KR20100013438A - 반도체 금형 코팅용 고무시트 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조에 사용되는 금형에 이형성을 부여하기 위한 코팅용 고무시트에 관한 것으로, 고무를 주성분으로 하고 여기에 충전제 및 코팅을 위한 왁스와 실리콘오일 그리고 기타 첨가제를 배합하여 시트형태로 제작하여 반도체 금형에 넣어 경화시킴에 따라 고무시트내에 함유된 코팅왁스 성분이 흘러나와 금형 표면에 코팅을 함으로써 반도체 금형에 장시간의 수지밀봉 성형 작업성을 유지하도록 하는 것으로써, 조성물 총중량을 기준으로 고무 30 내지 60중량%, 무기충진제 25 내지 45중량%와 금형코팅성분으로 왁스 5내지 15중량%와 실리콘오일 1 내지 10중량%이 함유되고, 고무탈형성 향상을 위한 열가소성수지 1 내지 5중량% 그리고, 기타첨가제 1내지 5중량%를 혼합하여 가공된 고무시트형태로 이루어지는 반도체 금형 코팅용 고무시트를 제공하는데 그 기술적 특징이 있다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 고무경화에 따른 코팅성분의 용출에 의한 금형코팅작업으로 환경오염을 방지하고, 코팅용 고무시트의 보존성이 우수하고, 작업취급성이 용이하여 작업능률이 향상되고, 코팅성이 지속되어 비용이 절감되는 효과가 있다.

반도체, 금형, 코팅, 세정, 이형성 왁스, 오일

Description

반도체 금형 코팅용 고무시트{RUBBER SHEET FOR COATING OF SEMICONDUCTOR MOLD}

본 발명은 반도체 제조에 사용되는 금형에 이형성을 부여하기 위한 코팅용 고무시트에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고무를 주성분으로 하고 여기에 충전제 및 코팅용왁스와 기타 첨가제를 배합하여 시트형태로 제작하여 반도체 금형에 넣어 경화시킴에 따라 고무시트내에 함유된 코팅왁스 성분이 흘러나와 금형 표면에 코팅을 함으로써 반도체 금형에 장시간의 수지밀봉 성형 작업성을 유지하도록 하는 반도체 금형 코팅용 고무시트에 관한 것이다.

일반적으로 열경화성 수지를 이용하여 제품을 성형하는 경우, 특히 반도체 제조를 위한 EMC 성형공정에서는 고품위의 제품신뢰도를 요하고 있다. 이러한 고품위의 제품성형을 위하여 수시로 반도체 금형에 잔존하는 오염물을 제거하기 위한 세정작업이 이루어져야 하며, 이와 아울러 반복 작업에 따른 열경화성 수지의 탈착을 용이하게 하기 위하여 금형 표면상에 이형제를 코팅하여 사용한다.

이러한 세정 및 이형공정은 필수적이며, 반도체 소자가 고집적화 될수록 그 중요성은 더욱 더 중요한 요소로 작용하고 있다. 특히 이형공정은 반도체 소자의 품질에 직접 영향을 미치는 것으로 금형 표면에 부여된 이형성이 제대로 수행되지 못할 경우 제품 전체의 불량 뿐만 아니라 수리를 위하여 많은 시간이 소요되므로 보다 낳은 이형성을 부여하고 오랜시간동안 이형성을 유지하는 제품을 개발하기 위한 노력들이 반도체 소자 고집적화와 맞물려 발전되고 있다.

이러한 종래 반도체 금형에 이형성을 부여하기 위한 방법을 살펴보면, 천연 카노버 왁스를 미세한 파우더 상태로 분쇄하고, 이를 핵산 등의 용제에 혼합하여 고압의 스프레이 용기에 담아 이를 금형의 표면에 직접 분사하여 금형 표면에 왁스성분이 코팅되도록 한다.

이러한 코팅을 통한 이형성 부여의 경우, 카노버 왁스가 단지 스웰링(swelling) 상태로 작은 알갱이들이 금형에 불균일하게 코팅되는 문제점이 있다. 즉, 왁스입자가 핵산용제에 썩여 있는 형태이므로 금형의 내부 형태에 따라 균일하게 도포되지 못하고 금형의 캐비티에서 국부적인 스틱킹(sticking)을 발생하므로 반도체 소자의 제품 품질을 저하시킬 뿐만 아니라 충분한 이형성을 제공하지 못하게 되는 문제점이 있다. 이 뿐만 아니라 핵산용제를 사용하게 되므로 스프레이 방식으로 뿌려주게됨에 따라 작업장 내에 핵산용제가 비산되어 작업자의 건강에 악영향을 미치고 환경오염을 일으키는 문제점이 있다.

