KR20090117947A - 나노 임프린트용의 막형성 조성물, 그리고 구조체의 제조 방법 및 구조체 - Google Patents

나노 임프린트용의 막형성 조성물, 그리고 구조체의 제조 방법 및 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR20090117947A
KR20090117947A KR1020097019775A KR20097019775A KR20090117947A KR 20090117947 A KR20090117947 A KR 20090117947A KR 1020097019775 A KR1020097019775 A KR 1020097019775A KR 20097019775 A KR20097019775 A KR 20097019775A KR 20090117947 A KR20090117947 A KR 20090117947A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin layer
mold
resin
forming composition
film
Prior art date
Application number
KR1020097019775A
Other languages
English (en)
Inventor
요시유키 다케우치
기요시 이시카와
Original Assignee
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2007091695A external-priority patent/JP4963254B2/ja
Priority claimed from JP2007227090A external-priority patent/JP2009056737A/ja
Priority claimed from JP2007227089A external-priority patent/JP2009056736A/ja
Application filed by 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Publication of KR20090117947A publication Critical patent/KR20090117947A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y5/00—Nanobiotechnology or nanomedicine, e.g. protein engineering or drug delivery
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

몰드의 형상을 고정밀도로 전사할 수 있고, 또한, 기체와의 밀착성, 몰드의 박리성이 양호한 나노 임프린트용의 막형성 조성물, 얻어지는 구조체의 열 안정성을 효율적이고 또한 효과적으로 높일 수 있는 구조체의 제조 방법, 비교적 낮은 프레스 압력으로 구조체를 얻을 수 있는 구조체의 제조 방법, 및 제조된 구조체를 제공한다. 막형성 조성물으로서는, 특정한 구성 단위를 갖는 실세스퀴옥산 수지를 사용하거나, 질량 평균 분자량 300 ∼ 5000 의 저분자량의 실록산 수지를 함유시키는 것이 바람직하다. 또, 구조체의 제조시에는, 몰드를 박리시킨 후의 수지층에 감압 하에서 자외선을 조사하는 것이 바람직하다.

Description

나노 임프린트용의 막형성 조성물, 그리고 구조체의 제조 방법 및 구조체{FILM FORMING COMPOSITION FOR NANOIMPRINTING, PROCESS FOR PRODUCTION OF STRUCTURES, AND STRUCTURES}
본 발명은 나노 임프린트용의 막형성 조성물, 그리고 구조체의 제조 방법 및 제조된 구조체에 관한 것이다.
종래, 기체 상에 미세한 패턴을 형성하는 기술 중 하나로서, 나노 임프린트 기술이 제안되어 있다 (특허문헌 1 참조). 이 나노 임프린트 기술은, 기본적으로는, 소정의 패턴이 형성된 몰드를 표면에 수지층이 형성된 기체에 대해 가압하고, 몰드의 형상을 수지층에 전사시킴으로써 미세한 전사 패턴을 얻는 것이다. 이와 같이 하여 얻어진 패턴 형상의 수지층은, 예를 들어 기체를 에칭 가공할 때의 레지스트로서 이용된다. 본 명세서에서는, 이와 같이 나노 임프린트 기술을 이용하여 얻어진 패턴 형상의 수지층을 「구조체」라고 총칭한다.
지금까지, 수지층에는 열가소성 수지나 광경화성 수지가 이용되었고, 각각 「열 나노 임프린트 기술」, 「광 나노 임프린트 기술」로서 공지되었다. 열 나노 임프린트 기술에서는, 미리 가열에 의해 수지를 연화시켜 두고, 이어서, 몰드를 수지층에 가압하고, 그 상태에서 수지층을 냉각시켜 수지를 경화시키고, 그 후, 몰드를 박리함으로써 전사 패턴을 형성한다. 한편, 광 나노 임프린트 기술에서는, 몰드를 수지층에 가압하고, 그 상태에서 수지층에 광을 조사하여 수지를 경화시키고, 그 후, 몰드를 박리함으로써 전사 패턴을 형성한다.
또, 최근에, 수지층에 실록산 수지를 이용하여, 실온에서 전사 패턴을 얻는 기술이 제안되었고, 「실온 나노 임프린트 기술」로서 인식되기에 이르렀다 (특허문헌 2 참조). 이 실온 나노 임프린트 기술에서는, 몰드를 수지층에 가압하고, 그 후, 몰드를 박리함으로써 전사 패턴을 형성한다. 이 실온 나노 임프린트 기술은, 종래의 열 나노 임프린트 기술이나 광 나노 임프린트 기술과 같이 가열이나 광 조사의 공정이 필요하지 않으므로, 스루풋이 높다는 특장이 있다. 또, 수지층에는 실록산 수지가 이용되었기 때문에, 얻어진 구조체는 에칭용 레지스트로서 뿐만 아니라, CM0S 센서에 있어서의 극소 렌즈 등으로도 이용할 수 있다.
특허문헌 1 : 미국 특허 제5772905호 명세서
특허문헌 2 : 일본 공개특허공보 2003-100609호
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
이 실온 나노 임프린트 기술에서는, 특히 미세한 패턴이 형성된 몰드를 수지층에 가압했을 때에 몰드의 오목부 구석에까지 수지가 충전되지 않아 패턴 형상이 고정밀도로 전사되지 않는다는 문제나, 몰드를 박리했을 때에 전사 패턴이 기체로부터 박리되어 버린다는 문제 등이 있었다.
또, 실온 나노 임프린트 기술을 이용하여 얻어진 구조체를 레지스트 이외의 용도에 이용하는 경우, 구조체에 대해 가열 처리가 실시되는 경우가 있기 때문에, 구조체에는 가열에 의해서도 형상이 변화되지 않을 것, 즉 열안정성이 요구되고 있다.
또, 이 실온 나노 임프린트 기술은, 열 나노 임프린트 기술이나 광 나노 임프린트 기술과 비교하여 몰드를 수지층에 가압할 때에 필요한 프레스 압력이 높기 때문에, 비교적 낮은 프레스 압력으로 몰드의 형상을 수지층에 전사할 수 있는 실온 나노 임프린트 기술이 요망되고 있다.
본 발명은, 이와 같은 종래의 과제를 감안하여 이루어진 것이고, 몰드의 형상을 고정밀도로 전사할 수 있고, 또한, 기체와의 밀착성, 몰드의 박리성이 양호한 나노 임프린트용의 막형성 조성물, 그리고 구조체의 제조 방법 및 제조된 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은 얻어지는 구조체의 열안정성을 효율적이고 또한 효과적으로 높일 수 있는 구조체의 제조 방법, 및 그러한 제조 방법에 의해 얻어진 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 몰드의 프레스 압력이 비교적 낮은 경우에도, 몰드의 형상이 전사된 구조체를 얻는 것이 가능한 구조체의 제조 방법, 및 그러한 제조 방법에 의해 얻어진 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 특정한 막형성 조성물, 혹은 특정 제조 방법을 채용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하와 같은 것을 제공한다.
본 발명의 제 1 양태는, 하기 일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위를 갖는 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용의 막형성 조성물이다.
[화학식 1]
Figure 112009058089632-PCT00001
[식 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R2 는 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기를 나타낸다]
본 발명의 제 2 양태는, 기체 상에 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정과, 상기 수지층에 몰드를 가압하는 공정과, 상기 수지층으로부터 상기 몰드를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법이다.
