KR20100027525A - 키 스캔 회로 - Google Patents

키 스캔 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20100027525A
KR20100027525A KR1020080086468A KR20080086468A KR20100027525A KR 20100027525 A KR20100027525 A KR 20100027525A KR 1020080086468 A KR1020080086468 A KR 1020080086468A KR 20080086468 A KR20080086468 A KR 20080086468A KR 20100027525 A KR20100027525 A KR 20100027525A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
key
current
circuit
transistor
key scan
Prior art date
Application number
KR1020080086468A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100978662B1 (ko
Inventor
권용일
홍경희
황상훈
박타준
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020080086468A priority Critical patent/KR100978662B1/ko
Priority to US12/422,527 priority patent/US8164489B2/en
Publication of KR20100027525A publication Critical patent/KR20100027525A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100978662B1 publication Critical patent/KR100978662B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M11/00—Coding in connection with keyboards or like devices, i.e. coding of the position of operated keys
    • H03M11/20—Dynamic coding, i.e. by key scanning
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04166—Details of scanning methods, e.g. sampling time, grouping of sub areas or time sharing with display driving
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/033—Pointing devices displaced or positioned by the user, e.g. mice, trackballs, pens or joysticks; Accessories therefor
    • G06F3/038—Control and interface arrangements therefor, e.g. drivers or device-embedded control circuitry

Abstract

본 발명의 일 측면은, 저항 및 스위치가 직렬 연결된 회로가 전원 입력단과 키 스캔단 사이에 복수개 병렬로 연결되며, 병렬 연결되는 복수개의 저항은 각각 서로 다른 저항값을 갖는 키 입력부와, 상기 키 스캔단에 일단이 연결되는 전류 미러 회로, 및 상기 전류 미러 회로의 타단과 상기 전원 입력단 사이에 연결되는 기준 전류원을 포함하는 키 스캔 회로를 제공할 수 있다.
Figure P1020080086468
키 스캔(key scan), 전류 미러(current mirror)