두 번째로는 디메칠 실리콘오일을 핵산 등의 유기용제에 분산하고, 이를 고압의 스프레이 용기에 담앙 금형의 표면에 직접 분사하여 사용하는 방법이 있다.

이 경우에는 이형제의 주성분인 실리콘오일이 과량코팅됨으로 인하여 실제 반도체 팩키지 몰딩시 금형 내부 및 런너(runner) 주변에서 슬립성 발생으로 인하 여 반도체 팩키지의 미충진 불량발생 및 에폭시 수지 밀봉재와 반도체 표면의 밀착성을 저하시켜 그 계면에서 박리(delamination)의 주요 요인이 되어 성형되는 반도체 제품의 신뢰성에 문제가 발생하게된다. 또한 이 뿐만 아니라 유기 핵산용제를 사용하게 됨에 따라 상술한 바와 같이 환경 오염의 문제점이 발생하게 된다.

세 번째로는 에폭시 수지 컴파운드에 왁스를 다량 배합하고, 이를 저압의 이송성형방식으로 코팅하는 방법이 사용된다.

이 경우에는 코팅성을 부여하는 에폭시 수지와 왁스가 고체 상태가 아니라 액상으로 이루어지고, 저압이송으로 인하여 금형내부에 골고루 코팅은 이루어진다. 하지만, 저압의 이송성형 방식으로 몰딩되기 때문에 고가의 리드프레임(lead frame)을 사용하게 되고, 이에 의해 종전의 방식에 비하여 과다한 비용이 발생하게 되므로 반도체 제품의 성형단가를 상승시키는 요인이 되어 경제성이 떨어져 기피되고 있는 실정이다.

따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 비교적 저렴한 가격으로 이루어지되, 금형내부에 골고루 코팅이 이루어져 효과적인 이형성을 제공하여 환경오염을 방지하고 지속적인 코팅성능을 부여하여 코팅작업의 능률향상을 이루는 반도체 금형코팅용 고무시트를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 조성물 총중량을 기준으로 고무 30 내지 60중량%, 무기충진제 25 내지 45중량%와 금형코팅성분으로 왁스 5내지 15중량%와 실리콘오일 1 내지 10중량%이 함유되고, 고무탈형성 향상을 위한 열가소성수지 1 내지 5중량% 그리고, 기타첨가제 1내지 5중량%를 혼합하여 가공된 고무시트형태로 이루어지는 반도체 금형 코팅용 고무시트를 제공하는데 그 기술적 특징이 있다.

그리고 바람직하기로는, 상기 고무는, 주고무성분으로 부타디엔 고무(BR), 스티렌-부타디엔 고무(SBR), 에틸렌-프로필렌 디엔 모노머 고무(EDPM), 니트릴고무(NR), 니트릴 -부타디엔고무(NBR), 클로로프렌고무(CR)의 군에서 선택된 하나 또는 둘이상의 혼합물과 상기 주 고무성분 100중량%에 대하여 1,2-신디오닥틱고무가 약 3 내지 15중량% 혼합되어 이루어지도록 하고, 상기 금형 코팅성분중 왁스는 카노버왁스, 몬탄OP왁스, 에스테르왁스, 폴리에틸렌왁스, 폴리프로필렌왁스 중 어느하나 또는 둘이상의 혼합물이고, 상기 금형코팅성분중 오일은 반응성실리콘오일 또 는 비반응성실리콘오일이거나 이들의 혼합으로 이루어지고, 수지는 폴리에틸렌수지 또는 폴리프로필렌수지중 어느하나 또는 이들의 혼합으로 이루어지도록 한다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 고무경화에 따른 코팅성분의 용출에 의한 금형코팅작업으로 환경오염을 방지하는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 코팅용 고무시트의 보존성이 우수하고, 작업취급성이 용이하여 작업능률이 향상되고, 코팅성이 지속되어 비용이 절감되는 다른 효과도 있다.

이하 상기와 같은 특징을 가지는 본 발명에 대하여 이하 상세하게 설명하기로 한다.

