KR20100013124A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 기판 처리 공간을 구비하는 챔버와, 챔버 내에 설치되고 기판이 안착되는 스테이지부와, 챔버의 외부에 위치하여 상기 스테이지부의 수평도를 조절하는 스테이지 구동부와, 챔버 내에 위치하는 스테이지부를 지지하고, 상기 챔버의 외부로 돌출되어 스테이지 구동부와 연결되는 지지부를 포함한다.
따라서, 본 발명은 챔버의 외부에 위치하는 스테이지 구동부를 이용하여 챔버 내의 스테이지부의 수평도를 조절함으로써, 챔버를 개방하지 않고도 스테이지부의 수평도를 조절할 수 있다. 이로 인해, 대기중에 파티클이 기판에 부착되어 오염되는 것을 방지할 수 있고, 소자의 불량을 감소시킬 수 있다.
스테이지부, 수평 조절부

Description

기판 처리 장치{Substrate processing appratus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 챔버의 외부에서 기판이 안착되는 스테이지부의 수평도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제작하기 위해서는, 기판 상에 박막을 증착하고, 이를 식각하는 공정을 복수번 번갈아 가며 진행한다. 즉, 증착 장치를 통해 기판의 전면에 박막을 증착하고, 식각 장치를 통해 박막의 일부를 식각하여 박막이 소정의 패턴을 갖도록 제작한다.
종래의 식각 장치는 챔버의 상부에 위치하는 가스 분사부와, 상기 가스 분사부와 대향 위치하고 기판이 안착되는 하부전극을 포함한다. 상기와 같은 식각 장치를 이용하여 기판을 식각하는 방법은 먼저 가스 분사부로 반응 가스를 투입시킨다. 그리고 가스 분사부에 플라즈마 전원을 인가한다. 이때, 기판이 안착된 하부전극은 접지에 연결된다. 이로 인해, 가스 분사부와 하부전극 사이에는 플라즈마가 발생되고, 상기 플라즈마는 반응 가스를 활성화시킨다. 활성화된 반응 가스는 기판 상면에 형성된 박막 또는 기판을 식각한다. 이때 기판이 안착된 하부전극의 수평도는 반도체 소자의 제조를 위해 매우 중요한 공정 조건이다. 기판이 안착된 하부 전극 이 기울어져 배치되어 있을 경우, 가스 분사부와 기판 사이에 플라즈마가 불균일하게 형성된다. 불균일한 플라즈마의 형성은 반도체 소자의 불량을 일으키는 원인으로 작용한다.
이를 해결하기 위해 종래에는 챔버 내에 하부전극의 수평도를 조절하는 수평 조절부를 설치하였다. 하지만, 이러한 식각 장치에서는 하부전극의 수평도를 조절할때마다 챔버를 개방한 후, 기판이 안착된 하부전극의 수평도를 조절하였다. 이로 인해, 대기중에 존재하는 파티클이 기판 상에 부착되어 소자의 불량을 일으키는 원인으로 작용하였다. 또한, 하부전극의 수평도를 조절할때마다 챔버의 내부를 진공처리하거나 배기하는 과정을 거쳐야하므로 전체 공정 시간이 길어지는 원인이 된다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여, 챔버 내에서 기판을 지지하는스테이지부의 수평도를 챔버 외부에서 조절하는 스테이지 구동부를 마련하여, 챔버를 개방하지 않고 스테이지부의 수평도를 조절하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공간을 구비하는 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되고 기판이 안착되는 스테이지부와, 상기 챔버의 외부에 위치하여 상기 스테이지부의 수평도를 조절하는 스테이지 구동부와, 상기 챔버 내에 위치하는 스테이지부를 지지하고, 상기 챔버의 외부로 돌출되어 스테이지 구동부와 연결되는 지지부를 포함한다.
상기 스테이지 구동부는 챔버의 외부로 돌출된 지지부와 결합되어 상기 지지부에 장착된 스테이지부의 수평도를 조절하는 수평 조절부와, 상기 수평 조절부의 상측에 배치되어 상기 지지부와 결합된 수평 조절부 전체를 승강 또는 하강시키는 승하강부와, 상기 수평 조절부와 승하강부를 연결하는 복수의 리드스크류를 포함한다.
상기 챔버에는 스테이지부의 수평도를 감지하는 센서부가 설치되는 것이 효과적이다.
상기 수평 조절부는 지지부의 하부와 결합되는 이송플레이트와, 상기 이송플 레이트의 하부에 위치하여 복수의 리드스크류와 각기 결합되는 복수의 하부 너트와, 상기 복수의 하부 너트와 각기 연결되어 상기 복수의 하부 너트 각각을 개별적으로 회전시키는 복수의 조절 나사부를 포함한다.
상기 복수의 하부 너트는 회전 방향에 따라 리드스크류 상에서 상방향 또는 하방향으로 이동한다.
