KR20100054313A - 신규의 갈륨 알콕사이드 화합물 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- -1 gallium alkoxide Chemical class 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 21
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-methylpropan-1-ol Chemical compound CN(C)C(C)(C)CO XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 12
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 12
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 12
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000001460 carbon-13 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- WXXZSFJVAMRMPV-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) fluoride Chemical compound F[Ga](F)F WXXZSFJVAMRMPV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
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Abstract
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 갈륨 알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x
[상기 화학식 1에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이다.]
본 발명에 따르는 갈륨 화합물은 갈륨 또는 산화 갈륨의 전구체로서 상온에서 액체 또는 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 휘발되는 특성을 나타내므로 갈륨을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 갈륨 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
갈륨, 갈륨 산화물 전구체, 갈륨 산화물, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD)
Description
본 발명은 신규한 갈륨 3가의 알콕사이드 화합물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 갈륨을 포함하는 물질을 제조하는데 전구체로서 유용한 갈륨 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
갈륨 옥사이드(Ga2O3)는 가스 센서(gas sensors), 투과성 전도체( transparent conductor), 형광체(phosphor) 등에 대한 새로운 물질로서 관심을 받고 있으며 넓은 밴드 갭 화합물(wide band gap compound, 4.8 eV)로서 다른 화합물의 첨가에 의해 산소가 약간 부족한 상태에서는 n-타입 반도체(n-type semiconductor)가 된다. 또한 Ga2O3는 상온에서는 전기 절연체(electrical insulator)이고, 화학적, 열적으로 안정한 단사결정계 형태(monoclinic form)를 갖는 500 ℃ 이상의 온도에서는 반도체(semiconducting)이다. 900 ℃ 이상에서는 산소의 농도에 의존해 전기 전도성이 변하기 때문에 산소의 농도(oxygen concentration)를 검출할 수 있다. 900 ℃ 이하에서는 에탄올과 같은 가스를 줄이기 위한 표면 조절 형태의 센서(surface-control-type sensor)로 작용한다. 그러므로 온도에 따른 가스 센서(gas sensor)로 이용할 수 있다(J. S. Kim, S. B. Lee, J. H. Bahng, J. C. Choi, H. L. Park, S. I. Mho, T. W. Kim, Y. H. Whang, G. C. Kim, Phys. Stat. Sol. , 2001, 187, 569; S. Basharat, C. J. Carmalt, S. J. King, E. S. Peters, D. A. Tocher, Dalton Trans., 2004, 3475; R. Binions, C. J. Carmalt, I. P. Parkin, K. F. E. Pratt, G. A. Shaw, Chem. Mater., 2004, 16, 2489). 그리고 β-Ga2O3와 비결정성(amorphous) Ga2O3는 박막 전기 발광 소자(thin-film electroluminescent(TFEL) devices)에서의 새로운 형광 임자(phosphor host) 물질로서 집중을 받고 있다. 또한 Ga2O3:Mn, Ga2O3:Cr, Ga2O3:Eu는 박막 방출 층(thin-film emitting layer)과 두꺼운 세라믹 절연층(thick ceramic insulating layer)에서 높은 발광 다색 방출(high luminescence multicolor emissions)이 관찰되었다(T. Miyata, T. Nakatani, T. Minami, Thin Solid Films, 2000, 373, 145; T. Minami, H. Yamada, Y. Kubota, T. Miyata, Jpn. J. Appl. Phys., 1997, 31, L1191; T. Xiao, A. H. Kitai, G. Liu, A. Nakua, J. Barbier, Appl. Phys. Lett., 1998, 72, 3356). 또한 전사법(lithography), 표면 개질(surface modification), 음이온 발생 (anion generation), 멸균 등의 목적으로 자외선 이용이 증가되고 있는데, 넓은 영역의 자외선 광학(deep UV optics)과 융화할 수 있는 물질의 중요성 또한 증대되고 있다. 이러한 관점에서 주석(tin)이 도핑된 β-Ga2O3 막은 넓은 영역 의 자외선 빛을 투과함과 동시에 전기전도성을 나타내는 독특한 산화물 막(oxide film)이라고 할 수 있다(M. Orita, H. Hiramatsu, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Thin Solid Films, 2002, 411, 134; M. Orita, H. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 4166).