Description

키 스캔 회로{KEY SCANNING CIRCUIT}
본 발명은 키 스캔 회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전류 분배를 사용하여 키 입력부의 상태를 스캔함으로써 누설 전류를 줄이고, 소형화 및 회로의 간소화가 가능한 키 스캔 회로에 관한 것이다.
키(key)가 복수개 배치되어 있는 입력장치는, 전자 제품에 다양하게 사용되고 있다. 입력 장치에 배치되어 있는 키를 사용자가 누르면 전자 제품에 특정한 명령을 입력할 수 있다.
이러한 키 입력장치에서는 일반적으로 마이크로 프로세서에서 키의 온/오프를 인지하는 방식이 사용되고 있다. 이를 위해서 복수의 키를 매트릭스로 연결하고, 각각의 교차점에서 상기 마이크로 프로세서의 입력단 및 출력단에 접속함으로써 어느 교차점에 있는 키가 온(on) 되어있는지를 판단하도록 하고 있다.
그러나, 이러한 키 매트릭스를 이용한 키 스캔 방법에 있어서는 마이크로 프로세서에서 키의 온/오프를 인지하기 위한 포트를 여러개 형성해야 하므로 다른 데이터의 입출력을 위해서는 더 많은 포트를 갖는 마이크로 프로세서를 사용해야 하 므로 제조원가가 비싸지고 기판의 면적이 커지는 문제점이 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 전류 분배 회로를 사용하여 키 입력부의 상태를 스캔함으로써 누설 전류를 줄이고, 소형화 및 회로의 간소화가 가능한 키 스캔 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면은, 저항 및 스위치가 직렬 연결된 회로가 전원 입력단과 키 스캔단 사이에 복수개 병렬로 연결되며, 병렬 연결되는 복수개의 저항은 각각 서로 다른 저항값을 갖는 키 입력부와, 상기 키 스캔단에 일단이 연결되는 전류 미러 회로, 및 상기 전류 미러 회로의 타단과 상기 전원 입력단 사이에 연결되는 기준 전류원을 포함하는 키 스캔 회로를 제공할 수 있다.
상기 키 스캔 회로는, 상기 전류 미러 회로의 일단이 키 입력 신호를 검출하는 외부의 검출수단에 연결될 수 있다.
상기 전류 미러 회로는, 상기 기준 전류원에 흐르는 전류와 동일한 전류를 상기 키 입력부에 흐르게 할 수 있다.
상기 전류 미러 회로는, 상기 키 스캔단에 드래인이 연결되며 소스는 접지되 는 제1 트랜지스터와, 상기 기준 전류원에 드래인이 연결되고, 소스는 접지되고, 상기 드래인 및 게이트가 연결되며, 상기 게이트가 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 연결되는 제2 트랜지스터, 및 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 게이트에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 캐패시터를 포함할 수 있다.
상기 전류 미러 회로는, 상기 제1 트랜지스터의 드래인과 소스 사이에 연결되어 누설 전류를 제거하는 제3 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일측면은, 저항 및 스위치가 직렬 연결된 회로가 전원 입력단과 키 스캔단 사이에 복수개 병렬로 연결되며, 병렬 연결되는 복수개의 저항은 각각 서로 다른 저항값을 갖는 키 입력부와, 상기 키 스캔단에 일단이 연결되는 전류 미러 회로, 및 상기 전류 미러 회로의 타단과 상기 전원 입력단 사이에 연결되는 기준 저항을 포함하는 키 스캔 회로를 제공할 수 있다.
상기 키 스캔 회로는, 상기 전류 미러 회로의 타단이 키 입력 신호를 검출하는 외부의 검출수단에 연결될 수 있다.
상기 전류 미러 회로는, 상기 키 입력부에 흐르는 전류와 동일한 전류를 상기 기준 저항으로 흐르게 할 수 있다.
상기 전류 미러 회로는, 상기 기준 저항에 드래인이 연결되며 소스는 접지되는 제1 트랜지스터와, 상기 키 스캔단에 드래인이 연결되고, 소스는 접지되고, 상기 드래인 및 게이트가 연결되며, 상기 게이트가 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 연결되는 제2 트랜지스터, 및 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 게이트에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 캐패시터를 포함할 수 있다.
상기 전류 미러 회로는, 상기 키 스캔단과 제2 트랜지스터 사이에 형성되는 제3 트랜지스터, 및 상기 제3 트랜지스터의 소스와 게이트 사이에 형성되는 제4 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전류 분배 회로를 사용하여 키 입력부의 상태를 스캔함으로써 누설 전류를 줄이고, 소형화 및 회로의 간소화가 가능한 키 스캔 회로를 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하겠다.