상기 복수의 하부 너트 중 어느 하나의 하부 너트가 상방향 또는 하방향으로 이동할 경우 상기 하부 너트에 대응하는 이송플레이트의 영역이 승강 또는 하강된다.
상기 조절 나사부는 하부 너트와 연결된 제 1 나사부재와, 상기 제 1 나사부재와 마주보도록 배치되고 이송플레이트에 연결된 제 2 나사부재와, 상기 제 1 나사부재와 제 2 나사부재 사이에서 상기 제 1 나사부재 및 제 2 나사부재의 일부가 삽입되도록 배치된 조절캡을 포함한다.
상기 제 1 나사부재는 회전 가능한 하부 너트에 연결된 절곡부와 상기 절곡부에 연결된 제 1 나사를 포함하고, 제 2 나사부재는 이송플레이트의 하부에 고정된 고정부와 상기 고정부에 연결되어 제 1 나사와 마주 보도록 배치된 제 2 나사를 포함한다.
상기 제 1 나사 및 제 2 나사는 왼 나사 및 오른 나사 중 어느 하나이고, 상기 제 1 나사 및 제 2 나사는 서로 다른 방향의 나사를 사용한다.
상기 제 1 나사 및 제 2 나사는 조절캡의 회전 방향에 따라 서로 가까워 지거나 멀어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 나사 및 제 2 나사의 이동 방향에 따라 상기 제 1 나사에 연결된 절곡부에 의해 하부 너트가 회전한다.
상기 조절캡의 표면에는 상기 조절캡의 회전 정도를 알 수 있는 눈금자가 형성된다.
상기 승하강부는 이송플레이트의 상측에 배치되어 챔버의 외부와 연결된 고정플레이트와,
상기 고정플레이트의 하부에 위치하여 복수의 리드스크류와 각기 결합되는 복수의 상부 너트와, 상기 고정 플레이트의 하부에 위치하고 회전 가능한 복수의 풀리와, 상기 복수의 풀리 중 어느 하나에 연결되어 상기 풀리를 회전시키는 회전 동력부와, 상기 복수의 풀리 및 복수의 상부 너트를 연결하도록 설치되어 상기 복수의 풀리 및 복수의 상부 너트를 동시에 회전시키는 벨트를 포함한다.
상기 복수의 상부 너트는 상기 수평 조절부의 이송플레이트의 하부에 위치하는 복수의 하부 너트와 대응 위치하고, 상기 복수의 하부 너트와 각기 결합된 복수의 리드스크류와 결합된다.
상기 복수의 풀리 및 복수의 상부 너트가 동시에 회전함으로써, 상기 복수의 상부 너트와 각기 연결된 복수의 리드스크류가 동시에 회전한다.
상기 복수의 리드스크류의 회전에 의해 상기 수평 조절부의 복수의 하부 너트가 동시에 회전하고, 상기 복수의 하부 너트는 회전방향에 따라 리드스크류 상에서 동시에 상방향 또는 하방향으로 이동한다.
상기 복수의 하부 너트가 동시에 상방향 또는 하방향으로 이동함으로써, 상 기 복수의 하부 너트의 상부에 위치하는 이송플레이트의 전체가 승강 또는 하강한다.
본 발명에서는 챔버의 외부에 위치하는 스테이지 구동부를 이용하여 챔버 내의 스테이지부의 수평도를 조절함으로써, 챔버를 개방하지 않고도 스테이지부의 수평도를 조절할 수 있다. 이로 인해, 대기중에 파티클이 기판에 부착되어 오염되는 것을 방지할 수 있고, 이로부터 소자의 불량을 감소시킬 수 있다. 또한, 스테이지부의 수평도 조절시 챔버를 배기하거나 진공처리 하는 과정을 거치지 않아도 되므로 전체 공정 시간을 단축할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명 하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2(a) 및 도 2(b)는 실시예에 따른 수평 조절부의 조절 나사부를 이용하여 하부 너트를 회전시키는 방법을 설명하기 의해 도시한 도면이다. 도 3(a) 및 도 3(b)는 실시예에 따른 수평 조절부를 이용하여 이송플레이트를 승강 또는 하강시키는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판(G) 또는 기판(G) 상에 형성된 박막을 식각하는 챔버부(100)와, 챔버(110)의 외부 하측에 마련되어 기판(G)이 안착되는 스테이지부(130)를 승하강 시키거나 상기 스테이지부(130)의 수평도를 조절하는 스테이지 구동부(600)와, 챔버(110) 내에 위치하는 스테이지부(130)를 지지하고, 상기 챔버(110)의 외부로 돌출되어 스테이지 구동부(600)와 연결된 지지부(400)를 포함한다.
