, and a groove having a size equal to or larger than the size of the substrate is formed, and the shadow ring is formed flat on the lower surface of the substrate. It is characterized in that it is seated outside the groove of the seating plate.

또한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버와; 상기 챔버 내부의 상부에 배치되어 상기 챔버 내부에 반응가스를 공급하는 샤워헤드와; 상기 챔버 내부의 하부에 승강되도록 설치되어 상기 챔버 내부로 인입된 기판이 안착되는 기판 안착 플레이트와; 상기 기판 안착 플레이트의 상부에 안착되어 상기 기판의 가장 자리를 커버하고, 상기 챔버의 상부 내벽에 지지 또는 가이드 되어 승강되도록 구비되는 쉐도우링을 포함하고, 상기 기판 안착 플레이트 및 상기 쉐도우링의 적어도 일부분은 상기 챔버의 내벽과 이격되어 미반응가스를 상기 기판 안착 플레이트의 하부로 유도되는 유로를 형성하며, 상기 챔버의 내부에는 상기 유로보다 낮은 위치에 상기 미반응가스를 배기시키는 배기수단이 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention comprises a chamber; A shower head disposed above the inside of the chamber and supplying a reaction gas into the chamber; A substrate seating plate installed to be elevated below the inside of the chamber, and the substrate seating plate seated therein; And a shadow ring seated on an upper portion of the substrate seating plate to cover an edge of the substrate, the shadow ring being supported or guided by an upper inner wall of the chamber to move up and down, wherein the substrate seating plate and at least a portion of the shadow ring Spaced apart from the inner wall of the chamber to form a flow path that guides the unreacted gas to the lower portion of the substrate seating plate, and inside the chamber is provided with exhaust means for exhausting the unreacted gas at a position lower than the flow path. It is done.

이때 상기 기판 안착 플레이트는 상기 챔버의 내벽과 이격되어 설치되고, 상기 쉐도우링은 외주연의 크기가 상기 기판 안착 플레이트의 외주연과 같거나 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, the substrate seating plate is spaced apart from the inner wall of the chamber, the shadow ring is characterized in that the size of the outer circumference is the same as or smaller than the outer circumference of the substrate seating plate.

또한, 상기 기판 안착 플레이트의 외주연은 상기 챔버의 내벽과 등간격으로 이격되어, 상기 유로의 폭이 일정한 것을 특징으로 한다.In addition, the outer periphery of the substrate seating plate is spaced apart at equal intervals from the inner wall of the chamber, characterized in that the width of the flow path is constant.

그리고, 상기 안착가이드홈은 상기 챔버의 내벽에 원주방향을 따라 상호 이격되어 다수개가 형성되고, 상기 쉐도우링의 외주연에는 상기 안착가이드홈에 대응되어 안착되는 다수의 안착돌기가 상호 이격되어 형성되어, 상기 쉐도우링의 안착돌기가 상기 챔버의 안착가이드홈에 지지 또는 가이드 되어 승강하는 것을 특징으로 하고, 상기 쉐도우링의 안착돌기에는 관통공이 형성되는 것을 특징으로 한다.The seating guide grooves are spaced apart from each other along the circumferential direction on the inner wall of the chamber, and a plurality of seating protrusions corresponding to the seating guide grooves are formed on the outer circumference of the shadow ring. The seating protrusion of the shadow ring is supported or guided by the seating guide groove of the chamber to lift and lift, and the through hole is formed in the seating protrusion of the shadow ring.

그리고, 상기 배기수단은 상기 챔버의 내벽에 형성되는 배기공과; 상기 배기공과 연결되고, 챔버 외부와 연통되어 미반응가스를 챔버 외부로 유도하는 배기로와; 상기 배기로에 연결되는 배기배관에 설치되어 미반응가스를 배기시키는 배기펌프를 포함하는 것을 특징으로 한다.The exhaust means includes an exhaust hole formed in the inner wall of the chamber; An exhaust passage connected to the exhaust hole and in communication with the outside of the chamber to direct unreacted gas to the outside of the chamber; And an exhaust pump installed in an exhaust pipe connected to the exhaust path to exhaust unreacted gas.

상기 배기공은 상기 챔버 내부의 하부에 다수개 형성되고, 상기 다수의 배기공은 상기 배기로와 연결되는 것을 특징으로 하고, 상기 다수의 배기공은 상기 챔버의 내벽에 상호 등간격을 갖고, 같은 높이에 형성되는 것을 특징으로 한다.The plurality of exhaust holes are formed in the lower portion of the inside of the chamber, characterized in that the plurality of exhaust holes are connected to the exhaust passage, the plurality of exhaust holes are equally spaced on the inner wall of the chamber, Characterized in that formed at the height.

또한, 상기 쉐도우링은 그 상면의 내측이 소정부분 외측에서 내측으로 하향경사 지고, 상기 경사각도는 10도 이하인 것을 특징으로 한다.In addition, the shadow ring is characterized in that the inner side of the upper surface is inclined downward from the outside of the predetermined portion inward, the inclination angle is less than 10 degrees.