산화 갈륨 증착에 사용되고 있는 전구체로는 [Ga(hfac)]3 (hfac = hexafluoroacetoacetonate), [Ga(OCH(CF3)2)3(HNMe2)]등과 같은 불소(fluorine)를 포함하는 화합물과 [Ga(OBut)3]2, [Ga(OPri)3]4, [Ga(OCMe2Et)3]2 등의 갈륨 알콕사이드가 알려져 있다. 그러나 위에서 언급된 불소 함유 화합물들은 박막 증착 시 불소에 의해 불화갈륨(GaF3)이 형성되어 박막에 오염을 일으키며 알콕사이드 형태의 화합물은 단위체가 아니기 때문에 휘발성이 좋지 않은 단점을 가지고 있다(G. A. Battiston, R. Gerbasi, M. Porchia, R. Bertoncello, F. Caccavale, Thin Solid Films, 1996, 279,115; L. Miinea, S. Suh, S. G. Bott, J.-R. Liu, W.-K. Chu, D. M. Hoffmam, J. Mater. Chem., 1999, 9, 929; M. Valet, D. M. Hoffman, Chem. mater., 2001, 13, 2135).
이상과 같이 종래에 알려진 갈륨 3가 화합물은 충분하지 못한 휘발성, 제조된 막에 생기는 불소(fluorine) 오염 등의 문제점을 가지고 있다. 따라서 산화 갈륨 박막의 제조를 위한 전구체로서 화합물 자체에 불소를 포함하지 않으면서 높은 휘발성을 나타내는 갈륨 3가 화합물 및 나노 물질의 용이한 합성을 위해 유기 용매 에 용해도가 좋으며 낮은 온도에서도 분해될 수 있는 갈륨 3가 화합물의 개발은 그 의미가 상당히 크다고 할 수 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 열적으로 안정하면서 휘발성이 매우 높으며 낮은 온도에서 순수한 산화갈륨의 제조가 가능한, 불소나 염소를 포함하지 않는 알콕사이드를 포함하는 갈륨 화합물 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 열적으로 안정하면서 휘발성이 매우 높으며 낮은 온도에서 순수한 산화 갈륨의 제조가 가능한 신규의 갈륨 알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨 알콕사이드 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x
[상기 화학식 1에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이다.]
더 상세하게는 상기 화학식 1의 갈륨 알콕사이드 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 갈륨 알콕사이드 화합물을 포함한다.
[화학식 2]
Ga[O-CR4R5(CH2)m-NR1R2]x[R3]3-x
[상기 화학식 2에서, R1 내지 R5는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이고; m은 1 내지 3의 정수이다.]
보다 바람직하게는 상기 화학식 2에서 m이 1 또는 2인 갈륨 알콕사이드 화합물이 바람직하며, 구체적으로는 상기 화학식 2에서 R1 내지 R5는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되는 갈륨 알콕사이드 화합물이 예시된다.
이하, 본 발명에 따른 갈륨 알콕사이드 화합물의 제조방법을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 갈륨 알콕사이드 화합물은 출발 물질로서 하기 화학식 3으로 표시되는 갈륨 화합물과 화학식 4로 표시되는 알코올을 유기 용매에서 반응시켜 얻을 수 있으며, 상기 화학식 1의 갈륨 알콕사이드 화합물을 제조하기 위한 반응식은 하기 반응식 1로 나타낼 수 있다.
[화학식 1]
Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x
[화학식 3]
GaR3 3
[화학식 4]
HO-A-NR1R2
[반응식 1]
GaR3 3 + x HO-A-NR1R2 → Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x
[상기 화학식 1, 화학식 3 내지 화학식 4, 및 반응식 1에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이다.]
본 발명에 따른 화학식 1의 갈륨 화합물 Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x를 제조하는 다른 방법으로 하기 화학식 5로 표시되는 갈륨 화합물과 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 x당량을 유기용매에서 반응시키는 방법이 있다. 이에 대한 반응식을 하기 반응식 2로 나타낼 수 있다.
[화학식 5]
Ga[X]x[R3]3-x
[화학식 6]
MO-A-NR1R2
[반응식 2]
Ga[X]x[R3]3-x + X MO-A-NR1R2 → Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x
[상기 화학식 1, 화학식 5, 화학식 6 및 반응식 2에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이고; M은 Li, Na 또는 K이며; X는 Cl, Br 또는 I이다.]