챔버부(100)는 내부 공간을 갖는 챔버(110)와, 챔버(110)의 상측에 위치하여 기판(G)을 향해 공정 가스를 분사하는 가스 분사부(120)와, 가스 분사부(120)와 대향 배치되어 기판(G)이 안착되는 스테이지부(130)와, 챔버(110)로의 기판(G)의 인입 및 인출을 담당하는 기판 출입부(140)와, 챔버(110) 내를 진공처리하는 진공 조절부(150)를 포함한다.
챔버(110)는 원통 형상 또는 사각 박스 형상으로 형성되며, 내부에는 기판(G)을 처리할 수 있도록 소정의 반응공간이 마련된다. 물론 이에 한정되지 않고, 챔버(110)는 기판(G)의 형상에 대응되도록 제작되는 것이 바람직하다.
가스 분사부(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(110)의 상측에 설치된다. 여기서 가스 분사부(120)는 복수의 분사홀(122)을 포함하고 기판(G)을 향해 공정 가스를 분사하는 인젝터(121)와, 인젝터(121)의 내부에 위치하여 상기 인젝터(121) 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 배관(123)과, 챔버(110)의 외부로 돌출된 가스 공급 배관(123)의 일단부와 연결되어 상기 가스 공급 배관(123)으로 공정 가스를 제공하는 공정 가스 공급부(124)를 포함한다. 인젝터(121)는 기판(G) 의 형상과 대응되는 형상으로 제작되며, 플라즈마 전원을 공급하는 플라즈마 전원 공급부(125)와 연결된다. 이때, 스테이지부(130)는 접지(131)에 접속되는 것이 바람직하다. 물론 이와 반대로 접속될 수도 있다. 본 실시예에 따른 공정 가스는 기판(G) 또는 기판(G) 상에 형성된 박막을 식각하는 식각 가스를 사용한다.
스테이지부(130)는 가스 분사부(120)의 인젝터(121)와 대향 배치되어 챔버(110) 내측으로 인입된 기판(G)을 안착시킨다. 여기서, 스테이지부(130)는 기판(G)의 형상과 대응되는 형상으로 제작되는 것이 바람직하며, 정전척 및 진공척 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 공정 처리중에 기판(G)을 고정할 수 있는 다양한 수단들이 사용될 수 있다. 이러한, 스테이지부(130)는 도시되지는 않았지만 기판(G)의 장착 및 탈착을 돕기 위한 리프트 핀(미도시)을 포함할 수 있다. 또한, 스테이지부(130)의 내측에는 가열 수단 또는 냉각 수단이 더 마련될 수 있다. 본 실시예에 따른 스테이지부(130)는 지지부(400)에 의해 지지되며 상기 지지부(400)에 의해 승하강되거나 수평도가 조절된다.
지지부(400)의 상부는 챔버(110) 내에 위치하는 스테이지부(130)를 지지하고, 상기 지지부(400)의 하부는 챔버(110) 외측 하부에 위치하는 수평 조절부(200)의 이송플레이트(210)와 결합된다. 즉, 지지부(400)의 하부는 수평 조절부(200)의 이송플레이트(210)에 결합되어 상기 이송플레이트(210)의 상측에 대향 배치된 고정플레이트(310) 및 챔버(110)의 하부를 관통하여 챔버(110) 내에 배치된 스테이지부(130)를 지지한다. 이에, 챔버(110) 내부의 압력을 유지하기 위하여 상기 챔버(110) 외측에 위치하는 지지부(400)의 일부를 감싸는 벨로우즈(미도시)를 더 구 비할 수 있다. 이러한, 지지부(400)는 수평 조절부(200)의 이송플레이트(210)에 결합되어 상기 이송플레이트(210)와 함께 승하강한다. 이때, 지지부(400)는 이송플레이트(210)에 의해 상기 지지부(400) 전체가 승하강되거나 일부 영역이 승하강된다. 즉, 승하강부(300)를 통해 지지부(400) 전체를 승강시켜 상기 지지부(400)의 상부에 장착된 스테이지부(130)를 공정 높이로 승강시키거나, 상기 지지부(400) 전체를 하강시켜 공정이 종료된 스테이지부(130)를 하강시킨다. 또한, 수평 조절부(200)를 통해 지지부(400)의 일부 영역을 승강 또는 하강시켜, 스테이지부(130)의 수평도를 조절한다. 이때, 기울어진 스테이지부(130)의 영역에 대응하는 이송플레이트(210)의 영역을 승강 또는 하강시켜, 지지부(400) 및 지지부(400)에 장착된 스테이지부(130)의 수평도를 조절한다. 승하강부(300) 및 수평 조절부(200)에 대한 상세한 설명은 하기에서 하기로 한다.