그리고, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 챔버 내에 기판을 인입하여 기판 안착 플레이트에 안착시키고, 상기 기판의 가장자리를 커버하도록 쉐도우링을 그 상부에 안착시키는 기판 안착단계와; 상기 기판 안착 플레이트를 이동시켜 기판을 반응 위치에 위치시키는 기판 배치단계와; 상기 챔버의 반응위치에 반응가스를 공급하는 반응가스 공급단계; 상기 반응가스가 기판의 상면에 박막을 형성하는 박막 형성단계와; 상기 반응가스 중 반응되지 않은 미반응가스가 챔버 외부로 배기되는 배기단계를 포함하고, 상기 배기단계시 미반응가스는 상기 기판 안착 플레이트의 하측으로 유도된 다음 챔버 외부로 배기 되는 것을 특징으로 한다.In addition, the substrate processing method according to the present invention includes a substrate seating step of receiving a substrate in the chamber to be seated on the substrate seating plate, the shadow ring is seated thereon to cover the edge of the substrate; A substrate disposing step of moving the substrate seating plate to position the substrate at a reaction position; A reaction gas supplying step of supplying a reaction gas to a reaction position of the chamber; A thin film forming step in which the reaction gas forms a thin film on an upper surface of the substrate; And an unreacted gas in which the unreacted gas in the reaction gas is exhausted to the outside of the chamber, wherein the unreacted gas is guided to the lower side of the substrate seating plate and then exhausted to the outside of the chamber.

상기 배기단계시 미반응가스는 상기 기판 안착 플레이트와 챔버 내벽 사이에 형성되는 유로를 통하여 상기 기판 안착 플레이트의 하측으로 유도되는 것이 바람직하다.In the exhausting step, the unreacted gas is preferably led to the lower side of the substrate seating plate through a flow path formed between the substrate seating plate and the chamber inner wall.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 일부 절개 사시도이고, 도 1b는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.1A is a partially cutaway perspective view illustrating a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus according to the present invention.

도면을 참조하면 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 반응 공간을 포함한 수용 공간을 형성하고, 반응가스의 배기를 위한 배기수단(70)이 구비되는 챔버(10)와, 상기 챔버(10) 내부의 상부에 배치되어 상기 챔버(10) 내로 반응가스를 공급하는 샤워헤드(20)와, 상기 챔버(10) 내부의 하부에 승강되도록 설치되어 상기 챔버(10) 내로 인입된 기판(1)이 안착되는 기판 안착 플레이트(30)와, 상기 기판(1)의 상부에 안착되어 상기 기판(1)의 가장 자리를 커버하는 쉐도우링(40)을 포함한다.Referring to the drawings, the substrate processing apparatus according to the present invention forms a receiving space including a reaction space therein, a chamber 10 having an exhaust means 70 for exhausting a reaction gas, and the chamber 10 inside. A shower head 20 disposed at an upper portion of the shower head 20 to supply a reaction gas into the chamber 10, and a substrate 1 mounted to the lower portion of the inside of the chamber 10 to be inserted into the chamber 10. Substrate mounting plate 30 and a shadow ring 40 which is seated on the top of the substrate 1 to cover the edge of the substrate (1).

본 발명에서 상기 기판(1)은 반도체 제조용 웨이퍼를 예로 하여 설명하도록 한다.In the present invention, the substrate 1 will be described using a semiconductor manufacturing wafer as an example.

상기 챔버(10)는 상부가 개방되어 있는 챔버몸체(10b)와, 상기 챔버몸체(10b)의 상부를 덮는 챔버리드(10a)를 구비한다. 그리고, 상기 챔버리드(10a)의 하부에 상기 샤워헤드(20)가 위치되어 상기 샤워헤드(20)의 하부에 반응 공간이 마련된다. 물론 상기 챔버(10)는 상기 챔버몸체(10b)와 챔버리드(10a)가 일체로 구성될 수도 있고, 상부 챔버와 하부 챔버로 분리되어 형성될 수도 있다.The chamber 10 includes a chamber body 10b having an open upper portion, and a chamber lead 10a covering an upper portion of the chamber body 10b. In addition, the shower head 20 is positioned under the chamber lid 10a to provide a reaction space under the shower head 20. Of course, the chamber 10 may be integrally formed with the chamber body 10b and the chamber lead 10a, or may be separately formed into an upper chamber and a lower chamber.

상기 챔버(10)의 내부에 형성되는 반응 공간을 포함하는 수용 공간의 형상은 한정되지 않고, 증착시키고자 하는 기판(1)의 형상에 대응되어 다양하게 형성되는데, 예를 들면 통상적인 웨이퍼일 경우에는 원통형으로 형성되고, 사각형상의 유리기판일 경우에는 사각형상으로도 형성될 수 있을 것이다.The shape of the accommodation space including the reaction space formed inside the chamber 10 is not limited, and is formed in various ways corresponding to the shape of the substrate 1 to be deposited, for example, a conventional wafer Is formed in a cylindrical shape, in the case of a rectangular glass substrate may be formed in a rectangular shape.