본 발명의 제 ３ 양태는, 기체 상에 실록산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 도포하고 수지층을 형성하는 공정과, 상기 수지층에 몰드를 가압하는 공정과, 상기 수지층으로부터 상기 몰드를 박리하는 공정과, 상기 수지층에 감압 하에서 자외선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법이다.
본 발명의 제 ４ 양태는, 기체 상에 실록산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정과, 상기 수지층에 몰드를 가압하는 공정과, 상기 수지층으로부터 상기 몰드를 박리하는 공정을 포함하고, 상기 실록산 수지가 질량 평균 분자량 300 ∼ 5000 의 저분자량의 실록산 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법이다.
본 발명의 제 ５ 양태는 본 발명의 구조체의 제조 방법에 의해 얻어진 구조체이다.
발명의 효과
본 발명의 막형성 조성물은, 몰드의 형상을 고정밀도로 전사할 수 있고, 또한, 기체와의 밀착성, 몰드의 박리성이 양호하다. 따라서, 이 막형성 조성물로 이루어지는 수지층에 몰드를 가압함으로써, 몰드의 형상을 고정밀도로 반영한 구조체를 제조할 수 있다. 또, 본 발명의 구조체의 제조 방법에 의하면, 몰드의 프레스 압력이 비교적 낮은 경우에도, 몰드의 형상이 전사된 구조체를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 구조체의 제조 방법에 의하면, 효율적이고 또한 효과적으로 구조체의 열안정성을 향상시킬 수 있다.
도 1 은 자외선 조사 전의 구조체를 나타내는 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 2 는 감압 하에서 자외선을 조사하고, 400 ℃ 에서 가열시킨 후의 구조체를 나타내는 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 3 은 감압을 실시하지 않고 자외선을 조사하고, 400 ℃ 에서 가열시킨 후의 구조체를 나타내는 주사형 전자 현미경 사진이다.
발명을 실시하기 위한 형태
(1) 제 1 실시형태
<<막형성 조성물>>
<실세스퀴옥산 수지>
제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물은, 하기 일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위를 갖는 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 것을 특징으로 한다. 이 구성 단위는, 1 종을 이용하여도 되고, 2 종 이상 조합하여 이용하여도 된다.
[화학식 2]
Figure 112009058089632-PCT00002
상기 일반식 (a-1) 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다. 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직사슬형의 알킬기나, 이소프로필기, tert-부틸기 등의 분기사슬형의 알킬 기를 들 수 있다. 이 R1 로서는 수소 원자가 특히 바람직하다.
또, R2 는 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기로서는 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, n-부틸렌기 등의 직사슬형의 알킬렌기나, 이소프로필렌기, n-부틸렌기 등의 분기사슬형의 알킬렌기를 들 수 있다. 이 R2 로서는 메틸렌기 및 에틸렌기가 특히 바람직하다.
제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물은, 이 일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위를 갖는 실세스퀴옥산 수지를 함유하므로, 미소 공간으로의 매립성이 양호한 것이 된다. 따라서, 이 막형성 조성물로 이루어지는 수지층에 몰드를 가압한 경우, 낮은 프레스 압력 또한 짧은 프레스 시간으로, 몰드의 형상을 고정밀도로 전사할 수 있다.
또, 이와 같은 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물은 수지층과 기체의 밀착성, 수지층으로부터의 몰드의 박리성도 양호한 것이 된다.
또한, 이와 같은 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물은 높은 투명성·굴절률을 갖는다. 따라서, 이 막형성 조성물에 의해, 렌즈 등의 고굴절률 부재를 제조하는 것이 가능해진다.
일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위의 비율은, 실세스퀴옥산 수지의 전체 구성 단위에 대해 10 ∼ 100 몰% 인 것이 바람직하고, 15 ∼ 100 몰% 인 것이 보다 바람직하다.
실세스퀴옥산 수지는 하기 일반식 (a-2) 로 나타내는 구성 단위를 추가로 갖고 있어도 된다.
[화학식 3]
Figure 112009058089632-PCT00003
상기 일반식 (a-2) 중, R3 은 탄소수 1 ∼ 15 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 15 의 방향족 탄화수소기를 나타낸다. 탄소수 1 ∼ 15 의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직사슬형의 알킬기, 이소프로필기, tert-부틸기 등의 분기사슬형의 알킬기, 혹은 시클로펜탄, 시클로헥산, 아다만탄, 노르보르난 등으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 고리형의 알킬기를 들 수 있다. 또, 탄소수 6 ∼ 15 의 방향족 탄화수소기로서는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 등을 들 수 있다. 이 R3 으로서는 페닐기, 나프틸기가 특히 바람직하다.
실세스퀴옥산 수지는, 상기 일반식 (a-1), (a-2) 로 나타내는 구성 단위 이외의 구성 단위를 추가로 갖고 있어도 된다.
실세스퀴옥산 수지의 질량 평균 분자량 (GPC 에 의한 폴리스티렌 환산 질량.
본 명세서에 있어서 동일) 은, 특별히 한정되지 않는데, 2000 ∼ 30000 인 것이 바람직하고, 3000 ∼ 15000 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 유 기 용제에 대한 용해성이 양호해진다. 또, 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물로 이루어지는 수지층에 몰드를 가압했을 때, 몰드의 형상이 고정밀도로 전사되게 된다.
<유기 용제>
제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물은, 상기 서술한 실세스퀴옥산 수지 등의 모든 성분을 적당한 유기 용제에 용해시켜 용액의 형태로 사용하는 것이 바람직하다.
유기 용제로서는, 구체적으로는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, n-부탄올 등의 알코올류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸-n-아밀케톤, 메틸이소아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 혹은 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 ; 디옥산 등의 고리형 에테르류 ; 락트산메틸, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레딜메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 아밀벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 자일렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다. 이들 유기 용제는, 1 종을 이용하여도 되고, 2 종 이상 조합하여 이용하여도 된다. 그 중에서도, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME), n-부탄올을 사용하는 것이 바람직하다.
유기 용제의 배합량은, 특별히 한정되지 않는데, 실세스퀴옥산 수지의 농도가 0.1 ∼ 40 질량% 가 되도록 사용하는 것이 바람직하고, 1 ∼ 30 질량% 가 되도록 사용하는 것이 보다 바람직하다.
<계면 활성제>
제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물은 필요에 따라 계면 활성제를 함유하고 있어도 된다. 계면 활성제를 함유함으로써 몰드 형상의 전사성이 양호한 것이 된다. 계면 활성제로서는 특별히 한정되지 않고, 공지된 성분을 사용할 수 있다.
<<구조체의 제조 방법>>
제 1 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법은, 기체 상에 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정과, 수지층에 몰드를 가압하는 공정과, 수지층으로부터 몰드를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
먼저, 기체 상에 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 스핀 코트법 등에 의해 도포하여 수지층을 형성한다. 수지층의 막두께는, 제조하는 구조체의 종류에 따라 다르기도 하지만, 예를 들어 10 ㎚ ∼ 5 ㎛ 정도가 바람직하다.