먼저, 본 발명의 기술적 과제는 반도체 금형 코팅을 위해서 코팅용 조성물을 신규한 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이러한 신규한 조성물은 기본적으로 천연 또는 인조 고무 성분에 충전제와 금형코팅용왁스 및 기타 첨가물을 배합하여 반도체 금형상에서 고무가 성형됨과 동시에 함유된 금형코팅용왁스가 금형내부에 코팅되도록 하는데 주안점이 있다. 이러한 조성물을 이루는 구성들을 살펴보면, 천연 또는 인조고무 30 내지 60중량%, 무기충전제 25 내지 45중량%, 코팅용왁스 5 내지 15중량%, 실리콘오일 1 내지 10중량% 열가소성 수지 1 내지 5중량% 및 기타 첨가제 1내지 5중량%를 포함하는 것을 특징으로 하며 이하 자세히 설명하기로 한다.

1.조성물의 구성

먼저, 고무를 설명하기로 한다. 본 발명에서 사용되는 고무는 천연 또는 인조 고무로써, 상기 고무성분은 반도체 금형내부 열과 압력을 받을 경우 함유된 경화제의 작용에 의해 경화되어 금형내부의 형상대로 형성된다. 상기와 같이 금형내부에서 금형형상대로 성형되면서 금형내부와 정확히 일치되는 형상으로 이루어져야 후술하는 코팅성분들이 고무가 성형되면서 외부로 흘러나와 금형의 내면에 정확한 코팅이 이루어질 수 있게 된다. 따라서 본 발명에서 사용되는 고무는 반도체 금형내부에 정확한 형상을 이룰 수 있어야 하고 후술하는 코팅용왁스 및 실리콘오일 등 코팅성분들의 유출이 쉽도록 이루어 질 수 있어야 한다. 이러한 물성치를 만족하는 고무성분으로는 부타디엔 고무(BR), 스티렌-부타디엔 고무(SBR), 에틸렌-프로필렌 디엔 모노머 고무(EDPM), 니트릴고무(NR), 니트릴 -부타디엔고무(NBR), 클로로프렌고무(CR)의 군에서 선택된 하나 또는 둘이상의 혼합물이거나 이들의 변성물이다. 그리고 이중에서 부타디엔고무에 1,2-신디오닥틱고무가 적정량 함유된 혼합고무가 바람직하다. 상기 1,2-신디오닥틱고무는 부타디엔고무 주성분 100중량%에 대하여 약 3 내지 15중량% 혼합되는 것이 바람직하며, 상기 신디오닥틱고무 성분은 주고무성분에 함유되어 고무의 경화시 흐름성을 좋게 하여 반도체 금형내부에서 미세한 부분까지 성형성이 좋아지게 된다. 이러한 고무는 일반적인 고무배합과 혼련과정을 거쳐 반 경화상태 시트상으로 제조되고, 이러한 시트를 반도체금형상에 위치시킨 후, 열과 압력을 가하여 경화시켜 사용하게 된다. 이러한 고무성분(1,2 신디오탁틱고무성분 포함)은 전체 조성물에 대하여 약 30 내지 60중량%가 되도록 한다.

무기충진제를 설명하기로 한다. 본 발명에서 사용되는 무기충진제는 일반적으로 고무배합시 경도 조절용으로 사용되는 무기충진제로써 반도체 금형의 특성상 국소응력을 방지하고, 유동성과 신뢰성을 고려하여 고운 분말형태의 용융실리카, 결정실리카, 알루미나, 규산칼슘 등을 사용할 수 있으며, 그 중에서 용용실리카분말과 결정 실리카분말이 경제성, 고밀도, 선팽창 계수 측면에서 바람직하다. 이러한 무기충진제는 25 내지 45중량%로 함유되는 것이 좋으며, 25중량%이하일 경우에는 열팽창이 커져서 경화된 고무 자체의 내열성, 내크랙성 및 내습성 등의 물성이 저하되며, 45중량%이상일 경우네는 고무 경화시 유동성이 저하되어 딱딱하여 충분한 성형성이 얻기 힘들며, 부스러짐의 현상이 발생하게 된다.