그리고, 챔버몸체(10b)의 내벽 상측에는 상기 쉐도우링(40)이 안착되는 다수의 안착가이드홈(13)이 원주방향을 따라 상호 이격되어 형성된다.In addition, a plurality of seating guide grooves 13 on which the shadow ring 40 is seated is formed spaced apart from each other along the circumferential direction on the inner wall upper side of the chamber body 10b.

이때 상기 안착가이드홈(13) 각각은 상기 쉐도우링(40)이 승강될 때 가이드 할 수 있도록 상하로 길게 형성되는 것이 바람직하다.At this time, each of the seating guide grooves 13 is preferably formed long up and down to guide when the shadow ring 40 is elevated.

그리고, 상기 챔버몸체(10b)에는 배기수단(70)이 구비된다.In addition, the chamber body (10b) is provided with an exhaust means (70).

상기 배기수단(70)은 상기 챔버몸체(10b)의 내벽에 형성되는 배기공(71)과, 상기 배기공(71)과 연결되어 미반응가스를 챔버(10) 외부로 유도하는 배기로(73)와, 상기 배기로(73)에 연결되어 미반응가스를 배기시키는 배기펌프(75)를 포함한다.The exhaust means 70 is an exhaust hole 71 formed in the inner wall of the chamber body 10b and an exhaust passage 73 connected to the exhaust hole 71 to guide unreacted gas to the outside of the chamber 10. And an exhaust pump 75 connected to the exhaust passage 73 to exhaust unreacted gas.

상기 배기공(71)은 상기 기판 안착 플레이트(30) 보다 낮은 위치에 형성되어 후술되는 유로(60)보다 형성 위치가 낮다면 배기공(71) 상호간의 위치, 간격, 높이 및 형상은 한정되지 않고 다양하게 변경되어 형성될 것이다. 본 발명에서는 바람직한 실시예로 상기 배기공(71)을 상기 챔버몸체(10b)의 내벽 하측, 즉 챔버(10) 수용공간의 바닥부 측면에 원주방향을 따라 다수개 형성한다.If the exhaust hole 71 is formed at a position lower than the substrate seating plate 30 and is formed at a lower position than the flow path 60 to be described later, the positions, intervals, heights, and shapes of the exhaust holes 71 are not limited. Various changes will be made. In the present invention, a plurality of the exhaust hole 71 is formed in the circumferential direction on the lower side of the inner wall of the chamber body 10b, that is, the bottom side of the chamber 10 receiving space.

이때, 배기되는 반응가스가 한 방향으로 집중되지 않고 모든 방향으로 균등하게 배기되게 하기 위하여 상기 다수의 배기공(71)은 상호 등간격을 갖고, 같은 높이에 형성되는 것이 바람직하다.In this case, the plurality of exhaust holes 71 may be formed at the same height with each other at equal intervals in order to exhaust the reaction gas to be exhausted evenly in all directions without being concentrated in one direction.

상기 배기로(73)는 상기 다수의 배기공(71)과 챔버(10)의 외부를 연통시키는 것으로서, 챔버몸체(10b)에 내삽되거나 챔버몸체(10b)의 외부에 형성된다. 바람직하게는 상기 다수의 배기공(71)이 형성되는 위치의 챔버몸체(10b)에 내삽되고, 다수의 배기공(71)과 연결되고, 하나 또는 그 이상의 지점에서 챔버(10) 외부에 마련되는 배기배관(77)에 연결되어 챔버(10) 외부와 연통된다.The exhaust path 73 communicates the plurality of exhaust holes 71 with the outside of the chamber 10, and is inserted into the chamber body 10b or formed outside the chamber body 10b. Preferably it is interpolated in the chamber body (10b) of the position where the plurality of exhaust holes 71 are formed, connected to the plurality of exhaust holes 71, is provided outside the chamber 10 at one or more points It is connected to the exhaust pipe 77 is in communication with the outside of the chamber (10).

그리고, 상기 배기배관(77)에는 배기펌프(75)가 마련되어 상기 배기공(71)을 통하여 배기로(73)로 유입되는 미반응가스를 챔버(10)의 외부로 배기시킨다. 이때 배기펌프(75)의 개수는 상기 배기배관(77)의 개수에 대응되는 것이 바람직할 것이다.In addition, an exhaust pump 75 is provided in the exhaust pipe 77 to exhaust unreacted gas introduced into the exhaust path 73 through the exhaust hole 71 to the outside of the chamber 10. In this case, the number of exhaust pumps 75 may preferably correspond to the number of exhaust pipes 77.

상기 샤워헤드(20)는 챔버(10) 내로 반응가스를 공급하는 수단으로써, 챔버(10) 내로 반응가스를 공급할 수 있다면 어떠한 수단으로도 변경가능하다. 반응가스를 공급하는 일반적인 수단인 샤워헤드(20)는 반응가스가 공급되는 가스 공급배관에 연결되어 상기 가스 공급배관을 통하여 공급되는 반응가스를 상기 챔버(10) 내부에 균일하게 공급한다.The showerhead 20 is a means for supplying the reaction gas into the chamber 10, and may be changed by any means as long as it can supply the reaction gas into the chamber 10. The shower head 20, which is a general means for supplying the reaction gas, is connected to the gas supply pipe through which the reaction gas is supplied, and uniformly supplies the reaction gas supplied through the gas supply pipe into the chamber 10.