스테이지 구동부(600)는 기판(G)이 안착되는 스테이지부(130)를 승하강 시키거나 상기 스테이지부(130)의 수평도를 조절하는 역할을 한다. 본 실시예에 따른 스테이지 구동부(600)는 챔버(110)의 외부 하측에 설치되어 상기 챔버(110)의 외부에서 스테이지부(130)를 승하강 시키거나 상기 스테이지부(130)의 수평도를 조절한다. 즉, 챔버(110)의 외부에 위치하는 스테이지 구동부(600)를 이용하여 챔버(110)를 개방하지 않고 스테이지부(130)를 승하강 시키거나 상기 스테이지부(130)의 수평도를 조절한다. 이러한 스테이지 구동부(600)는 챔버(110) 외부로 돌출된 지지부(400)와 결합되어 상기 지지부(400)의 일부를 승하강시켜 수평도를 조절하는 수평 조절부(200)와, 수평 조절부(200)의 상측에 대향 배치되어 지지부(400)와 결합 된 수평 조절부(200) 전체를 승하강시키는 승하강부(300)와, 상호 이격되어 배치된 수평 조절부(200)와 승하강부(300)를 연결하는 복수의 리드스크류(500)를 포함한다. 또한, 도시되지는 않았지만 챔버(110)에 설치되어 스테이지부(130)의 수평도를 감지하는 센서부(미도시)를 더 포함한다. 본 실시예에서는 광학 센서를 이용하여 스테이지부(130)의 수평도를 감지한다. 또한, 센서부(미도시)를 통해 감지된 결과를 작업자가 시각적으로 확인할 수 있도록 모니터링부(미도시)가 마련된다.
리드스크류(500)는 복수개로 마련되어 승하강부(300)의 고정플레이트(310)와 수평 조절부(200)의 이송플레이트(210)를 연결한다. 즉, 리드스크류(500)의 일단부는 이송플레이트(210)의 하부에 위치하는 하부 너트(220)와 결합되고 다른 일단부는 고정플레이트(310)의 하부에 위치하는 상부 너트(320)와 결합된다. 이러한 리드스크류(500)의 표면에는 오른 나사산 및 왼 나사산 중 어느 하나가 형성된다. 본 실시예에서는 오른 나사산이 형성된 리드스크류(500)를 사용한다. 또한, 본 실시예에서는 도 2(a) 및 도 2(b)에 도시된 바와 같이 3개의 리드스크류(500)를 예를들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 다양한 개수의 리드스크류(500)가 설치될 수 있다.
수평 조절부(200)는 지지부(400)의 하부와 결합되는 이송플레이트(210)와, 이송플레이트(210) 하부에 위치하여 복수의 리드스크류(500)와 각기 결합되는 복수의 하부 너트(220)와, 복수의 하부 너트(220)와 각기 연결되어 상기 하부 너트(220)를 회전시키는 복수의 조절 나사부(230)를 포함한다. 여기서, 복수의 하부 너트(220)는 도 2(a) 및 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 이송플레이트(210)의 하부에 서 일정 거리 이격되어 배치되는 것이 바람직하다. 이러한 복수의 하부 너트(220)는 이송플레이트(210)의 하부에서 상기 이송플레이트(210)를 지지한다. 또한 하부 너트(220)의 내주면에는 오른 암나사산 및 왼 암나사산 중 어느 하나가 형성된다. 본 실시예에서는 오른 나사산이 형성된 리드스크류(500)를 사용하므로 오른 암나사산이 형성된 하부 너트(220)를 사용한다. 여기서, 하부 너트(220)는 상기 하부 너트(220)에 연결된 조절 나사부(230)에 의해 제어되어 시계방향 또는 반 시계방향으로 회전한다. 하부 너트(220)는 회전 방향에 따라 리드스크류(500) 상에서 상방향 또는 하방향으로 이동한다. 즉, 조절 나사부(230)에 의해 하부 너트(220)가 시계방향으로 회전하면 상기 하부 너트(220)는 리드스크류(500)상에서 상방향으로 이동하며, 하부 너트(220)가 반 시계방향으로 회전하면 상기 하부 너트(220)는 리드스크류(500) 상에서 하방향으로 이동한다. 또한, 하부 너트(220)는 이송플레이트(210)의 하부에 위치하여 상기 이송플레이트(210)를 지지하므로 하부 너트(220)가 상방향 또는 하방향으로 이동함에 따라 이송플레이트(210)가 소정 높이로 승강 또는 하강한다. 복수의 하부 너트(220) 각각은 상기 복수의 하부 너트(220)와 각기 연결된 조절 나사부(230)에 의해 개별적으로 제어된다. 따라서, 본 실시예에서는 복수의 하부 너트(220) 중 기울어진 스테이지부(130)의 영역에 대응하는 이송플레이트(210)의 영역에 위치하는 하부 너트(220)를 이동시킴으로써, 스테이지부(130)의 수평도를 조절할 수 있다.