도 1은, 본 발명의 일실시 형태에 따른 키 스캔 회로의 회로도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시형태에 따른 키 스캔 회로(100)는, 키 입력 부(110), 전류 미러 회로(120), 및 기준 전류원(130)을 포함할 수 있다.
상기 키 입력부(110)는, 저항(111) 및 스위치(112)가 직렬로 연결된 회로가 복수개 병렬로 연결될 수 있다.
상기 키 입력부(110)는 일단이 전원 입력단(101)에 연결되고, 타단은 키 스캔단(102)에 연결될 수 있다. 상기 키 입력부(110)에서 병렬 연결된 복수개의 저항(R1, R2,...Rn)은 각각 서로 다른 저항값을 가질 수 있다. 상기 복수개의 저항 각각에 직렬 연결되는 스위치(SW1, SW2,...SWn)는 키 입력에 따라 온/오프 될 수 있다. 상기 스위치의 동작에 따라 상기 전원 입력단(101) 및 키 스캔단(102)을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 전류 미러 회로(120)는 일단이 상기 키 스캔단(102)에 연결되고, 타단은 상기 기준 전류원(130)에 연결될 수 있다. 상기 전류 미러 회로(120)는 상기 기준 전류원에 흐르는 전류(Iref)와 동일한 크기의 전류가 상기 키 입력부(110)에 흐르게 할 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 전류 미러 회로(120)는, 상기 키 스캔단(102)에 드래인이 연결되며 소스는 접지되는 제1 트랜지스터(121), 상기 기준 전류원(130)에 드래인이 연결되고, 소스는 접지되고, 상기 드래인 및 게이트가 연결되며, 상기 게이트가 상기 제1 트랜지스터(121)의 게이트와 연결되는 제2 트랜지스터(122), 및 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 게이트에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 캐패시터(123)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 전류 미러 회로(120)는, 상기 제1 트랜지스터(121)의 드래인과 소스 사이에 연결되는 제3 트랜지스터(124)를 더 포함할 수 있으며, 상기 제3 트랜지스터(124)는 상기 키 스캔단(102)의 전압을 그라운드에 연결하여 기생 캐패시터에 의한 유동(floating) 전압을 방전하여 동작 오류를 방지할 수 있고, 기준 전류원을 오프시켜 누설 전류를 제거할 수 있다.
상기 기준 전류원(130)에 흐르는 전류와 동일한 세기의 전류를 상기 키 입력부(110)에 흐르게 할 수 있다면, 상기 전류 미러 회로(120)의 형태는 다양하게 구현될 수 있다.
상기 키 스캔 회로(100)의 구체적인 작동원리를 설명하겠다.
먼저 상기 전원 입력단(101)에 외부의 전원(Vdd)이 연결되고 상기 키 입력부(110)에서 하나의 스위치가 온(on) 되면, 상기 전원 입력단(101)과 키 스캔단(102)이 전기적으로 연결되어, 상기 기준 전류원(130)에서 기준 전류(Iref)가 발생될 수 있다.
상기 전류 미러 회로(120)에 의해서, 상기 기준 전류원(130)에 흐르는 기준 전류(Iref)와 동일한 크기의 전류(In)가 상기 키 입력부(110) 중 온(on)된 스위치를 통해 흐를 수 있다.
이 때, 상기 키 입력부를 흐르는 전류(In)의 세기는 이미 기준 전류(Iref)에 의해 정해졌으므로, 상기 키 입력부(110)에서 온(on)되는 스위치에 연결된 저항값에 따라 상기 키 입력부(110)에 걸리는 전압의 크기가 달라질 수 있다. 즉, SW1이 온 된 경우에는 상기 키 입력부에 걸리는 전압은 상기 SW1에 연결된 저항(R1)과 상기 기준 전류(Iref)를 곱한 값이 될 수 있다.
따라서, 상기 키 스캔단(102)에서의 전압을 측정하는 식을 아래와 같이 쓸 수 있다.
Figure 112008062552574-PAT00001
여기서, V1 은 상기 키 스캔단(102)에서의 전압을 나타내고, Vdd는 상기 전원 입력단(101)에서의 전압, Rn 은 온(on)된 스위치에 직렬 연결된 저항값, In은 상기 Rn을 흐르는 전류를 나타낸다. 상기에서 검토한 바와 같이, In은 상기 기준 전류원(130)에 흐르는 전류인 Iref와 동일한 세기를 갖는 전류일 수 있다.