도 2a는 본 발명에 따른 기판 지지 어셈블리를 나타내는 분해 사시도이고, 도 2b는 본 발명에 따른 기판 지지 어셈블리를 나타내는 단면도이며, 도 2c는 2b의 요부를 확대한 확대단면도이이다.Figure 2a is an exploded perspective view showing a substrate support assembly according to the present invention, Figure 2b is a cross-sectional view showing a substrate support assembly according to the present invention, Figure 2c is an enlarged cross-sectional view of the main portion of 2b enlarged.

도면에 도시된 바와같이, 상기 기판 안착 플레이트(30)는 웨이퍼(1)가 챔버(10) 내로 공급되면 승강하여 웨이퍼(1)가 안착되는 것으로서, 상면의 중앙에 웨이퍼(1)가 안착되도록 웨이퍼(1)의 형상과 대응되고, 직경이 웨이퍼(1)의 직경과 동일하거나 보다 큰 요홈(31)이 형성되고, 하면으로는 별도의 구동수단에 의해 승강되는 샤프트(33)가 일체 또는 장착되어 기판 안착 플레이트(30)를 일체로 승강시킨다.As shown in the drawing, the substrate seating plate 30 is lifted when the wafer 1 is supplied into the chamber 10 so that the wafer 1 is seated, so that the wafer 1 is seated at the center of the upper surface. A groove 31 corresponding to the shape of (1) and having a diameter equal to or larger than the diameter of the wafer 1 is formed, and a shaft 33 which is elevated by a separate driving means is integrated or mounted on the lower surface thereof. The substrate mounting plate 30 is raised and lowered integrally.

상기 기판 안착 플레이트(30)는 챔버(10) 내부의 형상에 대응되도록 구비되는데, 본 실시예에서는 원형으로 구비한다. The substrate seating plate 30 is provided to correspond to the shape of the inside of the chamber 10, but in this embodiment is provided in a circular shape.

이러한 기판 안착 플레이트(30)는 챔버(10) 내에서 승강되는 구성품으로서, 챔버(10)의 내벽과 소정 간격 이격된다. 이렇게 기판 안착 플레이트(30)와 챔버(10)의 내벽이 이격됨에 따라 이격 공간만큼 반응가스가 통과되는 유로(60)가 형성된다. 바람직하게는 챔버몸체(10b)의 내벽과 기판 안착 플레이트(30)의 외주연이 등간격으로 이격되어, 기판 안착 플레이트(30)와 챔버몸체(10b) 사이에 형성되는 반응가스의 유로(60)가 일정한 폭으로 형성되는 것이 바람직하다.The substrate seating plate 30 is a component that is elevated in the chamber 10 and is spaced apart from the inner wall of the chamber 10 by a predetermined distance. As the substrate seating plate 30 and the inner wall of the chamber 10 are spaced apart from each other, a flow path 60 through which a reaction gas passes as much as a space is formed. Preferably, the inner wall of the chamber body 10b and the outer periphery of the substrate seating plate 30 are spaced at equal intervals, so that the reaction gas flow path 60 formed between the substrate seating plate 30 and the chamber body 10b. Is preferably formed in a constant width.

이러한 기판 안착 플레이트(30)는 웨이퍼(1)가 안착되어 웨이퍼(1)가 바람직한 온도를 유지할 수 있도록 구비되는 것으로서, 그 내부에는 적정한 온도를 조절하기 위한 히터와 같은 온도 조절 수단이 구비될 수 있다.The substrate seating plate 30 is provided to allow the wafer 1 to be seated to maintain the desired temperature. The substrate mounting plate 30 may include a temperature control means such as a heater for controlling an appropriate temperature therein. .

상기 쉐도우링(40)은 상기 기판 안착 플레이트(30)에 안착된 웨이퍼(1)의 가장자리를 커버하도록 구비되는데, 전체적인 형상은 후프(hoop) 형상을 갖는다.The shadow ring 40 is provided to cover the edge of the wafer 1 seated on the substrate seating plate 30, the overall shape of which has a hoop shape.

상기 쉐도우링(40)의 외주연 직경은 상기 챔버몸체(10b)의 내벽과 이격되어 적어도 일부분에서 상기 유로(60)를 확보할 수 있다면 그 크기가 어떠하여도 무방할 것이다. 하지만, 바람직하게는 상기 쉐도우링(40)의 외주연 직경이 상기 기판 안착 플레이트(30)의 직경과 같거나 작게 형성되어 상기 기판 안착 플레이트(30)와 챔버(10)의 내벽 사이에 형성되는 반응가스의 유로(60)를 충분히 확보하는 것이 좋을 것이다.The outer circumferential diameter of the shadow ring 40 may be any size as long as it can secure the flow path 60 at least partially spaced apart from the inner wall of the chamber body 10b. However, preferably, the outer circumferential diameter of the shadow ring 40 is equal to or smaller than the diameter of the substrate seating plate 30 to be formed between the substrate seating plate 30 and the inner wall of the chamber 10. It would be good to ensure a sufficient flow path 60 of gas.