또, 기체로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 실리콘, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 기판이나 유리 기판, 혹은 이들에 소정의 배선 패턴이 형성된 것을 사용할 수 있다. 또, 이들 기판에 유기층이나 무기층이 형성된 것을 이용하여도 된다.
다음으로, 기체 상에 형성된 수지층에 소정 형상의 몰드를 가압하고, 몰드의 형상을 수지층에 전사한다. 이 때, 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 막형성 조성물으로서 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물을 사용한 경우에는, 프레스 압력이 비교적 낮은 경우에도, 단시간에 몰드의 오목부 구석에까지 수지가 충전되기 때문에, 몰드의 형상을 고정밀도로 전사할 수 있음과 함께, 가열하거나 자외선을 조사하거나 하지 않고 수지층이 몰드의 형상에 경화되므로 바람직하다.
몰드의 프레스 압력은 10 ∼ 50 MPa 정도인 것이 바람직하다. 또, 프레스 시간은, 수지층의 두께에 따라 다르기도 하지만, 10 ∼ 120 초 정도인 것이 바람직하다. 이와 같이 몰드를 가압한 상태에서 소정 시간 프레스함으로써, 수지층의 형상이 보다 경화된다.
그 후, 수지층으로부터 몰드를 박리한다. 이 때, 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 막형성 조성물로서 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물을 이용하여 수지층을 형성한 경우에는, 기체와의 밀착성이 높고, 또한 몰드의 박리성이 양호하기 때문에, 몰드를 박리했을 때, 수지층이 기체로부터 박리되어 버리는 경우가 없다.
이와 같이 하여, 몰드의 형상이 고정밀도로 전사된 구조체를 기체 상에 형성 할 수 있다. 또한, 몰드의 박리 후에 구조체를 가열하거나 자외선 (UV 광) 등을 조사하거나 하여, 구조체를 더욱 경화시키도록 하여도 상관없다. 특히 UV 광의 조사는, 구조체를 안정화시킬 수 있고, 형성된 구조체의 변형 (쉬링크, 형 붕괴 등) 을 방지할 수 있어 바람직하다. 이와 같이 UV 광이 조사된 구조체는, 그 후에 가열 등의 공정이 있는 경우에도 형상 변화되지 않고, 특히 쉬링크되는 경우가 없으므로, 그대로 구조체로서 사용하는 경우에 특히 바람직하다.
얻어지는 구조체의 형상은, 몰드의 형상에 따라 여러 가지로 변경할 수 있다. 예를 들어, 소정의 패턴이 형성된 몰드를 사용하는 경우, 몰드를 변경함으로써, 예를 들어 10 ㎚ 간격의 극미세 패턴이 형성된 구조체로부터, 2 ㎛ 간격의 러프 패턴이 형성된 구조체까지, 여러 가지로 제조할 수 있다. 또, 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물은 높은 투명성·굴절률을 가지므로, 렌즈 형상의 몰드를 사용함으로써 CM0S 센서 등에 사용할 수 있는 극소 렌즈를 제조할 수 있다.
<<패턴 형성 방법>>
상기 서술한 바와 같이, 제 1 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법에 의하면 여러 가지 형상의 구조체를 제조할 수 있는데, 이하에서는, 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물에 의해, 기체 상에 소정의 패턴의 구조체를 형성하고, 이 구조체를 레지스트로서 사용하는 경우에 대해 추가로 설명한다. 단, 이 패턴 형성 방법은 상기 서술한 구조체의 제조 방법과 동일하기 때문에, 동일한 부분에 대해서는 기재를 생략 또는 간략화한다.
먼저, 기체 상에 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물을 스핀 코트법 등 에 의해 도포하여 수지층을 형성한다. 수지층의 막두께는 10 ∼ 200 ㎚ 가 바람직하고, 30 ∼ 150 ㎚ 가 보다 바람직하다. 이 범위 내의 막두께로 함으로써, 충분한 에칭 내성을 확보할 수 있다.
또한, 고(高)애스펙트비의 패턴을 형성하는 경우, 기체로서는 기판 상에 유기층이 형성된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 유기층의 형성에 사용되는 수지로서는, 산소 플라즈마에 의해 에칭하기 쉬움과 동시에, 실리콘 기판 등의 에칭에 사용되는 불화 탄소계 가스에 대한 내성이 높은 것 등으로부터, 노볼락 수지, 아크릴 수지, 가용성 폴리이미드 등이 바람직하다.
유기층의 막두께는 100 ∼ 14000 ㎚ 가 바람직하고, 300 ∼ 5000 ㎚ 가 보다 바람직하다. 이 범위 내의 막두께로 함으로써 충분한 에칭 내성을 확보할 수 있다.
다음으로, 기체 상에 형성된 수지층에 소정의 패턴이 형성된 몰드를 가압하고, 몰드의 패턴을 수지층에 전사한다. 이 때, 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물은, 프레스 압력이 비교적 낮은 경우에도, 단시간에 몰드의 오목부 구석에까지 수지가 충전되기 때문에, 몰드의 형상을 고정밀도로 전사할 수 있다.
그 후, 수지층으로부터 몰드를 박리한다. 이 때, 제 1 실시형태에 있어서의 막형성 조성물로 이루어지는 수지층은, 기체와의 밀착성이 높고, 또한 몰드의 박리성이 양호하기 때문에, 몰드를 박리했을 때 수지층이 기체로부터 박리되어 버리는 경우가 없다.
몰드의 패턴이 전사된 레지스트가 기체 상에 형성된 후에는, 이하와 같이 하 여 에칭에 의해 기판 상에 패턴을 형성할 수 있다.
즉, 몰드의 패턴이 전사된 레지스트를 마스크로 하여, 기판을 불화 탄소계 가스에 의해 에칭하고, 기판에 패턴을 형성한다. 또한, 기판 상에 유기층이 형성되어 있는 경우에는, 몰드의 패턴이 전사된 레지스트를 마스크로 하여, 유기층을 산소 플라즈마에 의해 에칭한 후, 기판을 불화 탄소계 가스에 의해 에칭한다. 그 후, 기판 상의 레지스트 등을 용해 제거한다.
(2) 제 2 실시형태
<<구조체의 제조 방법>>
제 2 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법은, 기체 상에 실록산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정과, 수지층에 몰드를 가압하는 공정과, 수지층으로부터 몰드를 박리하는 공정과, 몰드를 박리한 후의 수지층에 감압 하에서 자외선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
먼저, 기체 상에 실록산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 스핀 코트법 등에 의해 도포하여 수지층을 형성한다.
기체로서는, 제 1 실시형태와 동일한 기체를 사용할 수 있다.
또, 수지층의 막두께는, 제조하는 구조체의 종류에 따라 다르기도 하지만, 10 ㎚ ∼ 5 ㎛ 가 바람직하다. 특히, 제 2 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법에서는, 막두께가 500 ㎚ ∼ 5 ㎛ 로 두꺼운 경우에도, 얻어지는 구조체의 열 안정성을 효율적 또한 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 형성된 수지층에 대해 50 ∼ 150 ℃ 에서 0.1 ∼ 10 분간, 라이트 베 이크를 실시하도록 하여도 상관없다.