이처럼, 본 실시형태에서는 키 입력부(110)에서 키 입력에 의해 스위치가 온(on) 되고, 이에 따라 상기 전원 입력단(101)과 키 스캔단(102)이 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 온 된 스위치에 연결된 저항을 통과하는 전류는 기준 전류원(130)에 흐르는 전류와 동일하므로 상기 키 스캔단(102)에서의 전압을 구할 수 있다.
상기 키 입력부(110)에는 저항 및 스위치가 직렬 연결된 회로가 복수개 병렬 연결되어 있어, 외부에서 키 입력시 어느 하나의 스위치를 온(on) 상태로 작동시킬 수 있다. 상기 키 입력부(110)에서 복수개의 병렬 연결된 스위치(SW1, SW2,...SWn) 중 하나의 스위치가 온 되면 상기 온(on)된 스위치에 연결된 저항에 의해 상기 전원 입력단(101)과 키 스캔단(102) 사이의 전압차가 결정될 수 있다.
상기 키 입력부(110)에서 스위칭 동작에 따라 상기 키 스캔단(102)에서의 전압이 다르므로, 상기 키 스캔단(102)을 외부의 검출수단(160)과 연결하여, 상기 키 스캔단(102)에서의 전압에 의해 상기 키 입력부(110)의 동작 상태를 측정할 수 있다. 즉, 상기 키 입력부(110)에 형성된 복수개의 스위치 중 어떤 스위치가 온 되어 있는지를 검출하여 키 입력을 스캔할 수 있다. 상기 외부의 검출수단은 아날로그 디지털 컨버터(ADC : Analog-Digital Converter)일 수 있다.
이처럼, 본 실시형태에서는 키 스캔단(102)에서의 전압만을 측정함으로써 키 입력부(110)의 동작상태를 검출할 수 있으므로, 마이크로 프로세서와 연결되는 포트를 줄일 수 있어서, 회로의 간소화 및 소형화에 유리할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 전류 미러 회로 및 전류 분배를 사용하여 키 입력부의 상태를 스캔하므로, 전압 분배에 의한 경우보다 누설 전류를 줄일 수 있어서, 슬립 모드(sleep mode)를 지원하는 RF 방식의 리모콘에 사용될 때 리모콘의 수명을 연장시킬 수 있다.
도 2는, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 키 스캔 회로의 회로도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시형태에 따른 키 스캔 회로(200)는, 키 입력 부(210), 전류 미러 회로(220), 및 기준 저항(230)을 포함할 수 있다.
상기 키 입력부(210)는, 저항(211) 및 스위치(212)가 직렬로 연결된 회로가 복수개 병렬로 연결될 수 있다.
상기 키 입력부(210)는 일단이 전원 입력단(201)에 연결되고, 타단은 키 스캔단(202)에 연결될 수 있다. 상기 키 입력부(210)에서 병렬 연결된 복수개의 저항(R1, R2,...Rn)은 각각 서로 다른 저항값을 가질 수 있다. 상기 복수개의 저항 각각에 직렬 연결되는 스위치(SW1, SW2,...SWn)은 키 입력에 따라 온/오프 될 수 있다. 상기 스위치의 동작에 따라 상기 전원 입력단(201) 및 키 스캔단(202)을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 전류 미러 회로(220)는 일단이 상기 키 스캔단(202)에 연결되고, 타단은 상기 기준 저항(230)에 연결될 수 있다. 상기 전류 미러 회로(220)는 상기 키 입력부(210)에 흐르는 기준 전류(Iref)와 동일한 크기의 전류가 상기 기준 저항(230)에 흐르게 할 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 전류 미러 회로(220)는, 상기 기준 저항(230)에 드래인이 연결되며 소스는 접지되는 제1 트랜지스터(221), 상기 키 스캔단(202)에 드래인이 연결되고, 소스는 접지되고, 상기 드래인 및 게이트가 연결되며, 상기 게이트가 상기 제1 트랜지스터(221)의 게이트와 연결되는 제2 트랜지스터(222), 및 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 게이트에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 캐패시터(223)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 전류 미러 회로(220)는, 상기 키 스캔단(202)과 제2 트랜지스터(222) 사이에 형성되는 제3 트랜지스터(224), 및 상기 제3 트랜지스터(224)의 소스와 게이트 사이에 형성되는 제4 트랜지스터(225)를 더 포함할 수 있다.
상기 제3 트랜지스터(224) 및 제4 트랜지스터(225)는, Iref를 제로(0)로 만들어 누설 전류를 제거하고, 또한 상기 키 스캔단(202)의 전압을 접지에 연결하여 기생 캐패시턴스에 의한 유동(floating) 전압을 방전하여 동작 오류를 방지할 수 있다.