따라서, 상기 기판 안착 플레이트(30) 및 쉐도우링(40)(이하, 기판 안착 플레이트 및 쉐도우링의 조합을 "기판 지지 어셈블리"라 함.)과 챔버몸체(10b)의 내벽 사이에 반응가스의 유로(60)가 충분히 확보된다.Therefore, the flow path of the reaction gas between the substrate seating plate 30 and the shadow ring 40 (hereinafter, the combination of the substrate seating plate and the shadow ring is referred to as a "substrate support assembly") and the inner wall of the chamber body 10b. 60 is fully secured.

그리고, 상기 쉐도우링(40)은 그 상면의 내측이 소정구간 외측에서 내측으로 하향경사 지는 경사면(41)을 포함하고, 상기 경사면(41)의 경사각도(θ)는 10도 이하로 형성된다.The shadow ring 40 includes an inclined surface 41 in which an inner side of the upper surface is inclined downward from an outer side of a predetermined section to an inward side, and an inclination angle θ of the inclined surface 41 is formed to be 10 degrees or less.

상기 경사면(41)의 구간은 경사각도(θ)가 10도의 범위 내에서 커질수록 좁아지고, 경사각도(θ)가 작아질수록 경사면(41)의 구간은 넓어진다.The section of the inclined surface 41 becomes narrower as the inclination angle θ becomes larger within the range of 10 degrees, and the section of the inclined surface 41 becomes wider as the inclination angle θ becomes smaller.

이렇게 쉐도우링(40)의 상면 내측을 경사지게 형성하는 이유는 샤워헤드(20)에서 분사되는 반응가스가 웨이퍼(1) 위에서 반응된 다음 미반응가스가 기판 지지 어셈블리(50)의 외주연과 챔버몸체(10b)의 내벽 사이에 형성된 유로(60)를 통과하여 배기공(71)으로 배기될 때 쉐도우링(40)과 웨이퍼(1) 사이의 높이 차이에 의해 정체 또는 와류되는 현상을 방지하기 위해서고, 상기와 같이 경사면(41)의 경사각도(θ)를 10도 이하로 하여 미반응가스의 와류현상을 최소화하였다.The reason why the inner surface of the upper surface of the shadow ring 40 is inclined is because the reaction gas injected from the shower head 20 is reacted on the wafer 1 and then the unreacted gas is formed on the outer periphery of the substrate support assembly 50 and the chamber body. In order to prevent the phenomenon of stagnation or vortex due to the height difference between the shadow ring 40 and the wafer 1 when passing through the flow path 60 formed between the inner walls of the 10b to the exhaust hole 71. As described above, the inclination angle θ of the inclined surface 41 is set to 10 degrees or less to minimize the vortex phenomenon of the unreacted gas.

상기 경사각도(θ)는 작으면 작을수록 기판 지지 어셈블리(50)의 중심부와 가장자리와의 단차를 완화시키는데 더 효과적일 것이고, 상기 쉐도우링(40)의 두께도 기판 지지 어셈블리(50)의 중심부와 가장자리와의 단차를 낮추기 위하여 가능한 얇게 하는 것이 좋을 것이다.The smaller the inclination angle θ is, the more effective it is to mitigate the step difference between the center and the edge of the substrate support assembly 50, and the thickness of the shadow ring 40 is also the center of the substrate support assembly 50. It would be nice to make it as thin as possible to lower the step with the edges.

바람직하게는 상기 경사각도(θ)는 경사면(41)의 구간 넓이를 감안하여 5 ~ 10도로 형성하는 것이 좋을 것이고, 상기 쉐도우링(40)의 두께도 1.5mm ~ 3.0mm로 하는 것이 좋을 것이다.Preferably, the inclination angle θ may be formed to 5 to 10 degrees in consideration of the width of the section of the inclined surface 41, and the thickness of the shadow ring 40 may be set to 1.5 mm to 3.0 mm.

상기 쉐도우링(40)의 상면 외측, 즉 상기 경사면(41)을 제외한 구간은 상기 샤워헤드(20)의 하면과 평행하게 형성된다.An outer surface of the upper surface of the shadow ring 40, that is, a section excluding the inclined surface 41, is formed in parallel with the lower surface of the shower head 20.

상기 쉐도우링(40)의 하면은 평평하게 형성하여, 상기 기판 안착 플레이트(30)의 요홈(31) 외측에 안착되도록 한다.The lower surface of the shadow ring 40 is formed to be flat, so as to be seated outside the groove 31 of the substrate mounting plate 30.

그리고, 상기 쉐도우링(40)의 외주연에는 상기 챔버몸체(10b)의 내벽에 형성되는 안착가이드홈(13)에 대응되어 안착되는 다수의 안착돌기(43)가 상호 이격되어 돌출 형성된다.In addition, the outer periphery of the shadow ring 40, a plurality of seating projections 43 that are seated corresponding to the seating guide groove 13 formed on the inner wall of the chamber body (10b) is formed to be spaced apart from each other.