다음으로, 기체 상에 형성된 수지층에 소정 형상의 몰드를 가압하고, 몰드의
형상을 수지층에 전사한다. 이 때, 반드시 몰드의 볼록부의 선단이 수지층의 최하부에 이를 때까지 몰드를 가압할 필요는 없다. 바꿔 말하면, 몰드의 형상이 전사된 수지층의 하부에, 몰드의 형상이 전사되어 있지 않은 수지층이 잔막으로서 남아 있어도 된다. 이 경우, 수지층의 잔막의 상부에 있어서 구조체가 형성되어 있게 된다.
몰드의 프레스 압력은 5 ∼ 100 MPa 정도인 것이 바람직하다. 또, 프레스 시간은 수지층의 막두께에 따라 다르기도 하지만, 10 ∼ 120 초 정도인 것이 바람직하다. 이와 같이 몰드를 가압한 상태에서 소정 시간 프레스함으로써 수지층의 형상이 보다 경화된다.
계속해서, 수지층으로부터 몰드를 박리한다. 이 결과, 몰드의 형상이 전사된 구조체가 기체 상에 형성된다.
그 후, 몰드를 박리한 후의 수지층에 감압 하에서 자외선을 조사함으로써, 구조체의 열안정성을 향상시킨다.
원래의 수지층이 500 ㎚ ∼ 5 ㎛ 로 두꺼운 경우, 구조체의 열 안정성을 자외선 조사에 의해 향상시키려면, 수지층이 얇은 경우보다 자외선의 조도를 높이거나, 조사 시간을 길게 하거나 할 필요가 있는데, 이로써 수지가 분해되어 굴절률의 저하, 막두께의 저하, 유전율의 상승 등을 일으킬 가능성이 있기 때문에 바람직하지 않다. 또, 조사 시간을 길게 하는 것은 스루풋의 저하에도 연결되기 때문에 바람직하지 않다.
이에 대하여, 자외선 조사를 감압 하에서 실시함으로써, 감압하지 않는 경우보다 효율적이고 효과적으로 구조체의 열안정성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 굴절률의 저하 등을 일으킬 가능성이 낮아 스루풋이 저하되는 경우도 없다.
또한, 감압 하에서 자외선을 조사함으로써, 감압하지 않는 경우보다 효율적이고 효과적으로 구조체의 열 안정성을 향상시킬 수 있는 것에 대해, 그 메커니즘은 반드시 명확한 것은 아니다. 요인 중 하나로서는, 구조체 (및 그 하부에 존재하는 잔막) 에 함유되는 잔용제가 휘발됨으로써 구조체 (및 그 하부에 존재하는 잔막) 가 치밀화되는 것으로 생각할 수 있다.
자외선의 파장은, 오존의 발생이나 유기물의 분해를 저감시킬 수 있는 점에서 200 ∼ 400 ㎚ 가 바람직하다. 자외선원으로서는 200 ∼ 400 ㎚ 에 피크 파장을 갖는 저압 수은등 램프나 고압 수은등 램프를 사용할 수 있다. 필요에 따라, 불필요 파장을 커트하는 필터를 통과하도록 하여도 상관없다.
또, 자외선의 조도는 5 ∼ 100 mW/㎠ 가 바람직하고, 조사 시간은 5 ∼ 180초간이 바람직하다.
또, 감압시의 압력은 0.01 ∼ 100 Torr 가 바람직하다. 이 범위 내로 함으로써 구조체의 열 안정성을 효율적 또한 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 자외선의 조사시에는, 수지층을 30 ∼ 200 ℃ 에서 가열하는 것이 바람직하다. 이와 같이 가열함으로써 경화 효율이 높아진다.
이와 같이 하여, 몰드의 형상이 전사된 구조체를 기체 상에 형성할 수 있다. 형성된 구조체는, 기체를 에칭 가공할 때의 레지스트로서 뿐만 아니라, CM0S 센서에 있어서의 극소 렌즈 등으로서도 이용할 수 있다. 즉, 본 발명에서는, 몰드의 형상을 바꿈으로써 여러 가지 형상의 구조체를 제조할 수 있다. 특히 제 2 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법에서는, 몰드 박리 후의 수지층에 대해 감압 하에서 자외선을 조사하기 위해, 얻어지는 구조체의 열 안정성이 높다. 따라서, 구조체에 대해 가열 처리가 실시되는 경우에도 형상 변화가 억제된다.
<<막형성 조성물>>
<실록산 수지>
제 2 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법으로 사용되는 막형성 조성물은 실록산 수지를 함유하는 것이다. 이 실록산 수지로서는, 예를 들어 하기 일반식 (a-3) 으로 나타내는 적어도 1 종의 실란 화합물의 가수 분해물 및/또는 부분 축합물을 들 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112009058089632-PCT00004
상기 일반식 (a-3) 중, R4 는 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 유기기를 나타내고, 복수개의 R4 는 동일하여도 되고 상이하여도 된다. 유기기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기 ; 비닐기, 알릴기, 프로페닐기 등의 알케닐기 ; 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기 ; 벤질기, 페닐에틸기 등의 아르알킬기 등을 들 수 있고, 수산기, 알콕시기 등으로 치환되어 있어도 된다.
상기 서술한 바와 같이, 제 2 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법에서는, 몰드 박리 후의 수지층에 대해 감압 하에서 자외선을 조사함으로써, 얻어지는 구조체의 열 안정성을 향상시키는데, 그 효과는 R4 가 탄소수 4 ∼ 20 의 유기기인 경우에 현저하다. 즉, 실록산 수지가 이와 같은 탄소수 4 ∼ 20 의 유기기를 측사슬로서 갖는 경우, 얻어지는 구조체는 가열에 의해 형상이 변화되기 쉬운데, 제 2 실시형태와 같이 감압 하에서 자외선을 조사함으로써, 얻어지는 구조체의 열 안정성을 현저하게 향상시킬 수 있다.
또, 상기 일반식 (a-3) 중 X 는 가수 분해성기를 나타낸다. 가수 분해성기로서는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기 ; 비닐옥시기, 2-프로페녹시기 등의 알케녹시기 ; 페녹시기, 아세톡시기 등의 아실록시기 ; 부탄옥심기 등의 옥심기 ; 아미노기 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 가수 분해, 축합시의 제어의 용이함으로부터 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기, 부톡시기가 특히 바람직하다.
또, 상기 일반식 (a-3) 중 n 은 0 ∼ 2 의 정수를 나타낸다. 이 중에서도 n=1 인 것이 바람직하다.
이 실록산 수지 중에서도, 제 1 실시형태에서 설명한 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위를 갖는 실세스퀴옥산 수지가, 몰드 형상의 전사성, 몰드의 박리성, 제조되는 구조체의 투명성 등의 점에서 특히 바람직하다. 이 실세스퀴옥산 수지는, 상기 일반식 (a-2) 로 나타내는 구성 단위를 추가로 갖고 있어도 되고, 상기 일반식 (a-1), (a-2) 로 나타내는 구성 단위 이외의 구성 단위를 추가로 갖고 있어도 된다.
<그 밖의 성분>
막형성 조성물은 실록산 수지 등의 모든 성분을 적당한 유기 용제에 용해시켜 용액의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 또, 막형성 조성물은, 필요에 따라 계면 활성제를 함유하고 있어도 된다. 유기 용제·계면 활성제의 종류, 배합량은 제 1 실시형태와 동일하다.