상기 키 입력부(210)에 흐르는 전류와 동일한 세기의 전류를 상기 기준 저항(230)에 흐르게 할 수 있다면, 상기 전류 미러 회로(220)의 형태는 다양하게 구현될 수 있다.
상기 키 스캔 회로(200)의 구체적인 작동원리를 설명하겠다.
먼저 상기 전원 입력단(201)에 외부의 전원(Vdd)이 연결되고 상기 키 입력부(210)에서 하나의 스위치가 온(on) 되면, 상기 전원 입력단(201)과 키 스캔단(202)이 전기적으로 연결되어, 상기 키 입력부(210)를 흐르는 기준 전류(Iref)가 발생될 수 있다.
상기 전류 미러 회로(220)에 의해서, 상기 키 입력부(210)에 흐르는 기준 전류(Iref)와 동일한 크기의 전류(In)가 상기 기준 저항(230)으로 흐를 수 있다.
이 때, 상기 키 입력부를 흐르는 전류(Iref)의 세기는 상기 키 입력부(210) 에서 온(on)되는 스위치에 연결된 저항값에 따라 달라질 수 있다. 또한, 상기 키 입력부에 걸리는 전압은 온 되는 스위치에 따라 달라질 수 있다. 즉, SW1이 온 된 경우에는 상기 키 입력부에 걸리는 전압은 상기 SW1에 연결된 저항(R1)과 상기 기준 전류(Iref)를 곱한 값이 될 수 있다.
상기 전류 미러 회로(220)에 의해, 상기 기준 저항(230)을 흐르는 전류(In)는 상기 키 입력부(210)에 흐르는 전류(Iref)와 동일하므로 상기 기준 저항(230)의 일단에서의 전압을 측정하는 식을 아래와 같이 쓸 수 있다.
Figure 112008062552574-PAT00002
여기서, V1 은 상기 기준 저항(230)의 일단에서의 전압을 나타내고, Vdd는 상기 전원 입력단(201)에서의 전압, Rref 는 기준 저항, In은 상기 Rref 를 흐르는 전류를 나타낸다. 상기에서 검토한 바와 같이, In은 상기 키 입력부(210)에 흐르는 전류인 Iref와 동일한 세기를 갖는 전류일 수 있다.
이처럼, 본 실시형태에서는 키 입력부(210)에서 키 입력에 의해 스위치가 온(on) 되고, 이에 따라 상기 전원 입력단(201)과 키 스캔단(202) 사이에 전류가 흐를 수 있다. 이때, 상기 온 된 스위치에 연결된 저항을 통과하는 전류(Iref)가 기준 전류가 될 수 있다.
상기 키 입력부(210)에는 저항 및 스위치가 직렬 연결된 회로가 복수개 병렬 연결되어 있어, 외부에서 키 입력시 어느 하나의 스위치를 온(on) 상태로 작동시킬 수 있다. 상기 키 입력부(210)에서 복수개의 병렬 연결된 스위치(SW1, SW2,...SWn) 중 하나의 스위치가 온 되면 상기 온(on)된 스위치에 연결된 저항에 따라 상기 전원 입력단(201)과 키 스캔단(202) 사이에 흐르는 전류(Iref)가 달라질 수 있다.
따라서, 상기 기준 저항(230)을 흐르는 전류(In)도 상기 키 입력부(210)에서 온 된 스위치에 연결된 저항에 의해 달라지며, 상기 기준 저항(230)의 일단에서의 전압(V1)도 상기 키 입력부(210)의 저항에 의해 결정될 수 있다.
본 실시형태에서는, 상기 기준 저항(230)의 일단을 외부의 검출수단(260)과 연결하여, 상기 기준 저항(230)의 일단에서의 전압에 의해 상기 키 입력부(210)의 동작 상태를 측정할 수 있다. 즉, 상기 키 입력부(210)에 형성된 복수개의 스위치 중 어떤 스위치가 온 되어 있는지를 검출하여 키 입력을 스캔할 수 있다. 상기 외부의 검출수단(260)은 아날로그 디지털 컨버터(ADC : Analog-Digital Converter)일 수 있다.
이처럼, 본 실시형태에서는 기준 저항(230)의 일단에서의 전압만을 측정함으로써 키 입력부(210)의 동작상태를 검출할 수 있으므로, 마이크로 프로세서와 연결되는 포트를 줄일 수 있어서, 회로의 간소화 및 소형화에 유리할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 전류 미러 회로 및 전류 분배를 사용하여 키 입력부의 상태를 스캔하므로, 전압 분배에 의한 경우보다 누설 전류를 줄일 수 있어서, 슬립 모드(sleep mode)를 지원하는 RF 방식의 리모콘에 사용될 때 리모콘의 수명을 연장시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1은, 본 발명의 일실시 형태에 따른 키 스캔 회로의 구성도이다.
도 2는, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 키 스캔 회로의 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호설명>
110 : 키 입력부 120 : 전류 미러 회로
130 : 기준 전류원 160 : 검출수단
230 : 기준 저항