다음, 왁스를 설명하기로 한다. 왁스는 종래에서도 천연카노버 왁스처럼 코팅용성분으로 사용되는 물질이다. 다만, 본 발명에서는 이러한 왁스가 고무성분과 배합되어 고무성분이 반도체 금형내부에서 경화됨에 따라 이러한 왁스성분은 용출이 이루어져야 한다. 따라서 이러한 용출을 위해서는 왁스는 적정량의 혼합이 이루어져야 한다. 이러한 왁스의 적정량은 고무중량%에 대하여 약 5 내지 15중량% 혼합이 이루어져야 한다. 왁스성분이 5중량%이하일 경우에는 금형내부에서 충분한 코팅성능을 발휘할 수 없으며, 15중량%이상일 경우에는 고무의 경화시 강도가 저하되어 쉽게 부러짐 현상이 일어나 금형내부의 고무경화성을 저하시킬 뿐만 아니라 금형 내부의 미세한 부분에 부러진 찌꺼기(chip out)가 되어 반도체 제조시 불량을 야기시킬 수도 있다.. 또한, 과도한 양의 왁스 첨가시 고무경화에 오랜시간이 걸리고, 일부가 자체 탄화가되어 오염원이 되기도 한다. 기본적으로 고무의 경화시 약 120℃ 온도가 이루어지므로 상기 온도하에서도 탄화기 이루어지지 않는 정도의 왁스가 필요하나, 대개 왁스는 내열성에 취약하므로 왁스 단독보다는 후술하는 내열성을 가지는 실리콘오일과 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 따라서 내열성의 부족을 실리콘오일이 보완해주어 탄화되는 것이 억제 되며 또한, 액상인 실리콘오일 역시 고무와의 배합이 잘 이루어질 수 있게 된다. 그리고 본 발명에서 사용될 수 있는 왁스는 카노버 왁스, 몬탄 오피(OP)악스, 에스테르 왁스, 폴리에틸렌 왁스, 폴리프로필렌 왁스 중 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 사용되도록 한다.

다음, 실리콘오일을 설명하기로 한다. 실리콘 오일은 기본적으로 종래에서 유기용제인 핵산에 용해시켜 코팅성분으로 사용되는 물질이며, 본 발명에서는 실리콘오일과 왁스가 혼합되어 보다 낳은 코팅성능을 부여하게 된다. 이러한 실리콘 오일의 기본적인 작용은 금형코팅성을 좋게 하고, 반도체 제품성형후, 제품의 이형성을 좋게하는 것으로, 실리콘 오일 자체는 액상 형태이므로 단독으로는 고무와 혼합되어 사용되기가 곤란하다. 실리콘오일 단독으로 고무와 배합시 골고루 분산이 이루어지지 않으며 고무제 시트의 형성이 이루어 질 수 없다. 따라서 왁스가 존재하는 상태에서 실리콘 오일이 첨가됨에 따라 고무와의 배합성이 좋아지며, 실리콘오일의 역할인 코팅성 이형성을 가질 수 있게 된다. 사용가능한 실리콘오일은 반응성기인 아미노기, 아민기, 에폭시기 페닐기를 가지는 반응성 실리콘 오일이나 디메틸실리콘오일 처럼 비반응성 실리콘오일 어느 것이나 가능하다. 반응성기가 함유된 실리콘오일의 경우에는 금형표면에서 코팅시 오랜시간동안 지속될 수 있으므로 금형코팅능력의 지속성이 증대하게 되며, 비반응성 실리콘 오일의 경우에는 왁 스의 에멸젼화를 증대시켜 왁스의 코팅능력이 보다더 잘 발휘될 수 있도록 한다. 이러한 실리콘 오일은 약 1 내지 10중량%가 함유되는 것이 바람직하며, 1중량%이하일 경우 오일의 본래 특징을 충분히 나타내지 못하며, 10중량%이상일 경우에는 고무시트 제작시 고무의 경도가 너무 약해져 고무시트 형태의 제작에 어려움을 주기 때문이다.

다음 열가소성수지를 설명하기로 한다. 본 발명에서는 상기 고무배합제에 폴리에틸렌수지(PE), 폴리프로필렌수지(PP)와 같은 열가소성수지가 함유되도록 한다. 이러한 열가소성 수지는 고무와 배합시 고무의 흐름성을 좋게 할 뿐만 아니라 고무경화시 수지자체가 경화되어 가교되므로 제조작업성을 좋게하고, 표면이 하드(hard)하게 되어 시트 제조시 취급이 용이할 뿐만 아니라 시트의 절단성을 좋게 하여 작업성이 좋아지게 된다. 또한 이러한 수지가 함유됨에 따라 고무 경화시 발생하게 되는 악취가 맣이 감소하게 되어 작업장의 환경도 좋아지게 된다. 이러한 수지는 1 내지 5중량% 정도 함유되도록 하는 것이 좋다.