(3) 제 ３ 실시형태
<<막형성 조성물>>
<실록산 수지 (A)>
제 ３ 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법에서 사용되는 막형성 조성물은 실록산 수지를 함유하는 것이다. 이 실록산 수지로서는, 제 2 실시형태에서 설명한 상기 일반식 (a-3) 으로 나타내는 적어도 1 종의 실란 화합물의 가수 분해물 및/또는 부분 축합물을 들 수 있다.
실록산 수지의 질량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않는데, 제 ３ 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법으로 사용되는 막형성 조성물은, 질량 평균 분자량이 300 ∼ 5000 인 저분자량의 실록산 수지를 적어도 함유한다. 이와 같이, 질량 평균 분자량이 300 ∼ 5000 인 저분자량의 실록산 수지를 막형성 조성물 중에 함유함으로써, 함유하지 않는 경우와 비교하여, 낮은 프레스 압력으로 몰드를 수지층에 투입시킬 수 있다. 이 저분자량의 실록산 수지의 질량 평균 분자량은 300 ∼ 3000 인 것이 보다 바람직하다.
실록산 수지 전체에 있어서의 상기 저분자량의 실록산 수지의 비율은 30 질량% 이상이 바람직하고, 50 질량% 이상이 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 100 질량% 이다.
<그 밖의 성분>
막형성 조성물은 실록산 수지 등의 모든 성분을 적당한 유기 용제에 용해시켜 용액의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 또, 막형성 조성물은 필요에 따라 계면 활성제를 함유하고 있어도 된다. 유기 용제·계면 활성제의 종류, 배합량은 제 1 실시형태와 동일하다.
<<구조체의 제조 방법>>
제 ３ 실시형태에 있어서의 구조체의 제조 방법은, 기체 상에 실록산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정과, 수지층에 몰드를 가압하는 공정과, 수지층으로부터 몰드를 박리하는 공정을 포함하는 것이다. 특히 막형성 조성물에는, 질량 평균 분자량 300 ∼ 5000 의 저분자량의 실록산 수지가 함유된다.
먼저, 기체 상에 실록산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 스핀 코트법 등에 의해 도포하여 수지층을 형성한다. 기체의 종류, 수지층의 막두께는 제 1 실시형태와 동일하다. 또한, 형성된 수지층에 대해 50 ∼ 150 ℃ 에서 0.1 ∼ 10 분간, 라이트 베이크를 실시하도록 하여도 상관없다.
다음으로, 기체 상에 형성된 수지층에 소정 형상의 몰드를 가압하여, 몰드의 형상을 수지층에 전사한다. 이 때, 질량 평균 분자량이 300 ∼ 5000 인 저분자량의 실록산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 사용한 경우에는, 비교적 낮은 프레스 압력으로 몰드를 투입시킬 수 있다. 또한, 반드시 몰드의 볼록부의 선단이 수지층의 최하부에 도달할 때까지 몰드를 가압할 필요는 없다. 바꿔 말하면, 몰드의 형상이 전사된 수지층의 하부에, 몰드의 형상이 전사되어 있지 않은 수지층이 잔막으로서 남아 있어도 된다. 이 경우, 수지층의 잔막의 상부에 있어서 구조체가 형성되어 있게 된다.
몰드의 프레스 압력은 5 ∼ 100 MPa 정도인 것이 바람직하다. 또, 프레스 시간은 수지층의 두께에 따라 다르기도 하지만, 10 ∼ 120 초 정도인 것이 바람직하다. 이와 같이 몰드를 가압한 상태에서 소정 시간 프레스함으로써 수지층의 형상이 보다 경화된다.
그 후, 수지층으로부터 몰드를 박리한다. 이 결과, 몰드의 형상이 전사된 구조체가 기체 상에 형성된다.
이와 같이 하여, 몰드의 형상이 전사된 구조체를 기체 상에 형성할 수 있다. 형성된 구조체는, 기체를 에칭 가공할 때의 레지스트로서 뿐만 아니라, CM0S 센서에 있어서의 극소 렌즈 등으로서도 이용할 수 있다. 즉, 본 발명에서는, 몰드의 형상을 바꿈으로써 다양한 형상의 구조체를 제조할 수 있다.
또한, 몰드의 박리 후에 구조체를 가열하거나 자외선 (UN 광) 등을 조사하거나 하여, 구조체를 더욱 경화시키도록 하여도 상관없다. 특히 UV 광의 조사는, 구조체를 안정화시킬 수 있고, 형성된 구조체의 변형 (쉬링크, 형 붕괴 등) 을 방 지할 수 있어 바람직하다. 이와 같이 UV 광이 조사된 구조체는, 그 후에 가열 등의 공정이 있는 경우에도 형상 변화되지 않고, 특히 쉬링크되는 경우가 없으므로, 그대로 구조체로서 사용하는 경우에 특히 바람직하다.
실시예
다음으로, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
하기 구조식 (1) 및 (2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:8500, (1):(2)=30:70(몰 비)) 를 이용하고, 이 수지의 농도가 15 질량% (SiO2 환산. 이하 동일) 가 되도록 n-부탄올로 조정하여, 막형성 조성물 (1) 을 얻었다.
[화학식 5]
Figure 112009058089632-PCT00005
실리콘 기판 표면 상에 이 막형성 조성물 1 을 스핀 코트법으로 도포하여, 막두께 600 ㎚ 의 수지층을 얻었다. 수지층을 건조나 경화시키지 않고, 나노 임프린터 NM-0401 (메이쇼 기공사 제조) 을 이용하여, 수지층에 대해 몰드 (오목형 패턴, 라인/스페이스 200 ㎚) 를 프레스 압력 20 MPa (5000 N 의 하중) 로 실온 (25 ℃) 에서 60 초간 가압하였다. 그 후, 몰드를 박리시킴으로써 기판 상에 패턴 형상의 구조체를 형성하였다.
얻어진 구조체를 주사형 전자 현미경 (SEM) 에 의해 관찰한 결과, 고정밀도인 패턴이 기판 상에 재현되어 있는 것을 알았다. 또, 프레스 압력 20 MPa 로, 60 초간이라는 매우 짧은 프레스 시간에 50 % (300 ㎚) 의 깊이까지 패터닝되어 있는 것을 확인하였다.
프레스 압력 20 MPa 로 40 % (240 ㎚) 이상의 깊이까지 패터닝되어 있는 것을 ○, 40 % (240 ㎚) 미만의 깊이까지만 패터닝되어 있는 것을 × 로 하고, 패터닝 깊이를 평가한 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 보이드, 기판으로부터의 박리 등이 발생되어 있지 않는 것을 ○, 발생되어 있는 것을 × 로 하고, 패터닝 형상을 평가한 결과를 표 1 에 나타낸다.
<실시예 2>
상기 구조식 (1) 및 하기 구조식 (3) 으로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:2800, (1):(3)=28:72(몰 비)) 를 이용하여 이 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 조정하여 막형성 조성물 2 를 얻었다.
[화학식 6]
Figure 112009058089632-PCT00006
이 막형성 조성물 2 를 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<실시예 3>
하기 구조식 (4) 및 상기 구조식 (2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:3000, (4):(2)=70:30 (몰 비)) 를 이용하여 이 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르로 조정하여 막형성 조성물 3 을 얻었다.