본 발명에 따른 하기 화학식 8의 갈륨 화합물 Ga[O-A-NR1R2]3를 제조하는 다른 방법으로 하기 화학식 7로 표시되는 갈륨 화합물과 상기 화학식 4로 표시되는 알코올을 유기용매에서 반응시키는 방법이 있다. 이에 대한 반응식을 하기 반응식 3로 나타낼 수 있다.
[화학식 7]
Ga[NR6 2]3
[화학식 8]
Ga[O-A-NR1R2]3
[반응식 3]
Ga[NR6 2]3 + 3 HO-A-NR1R2 → Ga[O-A-NR1R2]3 + 3 HNR6 2
[상기 화학식 7, 화학식 8 및 반응식 3에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; R6는 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C1-C5)알킬실릴기이며; x는 1 내지 3의 정수이다.]
상기 화학식 1의 신규한 갈륨 산화물 전구체인 갈륨 알콕사이드 화합물 Ga[O-A-NR1R2]x[R]3 3-x는 안정한 착화합물이고, 금속과 결합하는 알콕사이드의 산소에 대하여 α-탄소 위치에 비극성 알킬기가 결합해 있어 유기 용매에 대한 친화성이 높고, 중심 금속이 이웃한 리간드의 산소와 분자 간 상호 작용을 일으키지 못하도록 입체 장애를 주기 때문에 단위체로 존재할 수 있다. 이러한 구조적 특성으로 인하여 상기 화학식 1의 갈륨 산화물용 전구체는 상온에서 안정한 고체 또는 액체로서 유기 용매, 예를 들면 벤젠, 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 클로로포름 등에 대한 용해도가 높고, 휘발성이 뛰어날 뿐만 아니라, 할로겐 원소를 포함하지 않기 때 문에, 이들을 사용하여 질이 더 좋은 갈륨 산화물 박막을 얻을 수 있다.
본 발명에서 합성한 갈륨 알콕사이드 화합물의 열적 안정성, 휘발성 및 분해 온도를 열중량 분석 및 시차 열분석(thermogravimetric analysis/differential thermal analysis, TGA/DTA)을 이용하여 조사하였다. 도 4에서 나타낸 바와 같이 Me2Ga(dmamp) 화합물은 200 ℃ 이하에서 급격한 무게 감소가 일어난다. 또한 단일 step을 나타내고 있으며 잔류량은 26.39 %이다.
이와 같은 결과로서 본 발명에서 합성한 갈륨 산화물 전구체인 갈륨 알콕사이드 화합물(화학식 1)은 분해 온도 이전에 충분한 휘발성을 보일 뿐만 아니라 유기 용매에 대해 용해도가 높기 때문에 반도체 제조 공정에 널리 이용하는 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD) 공정 또는 원자층 증착법(ALD)에 바람직하게 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 갈륨 화합물은 갈륨 산화물의 제조에 유리하도록 산소 원자 리간드와 결합하고 있고, 휘발성을 개선시켜줄 알콕사이드가 결합되어 있어 열안정성 및 휘발성이 우수할 뿐만 아니라, 보관이 유리하여 특히 질이 우수한 산화막을 제조해야 하는 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD)이나 원자층 증착법(ALD)용의 갈륨 산화물 전구체로서 유용하게 사용할 수 있다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 더 잘 이해할 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부한 특허 청구 범위에 의하여 한정되는 보호 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
[실시예]
모든 실험은 장갑 상자 또는 슐렝크 관(Schlenk line)을 이용하여 비활성 아르곤 또는 질소 분위기에서 수행하였다. 반응 생성물의 구조는 양성자 핵자기 공명 분광법(1H NMR), 탄소 원자 핵자기 공명 분광법(13C NMR), 푸리에 변환 적외선 분광(FT-IR) 분석 및 원소 분석법 (elemental analysis, EA) 및 열무게 분석법/시차 열분석법(thermogravimetric analysis/differential thermal analysis, TGA/DTA)을 이용하여 분석하였다.