조절 나사부(230)는 이송플레이트(210)의 하부에 위치하는 하부 너트(220)를 회전시킨다. 여기서, 조절 나사부(230)는 복수개로 마련되어 복수의 하부 너 트(220) 각각에 연결된다. 이로 인해, 복수의 하부 너트(220) 각각에 연결된 조절 나사부(230)를 이용하여 상기 하부 너트(220)를 개별적으로 제어한다. 이러한 조절 나사부(230)는 도 2(a) 및 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 하부 너트(220)에 연결된 제 1 나사부재(230a)와, 이송플레이트(210)의 하부에 연결되어 제 1 나사부재(230a)와 마주보도록 배치된 제 2 나사부재(230b)와, 마주보는 제 1 나사부재(230a)와 제 2 나사부재(230b) 사이에 배치되어 상기 제 1 나사부재(230a)와 제 2 나사부재(230b)를 이동시키는 조절캡(233)을 포함한다. 여기서, 제 1 나사부재(230a)는 하부 너트(220)에 연결된 절곡부(232a)와, 상기 절곡부(232a)에 연결된 제 1 나사(231a)를 포함한다. 또한, 제 2 나사부재(230b)는 이송플레이트(210)의 하부에 연결된 고정부(232b)와, 상기 고정부(232b)에 연결된 제 2 나사(231b)를 포함한다. 이때, 제 1 나사(231a) 및 제 2 나사(231b)는 서로 다른 나사산이 형성된 것을 사용한다. 즉, 오른 나사산이 형성된 제 1 나사(231a) 및 왼 나사산이 형성된 제 2 나사(231b)를 사용하거나, 왼 나사산이 형성된 제 1 나사(231a) 및 오른 나사산이 형성된 제 2 나사(231b)를 사용한다. 본 실시예에서는 오른 나사산이 형성된 제 1 나사(231a)와 왼 나사산이 형성된 제 2 나사(231b)를 사용한다. 조절캡(233)의 내주면에는 오른 암나사산 및 왼 암나사산이 각각 형성된다. 이때, 제 1 나사(231a)가 삽입되는 영역에는 오른 암나사산이 형성되고, 제 2 나사(231b)가 삽입되는 영역에는 왼 암나사산이 형성된다. 예를 들어, 조절캡(233)을 도 2(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이 정방향으로 회전시키면, 제 1 나사(231a)와 제 2 나사(231b) 사이의 간격이 좁혀진다. 즉, 조절캡(233)을 정방향으로 회전시키면 제 1 나사(231a)는 제 2 나사(231b)가 위치한 방향으로 전진하고, 제 2 나사(231b)는 제 1 나사(231a)가 위치한 방향으로 전진한다. 이때, 제 1 나사(231a)는 회전 가능한 하부 너트(220)와 결합된 절곡부(232a)와 연결되어 있고, 제 2 나사(231b)는 이송플레이트(210)에 고정된 고정부(232b)와 연결되어 있다. 이로 인해, 제 1 나사(231a)에 연결된 절곡부(232a)는 상기 절곡부(232a)에 연결된 하부 너트(220)를 시계방향으로 회전시킨다. 즉, 제 1 나사(231a)의 직선 운동이 절곡부(232a)를 통해 하부 너트(220)로 전달되어 상기 하부 너트(220)를 회전시킨다. 따라서, 하부 너트(220)는 리드스크류(500) 상에서 시계방향으로 회전하면서 상방향으로 이동한다. 이와는 반대로, 조절캡(233)을 도 2(b) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이 역방향으로 회전시키면 제 1 나사(231a)와 제 2 나사(231b)의 간격이 넓어진다. 즉, 조절캡(233)을 반 역방향으로 돌리면 제 1 나사(231a)는 하부 너트(220)가 위치한 방향으로 후진하고, 제 2 나사(231b)는 고정부(232b)가 배치된 방향으로 후진한다. 이로 인해, 제 1 나사(231a)에 연결된 절곡부(232a)는 상기 절곡부(232a)에 연결된 하부 너트(220)를 반 시계방향으로 회전시킨다. 따라서, 하부 너트(220)는 리드스크류(500) 상에서 반 시계방향으로 회전하면서 하방향으로 이동한다. 여기서, 조절캡(233)의 회전수 및 회전 정도에 따라 하부 너트(220) 및 이송플레이트(210)의 승강 또는 하강되는 높이가 조절된다. 이때, 조절캡(233)의 표면에는 상기 조절캡(233)의 회전 정도를 알 수 있는 눈금자가 형성된다. 따라서, 센서부(미도시)를 통해 스테이지부(130)의 수평도를 감지하고 모니터링부(미도시)에 디스플레이되면, 스테이지부(130)의 기울어짐 정도에 따라 조절캡(233)을 회전시킨다. 즉, 스테이지 부(130)의 기울어짐 정도에 따라 조절캡(233)의 회전수 및 회전 정도를 조절한다. 