[화학식 7]
Figure 112009058089632-PCT00007
이 막형성 조성물 3 을 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<실시예 4>
하기 구조식 (5) 및 상기 구조식 (2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:3600, (5):(2)=70:30 (몰 비)) 를 이용하고, 이 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 조정하여 막형성 조성물 4 를 얻었다.
[화학식 8]
Figure 112009058089632-PCT00008
이 막형성 조성물 4 를 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<실시예 5>
상기 구조식 (2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:7000) 와 상기 구조식 (1) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:6000) 를 70:30 의 몰 비로 혼합하고, 이 혼합 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 조정하여 막형성 조성물 5 를 얻었다.
이 막형성 조성물 5 를 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<실시예 6>
상기 구조식 (2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:7000) 와 하기 구조식 (6) 으로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (제품명:OCD T-2, 토쿄 오카 공업사 제조, 질량 평균 분자량:1500) 을 50:50 의 몰 비로 혼합하고, 이 혼합 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트:에탄올:아세트산에틸=5:4:1 의 혼합 용제로 조정하여 막형성 조성물 6 을 얻었다.
[화학식 9]
Figure 112009058089632-PCT00009
이 막형성 조성물 6 을 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<실시예 7>
상기 구조식 (2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:7000) 와 하기 구조식 7 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (제품명:OCD T-9, 토쿄 오카 공업사 제조, 질량 평균 분자량:2200) 를 50:50 의 몰 비로 혼합하고, 이 혼합 수지의 농도가 20 질량% 가 되도 록, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트:에탄올:n-부탄올:메톡시프로피온산메틸=5:2:2:1 의 혼합 용제로 조정하여 막형성 조성물 7 을 얻었다.
[화학식 10]
Figure 112009058089632-PCT00010
이 막형성 조성물 7 을 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<실시예 8>
상기 구조식 (2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:7000) 와 하기 구조식 (8) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (제품명:OCD T-12, 토쿄 오카 공업사 제조, 질량 평균 분자량:1800) 을 50:50 의 몰 비로 혼합하고, 이 혼합 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트:프로필렌글리콜디메틸에테르=5:5 의 혼합 용제로 조정하여 막형성 조성물 8 을 얻었다.
[화학식 11]
Figure 112009058089632-PCT00011
이 막형성 조성물 8 을 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<실시예 9>
상기 구조식 (2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:7000) 와 상기 구조식 (6) 및 (7) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (제품명:OCD T-7, 토쿄 오카 공업사 제조, 질량 평균 분자량:2000, (6):(7)=50:50 (몰 비)) 를 50:50 의 몰 비로 혼합하고, 이 혼합 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트:이소프로판올:아세톤=5:3:2 의 혼합 용제로 조정하여 막형성 조성물 9 를 얻었다.
이 막형성 조성물 9 를 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<비교예 1>
상기 구조식 (1) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:6000) 를 이용하고, 이 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 조정하여 막형성 조성물 10 을 얻었다.
이 막형성 조성물 10 을 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<비교예 2>
상기 구조식 (6) 으로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (제품명:OCD T-2, 토쿄 오카 공업사 제조, 질량 평균 분자량:1500) 를 이용하고 이 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록 에탄올:아세트산에틸=8:2 의 혼합 용제로 조정하여 막형성 조성물 11 을 얻었다.
이 막형성 조성물 11 을 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
<비교예 3>
상기 구조식 (8) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (제품명:OCD T-12, 토쿄 오카 공업사 제조, 질량 평균 분자량:1800) 를 이용하여 이 수지의 농도가 20 질량% 가 되도록 프로필렌글리콜디메틸에테르로 조정하여 막형성 조성물 (12) 을 얻었다.
이 막형성 조성물 (12) 을 이용하고 실시예 1 과 동일하게 구조체를 형성하여 패터닝 깊이, 패터닝 형상을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예
1 2 3 4 5 6 7 8 9
패터닝 깊이 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
패터닝 형상 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
비교예
1 2 3
패터닝 깊이 ○ × ×
패터닝 형상 × ○ ○
표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지를 사용한 실시예 1 ∼ 9 에서는, 프레스 압력 20 MPa 로, 60 초간이라는 매우 짧은 프레스 시간에 40 % (240 ㎚) 를 초과하는 깊이까지 몰드를 투입할 수 있고, 게다가 몰드의 박리시에 수지층이 기판으로부터 박리되어 버리는 경우 등이 없었다. 한편, 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위를 갖지 않는 실세스퀴옥산 수지를 사용한 비교예 1 ∼ 3 에서는, 40 % (240 ㎚) 미만의 깊이까지만 몰드를 투입할 수 있거나, 또는 몰드의 박리시에 수지층이 기판으로부터 박리되었다.
<실시예 10>
실리콘 기판 표면 상에 막형성 조성물 (1) 을 스핀 코트법으로 도포하고, 막두께 100 ㎚ 의 수지층을 얻었다. 수지층을 건조나 경화시키지 않고, 나노 임프린터 NM-0401 (메이쇼 기공사 제조) 을 이용하고 수지층에 대해 몰드 (오목형 패턴, 라인/스페이스 40 ㎚) 를 프레스 압력 20 MPa (5000 N 의 하중) 로 실온 (25 ℃) 에서 60 초간 가압하였다. 그 후, 몰드를 박리함으로써 기판 상에 패턴 형상의 구조체를 형성하였다.
얻어진 구조체를 주사형 전자 현미경 (SEM) 에 의해 관찰한 결과, 고정밀도의 패턴이 기판 상에 재현되어 있는 것을 알았다. 또, 프레스 압력 20 MPa 로, 60 초간이라는 매우 짧은 프레스 시간에 100 ㎚ 의 막두께를 관통하는 100 % 의 깊이까지 패터닝되어 있는 것을 확인하였다.
또한, 상기 실시예 1 ∼ 9, 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 막형성 조성물을 이용하여 형성된 구조체에 저압 수은등 (제품명:DeepUVProcessor 램프 L-800FS, 니혼 전지사 제조, 메인 파장 254, 185 ㎚) 으로 50 ℃, 90 초의 조건으로 UV 광을 조사한 것, 및 조사하고 있지 않는 것에 대해, 400 ℃, 질소 중에서의 가열 후의 형상 변화에 대해 검토하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다. 또한, 형상 변화는 쉬링크율에 의해 평가하였다. 이 쉬링크율은 가열 전에 있어서의 구조체의 막두께 100 ㎚ 에 대한 가열 후의 구조체의 막두께 비율이 10 % 이상 변화되어 있지 않은 것을 ○, 10 % 이상 변화된 것을 × 로 하였다.
실시예
1 2 3 4 5 6 7 8 9
UV 처리 없음 × × × × × × × × ×
UV 처리 있음 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
비교예
1 2 3
UV 처리 없음 × × ○
UV 처리 있음 ○ ○ ○
표 2 로부터 알 수 있는 바와 같이, 구조체에 UV 광을 조사함으로써 형상 변화를 억제할 수 있는 것으로 확인되었다.