그래서, 상기 안착돌기(43)가 상기 안착가이드홈(13)에 걸쳐짐에 따라 쉐도우링(40)이 챔버몸체(10b)의 내벽에 지지되고, 상기 기판 안착 플레이트(30)에 안착되어 함께 상승할 때에는 상기 안착돌기(43)가 상기 안착가이드홈(13)에 가이드 되는 것이다. Thus, as the seating protrusion 43 spans the seating guide groove 13, the shadow ring 40 is supported on the inner wall of the chamber body 10b, and is seated on the board seating plate 30 and raised together. When the mounting projection 43 is guided to the mounting guide groove (13).

상기 안착돌기(43)에는 관통공(43a)이 형성되어 반응가스가 통과할 수 있도록 하여 미반응가스의 배기를 최대한 보조하는 것이 바람직하다.Through holes 43a are formed in the seating protrusions 43 to allow the reaction gas to pass therethrough, so as to assist the exhaust of the unreacted gas as much as possible.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버(10) 내에 투입되는 웨이퍼(1)를 기판 안착 플레이트(30)에 안착시키기 전 웨이퍼(1)를 지지하는 리프트핀부(80)가 더 구성된다.The substrate processing apparatus according to the present invention further includes a lift pin portion 80 supporting the wafer 1 before the wafer 1 introduced into the chamber 10 is seated on the substrate seating plate 30.

상기 리프트핀부(80)는 상기 기판 안착 플레이트(30)를 관통하여 입설되는 복수개의 리프트핀(81)과, 상기 리프트핀(81)을 일체로 승강시킬 수 있도록 상기 리프트핀(81) 각각의 하단이 일체로 고정되는 핀고정부(83)로 구성된다.The lift pins 80 may include a plurality of lift pins 81 penetrating through the substrate seating plate 30 and lower ends of the lift pins 81 so that the lift pins 81 may be elevated. It consists of a pin fixing part 83 which is fixed integrally.

상기 핀고정부(83)는 별도의 실린더에 의해 구동되는 승강수단(85)에 의해 승강되어 리프트핀(81)을 일체로 승강시킨다.The pin fixing portion 83 is elevated by the lifting means 85 driven by a separate cylinder to raise and lower the lift pin 81 integrally.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명한다.The substrate processing method using the substrate processing apparatus which concerns on this invention comprised as mentioned above is demonstrated.

도 3a 내지 3c는 기판 처리 장치의 작동 상태를 설명하는 단면 상태도로서, 도 3a에서와 같이 챔버(10)에 형성된 투입구(11)로 로봇암에 의해 웨이퍼(1)가 인입되면 리프트핀부(80)가 상승하여 리프트핀(81)의 상단에 웨이퍼(1)가 임시로 안착된다. 그러면, 로봇암이 챔버(10)를 빠져나가고 투입구(11)가 닫힌다. 3A to 3C are cross-sectional state diagrams illustrating an operating state of the substrate processing apparatus. As shown in FIG. 3A, when the wafer 1 is introduced by the robot arm into the inlet 11 formed in the chamber 10, the lift pin unit 80 is formed. Is raised so that the wafer 1 is temporarily seated on top of the lift pin 81. Then, the robot arm exits the chamber 10 and the inlet 11 is closed.

그리고, 도 3b에서와 같이 기판 안착 플레이트(30)가 상승하여 리프트핀(81)의 상단에 안착된 웨이퍼(1)를 요홈(31)에 안착시킨 상태로 계속 상승되면, 쉐도우링(40)이 웨이퍼(1)의 가장자리를 커버하면서 상기 기판 안착 플레이트(30)의 상면 에 안착된다.(기판 안착단계)3B, when the substrate seating plate 30 is raised and the wafer 1 seated at the upper end of the lift pin 81 is continuously raised in the recess 31, the shadow ring 40 is raised. The substrate is seated on the upper surface of the substrate mounting plate 30 while covering the edge of the wafer 1 (substrate mounting step).

이때 쉐도우링(40)은 기판 안착 플레이트(30)와 그 직경이 같거나 작기 때문에 기판 지지 어셈블리(50)와 챔버몸체(10b)의 내벽 사이가 이격되어 미반응가스의 유로(60)가 확보된다.At this time, since the shadow ring 40 has the same or smaller diameter as the substrate seating plate 30, the shadow ring 40 is spaced apart from the inner wall of the substrate support assembly 50 and the chamber body 10b to secure an unreacted gas flow path 60. .

그리고, 기판 지지 어셈블리(50)가 샤워헤드(20)의 하부인 반응 위치(Process Position)까지 도달되면 움직임이 멈춘다.(기판 배치단계)Then, when the substrate support assembly 50 reaches the reaction position (Process Position) that is the lower portion of the showerhead 20, the movement stops.

기판 지지 어셈블리(50)가 반응 위치에 위치되면, 샤워헤드(20)에서 반응가스가 분사된다.(반응가스 공급단계)When the substrate support assembly 50 is positioned at the reaction position, the reaction gas is injected from the shower head 20 (reaction gas supplying step).