또한, 복수의 하부 너트(220) 중 조절 나사부(230)에 의해 조절되어 이동되는 하부 너트(220)는 기울어진 스테이지부(130)의 영역에 대응 위치하는 하부 너트(220)인 것이 바람직하다. 이로 인해, 상기 하부 너트(220)에 의해 기울어진 스테이지부(130)의 영역에 대응하는 이송플레이트(210)의 영역이 승강 또는 하강한다. 따라서, 기울어진 스테이지부(130)의 영역에 대응하는 지지부(400) 영역이 승강 또는 하강함에 따라 스테이지부(130)의 수평도가 조절된다. 예를 들어, 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 다른 영역에 비해 낮게 위치하는 스테이지부(130)의 영역에 대응하는 이송플레이트(210)의 영역을 승강시킨다. 즉, 상기 이송플레이트(210)의 영역에 대응하는 하부 너트(220)를 조절 나사부를 이용하여 상방향으로 이동시킨다. 이를 통해, 다른 영역에 비해 낮게 위치하는 스테이지부(130)에 대응하는 이송플레이트(210)의 영역이 승강된다. 또한, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 다른 영역에 비해 높게 위치하는 하는 스테이지부(130)의 영역에 대응하는 이송플레이트(210)의 영역을 하강시킬 수도 있다. 즉, 상기 이송플레이트(210)의 영역에 대응하는 하부 너트(220)를 조절 나사부를 이용하여 하방향으로 이동시킨다. 이를 통해, 다른 영역에 비해 낮게 위치하는 스테이지부(130)의 영역에 대응하는 이송플레이트(210)의 영역이 승강된다. 이와 같이, 본 실시예에서는 기울어진 스테이지부(130)의 영역에 대응하는 이송플레이트(210) 및 이송플레이트(210)에 결합된 지지부(400)를 소정 높이로 승강 또는 하강 시킴으로써, 상기 스테이지부(130)가 수평으로 배치된다.
승하강부(300)는 지지부(400)가 연결된 이송플레이트(210)를 승강하강 시킴 으로써, 상기 지지부(400)의 상부에 장착된 스테이지부(130)를 승하강시킨다. 즉, 승하강부(300)는 지지부(400)에 장착된 스테이지부(130)를 공정 높이까지 승강시키거나 공정이 종료된 스테이지부(130)를 하강시킨다. 이러한 승하강부(300)는 챔버(110) 외측 하부에 연결된 고정플레이트(310)와, 고정플레이트(310)의 하부에 위치하여 복수의 리드스크류(500)와 각기 결합되는 복수의 상부 너트(320)와, 고정플레이트(310)의 하부에 위치하고 회전 가능한 복수의 풀리(330)와, 복수의 풀리(330) 중 어느 하나에 연결되어 상기 풀리(330)를 회전시키는 회전 동력부(340)와, 복수의 상부 너트(320) 및 복수의 풀리(330)를 연결하여 회전력을 전달하는 벨트(350)를 포함한다. 여기서, 복수의 풀리(330)는 고정플레이트(310)의 하부에서 벨트(350)의 장력을 유지할 수 있도록 설치된다. 본 실시예에서는 오른 나사산이 형성된 리드스크류(500)를 사용하므로, 오른 암나사산이 형성된 상부 너트(320)를 사용한다. 또한, 복수의 상부 너트(320)는 이송플레이트(210)의 하부에 위치하는 하부 너트(220)와 대응하도록 위치하여 리드스크류(500)와 결합된다. 이와 같은 승하강부(300)를 이용하여 스테이지부(130)를 승강 또는 하강시키는 방법은 먼저, 복수의 풀리(330) 중 어느 하나에 연결된 회전 동력부(340)를 구동시킨다. 회전 동력부(340)의 동력은 상기 회전 동력부(340)와 연결된 풀리(330)로 전달되어 풀리(330)를 회전시킨다. 풀리(330)가 회전하면 상기 풀리(330)의 회전력이 벨트(350)에 의해 복수의 풀리(330) 및 상부 너트(320)에 전달된다. 이로 인해, 복수의 풀리(330) 및 복수의 상부 너트(320)가 동시에 회전한다. 또한, 복수의 상부 너트(320)의 회전에 의해 상기 복수의 상부 너트(320)와 결합된 복수의 리드스크 류(500)가 동시에 회전한다. 이로 인해, 복수의 리드스크류(500)에 각기 결합된 복수의 하부 너트(220)가 동시에 회전한다. 이때, 복수의 하부 너트(220)는 회전 방향에 따라 리드스크류(500) 상에서 상방향 또는 하방향으로 이동한다. 이와 같이, 상방향 또는 하방향으로 이동하는 복수의 하부 너트(220)에 의해 지지부(400)와 결합된 이송플레이트(210) 전체가 승강 또는 하강된다. 따라서, 본 실시예에서는 이와 같은 승하강부(300)를 이용하여 스테이지부(130)를 공정 높이까지 승강시키거나 공정이 종료된 스테이지부(130)를 하강시킨다.