<실시예 11>
실리콘 기판 상에 막형성 조성물 (1) 을 스핀 코트법으로 도포하고, 막두께 1 ㎛ 의 수지층을 얻었다. 수지층을 건조나 경화시키지 않고 나노 임프린터 NM-0401 (메이쇼 기공사 제조) 을 이용하여 수지층에 대해 몰드 (오목형의 라인 & 스페이스 패턴) 를 프레스 압력 20 MPa (5000 N 의 하중) 로 실온 (25 ℃) 에서 60 초간 가압하였다. 그 후, 몰드를 박리함으로써 기판 상에 패턴 형상의 구조체를 형성하였다. 몰드로서는, 라인 250 ㎚/피치 500 ㎚, 라인 150 ㎚/피치 350 ㎚, 라인 200 ㎚/피치 400 ㎚ 로 깊이는 모두 200 ㎚ 인 3 종류의 몰드 (이하, 각각 몰드 1, 몰드 2, 몰드 3 이라고 한다) 를 사용하였다.
얻어진 구조체의 주사형 전자 현미경 (SEM) 사진을 도 1(A) ∼ (C) 에 나타낸다. 도 1(A) ∼ (C) 는, 각각 몰드 1 ∼ 3 을 이용하여 형성한 구조체를 나타낸다. 도 1 로부터 알 수 있는 바와 같이 고정밀도의 패턴이 기판 상에 재현되어 있었다. 또, 프레스 압력 20 MPa 로, 60 초간이라는 매우 짧은 프레스 시간에 200 ㎚ 의 깊이까지 패터닝되어 있었다.
이어서, 200 ∼ 400 ㎚ 에 피크 파장을 갖는 광원을 구비한 진공 UV 하드닝 장치 (제품명:TVC-5002, 토쿄 오카 공업사 제조) 를 이용하여, 200 mTorr 의 감압 하, 이 구조체에 대해 50 ℃, 60 초간의 조건으로 자외선을 조사하였다. 그 후, 질소 분위기 하에서, 400 ℃, 30 분간의 조건으로 가열 처리를 실시하였다.
가열 처리 후의 구조체의 주사형 전자 현미경 (SEM) 사진을 도 2(A) ∼ (C) 에 나타낸다. 도 2(A) ∼ (C) 는, 각각 몰드 1 ∼ 3 을 이용하여 형성한 구조체를 나타낸다. 도 2 로부터 알 수 있는 바와 같이, 400 ℃ 의 가열 처리 후에도 구조체의 형상은 유지되어 있고, 구조체의 열안정성이 높은 것으로 확인되었다.
<비교예 4>
실시예 11 과 동일하게, 몰드 1 ∼ 3 을 이용하여 기판 상에 패턴 형상의 구조체를 형성하였다. 이어서, 진공 UV 하드닝 장치 (제품명:TVC-5002, 토쿄 오카 공업사 제조) 를 이용하여 감압을 실시하지 않고, 이 구조체에 대해 50 ℃, 60 초간의 조건으로 자외선을 조사하였다. 그 후, 질소 분위기 하, 400 ℃, 30 분간의 조건으로 가열 처리를 실시하였다.
가열 처리 후의 구조체의 주사형 전자 현미경 (SEM) 사진을 도 3(A) ∼ (C) 에 나타낸다. 도 3(A) ∼ (C) 는 각각 몰드 1 ∼ 3 을 이용하여 형성한 구조체를 나타낸다. 도 3 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 400 ℃ 의 가열 처리에 의해 구조체는 물결 모양으로 크게 변형되어 있다. 이것으로부터, 감압을 실시하지 않는 경우에는, 자외선의 조사 조건이 동일하여도 구조체의 열 안정성이 충분히 향상되지 않는 것으로 확인되었다.
<참고예>
유리 기판 상에 막형성 조성물 1 을 스핀 코트법으로 도포하고, 핫 플레이트를 이용하여 공기 중, 200 ℃ 에서 3 분간 베이크하여 수지층을 얻었다. 이어서, 진공 UV 하드닝 장치 (제품명:TVC-5002, 토쿄 오카 공업사 제조) 를 이용하여, 감압을 실시하지 않고, 이 수지층에 대해 자외선을 소정 시간만 조사하였다. 그 후, 질소 분위기 하, 400 ℃, 30 분간의 조건으로 가열 처리를 실시하여 막두께 1 ㎛ 의 막부재를 얻었다. 얻어진 막부재에 대해, 633 ㎚ 의 파장에 있어서의 굴절률을 분광 엘립소미터 (Woollam 사 제조) 로 측정하여, 유전율을 수은 프로브식 CV 측정 장치 (니혼 SSM 주식회사 제조, 제품명 ; SSM495) 를 이용하여 측정하였다. 결과를 표 3 에 나타낸다.
적외선 조사 시간 0 분간 1 분간 10 분간
굴절률 1.58 1.58 1.49
유전율 4.51 4.54 5.32
표 3 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 자외선 조사 시간이 길어질수록 막형성 조성물 1 로부터 형성되는 막부재의 굴절률이 낮아짐과 함께, 유전율이 높게 되어 있다.
<실시예 12>
CH3Si(OCH3)3:Si(OCH3)4=1:1 (몰 비) 을 이소프로파놀:아세톤=2:1 의 혼합 용매 중에서 가수 분해 축합시켜, 형성되는 실세스퀴옥산 수지의 농도가 4 질량% (SiO2 환산) 가 되도록 이소프로파놀:아세톤=2:1 의 혼합 용매로 조정하여 막형성 조성물 13 을 얻었다. 이 실세스퀴옥산 수지의 질량 평균 분자량은 1800 이었다.
실리콘 기판 표면 상에 이 막형성 조성물 13 을 스핀 코트법으로 도포하여 막두께 150 ㎚ 의 수지층을 얻었다. 수지층을 건조나 경화시키지 않고, 나노 임프린터 NM-0401 (메이쇼 기공사 제조) 을 이용하여 수지층에 대해 몰드 (볼록형 홀 패턴, 홀 직경 150 ㎚, 홀 높이 150 ㎚) 를 프레스 압력 40 MPa (10 kN 의 하중) 으로 실온 (25 ℃) 에서 60 초간 가압하였다. 그 후, 몰드를 박리시킴으로써 기판 상에 패턴 형상의 구조체를 형성하였다.
얻어진 구조체를 주사형 전자 현미경 (SEM) 에 의해 관찰한 결과, 고정밀도의 패턴이 기판 상에 재현되어 있는 것을 알았다. 또, 프레스 압력 40 MPa, 프레스 시간 60 초간이라는 조건으로, 150 ㎚ 의 막두께를 관통하는 100 % 의 깊이까지 패터닝되어 있는 것을 확인하였다.
<실시예 13>
상기 구조식 (1) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:1500) 를 이용하여 이 수지의 농도가 5 질량% 가 되도록 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트로 조정하여 막형성 조성물 14 를 얻었다.
이 막형성 조성물 14 를 이용하여 실시예 12 와 동일하게 구조체를 형성하고 얻어진 구조체를 주사형 전자 현미경 (SEM) 에 의해 관찰한 결과, 고정밀도의 패턴이 기판 상에 재현되어 있는 것을 알았다. 또, 프레스 압력 40 MPa, 프레스 시간 60 초간이라는 조건으로, 150 ㎚ 의 막두께를 관통하는 100 % 의 깊이까지 패터닝되어 있는 것을 확인하였다.