Claims (10)

  1. 저항 및 스위치가 직렬 연결된 회로가 전원 입력단과 키 스캔단 사이에 복수개 병렬로 연결되며, 병렬 연결되는 복수개의 저항은 각각 서로 다른 저항값을 갖는 키 입력부;
    상기 키 스캔단에 일단이 연결되는 전류 미러 회로; 및
    상기 전류 미러 회로의 타단과 상기 전원 입력단 사이에 연결되는 기준 전류원
    을 포함하는 키 스캔 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 키 스캔 회로는,
    상기 전류 미러 회로의 일단이 키 입력 신호를 검출하는 외부의 검출수단에 연결되는 것을 특징으로 하는 키 스캔 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로는,
    상기 기준 전류원에 흐르는 전류와 동일한 전류를 상기 키 입력부에 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 키 스캔 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로는,
    상기 키 스캔단에 드래인이 연결되며 소스는 접지되는 제1 트랜지스터;
    상기 기준 전류원에 드래인이 연결되고, 소스는 접지되고, 상기 드래인 및 게이트가 연결되며, 상기 게이트가 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 연결되는 제2 트랜지스터; 및
    상기 제1 및 제2 트랜지스터의 게이트에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 캐패시터;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 키 스캔 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로는,
    상기 제1 트랜지스터의 드래인과 소스 사이에 연결되어 누설 전류를 제거하는 제3 트랜지스터
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 키 스캔 회로.
  6. 저항 및 스위치가 직렬 연결된 회로가 전원 입력단과 키 스캔단 사이에 복수개 병렬로 연결되며, 병렬 연결되는 복수개의 저항은 각각 서로 다른 저항값을 갖는 키 입력부;
    상기 키 스캔단에 일단이 연결되는 전류 미러 회로; 및
    상기 전류 미러 회로의 타단과 상기 전원 입력단 사이에 연결되는 기준 저항
    을 포함하는 키 스캔 회로.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 키 스캔 회로는,
    상기 전류 미러 회로의 타단이 키 입력 신호를 검출하는 외부의 검출수단에 연결되는 것을 특징으로 하는 키 스캔 회로.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로는,
    상기 키 입력부에 흐르는 전류와 동일한 전류를 상기 기준 저항으로 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 키 스캔 회로.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로는,
    상기 기준 저항에 드래인이 연결되며 소스는 접지되는 제1 트랜지스터;
    상기 키 스캔단에 드래인이 연결되고, 소스는 접지되고, 상기 드래인 및 게이트가 연결되며, 상기 게이트가 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 연결되는 제2 트랜지스터;
    상기 제1 및 제2 트랜지스터의 게이트에 일단이 연결되고 타단은 접지되는 캐패시터;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 키 스캔 회로.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로는,
    상기 키 스캔단과 제2 트랜지스터 사이에 형성되는 제3 트랜지스터; 및
    상기 제3 트랜지스터의 소스와 게이트 사이에 형성되는 제4 트랜지스터
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 키 스캔 회로.
KR1020080086468A 2008-09-02 2008-09-02 키 스캔 회로 KR100978662B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080086468A KR100978662B1 (ko) 2008-09-02 2008-09-02 키 스캔 회로
US12/422,527 US8164489B2 (en) 2008-09-02 2009-04-13 Key scanning circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080086468A KR100978662B1 (ko) 2008-09-02 2008-09-02 키 스캔 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100027525A true KR20100027525A (ko) 2010-03-11
KR100978662B1 KR100978662B1 (ko) 2010-08-30