하기에서는 실시예에 따른 식각 장치의 동작을 설명한다. 먼저, 기판(G)을 챔버(110) 내로 인입시켜 스테이지부(130)에 안착시킨다. 그리고, 챔버(110) 외부에 위치하는 스테이지 구동부(600)를 이용하여 기판(G)이 안착된 스테이지부(130)를 공정 높이까지 승강시킨다. 즉, 스테이지 구동부(600)의 승하강부(300)를 이용하여 이송플레이트(210) 전체를 승강시켜, 상기 이송플레이트(210)에 결합된 지지부(400)를 승강시킨다. 이로 인해, 지지부(400)에 의해 지지되고 기판(G)이 안착된 스테이지부(130)가 승강된다. 이후, 스테이지 구동부(600)의 수평 조절부(200)를 이용하여 기판(G)이 안착된 스테이지부(130)의 수평도를 조절한다. 이때, 본 실시예에서는 챔버(110)를 개방하지 않고 상기 챔버(110)의 외부에서 스테이지부(130)의 수평도를 조절할 수 있다.
이어서, 챔버(110)의 내부 압력을 일정하게 유지한 상태에서 가스 분사부(120)의 인젝터(121)에 플라즈마 전원을 인가하고, 상기 인젝터(121)를 통해 공정 가스를 분사한다. 이때, 공정 가스는 가스 공급부(124)로부터 인젝터(121) 내의 가스 공급 배관(123)으로 공급되고, 상기 인젝터(121)의 분사홀(122)을 통해 분사된다. 또한, 기판(G)이 안착된 스테이지부(130)는 접지(131)에 접속되는 것이 바람직하다. 이를 통해, 기판(G) 상면과 인젝터(121) 사이에는 플라즈마가 발생되고, 상기 플라즈마는 공정 가스 예를들어 식각 가스를 활성화시킨다. 이와 같이 활성화된 공정 가스는 기판(G) 상면에 형성된 박막 및 기판(G)을 식각한다. 그리고, 공정이 종료된 후 스테이지 구동부(600)를 이용하여 지지부(400)에 의해 지지된 스테이지부(130)를 하강시킨다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치의 챔버부(100)는 기판 또는 기판(G) 상에 형성된 박막을 식각하는 식각 장치를 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하지 않고 다양한 공정을 진행하는 장치에 적용될 수 있다. 즉, 기판 처리 장치의 챔버부는 증착장치 일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 2(a) 및 도 2(b)는 실시예에 따른 수평 조절부의 조절 나사부를 이용하여 하부 너트를 회전시키는 방법을 설명하기 의해 도시한 도면.
도 3(a) 및 도 3(b)는 실시예에 따른 수평 조절부를 이용하여 이송플레이트를 승강 또는 하강시키는 방법을 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
100 : 챔버부 120 : 가스 분사부
130 : 스테이지부 200 : 수평 조절부
300 : 승하강부 600 : 스테이지 구동부

Claims (17)

  1. 기판 처리 공간을 구비하는 챔버;
    상기 챔버 내에 설치되고 기판이 안착되는 스테이지부;
    상기 챔버의 외부에 위치하여 상기 스테이지부의 수평도를 조절하는 스테이지 구동부;
    상기 챔버 내에 위치하는 스테이지부를 지지하고, 상기 챔버의 외부로 돌출되어 스테이지 구동부와 연결되는 지지부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 스테이지 구동부는 챔버의 외부로 돌출된 지지부와 결합되어 상기 지지부에 장착된 스테이지부의 수평도를 조절하는 수평 조절부;
    상기 수평 조절부의 상측에 배치되어 상기 지지부와 결합된 수평 조절부 전체를 승강 또는 하강시키는 승하강부;
    상기 수평 조절부와 승하강부를 연결하는 복수의 리드스크류를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 챔버에는 스테이지부의 수평도를 감지하는 센서부가 설치되는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 수평 조절부는 지지부의 하부와 결합되는 이송플레이트;
    상기 이송플레이트의 하부에 위치하여 복수의 리드스크류와 각기 결합되는 복수의 하부 너트;
    상기 복수의 하부 너트와 각기 연결되어 상기 복수의 하부 너트 각각을 개별적으로 회전시키는 복수의 조절 나사부를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수의 하부 너트는 회전 방향에 따라 리드스크류 상에서 상방향 또는 하방향으로 이동하는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 하부 너트 중 어느 하나의 하부 너트가 상방향 또는 하방향으로 이동할 경우 상기 하부 너트에 대응하는 이송플레이트의 영역이 승강 또는 하강되는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 조절 나사부는 하부 너트와 연결된 제 1 나사부재;
    상기 제 1 나사부재와 마주보도록 배치되고 이송플레이트에 연결된 제 2 나 사부재;
    상기 제 1 나사부재와 제 2 나사부재 사이에서 상기 제 1 나사부재 및 제 2 나사부재의 일부가 삽입되도록 배치된 조절캡을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 나사부재는 회전 가능한 하부 너트에 연결된 절곡부와 상기 절곡부에 연결된 제 1 나사를 포함하고, 제 2 나사부재는 이송플레이트의 하부에 고정된 고정부와 상기 고정부에 연결되어 제 1 나사와 마주 보도록 배치된 제 2 나사를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제 1 나사 및 제 2 나사는 왼 나사 및 오른 나사 중 어느 하나이고, 상기 제 1 나사 및 제 2 나사는 서로 다른 방향의 나사를 사용하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제 1 나사 및 제 2 나사는 조절캡의 회전 방향에 따라 서로 가까워 지거나 멀어지는 기판 처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제 1 나사 및 제 2 나사의 이동 방향에 따라 상기 제 1 나사에 연결된 절곡부에 의해 하부 너트가 회전하는 기판 처리 장치.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 조절캡의 표면에는 상기 조절캡의 회전 정도를 알 수 있는 눈금자가 형성되는 기판 처리 장치.