<비교예 5>
상기 구조식 (1) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 실세스퀴옥산 수지 (질량 평균 분자량:6500) 를 이용하여 이 수지의 농도가 4 질량% 가 되도록 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트로 조정하여 막형성 조성물 (15) 을 얻었다.
이 막형성 조성물 (15) 을 이용하여 실시예 12, 13 과 동일하게 구조체를 형성하여, 얻어진 구조체를 주사형 전자 현미경 (SEM) 에 의해 관찰한 결과, 실시예 12, 13 과 동일한 프레스 압력, 프레스 시간으로는 45 % (70 ㎚) 미만의 깊이까지밖에 몰드를 투입할 수 없었다.

Claims (19)

  1. 하기 일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위를 갖는 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용의 막형성 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112009058089632-PCT00012
    [식 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R2 는 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기를 나타낸다]
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 R1 이 수소 원자인 막형성 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 실세스퀴옥산 수지의 전체 구성 단위에 대한 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위의 비율이 10 ∼ 100 몰% 인 막형성 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 실세스퀴옥산 수지의 질량 평균 분자량이 2000 ∼ 30000 인 막형성 조성물.
  5. 기체 상에 실세스퀴옥산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정과,
    상기 수지층에 몰드를 가압하는 공정과,
    상기 수지층으로부터 상기 몰드를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 박리하는 공정 후에, 상기 수지층에 자외선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 박리하는 공정 후에, 상기 수지층을 가열하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 수지층에 상기 몰드를 가압한 상태에서 그 수지층을 경화시키는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 막형성 조성물로서, 제 1 항에 기재된 막형성 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  10. 기체 상에 실록산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 도포하고 수지층을 형성하는 공정과,
    상기 수지층에 몰드를 가압하는 공정과,
    상기 수지층으로부터 상기 몰드를 박리하는 공정과,
    상기 수지층에 감압 하에서 자외선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 자외선을 조사하는 공정에서는, 0.01 ∼ 100 Torr 의 감압 하에서 상기 수지층에 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 수지층의 막두께가 500 ㎚ ∼ 5 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 구조체의 제 조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 자외선을 조사하는 공정에서는, 상기 수지층을 30 ∼ 200 ℃ 에서 가열하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 실록산 수지가 하기 일반식 (a-1) 로 나타내는 구성 단위를 갖는 실세스퀴옥산 수지인 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
    [화학식 2]
    Figure 112009058089632-PCT00013
    [식 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R2 는 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기를 나타낸다]
  15. 기체 상에 실록산 수지를 함유하는 막형성 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정과,
    상기 수지층에 몰드를 가압하는 공정과,
    상기 수지층으로부터 상기 몰드를 박리하는 공정을 포함하고,
    상기 실록산 수지가 질량 평균 분자량 300 ∼ 5000 의 저분자량의 실록산 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 저분자량의 실록산 수지가 질량 평균 분자량 300 ∼ 3000 인 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 실록산 수지 전체에 있어서의 상기 저분자량의 실록산 수지의 비율이 30 질량% 이상인 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 수지층에 상기 몰드를 가압 상태에서 그 수지층을 경화시키는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  19. 제 5 항 내지 제 18 항 중 어느 1 항에 기재된 구조체의 제조 방법에 의해 얻어진 구조체.
KR1020097019775A 2007-03-30 2008-03-05 나노 임프린트용의 막형성 조성물, 그리고 구조체의 제조 방법 및 구조체 KR20090117947A (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-091695 2007-03-30
JP2007091695A JP4963254B2 (ja) 2007-03-30 2007-03-30 ナノインプリント用の膜形成組成物、並びに構造体の製造方法及び構造体
JPJP-P-2007-227089 2007-08-31
JP2007227090A JP2009056737A (ja) 2007-08-31 2007-08-31 構造体の製造方法及び構造体
JPJP-P-2007-227090 2007-08-31
JP2007227089A JP2009056736A (ja) 2007-08-31 2007-08-31 構造体の製造方法及び構造体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090117947A true KR20090117947A (ko) 2009-11-16

Family

ID=39863681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097019775A KR20090117947A (ko) 2007-03-30 2008-03-05 나노 임프린트용의 막형성 조성물, 그리고 구조체의 제조 방법 및 구조체

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20090117947A (ko)
TW (1) TW200838939A (ko)
WO (1) WO2008126523A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010117088A1 (ja) * 2009-04-10 2010-10-14 独立行政法人科学技術振興機構 パターンの形成方法、パターン及びデバイス
US11485052B2 (en) 2018-07-30 2022-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Resin product, method of making resin product, interchangeable lens, and optical device
JP2024031845A (ja) * 2022-08-26 2024-03-07 住友化学株式会社 積層体及びその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3518158B2 (ja) * 1996-04-02 2004-04-12 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP2002184719A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200838939A (en) 2008-10-01
WO2008126523A1 (ja) 2008-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4963254B2 (ja) ナノインプリント用の膜形成組成物、並びに構造体の製造方法及び構造体
US9676123B2 (en) Flexible nanoimprint mold, method for fabricating the same, and mold usage on planar and curved substrate
TW578200B (en) Patterned structure reproduction using nonsticking mold
US8293354B2 (en) UV curable silsesquioxane resins for nanoprint lithography
KR101708256B1 (ko) 나노 임프린트용 레지스트 하층막 형성 조성물
JP6367226B2 (ja) パターン化された構造化転写テープ
EP2190641B1 (en) Silicone mold and use thereof
EP1794655B1 (en) A material composition for nano- and micro-lithography
JP4834866B2 (ja) ナノパターニング方法、硬化されたレジストフィルム及び該レジストフィルムを含有する物品
KR101342900B1 (ko) 나노 임프린트용 복제 몰드의 제조방법 및 나노 임프린트용 복제 몰드
KR20070083711A (ko) 낮은-ｋ 유전 기능 임프린팅 재료
US20050167894A1 (en) Patterned structure reproduction using nonsticking mold
US20150217532A1 (en) Method of manufacturing a laminate provided with a concave-convex structure and transfer film
JP2010280159A (ja) ナノインプリントリソグラフィー用の高耐久性レプリカモールドおよびその作製方法
JP5332220B2 (ja) 微細樹脂構造体並びにその製造方法
KR20090117947A (ko) 나노 임프린트용의 막형성 조성물, 그리고 구조체의 제조 방법 및 구조체
KR101192470B1 (ko) 글래스 몰딩 프레스용 유리질 탄소 몰드를 제조하는 방법 및 이를 이용하는 유리 미세 패턴의 형성방법
KR20120020012A (ko) 유기-무기 복합체 및 이로부터 제조된 나노임프린트용 스탬프
EP1441868A2 (en) Patterned structure reproduction using nonsticking mold
TWI389931B (zh) 奈米壓印抗蝕劑及採用該奈米壓印抗蝕劑的奈米壓印方法
JP2009056736A (ja) 構造体の製造方法及び構造体
KR20100042424A (ko) 반도체 소자의 패턴 형성 방법
TW201031690A (en) Application of benzocyclobutene for imprint technique and pattern forming method by the technique
TWI391418B (zh) 奈米壓印抗蝕劑及採用該奈米壓印抗蝕劑的奈米壓印方法
KR20100138043A (ko) 리소그래피 공정에 사용되는 몰드의 표면처리용 조성물 및 패턴형성용 몰드의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application