반응가스가 분사되면 도 3c와 같이 분사된 반응가스는 웨이퍼(1)의 상면에 박막을 증착시키고(박막 형성단계), 반응되지 않은 미반응가스가 기판 지지 어셈블리(50)와 챔버몸체(10b)의 내벽 사이의 유로(60)를 통하여 챔버(10) 내부의 하측으로 원활히 이동한다.When the reaction gas is injected, the injected reaction gas deposits a thin film on the upper surface of the wafer 1 as shown in FIG. 3C (thin film forming step), and the unreacted gas is not reacted with the substrate support assembly 50 and the chamber body 10b. It smoothly moves to the lower side inside the chamber 10 through the flow path 60 between the inner wall of the.

이때 미반응가스는 기판 지지 어셈블리(50)의 외측으로 이동되는 중에 쉐도우링(40)의 상면에 경사면(41)이 형성되어 있어 그 흐름이 원활하게 이루어져서 웨이퍼(1)와 쉐도우링(40)의 단차에 의해 발생되는 미반응가스의 정체 및 와류현상이 최소화된다.At this time, while the unreacted gas is moved to the outside of the substrate support assembly 50, the inclined surface 41 is formed on the upper surface of the shadow ring 40, so that the flow of the unreacted gas is smooth. The stagnation and eddy of the unreacted gas generated by the step are minimized.

이렇게 미반응가스는 정체현상 및 와류현상이 최소화된 상태에서 유로(60)를 통하여 챔버(10)의 하부로 이동된 다음 챔버(10)의 하부에 형성된 배기공(71)을 통하여 배기로(73)로 유도된 다음, 배기펌프(75)의 작동에 의해 배기배관(77)을 통하여 챔버(10)의 외부로 원활히 배기된다.(배기단계)The unreacted gas is moved to the lower portion of the chamber 10 through the flow path 60 in a state in which stagnation and vortex phenomena are minimized, and then through the exhaust hole 71 formed in the lower portion of the chamber 10. ) Is then smoothly exhausted to the outside of the chamber 10 through the exhaust pipe 77 by the operation of the exhaust pump 75. (Exhaust step)

본 발명에 따른 기판 처리 장치와 종래의 기판 처리 장치를 비교하면 다음과 같다.Comparing the substrate processing apparatus according to the present invention with a conventional substrate processing apparatus is as follows.

본 발명에 따른 기판 처리 장치의 실시예는 전술된 바와 같이 쉐도우링(40)의 외주연 직경을 기판 안착 플레이트(30)와 같거나 작게 하여 기판 지지 어셈블리(50)와 챔버(10) 사이에 반응가스가 통과하는 유로(60)를 충분히 확보하고, 쉐도우링(40)의 상면에 10도 이하의 경사각도(θ), 정확하게는 10도의 경사 각도를 갖는 경사면(41)을 형성하였다.An embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention reacts between the substrate support assembly 50 and the chamber 10 by making the outer peripheral diameter of the shadow ring 40 equal to or smaller than the substrate seating plate 30 as described above. The channel 60 through which the gas passes was sufficiently secured, and an inclined surface 41 having an inclination angle θ of 10 degrees or less and an inclination angle of 10 degrees or less was formed on the upper surface of the shadow ring 40.

상기와 같이 실시예와 종래 기술(비교예)에 따라 준비된 기판 처리 장치에서 CVD 공정을 실시하여 웨이퍼 상에 박막을 형성한 다음, 박막의 두께를 측정하였다.As described above, a thin film was formed on the wafer by performing a CVD process in a substrate processing apparatus prepared according to the Examples and the prior art (comparative example), and then the thickness of the thin film was measured.

도 4는 실시예와 비교예에 따라 준비된 기판 처리 장치를 이용하여 제조된 박막의 두께를 나타내는 그래프로서, 도 4에 나타난 바와같이 비교예에 따른 박막은 중심부와 가장자리부의 두께차가 1000Å 이상인 반면에 실시예 1 및 2에 따른 박막은 중심부와 가장자리부의 두께차가 약 500Å으로서, 비교예에 비해 실시예 1 및 2의 균일성(Uniformity)이 상당히 향상된 것을 확인할 수 있다.4 is a graph showing the thickness of a thin film manufactured using the substrate processing apparatus prepared according to the Example and Comparative Example, as shown in FIG. In the thin films according to Examples 1 and 2, the thickness difference between the center portion and the edge portion was about 500 mm, and the uniformity of the Examples 1 and 2 was significantly improved compared to the comparative example.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 기판 지지 어셈블리와 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것 이다.What has been described above is merely an exemplary embodiment of a substrate support assembly, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiments, as claimed in the following claims. Without departing from the gist of the present invention, any person having ordinary knowledge in the field of the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

이상에서 설명된 바와같이, 본 발명은 쉐도우링의 크기를 기판 안착 플레이트와 같거나 작게 하여 챔버 내벽과의 사이에 유로를 충분히 확보하고, 쉐도우링의 상면에 경사면을 형성하여 샤워헤드에서 분사된 반응가스의 배기가 원활히 이루어지도록 함에 따라 기판 상에서 이루어지는 공정 예를 들어 화학기상증착 공정에 따른 박막의 균일성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, in the present invention, the size of the shadow ring is the same as or smaller than the substrate seating plate to sufficiently secure the flow path between the inner wall of the chamber, and the inclined surface is formed on the upper surface of the shadow ring to spray the shower head. As the gas is smoothly exhausted, there is an effect of improving the uniformity of the thin film according to a process performed on the substrate, for example, a chemical vapor deposition process.