[실시예 1] [1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시][다이메틸]갈륨 [Me2Ga(dmamp)]의 합성 I
GaMe3 + HOC(CH3)2CH2N(CH3)2 → Me2Ga[OC(CH3)2CH2N(CH3)2] + CH4
디에틸에테르(diethyl ether, 50 mL)가 들어 있는 125 mL 슐렝크 플라스크에 GaMe3 [2.30 g, 20 mmol]을 넣고 여기에 디에틸에테르(diethyl ether, 30 mL)에 녹인 dmampH [1-dimethylamino-2-methyl-2- propanol, 2.34 g, 20 mmol]을 첨가했다. 이 혼합 용액을 하루 동안 교반하고, 용액을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하였다. 얻어진 액체를 증류하여(84 ℃/10-2 Torr) 두 개의 메틸기와 하나의 알콕사이드가 결합한 표제의 갈륨 화합물을 무색 액체로 얻었다(3.59 g, 수율 83%).
본 실시예에서 합성한 갈륨 산화물 전구체의 양성자 핵자기 공명 분광(1H NMR) 분석 결과를 도 1에, 탄소 원자 핵자기 공명 분광(13C NMR) 분석 결과를 도 2에, 푸리에 변환 적외선 분광 (FT-IR) 분석 결과를 도 3에, 열중량 분석 (TGA) 및 시차 열분석 (DTA) 결과를 도 4에 나타내었다.
1H NMR (C6D6, 300.13MHz): -0.03, (s, 6H, Ga(CH 3)2), 1.28 (s, 6H, C(CH 3)2), 1.91 (s, 6H, N(CH 3)2), 2.01 (s, 2H, CH 2).
13C NMR (C6D6, 75.47MHz): -3.5, 32.3, 47.7, 71.8, 101.6.
FT-IR (cm-1, KBr pellet): υ(Ga-O) 638
원소 분석 C8H20NOGa {Calcd. (Found)}: C, 44.49 (44.01); H, 9.33 (9.45); N, 6.49 (7.37).
[실시예 2] [1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시][다이메틸]갈륨 [Me2Ga(dmamp)]의 합성 II
Me2GaCl + LiOC(CH3)2CH2N(CH3)2 → Me2Ga[OC(CH3)2CH2N(CH3)2]
THF (50 mL)가 들어있는 125 mL 슐렝크 플라스크에 Me2GaCl [1.35 g, 10 mmol]을 넣고 여기에 THF (30 mL)에 녹인 Li(dmamp) [1.23 g, 10 mmol]을 첨가했다. 이 혼합용액을 하루 동안 교반하고, 용액을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하였다. 이후 실시예 1과 동일한 방법으로 얻어진 액체를 증류하여 표제 화합물을 제조하였다.
[실시예 3] 트리스[1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시]갈륨 [Ga(dmamp)3]의 합성 I
Ga[N(Si(CH3)3)2]3 + 3 HOC(CH3)2CH2N(CH3)2 → Ga[OC(CH3)2CH2N(CH3)2]3
톨루엔 (50 mL)가 들어있는 125 mL 슐렝크 플라스크에 Ga[N(Si(CH3)3)2]3 [5.50 g, 10.0 mmol]을 넣고 여기에 톨루엔 (50 mL)에 녹인 dmampH [3.51 g, 30.0 mmol]를 첨가했다. 이 혼합 용액을 하루 동안 교반하고, 용액을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하여 얻어진 고체를 승화하여(60℃/ 10-2 Torr) 세 개의 알콕사이드가 결합한 표제의 갈륨 화합물을 흰색 고체로 얻었다(2.55 g, 61.0%).
본 실시예에서 합성한 갈륨 산화물 전구체의 양성자 핵자기 공명 분광(1H NMR) 분석 결과를 도 5에, 열중량 분석 (TGA) 및 시차 열분석 (DTA) 결과를 도 6에 나타내었다. 도 6으로부터, Ga(dmamp)3 는 200 ℃ 까지 급격히 무게감소가 일어나고 최종 잔류량이 31.39 %이다.
1H NMR (C6D6, 300.13MHz): 1.23 (s, 6H, Ga(CH 3)2), 1.39 (s, 6H, C(CH 3)2), 1.81 (s, 1H, NCH 2), 1.85 (s, 1H, NCH 2), 2.31 (s, 6H, N(CH 3)2), 2.36 (s, 6H, N(CH 3)2), 2.43 (s, 1H, NCH 2), 2.47 (s, 1H, NCH 2).