기타 상기 주조성물이외에 일반적인 고무배합시 가교 반응을 야기시켜 고무 경화물을 형성하는 촉매 역할의 가교제를 첨가할 수 있으며, 이외에 산화방지제 및 이산하티타늄 스테아린산 등 고무배합에 사용되는 첨가제를 첨가하여 제조할 수 있다. 이러한 첨가제의 총 양은 1 내지 5중량%의 범주에 속하도록 첨가한다. 이러한 첨가제는 일반고무배합시 사용되는 공지물질이므로 이하 자세한 설명은 생략하도록 한다.

다음 상기와 같은 각 구성물들을 혼합하여 혼련하고 볼밀 또는 롤밀 등의 장 치를 이용하여 고무시트형태로 제작하게 되고, 상기 고무시트를 이용하여 반도체금형 내부를 코팅하게 된다. 이하 이러한 코팅과정을 간단히 설명하기로 한다.

2.고무시트를 이용한 코팅

일반적으로 반도체를 제작하기 위한 반도체 금형 내부에 미경화상태로 이루어진 상술한 고무시트를 위치시킨다. 상기 고무시트가 위치된 상태에서 금형을 닫고, 열을 가하여 바람직하기로는 약 100 내지 120℃의 온도로 가열하게 된다. 상기 온도와 압력하에서 미가류 고무는 경화되면서 반도체 금형내부의 형상대로 가교 경화가 일어나 성형이 이루어지게 된다. 한편, 상기 고무시트가 가열에 의해 형상이 이루어짐과 아울러 상기 고무시트 내부에 함유된 왁스 및 실리콘오일의 코팅성분이 상기 열에 의하여 경화된 고무표면에서 스며나오게 되며, 상기 코팅성분의 각 액상이 경화된 고무표면, 즉, 반도체 금형내부의 각 표면에 골고루 도포되어 코팅이 이루어지게 된다. 고무시트가 반도체 금형내부에서 형상대로 경화됨과 동시에 표면에서 코팅이 이루어지는 경우, 상기 코팅성분은 이형성을 가지므로 경화된 고무시트를 제거시에도 부러짐이나 별도의 칩아웃이 발생하지 않고 쉽사리 제거될 수가 있게 된다.

상기와 같이 반도체 금형내부 표면에 코팅이 이루어진 후, 반도체 금형을 이용하여 반도체 칩의 제조가 이루어질 수 있게 된다. 상기 반도체 칩제조를 위한 금형을 일정정도 사용한 후에 다시 재차 코팅이 필요할 경우, 다시 고무시트를 위치시켜 금형내부 표면에 코팅이 이루어지게 한다.

한편, 본 발명에서는 상기 코팅성분이 고무시트상에 미리 함유되어 고무가 열에 의해 경화되면서 표면으로 스며나와 금형의 표면에 코팅이 이루어짐에 의해 별도의 액상성분의 코팅에 의한 스프레이 방식이 아니므로 환경오염등의 문제가 없으며, 고상의 고무시트를 취급하게 되어 취급이 편리할 뿐만 아니라 장시간 보관이 용이한 면도 있다.

실시예1

1,4부타디엔고무 85g과 1,2신디오탁틱고무 15g이 함유된 고무성분 100g에 코팅용성분인 왁스 40g(카노버왁스 10g, 몬탄OP왁스 10g, 에스테르왁스10g, 폴리에틸렌왁스 10g이 혼합됨)을 혼합하고, 무기충진제(실리카) 70g에 기타첨가제(스테아린산 1g, 이산화티타늄 10g, 산화방지제 1g, 가교제 2.5g)을 첨가한 후, 이를 혼련하고 가공하여 고무시트형태로 제작하여 반도체 금형내부에 투입한 후, 100 내지 120℃의 온도와 40 내지 60kgf/cm³의 압력으로 약 1 내지 3분의 시간을 두고 고무시트를 가공하여 코팅성능을 실험하였다. 그 결과는 하기 표1에 나타내었다.

실시예2

고무성분인 1,4부타디엔고무 85g과 1,2신디오탁틱고무 대신에 고무의 흐름성 및 작업성을 좋게하는 LDPE 수지 15g을 함유하고 코팅용성분인 왁스 25g(카노버왁스 5g, 몬탄OP왁스 5g, 에스테르왁스5g, 폴리에틸렌왁스 5g, 폴리프로필렌왁스 5g이 혼합됨)와 비반응성실리콘오일 5g이 혼합되도록 하여 왁스와 오일이 함유된 코팅성분을 사용하고, 무기충진제(실리카) 70g에 기타첨가제(스테아린산 1g, 이산화티타늄 10g, 산화방지제 1g, 가교제 2.5g)을 첨가한 후, 이를 혼련하고 가공하여 고무시트형태로 제작하여 반도체 금형내부에 투입한 후, 100 내지 120℃의 온도와 40 내지 60kgf/cm³의 압력으로 약 1 내지 3분의 시간을 두고 고무시트를 가공하여 코팅성능을 실험하였다. 그 결과는 하기 표1에 나타내었다.