  13. 청구항 2에 있어서,
    상기 승하강부는 이송플레이트의 상측에 배치되어 챔버의 외부와 연결된 고정플레이트;
    상기 고정플레이트의 하부에 위치하여 복수의 리드스크류와 각기 결합되는 복수의 상부 너트;
    상기 고정 플레이트의 하부에 위치하고 회전 가능한 복수의 풀리;
    상기 복수의 풀리 중 어느 하나에 연결되어 상기 풀리를 회전시키는 회전 동력부;
    상기 복수의 풀리 및 복수의 상부 너트를 연결하도록 설치되어 상기 복수의 풀리 및 복수의 상부 너트를 동시에 회전시키는 벨트를 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 복수의 상부 너트는 상기 수평 조절부의 이송플레이트의 하부에 위치하는 복수의 하부 너트와 대응 위치하고, 상기 복수의 하부 너트와 각기 결합된 복수 의 리드스크류와 결합되는 기판 처리 장치.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 복수의 풀리 및 복수의 상부 너트가 동시에 회전함으로써, 상기 복수의 상부 너트와 각기 연결된 복수의 리드스크류가 동시에 회전하는 기판 처리 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 복수의 리드스크류의 회전에 의해 상기 수평 조절부의 복수의 하부 너트가 동시에 회전하고, 상기 복수의 하부 너트는 회전방향에 따라 리드스크류 상에서 동시에 상방향 또는 하방향으로 이동하는 기판 처리 장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 복수의 하부 너트가 동시에 상방향 또는 하방향으로 이동함으로써, 상기 복수의 하부 너트의 상부에 위치하는 이송플레이트의 전체가 승강 또는 하강하는 기판 처리 장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101657101B1 (ko) * 2016-05-04 2016-09-13 주식회사 테스 기판처리장치의 수평조절장치 및 이를 이용한 수평조절방법
KR20190042159A (ko) * 2017-10-16 2019-04-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101999683B1 (ko) * 2019-02-26 2019-07-15 (주)마이크로인스 플라즈마 스러스터
KR20200061696A (ko) * 2018-11-26 2020-06-03 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101618849B1 (ko) 2015-01-23 2016-05-09 아메스산업(주) 스테이지의 평탄도 교정이 용이한 반도체 검사 장치
KR20210084892A (ko) 2019-12-30 2021-07-08 (주)에이엔에이치 기판 처리장치의 서셉터 오토 레벨링 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001230307A (ja) * 2000-02-17 2001-08-24 Rohm Co Ltd 半導体製造装置
KR20020037856A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 윤종용 보트 수평 조절 장치
JP2004172243A (ja) 2002-11-19 2004-06-17 Nec Kansai Ltd ドライエッチング装置
KR20050029804A (ko) * 2003-09-23 2005-03-29 삼성전자주식회사 하부전극 밸런스 확인기능을 갖는 반도체 제조 설비

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101657101B1 (ko) * 2016-05-04 2016-09-13 주식회사 테스 기판처리장치의 수평조절장치 및 이를 이용한 수평조절방법
KR20190042159A (ko) * 2017-10-16 2019-04-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11443938B2 (en) 2017-10-16 2022-09-13 Semes Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20200061696A (ko) * 2018-11-26 2020-06-03 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
KR101999683B1 (ko) * 2019-02-26 2019-07-15 (주)마이크로인스 플라즈마 스러스터

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