또한, 비정질탄소막의 증착시와 같이 샤워헤드와 기판 사이의 반응 공간 간격이 상당히 좁아지더라도 기판 지지 어셈블리와 챔버 내벽 사이에 유로가 충분히 확보되어 미반응가스의 배기가 원활하게 이루어져서 증착시 박막두께 균일도를 개선하고, 증착 공정의 작업성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, even when the space of the reaction space between the showerhead and the substrate is considerably narrowed, such as in the deposition of the amorphous carbon film, sufficient flow path is secured between the substrate support assembly and the inner wall of the chamber, so that the unreacted gas is smoothly discharged, so that the thickness of the thin film is uniform during deposition. And it is effective to improve the workability of the deposition process.

Claims (15)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus, 내벽의 원주방향을 따라 상호 이격되어 상하방향으로 다수개의 안착가이드홈이 형성되는 챔버와;A chamber spaced apart from each other along the circumferential direction of the inner wall to form a plurality of seating guide grooves in the vertical direction; 상기 챔버 내부의 상부에 배치되어 상기 챔버 내부에 반응가스를 공급하는 샤워헤드와;A shower head disposed above the inside of the chamber and supplying a reaction gas into the chamber; 상기 챔버 내부의 하부에 승강되도록 설치되어 상기 챔버 내부로 인입된 기판이 안착되는 기판 안착 플레이트와;A substrate seating plate installed to be elevated below the inside of the chamber, and the substrate seating plate seated therein; 상기 기판의 가장 자리를 커버하고, 상기 챔버의 안착가이드홈에 지지 또는 가이드 되어 승강되도록 외주연을 따라 다수개의 안착돌기가 상호 이격되어 형성되며, 상기 안착돌기에는 관통공이 형성되는 쉐도우링을 포함하고,A plurality of seating protrusions are formed to be spaced apart from each other along an outer circumference to cover the edge of the substrate, and to be supported or guided by the seating guide groove of the chamber, and the seating protrusion includes a shadow ring formed with a through hole. , 상기 기판 안착 플레이트 및 상기 쉐도우링의 외주연은 상기 챔버의 내벽과 이격되어 상기 기판 안착 플레이트 및 쉐도우링을 둘러싸며 미반응가스를 상기 기판 안착 플레이트의 하부로 유도되는 유로를 형성하며,The outer periphery of the substrate seating plate and the shadow ring are spaced apart from the inner wall of the chamber to surround the substrate seating plate and the shadow ring, and form a flow path for inducing unreacted gas to the lower portion of the substrate seating plate. 상기 챔버의 내부에는 상기 유로보다 낮은 위치에 상기 미반응가스를 배기시키는 배기수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And an exhaust means for exhausting the unreacted gas at a position lower than the flow path inside the chamber. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 기판 안착 플레이트는 상기 챔버의 내벽과 이격되어 설치되고,The substrate seating plate is installed spaced apart from the inner wall of the chamber, 상기 쉐도우링은 외주연의 크기가 상기 기판 안착 플레이트의 외주연과 같거나 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The shadow ring is substrate processing apparatus, characterized in that the size of the outer circumference is less than or equal to the outer circumference of the substrate seating plate. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기판 안착 플레이트의 외주연은 상기 챔버의 내벽과 등간격으로 이격되어, 상기 유로의 폭이 일정한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The outer periphery of the substrate seating plate is spaced apart from the inner wall of the chamber at equal intervals, the substrate processing apparatus, characterized in that the width of the flow path is constant. 삭제delete 삭제delete 제 5항에 있어서, 상기 배기수단은The method of claim 5, wherein the exhaust means 상기 챔버의 내벽에 형성되는 배기공과;An exhaust hole formed in an inner wall of the chamber; 상기 배기공과 연결되고, 챔버 외부와 연통되어 미반응가스를 챔버 외부로 유도하는 배기로와;An exhaust passage connected to the exhaust hole and in communication with the outside of the chamber to direct unreacted gas to the outside of the chamber; 상기 배기로에 연결되는 배기배관에 설치되어 미반응가스를 배기시키는 배기펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And an exhaust pump installed in an exhaust pipe connected to the exhaust path to exhaust unreacted gas. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 배기공은 상기 챔버 내부의 하부에 다수개 형성되고, 상기 다수의 배기공은 상기 배기로와 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The plurality of exhaust holes are formed in the lower portion of the inside of the chamber, the plurality of exhaust holes are substrate processing apparatus, characterized in that connected to the exhaust passage. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 다수의 배기공은 상기 챔버의 내벽에 상호 등간격을 갖고, 같은 높이에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The plurality of exhaust holes are formed on the inner wall of the chamber with equal intervals and formed at the same height. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 쉐도우링은 그 상면의 내측이 소정부분 외측에서 내측으로 하향경사 지고, 상기 경사각도는 10도 이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The shadow ring is substrate processing apparatus, characterized in that the inside of the upper surface is inclined downward from the outside of the predetermined portion to the inside, the inclination angle is 10 degrees or less. 삭제delete 삭제delete
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