실시예3

1,4부타디엔고무 80g과 1,2신디오탁틱고무 10g으로 이루어진 고무성분 90g과 고무의 흐름성 및 작업성을 좋게하는 LDPE 수지 10g을 함유하고 코팅용성분인 왁스 25g(카노버왁스 5g, 몬탄OP왁스 5g, 에스테르왁스5g, 폴리에틸렌왁스 5g, 폴리프로필렌왁스 5g이 혼합됨)와 비반응성실리콘오일 5g 그리고 반응성실리콘오일 3g이 혼합되도록 하여 왁스와 오일이 함유된 코팅성분을 사용하고, 무기충진제(실리카) 70g에 기타첨가제(스테아린산 1g, 이산화티타늄 10g, 산화방지제 1g, 가교제 2.5g)을 첨가한 후, 이를 혼련하고 가공하여 고무시트형태로 제작하여 반도체 금형내부에 투입한 후, 100 내지 120℃의 온도와 40 내지 60kgf/cm³의 압력으로 약 1 내지 3분의 시간을 두고 고무시트를 가공하여 코팅성능을 실험하였다. 그 결과는 하기 표1에 나타내었다.

구분	실시예1	실시예2	실시예3	비교예1
성형성	A	A	A	C~D
코팅성	A	A	A	C
코팅지속성	B	A	A	C
고무 컴파운드의 탈형성	B	A	A	C~D
rubber mark (2차 오염성)	A	A	A	해당사항 없음
반도체 package 박리성	A	A	A	A
반도체 package 표면 stain	A	A	A	C

A: 아주좋음, B:좋음, C:보통, D:나쁨, E:아주나쁨

상기 표에서 비교예1은 종래에 사용되는 스프레이왁스에 의해 코팅을 나타내는 것으로 하여 비교 실험 하였다.

상기표1에 나타난 바와 같이, 코팅성분으로 왁스 단독인 경우보다는 왁스와 실리콘오일이 함유된 것이 코팅의 지속성이 우월한 것으로 나타나며, 이는 실리콘오일이 왁스와 혼합되는 것이 바람직하다는 것을 나타낸다. 그리고, 실시예2와 실시예3에서는 LDPE수지가 함유된 것으로, 이러한 수지가 고무성분의 흐름성을 좋게 하여 고무가 경화된후, 반도체 금형내에서 탈형성이 좋아짐을 알 수 있다.

따라서, 상기 실험예에 따르면, 기본적인 고무성분에 코팅성분으로는 왁스와 실리콘오일이 함께 혼합되고, 탈형성을 위해 수지가 적정량 함유되는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.

Claims (3)

1. 조성물 총중량을 기준으로 고무 30 내지 60중량%, 무기충진제 25 내지 45중량%와 금형코팅성분으로 왁스 5내지 15중량%와 실리콘오일 1 내지 10중량%이 함유되고, 고무탈형성 향상을 위한 열가소성수지 1 내지 5중량% 그리고, 기타첨가제 1내지 5중량%를 혼합하여 가공된 고무시트형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 금형 코팅용 고무시트.
2. 제1항에 있어서, 상기 고무는, 주고무성분으로 부타디엔 고무(BR), 스티렌-부타디엔 고무(SBR), 에틸렌-프로필렌 디엔 모노머 고무(EDPM), 니트릴고무(NR), 니트릴 -부타디엔고무(NBR), 클로로프렌고무(CR)의 군에서 선택된 하나 또는 둘이상의 혼합물과 상기 주 고무성분 100중량%에 대하여 1,2-신디오닥틱고무가 약 3 내지 15중량% 혼합되어 이루어 짐을 특징으로 하는 반도체 금형 코팅용 고무시트.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금형 코팅성분중 왁스는 카노버왁스, 몬탄OP왁스, 에스테르왁스, 폴리에틸렌왁스, 폴리프로필렌왁스 중 어느하나 또는 둘이상의 혼합물이고, 상기 금형코팅성분중 오일은 반응성실리콘오일 또는 비반응성실리콘오일이거나 이들의 혼합으로 이루어지고,

   수지는 폴리에틸렌수지 또는 폴리프로필렌수지중 어느하나 또는 이들의 혼합으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 금형코팅용 왁스.