[실시예 4] 트리스[1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시]갈륨 [Ga(dmamp)3]의 합성 II
GaMe3 + 3 HOC(CH3)2CH2N(CH3)2 → Ga[OC(CH3)2CH2N(CH3)2]3
톨루엔 (50 mL)가 들어있는 125 mL 슐렝크 플라스크에 GaMe3 [1.15 g, 10.0 mmol]을 넣고 여기에 톨루엔 (50 mL)에 녹인 dmampH [3.51 g, 30.0 mmol]를 첨가했다. 이 혼합 용액을 하루 동안 교반하고, 용액을 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거하였다. 얻어진 고체를 승화하여(60℃/ 10-2 Torr) 세 개의 알콕사이드가 결합한 표제의 갈륨 화합물을 흰색 고체로 얻었다.
도 1은 실시예 1에서 제조한 Me2Ga(dmamp) 화합물의 1H NMR 분석 결과이고,
도 2는 실시예 1에서 제조한 Me2Ga(dmamp) 화합물의 13C NMR 스펙트럼이고,
도 3은 실시예 1에서 제조한 Me2Ga(dmamp) 화합물의 푸리에 변환 FT-IR 분석 결과이고,
도 4는 실시예 1에서 제조한 Me2Ga(dmamp) 화합물의 열중량 분석(TGA) 및 시차 열분석 (DTA) 결과를 나타내는 그래프이다.
도 5는 실시예 3에서 제조한 Ga(dmamp)3 화합물의 1H NMR 분석 결과이고,
도 6은 실시예 3에서 제조한 Ga(dmamp)3 화합물의 열중량 분석(TGA) 및 시차 열분석 (DTA) 결과를 나타내는 그래프이다.
Claims (9)
- 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨 알콕사이드 화합물.[화학식 1]Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x[상기 화학식 1에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이다.]
- 제 1항에 있어서,하기 화학식 2로 표시되는 갈륨 알콕사이드 화합물.[화학식 2]Ga[O-CR4R5(CH2)m-NR1R2]x[R3]3-x[상기 화학식 2에서, R1 내지 R5는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이고; m은 1 내지 3의 정수이다.]
- 제 2항에 있어서,상기 m이 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 갈륨 알콕사이드 화합물.
- 제 2항에 있어서,상기 R1 내지 R5는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 갈륨 알콕사이드 화합물.
- 하기 화학식 3으로 표시되는 갈륨 화합물과 화학식 4로 표시되는 알코올을 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 갈륨 알콕사이드 화합물의 제조방법.[화학식 1]Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x[화학식 3]GaR3 3[화학식 4]HO-A-NR1R2[상기 화학식 1, 화학식 3 내지 4에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이다.]
- 하기 화학식 5로 표시되는 갈륨 화합물과 화학식 6로 표시되는 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 갈륨 알콕사이드 화합물의 제조방법.[화학식 1]Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x[화학식 5]Ga[X]x[R3]3-x[화학식 6]MO-A-NR1R2[상기 화학식 1, 화학식 5 및 화학식 6에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A 는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이고; M은 Li, Na 또는 K이며; X는 Cl, Br 또는 I이다.]
- 하기 화학식 7로 표시되는 갈륨 화합물과 하기 화학식 4로 표시되는 알코올을 반응시켜 하기 화학식 8의 갈륨 알콕사이드 화합물을 제조하는 것을 특징으로 하는 갈륨 알콕사이드 화합물의 제조방법.[화학식 4]HO-A-NR1R2[화학식 7]Ga[NR6 2]3[화학식 8]Ga[O-A-NR1R2]3[상기 화학식 4, 화학식 7 및 화학식 8에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R2 는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; R6는 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C1-C5)알킬실릴기이다.]
- 제 1항 내지 제 4항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 갈륨 알콕사이드 화합물을 전구체로 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 산화물 박막의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,갈륨 산화물 박막은 화학기상 증착법(MOCVD) 또는 원자층 증착법(ALD)으로 형성되는 갈륨 산화물 박막의 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
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| TWI711623B (zh) * | 2018-04-18 | 2020-12-01 | 韓商韓松化學有限公司 | 化合物、包含其之前驅物以及製造薄膜的方法 |
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| WO2022118834A1 (ja) * | 2020-12-04 | 2022-06-09 | 株式会社Adeka | インジウム化合物、薄膜形成用原料、薄膜及びその製造方法 |
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- 2008-11-14 KR KR1020080113183A patent/KR101052360B1/ko active IP Right Grant
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