Family

ID=41724538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080086468A KR100978662B1 (ko) 2008-09-02 2008-09-02 키 스캔 회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8164489B2 (ko)
KR (1) KR100978662B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100333274B1 (ko) 1998-11-24 2002-04-24 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치 및 그 제조방법
US8957700B2 (en) * 2012-09-28 2015-02-17 Analog Devices, Inc. Apparatus and methods for digital configuration of integrated circuits
CN113489496A (zh) * 2021-08-12 2021-10-08 深圳市天祺达技术有限公司 一种组合按键的adc检测电路

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2291762B (en) * 1994-07-26 1999-04-07 Nokia Mobile Phones Ltd Mobile telephone
US5619196A (en) * 1995-12-28 1997-04-08 Universal Electronics Inc. Single wire keyboard encode and decode circuit
KR19990008898U (ko) 1997-08-13 1999-03-05 윤종용 전압변동을 이용한 키이 스캔 회로
KR100252481B1 (ko) 1997-09-30 2000-04-15 전주범 마이컴에서 한 개의 포트를 이용한 키 매트릭스 입력 회로
US6737990B1 (en) * 1998-01-23 2004-05-18 Spyrus, Inc. Key input apparatus interface
US6424274B1 (en) * 1999-04-13 2002-07-23 Legerity, Inc. Keypad scanning with few pins
US6577250B1 (en) * 2000-05-19 2003-06-10 Microsoft Corporation Resistance based keyboard key discrimination
US6784810B2 (en) * 2001-05-07 2004-08-31 National Semiconductor Corporation A/D converter with comparators and low-power detection mode for resistive matrix keyboards
JP3663180B2 (ja) 2002-03-13 2005-06-22 株式会社東芝 キースキャン装置
US6791418B2 (en) * 2002-10-02 2004-09-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Capacitor coupled dynamic bias boosting circuit for a power amplifier
KR100724403B1 (ko) * 2004-10-04 2007-06-04 엘지전자 주식회사 이동통신 단말기의 키 인식 장치
KR100722279B1 (ko) * 2005-09-09 2007-05-28 엘지전자 주식회사 이동통신 단말기의 키패드 장치 및 동작방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20100052952A1 (en) 2010-03-04
US8164489B2 (en) 2012-04-24
KR100978662B1 (ko) 2010-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8310381B2 (en) Capacitive key touch sensing using analog inputs and digital outputs
US8471733B2 (en) Two-wire connection to a key matrix in a mobile device
US8314723B2 (en) Ghost key detecting circuit and related method
US20080088589A1 (en) Scanning circuit and method for keyboard
CN102830320B (zh) Dc去耦电流测量
CN102832937A (zh) 模数转换器
JP2010098399A (ja) スイッチ回路
CN101441235A (zh) 用于开路电流限制器的系统和方法
KR100978662B1 (ko) 키 스캔 회로
JP5549145B2 (ja) 静電容量検出装置
WO2012014376A1 (ja) 磁界検知マイコンおよび磁界検知方法
KR0181997B1 (ko) 에이디변환기 및 에이디변환기의 테스트방법
KR100712090B1 (ko) 반도체 집적회로 및 테스트 시스템
JP3106404B2 (ja) 開閉器又は押ボタン開閉器の接触を検査する回路装置及び方法
US9083384B2 (en) Microcomputer system
CN101656531B (zh) 集成电路的多功能输入端子
KR101397830B1 (ko) 전원 제어 장치
CN111473808A (zh) 触摸传感器和用于使用电容传感器检测物体的方法
US7495657B2 (en) Keyboard
CN218768574U (zh) 显示屏和电子设备
KR20060111990A (ko) 키 인식 회로
JP4357755B2 (ja) 信号入力回路
KR20010051566A (ko) 멀티 비트 키 스위치를 구비한 키보드
CN1566982A (zh) 电压检测方法及相关电路
CN116663485A (zh) 光模块中基于ADuCM4XX系列单片机快速RxLos的硬件系统

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130624

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140701

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150707

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160701

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee