KR20090106991A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램을 기록한 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램을 기록한 기록 매체 Download PDF

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KR20090106991A
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히데키 니시무라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 건조 유닛에서의 기판에 대한 건조 성능을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
우선 건조 유닛(23)에서 챔버벽(39)을 가열한다. 그리고, 챔버벽(39)의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내에 공급함으로써 챔버(23a) 내에 있는 가열된 N2 가스를 냉각 가스로 치환한다. 그 후, 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시키는 동안에, 또는 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시킨 후에, 챔버(23a) 내에 건조 가스를 공급한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램을 기록한 기록 매체{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND RECORDING MEDIUM HAVING PROGRAM RECORDED}
본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리 기판 등의 기판을 약액이나 린스액 등의 세정액에 침지하여 세정한 후, 이 세정이 행해진 기판을 건조하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 기록 매체에 관한 것이며, 특히, 건조 유닛에서의 기판에 대한 건조 성능을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 기록 매체에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 장치에서의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리 등의 기판(이하에 웨이퍼 등이라고 함)을, 약액이나 린스액 등의 세정액이 저류된 세정조에 순차 침지하여 세정을 행하는 세정 처리 방법이 널리 채용되고 있다. 또한, 세정 후의 웨이퍼 등의 표면에 예컨대 IPA(이소프로필알코올) 등의 휘발성을 갖는 유기 용제의 증기로 이루어지는 건조 가스를 접촉시키고, 건조 가스의 증기를 웨이퍼 등의 표면에 응축 또는 흡착시키며, 그 후 N2 가스 등의 불활성 가스 를 웨이퍼 등의 표면에 공급함으로써 웨이퍼 등의 표면에 있는 수분을 제거 및 건조하는 건조 처리 방법이 알려져 있다.
이 종류의 세정 처리 방법 및 건조 처리 방법 양쪽 모두를 행하는 기판 처리 장치에 있어서는, 약액이나 린스액 등의 세정액을 저류하는 세정조가 설치되어 있고, 이 세정조의 위쪽, 이 세정조의 세정액에 침지된 웨이퍼를 건조하기 위한 건조 유닛이 설치되어 있다. 이 건조 유닛은, 챔버(건조실)를 내부에 형성하는 챔버벽을 갖고 있고, 세정조 내의 세정액에 침지된 웨이퍼는 건조 유닛의 챔버 내에 이동되며, 이 챔버 내에 건조 가스가 공급되는 것에 의해 웨이퍼의 건조가 행해지게 되어 있다(예컨대 특허문헌 1 등 참조).
특허문헌 1 등에 나타내는 종래의 기판 처리 장치에 있어서는, 우선 세정조에 저류된 세정액에 웨이퍼 등을 침지하고, 이 웨이퍼 등을 세정한다. 이 때에, 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 고온 N2 가스를 미리 챔버 내에 공급해두고, 챔버 내를 고온 가스로 충만시키며, 챔버벽을 가열해 둔다. 여기서, 챔버벽을 가열하기 위해, 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 고온 N2 가스를 챔버 내에 공급하는 대신에, 챔버벽에 히터를 설치하고, 이 히터에 의해 챔버벽을 가열하여도 좋다. 이 경우에서도, 챔버벽이 히터에 의해 가열되면, 이 챔버벽에 의해 챔버 내의 가스는 가열되어 고온 가스가 된다.
그 후, 웨이퍼를 세정조 내의 세정액으로부터 끌어 올려 건조 유닛의 챔버 내에 이동시키고, 셔터 등에 의해 챔버를 밀폐 상태로 한다. 그리고, 챔버 내에 건 조 가스를 공급하고, 이 건조 가스를 웨이퍼 등의 표면에 접촉시킴으로써, 건조 가스의 증기를 웨이퍼 표면에 응축 또는 흡착시킨다. 그 후, 불활성 가스를 웨이퍼 등의 표면에 공급함으로써 웨이퍼 등의 표면에 있는 수분을 제거 및 건조한다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평10-154688호 공보
전술한 바와 같은 기판 처리 장치에서, 웨이퍼를 세정조 내의 세정액으로부터 끌어 올려 건조 유닛의 챔버 내에 이동시키기 전에, 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 고온 N2 가스를 미리 챔버 내에 공급해 두고, 챔버 내를 고온 가스로 충만시키며, 챔버벽을 가열하고 있다. 웨이퍼를 챔버 내에 이동시키기 전에 챔버벽을 미리 가열해 두는 이유로서는, 만약 챔버벽의 온도가 낮은 경우에는, 챔버 내에 건조 가스를 공급했을 때에 이 건조 가스가 챔버벽에 의해 냉각되어 응축되게 되고, 웨이퍼 표면에 응축 또는 흡착되는 건조 가스의 양이 저감하며, 웨이퍼에 대한 건조 성능이 뒤떨어지기 때문이다. 또한, 전술한 바와 같이 기판 처리 장치에서는, 챔버 내에 건조 가스를 공급하기 위한 노즐을 이용하여, 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 고온 N2 가스를 챔버 내에 공급하는 것이 일반적이다. 이 때문에, 이러한 노즐로 고온 N2 가스를 챔버 내에 공급하면, 이 노즐 내에 잔류한 건조 가스가 이 노즐 내에서 결로하는 것을 방지할 수 있다.
그러나, 챔버벽이 가열되면 챔버 내의 가스도 고온 가스가 되기 때문에, 웨이퍼를 세정조 내의 세정액으로부터 끌어 올려 건조 유닛의 챔버 내에 이동시켰을 때에, 이 웨이퍼의 온도도 상승되게 된다. 웨이퍼의 온도가 상승하면, 이 웨이퍼의 표면에 응축 또는 흡착되는 건조 가스의 양이 저감되어, 웨이퍼에 대한 건조 성능이 저하될 우려가 있다.
이와 같이, 본원의 발명자는, 건조 유닛에 있어서 웨이퍼를 건조할 때에, 챔버벽을 고온으로 유지하면서, 챔버 내의 가스를 대기의 온도보다 낮은 온도로 한 경우에, 건조 가스가 챔버벽에 의해 냉각되어 응축되게 되는 것을 방지할 수 있고, 챔버 내에 이동되는 웨이퍼의 온도가 상승하는 것을 억제하며, 이 웨이퍼의 표면에 응축 또는 흡착되는 건조 가스의 양이 저감되게 되는 것을 방지할 수 있다는 것을 발견하였다.
본 발명은, 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 건조 유닛의 챔버벽을 미리 가열해 두고, 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 챔버 내에 공급함으로써 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환함으로써, 챔버벽을 고온으로 유지하면서, 챔버 내의 가스를 대기의 온도보다 낮은 온도로 함으로써, 건조 가스가 챔버벽에 의해 냉각되어 응축되게 되는 것을 방지하면서, 챔버 내에 이동되는 기판의 온도가 상승하는 것을 억제하고, 이 기판의 표면에 응축 또는 흡착되는 건조 가스의 양이 저감되어 버리는 것을 방지하며, 이것에 의해, 건조 유닛에서의 기판에 대한 건조 성능을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 기판의 세정액을 저류하는 세정조와, 상기 세정조의 근방에 배치된 건조 유닛으로서, 챔버를 내부에 형성하는 챔버벽, 상기 챔버벽을 가열하기 위한 챔버벽 가열부, 및 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급하는 냉각 가스 공급부 를 포함하고, 상기 챔버 내에 건조 가스를 공급함으로써 기판을 건조하는 건조 유닛과, 기판을 유지하고 이 기판을 상기 세정조 내와 상기 건조 유닛의 챔버 내 사이에서 이동시키는 유지부와, 상기 챔버벽 가열부, 상기 냉각 가스 공급부 및 상기 유지부를 제어하는 제어부로서, 우선 상기 세정조에 저류된 세정액에 기판을 침지하고, 다음에 상기 건조 유닛에서 상기 챔버벽 가열부에 의해 챔버벽을 가열하며, 상기 냉각 가스 공급부에 의해 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급함으로써 상기 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하고, 그 후 상기 유지부에 의해 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키도록, 상기 챔버벽 가열부, 상기 냉각 가스 공급부 및 상기 유지부를 제어하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 한다.
이러한 기판 처리 장치에 의하면, 우선 건조 유닛에서 챔버벽을 가열하고, 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 챔버 내에 공급함으로써 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하고, 그 후, 기판을 세정조 내에서부터 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키고 있다. 그리고, 챔버 내에 건조 가스를 공급함으로써 기판을 건조하고 있다.
이와 같이, 건조 유닛에 있어서 챔버벽을 가열한 후, 냉각 가스를 챔버 내에 공급함으로써, 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하고 있기 때문에, 챔버벽을 고온으로 유지하면서, 챔버 내의 가스를 대기의 온도보다 낮은 온도로 할 수 있다.
이 때문에, 건조 가스가 챔버벽에 의해 냉각되어 응축되게 되는 것을 방지하 면서, 챔버 내에 이동되는 기판의 온도가 상승하는 것을 억제하고, 이 기판의 표면에 응축 또는 흡착되는 건조 가스의 양이 저감되게 되는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해, 건조 유닛에서의 기판에 대한 건조 성능을 향상시킬 수 있다.
여기서, 상기 냉각 가스 공급부에 의해 상기 챔버 내에 공급되는 냉각 가스는 불활성 가스인 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 처리 장치에서는, 상기 챔버벽 가열부는, 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 가스를 상기 챔버 내에 공급하는 가열 가스 공급부인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 챔버 내에서, 상기 냉각 가스 공급부는 상기 가열 가스 공급부보다 위쪽에 배치되어 있는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 가열 가스 공급부보다 위쪽의 위치로부터 냉각 가스 공급부에 의해 냉각 가스를 챔버 내에 공급할 수 있게 되고, 챔버 내에 있는 가열된 가스를, 한층 더 확실하게, 냉각 가스로 치환할 수 있게 된다. 또한, 상기 냉각 가스 공급부는, 상기 챔버의 상부 영역에서 상기 챔버벽의 근방에 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 냉각 가스 공급부에 의해 챔버 내에 공급되는 냉각 가스는 이 챔버 내에서 아래쪽으로 흐르게 되고, 챔버 내에 있는 가열된 가스를, 더 확실하게, 냉각 가스로 치환할 수 있게 된다. 또한, 이 경우, 상기 건조 유닛의 챔버벽에는, 챔버 내의 가스를 배기하는 배기구가 마련되어 있고, 이 배기구는 상기 가열 가스 공급부보다 아래쪽에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 챔버 내의 가스는 아래쪽으로 흘러 배기구로부터 배출되기 때문에, 챔버 내에 있는 가열된 가스를, 더 확실하게, 냉각 가스 로 치환할 수 있게 된다.
전술의 기판 처리 장치에 있어서는, 상기 제어부는, 상기 냉각 가스 공급부에 의해 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급할 때에 상기 가열 가스 공급부에 의해 상기 챔버 내에 공급되는 가스의 유량을 저감시키도록 상기 냉각 가스 공급부 및 상기 가열 가스 공급부를 제어하는 것이 바람직하다. 또는 상기 제어부는, 상기 냉각 가스 공급부에 의해 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급할 때에 상기 가열 가스 공급부에 의한 상기 챔버 내에의 가스의 공급을 정지시키도록 상기 냉각 가스 공급부 및 상기 가열 가스 공급부를 제어하게 되어 있어도 좋다. 이와 같이, 냉각 가스 공급부에 의해 냉각 가스를 챔버 내에 공급할 때에, 가열 가스 공급부에 의해 챔버 내에 공급되는 가스의 유량을 저감하거나 가열 가스 공급부에 의한 가스의 공급을 정지시키거나 하도록 하고 있기 때문에, 챔버 내에 있는 가열된 가스를, 한층 더 확실하게, 냉각 가스 공급부로부터 공급되는 냉각 가스로 치환할 수 있게 된다.
본 발명의 기판 처리 장치에서는, 상기 챔버벽 가열부는, 상기 챔버벽에 설치된 히터인 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 처리 장치에서는, 상기 건조 유닛은, 상기 챔버 내에 건조 가스를 공급하는 건조 가스 공급부를 포함하고, 상기 건조 가스 공급부는, 상기 챔버 내에 배치되어 이 챔버 내에 건조 가스를 분사하는 노즐을 포함하며, 이 노즐에는, 이 노즐을 가열하는 가열부가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 건조 가스 공급부의 노즐로부터 건조 가스가 공급된 후, 이 노즐의 내부에 잔류된 건조 가스는, 가열부에 의해 가열된다. 이 때문에, 노즐의 내부에 잔류된 건조 가 스가 이 노즐 내에서 결로하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치에서는, 상기 건조 가스는, 유기 용제의 증기여도 좋다.
본 발명의 기판 처리 방법은, 기판의 세정액을 저류하는 세정조 및 이 세정조의 근방에 배치된 건조 유닛을 구비한 기판 처리 장치에서의 기판의 처리 방법으로서, 상기 세정조에 저류된 세정액에 기판을 침지하는 공정과, 상기 건조 유닛에서, 챔버를 내부에 형성하는 챔버벽을 가열하는 공정과, 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급함으로써 상기 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하는 공정과, 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 공정과, 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 동안에, 또는 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시킨 후에, 상기 챔버 내에 건조 가스를 공급하는 공정을 포함한 것을 특징으로 한다.
이러한 기판 처리 방법에 의하면, 우선 건조 유닛에서 챔버벽을 가열하고, 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 챔버 내에 공급함으로써 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하며, 그 후, 기판을 세정조 내에서부터 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키고 있다. 그리고, 기판을 세정조 내에서부터 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 동안에, 또는 기판을 세정조 내에서부터 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시킨 후에, 챔버 내에 건조 가스를 공급함으로써 기판을 건조하고 있다.
이와 같이, 건조 유닛에서 챔버벽을 가열한 후, 냉각 가스를 챔버 내에 공급함으로써, 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하고 있기 때문에, 챔버벽을 고온으로 유지하면서, 챔버 내의 가스를 대기의 온도보다 낮은 온도로 할 수 있다.
이 때문에, 건조 가스가 챔버벽에 의해 냉각되어 응축되게 되는 것을 방지하면서, 챔버 내에 이동되는 기판의 온도가 상승하는 것을 억제하고, 이 기판의 표면에 응축 또는 흡착되는 건조 가스의 양이 저감되게 되는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해, 건조 유닛에서의 기판에 대한 건조 성능을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 기판 처리 방법에 있어서는, 상기 챔버벽을 가열할 때에, 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 가스를 상기 챔버 내에 공급하고, 이 챔버 내에 공급된 가스에 의해 상기 챔버벽을 가열하는 것이 바람직하다.
이 경우, 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급할 때에, 이 챔버 내에 공급되는 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 가스의 유량을 저감시키는 것이 보다 바람직하다. 또는 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급할 때에, 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 가스의 상기 챔버 내에의 공급을 정지시켜도 좋다. 이와 같이, 냉각 가스를 챔버 내에 공급할 때에, 이 챔버 내에 공급되는 가열된 가스의 유량을 저감하거나 가열된 가스의 공급을 정지시키거나 하도록 하고 있기 때문에, 챔버 내에 있는 가열된 가스를, 한층 더 확실하게, 냉각 가스로 치환할 수 있게 된다.
본 발명의 기판 처리 방법에 있어서는, 상기 챔버벽을 가열할 때에, 이 챔버 벽에 설치된 히터에 의해 이 챔버벽을 가열하는 것이 바람직하다.
본 발명의 프로그램은, 기판의 세정액을 저류하는 세정조 및 이 세정조의 근방에 배치된 건조 유닛을 포함한 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 프로그램으로서, 이 프로그램을 실행함으로써, 상기 제어 컴퓨터가 상기 기판 처리 장치를 제어하여 기판 처리 방법을 실행시키는 것에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 상기 세정조에 저류된 세정액에 기판을 침지하는 공정과, 상기 건조 유닛에서, 챔버를 내부에 형성하는 챔버벽을 가열하는 공정과, 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급함으로써 상기 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하는 공정과, 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 공정과, 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 동안에, 또는 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시킨 후에, 상기 챔버 내에 건조 가스를 공급하는 공정을 포함한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기록 매체는, 기판의 세정액을 저류하는 세정조 및 이 세정조의 근방에 배치된 건조 유닛을 포함한 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 프로그램이 기록된 기록 매체로서, 이 프로그램을 실행함으로써, 상기 제어 컴퓨터가 상기 기판 처리 장치를 제어하여 기판 처리 방법을 실행시키는 것에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 상기 세정조에 저류된 세정액에 기판을 침지하는 공정과, 상기 건조 유닛에서, 챔버를 내부에 형성하는 챔버벽을 가열하는 공정과, 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급함으로써 상기 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하는 공정과, 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 공정과, 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 동안에, 또는 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시킨 후에, 상기 챔버 내에 건조 가스를 공급하는 공정을 포함한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 기록 매체에 의하면, 건조 유닛에서의 기판에 대한 건조 성능을 향상시킬 수 있다.
이하에, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 이 실시형태에서는 본 발명을 반도체 웨이퍼의 세정 처리 시스템에 적용한 경우에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 적용한 세정 처리 시스템의 일례를 도시하는 개략 평면도이고, 도 2는 그 개략 측면도이다.
도 1, 2에 도시하는 세정 처리 시스템은, 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)(이하에 웨이퍼라고 함)를 수평 상태로 수납하는 용기 예컨대 캐리어(1)를 반입, 반출하기 위한 반송부(2)와, 웨이퍼(W)를 약액, 세정액 등으로 처리하고 건조 처리하는 처리부(3)와, 반송부(2)와 처리부(3) 사이에 위치하여 웨이퍼(W)의 전달, 위치 조정 및 자세 변환 등을 행하는 인터페이스부(4)로 주로 구성되어 있다.
반송부(2)는, 세정 처리 시스템의 일측단부에 병설하여 설치되는 반입부(5)와 반출부(6)로 구성되어 있다. 또한, 반입부(5) 및 반출부(6)에서의 캐리어(1)의 반입구(5a) 및 반출구(6a)에는, 캐리어(1)를 반입부(5), 반출부(6)에 출입시킬 수 있도록 슬라이드식 적재 테이블(7)이 설치되어 있다. 또한, 반입부(5)와 반출부(6)에는, 각각 캐리어 리프터(8)가 배치되어 있고, 이 캐리어 리프터(8)에 의해 반입부사이 또는 반출부 사이에서의 캐리어(1)를 반송할 수 있으며, 빈 캐리어(1)에 대해서 반송부(2) 위쪽에 설치된 캐리어 대기부(9)에의 전달 및 캐리어 대기부(9)로부터의 수취를 행할 수 있도록 구성되어 있다(도 2 참조).
인터페이스부(4)는, 구획벽(4c)에 의해 반입부(5)에 인접하는 제1 실(4a)과, 반출부(6)에 인접하는 제2 실(4b)로 구획되어 있다. 그리고, 제1 실(4a) 내에는, 반입부(5)의 캐리어(1)로부터 복수 개의 웨이퍼(W)를 취출하여 반송하는 수평 방향(X·Y 방향) 이동, 수직 방향(Z 방향) 이동 및 회전(θ 방향) 가능한 웨이퍼 취출 아암(10)과, 웨이퍼(W)에 마련된 노치를 검출하는 노치 얼라이너(11)와, 웨이퍼 취출 아암(10)에 의해 취출된 복수 개의 웨이퍼(W)의 간격을 조정하는 간격 조정 기구(12)를 구비하고, 수평 상태의 웨이퍼(W)를 수직 상태로 변환하는 제1 자세 변환 장치(13)가 배치되어 있다.
또한, 제2 실(4b) 내에는, 처리 완료된 복수 개의 웨이퍼(W)를 처리부(3)로부터 수직 상태인 채 수취하여 반송하는 웨이퍼 전달 아암(14)과, 웨이퍼 전달 아암(14)으로부터 수취한 웨이퍼(W)를 수직 상태로부터 수평 상태로 변환하는 제2 자세 변환 장치(13A)와, 이 제2 자세 변환 장치(13A)에 의해 수평 상태로 변환된 복 수 개의 웨이퍼(W)를 수취하여 반출부(6)에 반송된 빈 캐리어(1) 내에 수납하는 수평 방향(X·Y 방향) 이동, 수직 방향(Z 방향) 이동 및 회전(θ 방향) 가능한 웨이퍼 수납 아암(15)이 배치되어 있다. 또한, 제2 실(4b)은 외부로부터 밀폐되어 있고, 도시하지 않는 불활성 가스 예컨대 질소(N2) 가스의 공급원으로부터 공급되는 N2 가스에 의해 실내의 분위기가 N2 가스로 치환되도록 구성되어 있다.
한편, 처리부(3)에는, 웨이퍼(W)에 부착되는 파티클이나 유기물 오염을 제거하는 제1 처리 유닛(16)과, 웨이퍼(W)에 부착되는 금속 오염을 제거하는 제2 처리 유닛(17)과, 웨이퍼(W)에 부착되는 화학 산화막을 제거하고 건조 처리를 행하는 세정·건조 처리 유닛(18) 및 척 세정 유닛(19)이 직선형으로 배열되어 있다. 이들의 각 유닛(16∼19)과 대향하는 위치에 설치된 반송로(20)에, 수평 방향(X·Y 방향) 이동, 수직 방향(Z 방향) 이동 및 회전(θ) 가능한 웨이퍼 반송 아암(21)이 배치되어 있다.
다음에, 본 발명에 따른 기판 처리 장치[세정·건조 처리 유닛(18)]의 구성의 상세에 대해서 도 3을 이용하여 이하에 설명한다. 도 3은, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
세정·건조 처리 유닛(18)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 예컨대 불화수소산 등의 약액이나 순수 등의 세정액을 저류(수용)하고, 저류한 세정액에 웨이퍼(W)를 침지하는 세정조(22)와, 세정조(22)의 위쪽에 위치하는 건조 유닛(23)과, 복수 개, 예컨대 50개의 웨이퍼(W)를 유지하고 이 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내 및 건조 유닛(23)의 챔버(건조실)(23a) 내 사이에서 이동시키는 웨이퍼 보드(24)(유지부)로 주로 구성되어 있다. 또한, 세정·건조 처리 유닛(18)에 있어서, 각 구성 요소를 제어하는 제어부(60)가 설치되어 있다.
세정조(22)는, 예컨대 석영제 부재나 폴리프로필렌으로 형성되는 내측 조(22a)와, 이 내측 조(22a)의 상단부 외측에 배치되어 내측 조(22a)로부터 오버플로우한 세정액을 수용하는 외측 조(22b)로 구성되어 있다. 또한, 내측 조(22a)의 하부 양측에는 세정조(22) 내에 위치하는 웨이퍼(W)를 향해 세정액을 분사하는 좌우 한 쌍의 세정액 공급 노즐(25)이 배치되어 있다. 이 세정액 공급 노즐(25)에 접속되는 도시하지 않는 약액 공급원 및 순수 공급원으로부터 변환 밸브에 의해 이 세정액 공급 노즐(25)에 약액 또는 순수가 공급되어 세정조(22) 내에 약액 또는 순수가 저류되어 있다. 또한, 내측 조(22a)의 바닥부에는 배출구가 마련되어 있고, 이 배출구에, 배출 밸브(26a)가 개재된 드레인관(26)이 접속되어 있다. 외측 조(22b)의 바닥부에 마련된 배출구에도, 배출 밸브(27a)가 개재된 드레인관(27)이 접속되어 있다. 또한, 외측 조(22b)의 외측에는 배기 박스(28)가 배치되어 있고, 이 배기 박스(28)에 마련된 배기구에, 밸브(29a)가 개재된 배기관(29)이 접속되어 있다.
전술과 같이 구성되는 세정조(22)와 배기 박스(28)는, 바닥이 있는 통형의 박스(30) 내에 배치되어 있다. 박스(30)를 수평으로 구획하는 칸막이판(31)에 의해, 세정조(22)측의 상부실(32a)과, 내측 조(22a) 및 외측 조(22b)에 접속하는 드레인관(26, 27)의 배액구 및 배기관(29)의 배기구가 각각 있는 하부실(32b)이 구획 되어 있다. 이것에 의해, 하부실(32b) 내의 분위기나, 비산한 배액 등이, 상부실(32a) 내에 들어가는 것을 막아, 상부실(32a) 안이 청정하게 유지된다. 또한, 상부실(32a)의 측벽에는 배기창(33)이 설치되어 있다. 한편, 하부실(32b)의 상부 측벽에는 배기창(34)이, 하부 측벽에는 배액구(35)가 각각 마련되어 있다.
건조 유닛(23)은, 챔버(23a)를 내부에 형성하는 챔버벽(39)을 갖고 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 챔버벽(39)은, 단면이 역 U자 형상인 석영제 부재에 의해 형성된 상측 부분(39b)과, O링(38) 등의 시일 부재를 통해 상측 부분(39b)에 밀접하는, 석영제 부재에 의해 형성된 하측 부분(39c)으로 구성되어 있다. 또한, 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내에서 챔버벽(39)의 하측 부분(39c)의 근방에는, 챔버벽(39)을 따라 설치된 좌우 한 쌍의 하부 가스 공급 노즐(44) 및 좌우 한 쌍의 상부 가스 공급 노즐(42)이 배치되어 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 하부 가스 공급 노즐(44) 및 각 상부 가스 공급 노즐(42)은, 챔버(23a) 내에서 상하 방향으로 근접하게 배치되어 있다. 또한, 챔버(23a) 내에서, 상부 가스 공급 노즐(42)의 위쪽에는 좌우 한 쌍의 냉각 가스 공급 노즐(40)이 배치되어 있다. 각 냉각 가스 공급 노즐(40)은, 챔버(23a)의 상부 영역에서 챔버벽(39)의 상측 부분(39b)의 정상부 근방에 설치되어 있다. 각 가스 공급 노즐(40, 42, 44)의 상세에 대해서는 후술한다.
챔버벽(39)의 상측 부분(39b)의 정상부에는 관통 구멍(39a)이 마련되어 있고, 이 관통 구멍(39a) 내에 웨이퍼 보드(24)의 로드(도시 생략)가 수직 방향(도 3의 상하 방향)으로 미끄럼 이동 가능하게 관통되어 있다. 그리고, 관통 구멍(39a) 과 로드와의 간극에 시일 기구가 개재되어 관통 구멍(39a)과 로드 사이의 간극의 기밀성이 유지되고 있다.
챔버벽(39)의 하측 부분(39c)에서의, 하부 가스 공급 노즐(44)보다 아래쪽 위치에는, 챔버(23a) 내의 가스를 배기시키는 가스 배기 구멍(80)이 마련되어 있고, 이 가스 배기 구멍(80)에는 가스 배기관(82)이 접속되어 있다. 또한, 가스 배기관(82)에는 밸브(84)가 개재되어 있다. 밸브(84)가 개방된 상태일 때에는, 챔버(23a) 내에 있는 가스가 가스 배기 구멍(80)으로부터 가스 배기관(82)을 통해 외부에 자연 배기되도록 되어 있다. 한편, 밸브(84)가 폐쇄된 상태일 때에는, 챔버(23a) 내에 있는 가스가 외부에 배기되지 않는다. 이러한 밸브(84)의 개폐는, 제어부(60)에 의해 행해지게 되어 있다.
하부 가스 공급 노즐(44)은, 대략 수평 방향으로 연장되는 파이프 및 이 파이프에 등간격으로 마련된 복수의 노즐 구멍으로 구성되어 있고, 각 노즐 구멍은, 대략 수평 방향, 대략 수평 방향보다 비스듬하게 아래쪽 또는 수직 방향 아래쪽으로 향하고 있다. 이것에 의해, 챔버(23a) 내에서 이 하부 가스 공급 노즐(44)로부터, IPA 등의 휘발성을 갖는 유기 용제의 증기로 이루어지는 건조 가스나 N2 가스가 대략 수평 방향, 대략 수평 방향보다 비스듬하게 아래쪽 또는 수직 방향 아래쪽으로 공급되도록 되어 있다.
상부 가스 공급 노즐(42)은, 대략 수평 방향으로 연장되는 파이프 및 이 파이프에 등간격으로 마련된 복수의 노즐 구멍으로 구성되어 있고, 각 노즐 구멍은, 대략 수평 방향보다 비스듬하게 아래쪽 또는 수직 방향 위쪽을 향하고 있다. 이것에 의해, 챔버(23a) 내에서 이 상부 가스 공급 노즐(42)로부터, 건조 가스나 N2 가스가 대략 수평 방향보다 비스듬하게 위쪽 또는 수직 방향 위쪽으로 공급되도록 되어 있다.
냉각 가스 공급 노즐(40)은, 대략 수평 방향으로 연장되는 파이프 및 이 파이프에 등간격으로 마련된 복수의 노즐 구멍으로 구성되어 있고, 각 노즐 구멍은, 수직 방향 아래쪽을 향하고 있다. 이것에 의해, 챔버(23a) 내에서 이 냉각 가스 공급 노즐(42)로부터, N2 가스가 냉각된 가스인 냉각 N2 가스가 수직 방향 아래쪽으로 공급되도록 되어 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 각 하부 가스 공급 노즐(44)은 가스 공급관(44a)에 접속되어 있고, 또한 각 상부 가스 공급 노즐(42)은 가스 공급관(42a)에 접속되어 있다. 그리고, 가스 공급관(44a) 및 가스 공급관(42a)은 합류하여 가스 공급관(48)에 접속되어 있다. 또한, 가스 공급관(44a) 및 가스 공급관(42a)의 합류 지점의 근방에서 가스 공급관(44a)에 밸브(44b)가 개재되어 있고 가스 공급관(42a)에 밸브(42b)가 개재되어 있다. 그리고, 각 밸브(42b, 44b)가 제어부(60)에 의해 제어되는 것에 의해, 가스 공급관(48)으로부터의 가스 공급관(44a) 또는 가스 공급관(42a)에의 가스의 흐름이 전환되도록 되어 있다.
또한, 각 냉각 가스 공급 노즐(40)은 가스 공급관(40a)에 접속되어 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 이 가스 공급관(40a)에는 냉각 기구(41)가 개재되어 있 고, 후술하는 N2 가스의 공급원(56)으로부터 가스 공급관(40a)에 보내진 N2 가스는 냉각 기구(41)에 의해 냉각되도록 되어 있다. 이 때문에, 각 냉각 가스 공급 노즐(40)에 보내지는 가스는, 챔버벽(39)의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도(구체적으로는 예컨대 15℃∼20℃)의 것으로 되어 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, IPA 등의 휘발성을 갖는 유기 용제의 증기로 이루어지는 70℃∼80℃의 건조 가스의 공급원(50)(도 3에서는 IPA로 표기) 및 40℃∼50℃의 N2 가스의 공급원(52)(도 3에서는 N2로 표기)이 설치되어 있고, 각 공급원(50, 52)은 각각 가스 공급관(48)에 접속되어 있다. 각 공급원(50, 52)으로부터 가스 공급관(48)에의 건조 가스 또는 N2 가스의 공급은, 밸브(50a, 52a)에 의해 조정되도록 되어 있다. 밸브(50a, 52a)는 각각 제어부(60)에 의해 제어되도록 되어 있다. 이것에 의해, 제어부(60)의 제어에 의해서, 상부 가스 공급 노즐(42) 및 하부 가스 공급 노즐(44) 각각에, 건조 가스 또는 N2 가스를 선택적으로 보낼 수 있게 되어 있다.
또한, N2 가스의 공급원(56)(도 3에서는 N2로 표기)이 더 설치되어 있고, 이 공급원(56)은 가스 공급관(40a)에 접속되어 있다. 공급원(56)으로부터 가스 공급관(40a)에의 N2 가스의 공급은, 밸브(56a)에 의해 조정되도록 되어 있다. 밸브(56a)는 제어부(60)에 의해 제어되도록 되어 있다. 이것에 의해, 제어부(60)의 제어에 의해서, 냉각 가스 공급 노즐(40)에, 챔버벽(39)의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 보낼 수 있게 되어 있다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 세정조(22)의 개구부(22c)의 양측에는, N2 가스를 개구부(22c) 중심을 향해 분사하는 N2 가스 공급 노즐(46)이 설치되어 있다. 이 N2 가스 공급 노즐(46)은, 대략 수평 방향으로 연장되는 파이프 및 이 파이프에 등간격으로 마련된 복수의 노즐 구멍으로 구성되어 있고, 각 노즐 구멍은, N2 가스를 개구부(22c)의 중심을 향해 분사하도록 대략 수평 방향을 향하고 있다. 각 N2 가스 공급 노즐(46)은 가스 공급관(46a)에 접속되어 있고, 이 가스 공급관(46a)은 N2 가스의 공급원(54)에 접속되어 있다. N2 가스의 공급원(54)으로부터 가스 공급관(46a)에의 N2 가스의 공급은 밸브(54a)에 의해 조정되도록 되어 있고, 이 밸브(54a)는 제어부(60)에 의해 제어되도록 되어 있다. 이것에 의해, 제어부(60)의 제어에 의해, N2 가스 공급 노즐(46)에 N2 가스를 보낼 수 있게 되어 있다.
웨이퍼 보드(24)는, 복수 개, 예컨대 50개의 웨이퍼(W)를 약간의 간극으로 이격하여 직립 상태로 유지하도록 되어 있다. 이 웨이퍼 보드(24)는, 웨이퍼 보드 구동 기구(도시 생략)에 의해 세정조(22) 내와 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내 사이에서 수직 방향으로 이동되도록 되어 있다. 구체적으로는, 웨이퍼 보드(24)가 세정조(22) 내에 이동되었을 때에는, 이 웨이퍼 보드(24)에 유지되는 웨이퍼(W)는 세정조(22) 내의 세정액에 침지되게 되어 있다. 한편, 웨이퍼 보드(24)가 챔버(23a) 내에 이동되었을 때에는, 이 웨이퍼 보드(24)에 유지되는 웨이퍼(W)는 챔버(23a) 내 에 완전히 수용되게 된다.
셔터(36)는, 도 3의 실선으로 도시하는 바와 같이 챔버(23a)를 폐쇄하는 폐쇄 위치와, 도 3의 2점 쇄선으로 도시하는 바와 같이 챔버(23a)를 개방하는 개방 위치 사이에서 수평 방향으로 왕복 이동하도록 되어 있다. 이러한 셔터(36)의 왕복 이동은 셔터 구동 기구(58)에 의해 행해지게 되어 있고, 셔터 구동 기구(58)는 제어부(60)에 의해 제어되도록 되어 있다. 셔터(36)의 상면에는 시일 부재가 설치되어 있고, 셔터(36)가 폐쇄 위치에 있을 때에 이 시일 부재에 의해 챔버(23a)가 밀폐 상태가 되도록 되어 있다.
다음에, 제어부(60)에 대해서 설명한다. 전술한 바와 같이, 제어부(60)는 세정·건조 처리 유닛(18)의 각 구성 요소에 접속되고, 각 구성 요소의 동작을 제어하도록 되어 있다. 제어부(60)에서의 제어 내용은, 도 4에서의 세정·건조 처리 유닛(18)의 일련의 동작의 흐름을 도시하는 설명도 및 도 5에서의 흐름도에 도시되는 것으로 되어 있지만, 그 상세에 대해서는 후술한다. 본 실시형태에 있어서, 제어부(60)는, CPU로 이루어지는 제어 컴퓨터와, 이 제어 컴퓨터에 접속된 기록 매체를 갖고 있다.
기록 매체에는, 후술하는 웨이퍼(W)의 처리 방법을 실행하기 위한 프로그램이 각종 설정 데이터 등과 함께 저장되어 있다. 기록 매체는 ROM이나 RAM 등의 메모리, 하드디스크, CD-ROM 등의 디스크형 기록 매체, 그 외 공지인 기록 매체로 구성될 수 있다.
다음에, 이러한 구성으로 이루어지는 세정·건조 처리 유닛(18)의 동작에 대 해서, 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. 도 4는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치[세정·건조 처리 유닛(18)]에서의 일련의 세정 처리 및 건조 처리의 동작을 순서대로 도시하는 설명도이고, 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치[세정·건조 처리 유닛(18)]에서의 일련의 세정 처리 및 건조 처리의 동작을 도시하는 흐름도이다. 또한, 이하에 도시하는 바와 같은 일련의 세정 처리 및 건조 처리는, 제어부(60)의 기억 매체에 기억된 프로그램에 따라서, 제어부(60)의 제어 컴퓨터가 세정·건조 처리 유닛(18)의 밸브(42b, 44b, 50a, 52a, 54a, 56a), 셔터 구동 기구(58), 웨이퍼 보드 구동 기구(도시 생략), 밸브(84) 등을 제어함으로써 행해진다.
우선, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 세정액 공급 노즐(25)로부터 세정조(22) 내에 세정액을 공급하고, 이 세정조(22)의 상부로부터 세정액을 넘치게 한다. 분출된 세정액은 외측 조(22b)에 의해 회수되고, 드레인관(27)으로부터 배출된다. 이 배출된 세정액은 재이용되도록 되어 있어도 좋다. 이 때에, 셔터(36)는 개방 위치에 위치하도록 되어 있다. 세정조(22)에 세정액이 저류된 상태로, 웨이퍼 보드(24)에 의해 웨이퍼가 세정액에 침지된다(도 5의 Step1). 이 때에, 좌우 한 쌍의 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 예컨대 40℃∼50℃의 N2 가스가 대략 수평 방향보다 비스듬하게 위쪽 또는 수직 방향 위쪽을 향해 분사된다. 이것에 의해, 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내 및 챔버벽(39)이 따뜻해지고, 챔버(23a) 내에서의 액 저장소가 해소된다(도 5의 Step2). 이 때에, 가스 배기관(82)에 개재된 밸브(84)는 개방되어 있고, 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 챔버(23a) 내에 공급된 40℃∼50℃의 N2 가스는, 가스 배기 구멍(80)으로부터 가스 배기관(82)을 통해 외부에 자연 배기된다.
또한, 좌우 한 쌍의 N2 가스 공급 노즐(46)로부터, 세정조(22)의 개구부(22c)의 중심을 향하여 N2 가스가 분사된다. 이것에 의해, 세정조(22)의 세정액이 증발함으로써 생성되는 증기가 챔버벽(39)의 내면에 접촉하여 이 내면에서 물방울이 생성되어 버리는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 좌우 한 쌍의 상부 가스 공급 노즐(42)로부터의 챔버(23a) 내에의 40℃∼50℃의 N2 가스의 분사를 정지하고, 그 후, 좌우 한 쌍의 냉각 가스 공급 노즐(40)로부터 챔버(23a) 내에 냉각 N2 가스가 수직 방향 아래쪽으로 분사된다. 이 냉각 N2 가스는, 전술한 바와 같이, 챔버벽(39)의 외부의 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스이다. 챔버(23a) 내에서 냉각 N2 가스를 수직 방향 아래쪽으로 분사함으로써, 챔버(23a) 내에 있던 40℃∼50℃의 N2 가스는 가스 배기 구멍(80)으로부터 외부에 압출되고, 이와 같이 하여, 챔버(23a)에 있어서의 40℃∼50℃의 N2 가스가 냉각 N2 가스로 치환된다(도 5의 Step3).
또한, 도 4 및 도 5에서는, 좌우 한 쌍의 냉각 가스 공급 노즐(40)로부터 챔버(23a) 내에 냉각 N2 가스를 공급할 때에, 좌우 한 쌍의 상부 가스 공급 노즐(42) 로부터 챔버(23a) 내에의 40℃∼50℃의 N2 가스의 공급을 정지시키고 있지만, 40℃∼50℃의 N2 가스의 분사를 공급시키는 대신에, 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 챔버(23a) 내에의 40℃∼50℃의 N2 가스의 공급량을 저감시키도록 하여도 좋다.
다음에, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 좌우 한 쌍의 냉각 가스 공급 노즐(40)로부터 챔버(23a) 내에의 냉각 N2 가스의 분사를 정지하고, 그 후, 좌우 한 쌍의 하부 가스 공급 노즐(44)로부터 챔버(23a) 내에 70℃∼80℃의 건조 가스(도 4에서는 IPA로 표기)를 대략 수평 방향, 대략 수평 방향보다 비스듬하게 아래쪽, 또는 수직 방향 아래쪽으로 분사한다(도 5의 Step4). 또한 도 4 및 도 5에서는 건조 가스를 비스듬하게 아래쪽으로 분사한 예에 대해서 도시하고 있다. 또한, 이 때에, 좌우 한 쌍의 N2 가스 공급 노즐(46)로부터의 N2 가스의 분사도 정지한다. 이 때도, 가스 배기관(82)에 개재된 밸브(84)는 계속해서 개방되어 있고, 하부 가스 공급 노즐(44)로부터 챔버(23a) 내에 공급된 건조 가스는, 가스 배기 구멍(80)으로부터 가스 배기관(82)을 통해 외부에 자연 배기된다.
다음에, 하부 가스 공급 노즐(44)이 챔버(23a) 내에 건조 가스를 대략 수평 방향, 대략 수평 방향보다 비스듬하게 아래쪽, 또는 수직 방향 아래쪽으로 분사를 계속한 채, 웨이퍼 보드(24)에 의해 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)을 향해 위쪽으로 끌어 올리기 시작한다(도 5의 Step5).
다음에, 도 4의 (d)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보드(24)에 의해 웨이 퍼(W)가 건조 유닛(23)의 챔버(23a)를 향해 이동되어 있을 때에, 웨이퍼(W)의 일부분(상측 부분)이 세정조(22) 내의 세정액의 액면보다 위쪽에 노출되고, 웨이퍼(W)의 일부분(하측 부분)이 세정조(22) 내의 세정액에 침지된 상태가 되었을 때에, 도 4의 (e)에 도시하는 바와 같이, 하부 가스 공급 노즐(44)로부터의 챔버(23a) 내에의 건조 가스의 분사를 정지한다. 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 하측 부분 1/5 정도의 영역이 세정조(22) 내의 세정액에 침지되는 상태까지 웨이퍼 보드(24)에 의해 웨이퍼(W)가 건조 유닛(23)을 향해 끌어 올려졌을 때에, 하부 가스 공급 노즐(44)로부터의 건조 가스의 분사를 정지한다.
또한, 하부 가스 공급 노즐(44)로부터의 챔버(23a) 내에의 건조 가스의 분사가 정지되었을 때에, 가스 배기관(82)에 개재된 밸브(84)가 폐쇄된다. 이것에 의해, 챔버(23a) 내에 있는 건조 가스는 외부에 배기되지 않는다.
그 후, 웨이퍼(W)는 정지되지 않고 웨이퍼 보드(24)에 의해 계속해서 위쪽으로 끌어 올려진다.
그리고, 도 4의 (f)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 완전히 끌어 올려졌다면, 셔터(36)가 셔터 구동 기구에 의해 구동되고, 이 셔터(36)가 개방 위치로부터 폐쇄 위치까지 이동된다. 이것에 의해, 셔터(36)에 의해 챔버(23a) 안이 밀폐 상태가 된다(도 5의 Step6).
또한, 도 4의 (c)∼도 4의 (f)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시키는 동안에 이 챔버(23a) 내에 하부 가스 공급 노즐(44)로부터 건조 가스를 분사시키는 대신에, 웨이퍼를 세정 조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시키고, 챔버(23) 내를 밀폐 상태로 한 후에, 챔버(23a) 내에 하부 가스 공급 노즐(44)로부터 건조 가스를 분사시키도록 하여도 좋다.
다음에, 웨이퍼(W)가 챔버(23a) 내에 수용되고, 이 챔버(23a) 안이 밀폐 상태로 되었을 때에, 챔버(23a) 내에서 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 건조 가스를대략 수평 방향보다 비스듬하게 위쪽 또는 수직 방향 위쪽으로 분사한다(도 5의 Step7). 또한, 도 5에서는 건조 가스를 비스듬하게 위쪽으로 분사한 예에 대해서 도시하고 있다. 챔버(23a) 내에서 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 건조 가스를 공급할 때에, 가스 배기관(82)에 개재된 밸브(84)를 다시 개방한다. 이것에 의해, 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 챔버(23a) 내에 공급된 건조 가스는, 가스 배기 구멍(80)으로부터 가스 배기관(82)을 통해 외부에 자연 배기된다.
다음에, 상부 가스 공급 노즐(42)로부터의 건조 가스의 분사를 정지하고, 그 후, 대신에 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 N2 가스를 챔버(23a) 내에 분사한다(도 5의 Step7). 이것에 의해, 웨이퍼(W) 표면에 응축 또는 흡착된 건조 가스의 증기가 제거되고, 웨이퍼(W) 표면의 건조가 균일하게 행해진다. 이 때도, 가스 배기관(82)에 개재된 밸브(84)는 계속해서 개방되어 있고, 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 챔버(23a) 내에 분사된 N2 가스는, 가스 배기 구멍(80)으로부터 가스 배기관(82)을 통해 외부에 자연 배기된다.
그 후, 상부 가스 공급 노즐(42)로부터의 챔버(23a) 내에의 N2 가스의 분사 를 정지하고, 대신에 하부 가스 공급 노즐(44)로부터 N2 가스를 대략 수평 방향보다 비스듬하게 아래쪽으로 분사한다. 그리고, 일정 시간이 경과된 후, 하부 가스 공급 노즐(44)로부터의 N2 가스의 분사를 정지하고, 대신에 다시 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 N2 가스를 분사한다. 이와 같이 하여, 챔버(23a) 안이 N2 가스에 의해 따뜻해지면서, 챔버(23a) 내의 분위기에 대해서 건조 가스로부터 N2 가스로의 치환이 행해지고, 웨이퍼(W) 표면의 건조가 계속해서 행해진다.
그 후, 상부 가스 공급 노즐(42) 및 하부 가스 공급 노즐(44)의 양쪽의 노즐로부터의 N2 가스의 공급을 정지하고, 일련의 세정 처리 및 건조 처리를 종료시킨다.
이상과 같이 본 실시형태의 기판 처리 장치[세정·건조 처리 유닛(18)] 및 기판 처리 방법에 의하면, 우선 건조 유닛(23)에서 챔버벽(39)을 가열하고, 그리고 냉각 N2 가스를 챔버(23a) 내에 공급함으로써 챔버(23a) 내에 있는 가열된 N2 가스를 냉각 N2 가스로 치환하며, 그 후, 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시키고 있다. 그리고, 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시키는 동안에, 또는 웨이퍼(W)를 세정조(22) 내에서부터 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내까지 이동시킨 후에, 챔버(23a) 내에 건조 가스를 공급하도록 되어 있다.
이와 같이, 건조 유닛(23)에 있어서 챔버벽(39)을 가열한 후, 냉각 N2 가스 를 챔버(23a) 내에 공급함으로써, 챔버(23a) 내에 있는 가열된 N2 가스를 냉각 N2 가스로 치환하고 있기 때문에, 챔버벽(39)을 고온으로 유지하면서, 챔버(23a) 내의 N2 가스를 대기의 온도보다 낮은 온도로 할 수 있다.
이 때문에, 건조 가스가 챔버벽(39)에 의해 냉각되어 응축되어 버리는 것을 방지하면서, 챔버(23a) 내에 이동되는 웨이퍼(W)의 온도가 상승하는 것을 억제하고, 이 웨이퍼(W) 표면에 응축 또는 흡착되는 건조 가스의 양이 저감되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해, 건조 유닛(23)에서의 웨이퍼(W)에 대한 건조성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 챔버(23a) 내에서, 냉각 가스 공급 노즐(40)은 상부 가스 공급 노즐(42)보다 위쪽에 배치되어 있다. 이것에 의해, 상부 가스 공급 노즐(42)보다 위쪽의 위치로부터 냉각 가스 공급 노즐(40)에 의해 냉각 N2 가스를 챔버(23a) 내에 공급할 수 있게 되고, 챔버(23a) 내에 있는 가열된 가스를, 한층 더 확실하게, 냉각 가스 공급 노즐(40)로부터 공급되는 냉각 N2 가스로 치환할 수 있게 된다.
또한, 냉각 가스 공급 노즐(40)은, 챔버(23a)의 상부 영역에서 챔버벽(39)의 상측 부분(39b)의 정상부 근방에 설치되어 있기 때문에, 냉각 가스 공급 노즐(40)에 의해 챔버(23a) 내에 공급되는 냉각 N2 가스는 이 챔버(23a) 내에서 아래쪽으로 흐르게 되고, 챔버(23a) 내에 있는 가열된 가스를, 더 확실하게, 냉각 가스 공급 노즐(40)로부터 공급되는 냉각 N2 가스로 치환할 수 있게 된다.
또한, 건조 유닛(23)의 챔버벽(39)에는, 챔버(23a) 내의 가스를 배기하는 가스 배기 구멍(80)이 마련되어 있고, 이 가스 배기 구멍(80)은 상부 가스 공급 노즐(42)이나 하부 가스 공급 노즐(44)보다 아래쪽에 배치되어 있다. 이 때문에, 챔버(23a) 내의 가스는 아래쪽으로 흘러 가스 배기 구멍(80)으로부터 배출되기 때문에, 챔버(23a) 내에 있는 가열된 가스를, 더 확실하게, 냉각 가스 공급 노즐(40)로부터 공급되는 냉각 N2 가스로 치환할 수 있게 된다.
또한, 냉각 가스 공급 노즐(40)에 의해 냉각 N2 가스를 챔버(23a) 내에 공급할 때에, 상부 가스 공급 노즐(42)에 의해 챔버(23a) 내에 공급되는 40℃∼50℃의 N2 가스의 유량을 저감시키거나 이 40℃∼50℃의 N2 가스의 공급을 정지시키도록 하고 있기 때문에, 챔버(23a) 내에 있는 가열된 가스를, 한층 더 확실하게, 냉각 가스 공급 노즐(40)로부터 공급되는 냉각 N2 가스로 치환할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 의한 기판 처리 장치[세정·건조 처리 유닛(18)] 및 기판 처리 방법은, 상기한 형태에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지의 변경을 가할 수 있다. 예컨대, 상기한 형태에서는, 본 발명에 의한 기판 처리 장치를 반도체 웨이퍼의 세정 처리 시스템에 적용한 경우에 대해서 설명했지만, 세정 처리 이외의 처리 시스템에도 적용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 이외의 LCD용 유리 기판 등에도 적용할 수 있다.
또한, 도 6에 도시하는 바와 같이, 건조 유닛(23)의 챔버벽(39)에, 이 챔버벽(39)을 가열하기 위한 히터(37)를 설치하여도 좋다. 이 히터(37)는 제어부(60)에 의해 제어되도록 되어 있다.
도 6에 도시하는 바와 같은 세정·건조 처리 유닛(18)에서는, 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내에 웨이퍼(W)를 이동시키기 전에 이 챔버(23a) 내 및 챔버벽(39)을 따뜻하게 할 때에, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이 상부 가스 공급 노즐(42)로부터 예컨대 40℃∼50℃의 N2 가스를 챔버(23a) 내에 분사하는 대신에, 히터(37)에 의해 챔버벽(39)을 직접 가열한다. 이것에 의해, 챔버벽(39)의 온도가 높아지고, 이 챔버벽(39)에 의해 챔버(23a) 내의 가스가 따뜻해진다.
상부 가스 공급 노즐(42)로부터 예컨대 40℃∼50℃의 N2 가스를 챔버(23a) 내에 분사하는 대신에 도 6에 도시하는 바와 같은 히터(37)를 이용하는 방법에 의해서도, 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내 및 챔버벽(39)을 따뜻하게 할 수 있고, 챔버(23a) 내에서의 액 저장소가 해소된다.
또한, 건조 유닛(23)의 챔버(23a) 내에 건조 가스를 분사할 때에 이용되는 상부 가스 공급 노즐(42) 및 하부 가스 공급 노즐(44)에, 이들 상부 가스 공급 노즐(42) 및 하부 가스 공급 노즐(44)을 가열하는 가열부가 각각 설치되어 있어도 좋다. 이 가열부의 구성의 상세에 대해서 도 7을 이용하여 설명한다.
도 7은, 상부 가스 공급 노즐(42)에 설치된 가열부를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 하부 가스 공급 노즐(44)에 가열부가 설치된 경우에 대해서도 마찬가지 이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 상부 가열 공급 부분(42)은, 내관(42c) 및 외관(42d)으로 이루어지는 이중관 구조로 되어 있다. 내관(42c)에는, 건조 가스의 공급원(50)이나 N2 가스의 공급원(52)으로부터 보내온 건조 가스나 N2 가스가 흐르게 되어 있고, 이 내관(42c)의 단부는 개구단(42e)으로 되어 있다. 그리고, 건조 가스의 공급원(50)이나 N2 가스의 공급원(52)으로부터 내관(42c)으로 보내진 건조 가스나 N2 가스는, 이 개구단(42e)으로부터 챔버(23a) 내에 분사되도록 되어 있다. 한편, 외관(42d)에는 예컨대 가열된 물이 순환되어 흐르게 되어 있고, 이 외관(42d)의 단부는 폐쇄되어 있다. 그리고, 내관(42c) 내에 있는 건조 가스나 N2 가스는, 외관(42d) 내에서 흐르는 가열된 물에 의해 가열되게 되어 있다.
이것에 의해, 상부 가스 공급 노즐(42)이나 하부 가스 공급 노즐(44)로부터 건조 가스가 분사된 후, 이들 상부 가스 공급 노즐(42)이나 하부 가스 공급 노즐(44)의 내관(42c) 내에 잔류된 건조 가스는, 외관(42d)에서 흐르는 가열된 물에 의해 가열된다. 이 때문에, 내관(42c) 내에 잔류된 건조 가스가 이 내관(42c) 내에서 결로되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 세정·건조 처리 유닛(18)의 또 다른 구성으로서는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 건조 유닛(23)의 챔버벽(39)의 내부에 세정조(22)가 설치되어 있어도 좋다. 이 경우에서도, 웨이퍼 보드(24)가 세정조(22) 내의 위치와 건조 유닛(23) 내에서의 세정조(22)보다 위쪽의 챔버(23a)의 위치 사이에서 왕복 이동을 하게 되어 있다. 그리고, 웨이퍼 보드(24)가 세정조(22) 내에 이동되었을 때에는, 이 웨이 퍼 보드(24)에 유지되는 웨이퍼(W)는 세정조(22) 내의 세정액에 침지되게 되어 있고, 한편 웨이퍼 보드(24)가 세정조(22)로부터 위쪽으로 이동되었을 때에는, 이 웨이퍼 보드(24)에 유지되는 웨이퍼(W)는 챔버(23a) 내에 수용된다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 적용한 세정 처리 시스템의 일례를 도시하는 개략 평면도.
도 2는 도 1에 도시하는 세정 처리 시스템의 개략 측면도.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서의 일련의 세정 처리 및 건조 처리의 동작을 순서대로 도시하는 설명도.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서의 일련의 세정 처리 및 건조 처리의 동작을 도시하는 흐름도.
도 6은 본 발명에 따른 다른 기판 처리 장치의 단면도.
도 7은 도 3에 도시하는 기판 처리 장치에서의 상부 가스 공급 노즐이나 하부 가스 공급 노즐에 설치된 가열부의 구성의 상세를 도시하는 개략 구성도.
도 8은 본 발명에 따른 또 다른 기판 처리 장치의 단면도.
<부호의 설명>
1: 캐리어, 2: 반송부, 3: 처리부, 4: 인터페이스부, 4a: 제1 실, 4b: 제2 실, 4c: 구획벽, 5: 반입부, 5a: 반입구, 6: 반출부, 6a: 반출구, 7: 적재 테이블, 8: 캐리어 리프터, 9: 캐리어 대기부, 10: 웨이퍼 취출 아암, 11: 노치 얼라이너, 12: 간격 조정 기구, 13: 제1 자세 변환 장치, 13A: 제2 자세 변환 장치, 14: 웨이퍼 전달 아암, 15: 웨이퍼 수납 아암, 16: 제1 처리 유닛, 17: 제2 처리 유닛, 18: 세정·건조 처리 유닛, 19: 척 세정 유닛, 20: 반송로, 21: 웨이퍼 반송 아암, 22: 세정조, 22a: 내측 조, 22b: 외측 조, 22c: 개구부, 23: 건조 유닛, 23a: 챔버, 24: 웨이퍼 보드, 25: 세정액 공급 노즐, 26: 드레인관, 26a: 배출 밸브, 27: 드레인관, 27a: 배출 밸브, 28: 배기 박스, 29: 배기관, 29a: 밸브, 30: 박스, 31: 칸막이판, 32a: 상부실, 32b: 하부실, 33: 배기창, 34: 배기창, 35: 배액구, 36: 셔터, 37: 히터, 38: O링, 39: 챔버벽, 39a: 관통 구멍, 39b: 상측 부분, 39c: 하측 부분, 40: 냉각 가스 공급 노즐, 40a: 가스 공급관, 41: 냉각 기구, 42: 상부 가스 공급 노즐, 42a: 가스 공급관, 42b: 밸브, 42c: 내관, 42d: 외관, 42e: 개구단, 44: 하부 가스 공급 노즐, 44a: 가스 공급관, 44b, 밸브, 46: N2 가스 공급 노즐, 46a: 가스 공급관, 48: 가스 공급관, 50: 건조 가스의 공급원, 50a: 밸브, 52: N2 가스의 공급원, 52a: 밸브, 54: N2 가스의 공급원, 54a: 밸브, 56: N2 가스의 공급원, 56a: 밸브, 58: 셔터 구동 기구, 60: 제어부, 80: 가스 배기 구멍, 82: 가스 배기관, 84: 밸브

Claims (17)

  1. 기판의 세정액을 저류하는 세정조와,
    상기 세정조의 근방에 배치된 건조 유닛으로서, 챔버를 내부에 형성하는 챔버벽, 상기 챔버벽을 가열하기 위한 챔버벽 가열부, 및 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급하는 냉각 가스 공급부를 포함하고, 상기 챔버 내에 건조 가스를 공급함으로써 기판을 건조하는 건조 유닛과,
    기판을 유지하고 상기 기판을 상기 세정조 내와 상기 건조 유닛의 챔버 내 사이에서 이동시키는 유지부와,
    상기 챔버벽 가열부, 상기 냉각 가스 공급부 및 상기 유지부를 제어하는 제어부로서, 우선 상기 세정조에 저류된 세정액에 기판을 침지하고, 다음에 상기 건조 유닛에서 상기 챔버벽 가열부에 의해 챔버벽을 가열하며, 상기 냉각 가스 공급부에 의해 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급함으로써 상기 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하고, 그 후 상기 유지부에 의해 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키도록, 상기 챔버벽 가열부, 상기 냉각 가스 공급부 및 상기 유지부를 제어하는 제어부
    를 포함한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 냉각 가스 공급부에 의해 상기 챔버 내에 공급되는 냉 각 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 챔버벽 가열부는 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 가스를 상기 챔버 내에 공급하는 가열 가스 공급부인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 챔버 내에서, 상기 냉각 가스 공급부는 상기 가열 가스 공급부보다 위쪽에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 냉각 가스 공급부는 상기 챔버의 상부 영역에서 상기 챔버벽의 근방에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 건조 유닛의 챔버벽에는 챔버 내의 가스를 배기하는 배기구가 마련되어 있고, 이 배기구는 상기 가열 가스 공급부보다 아래쪽에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 냉각 가스 공급부에 의해 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급할 때에 상기 가열 가스 공급부에 의해 상기 챔버 내에 공급되는 가스의 유량을 저감시키도록 상기 냉각 가스 공급부 및 상기 가열 가스 공급부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 냉각 가스 공급부에 의해 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급할 때에 상기 가열 가스 공급부에 의한 상기 챔버 내에의 가스의 공급을 정지시키도록 상기 냉각 가스 공급부 및 상기 가열 가스 공급부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 챔버벽 가열부는 상기 챔버벽에 설치된 히터인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 건조 유닛은 상기 챔버 내에 건조 가스를 공급하는 건조 가스 공급부를 포함하고,
    상기 건조 가스 공급부는 상기 챔버 내에 배치되고 상기 챔버 내에 건조 가스를 분사하는 노즐을 포함하며, 이 노즐에는 상기 노즐을 가열하는 가열부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 건조 가스는 유기 용제의 증기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 기판의 세정액을 저류하는 세정조 및 상기 세정조 근방에 배치된 건조 유닛을 포함한 기판 처리 장치에서의 기판의 처리 방법으로서,
    상기 세정조에 저류된 세정액에 기판을 침지하는 공정과,
    상기 건조 유닛에서 챔버를 내부에 형성하는 챔버벽을 가열하는 공정과,
    상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급함으로써 상기 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하는 공정과,
    기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 공정과,
    기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 동안에, 또는 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시킨 후에, 상기 챔버 내에 건조 가스를 공급하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 챔버벽을 가열할 때에, 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 가스를 상기 챔버 내에 공급하고, 이 챔버 내에 공급된 가스에 의해 상기 챔버벽을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서, 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급할 때에, 상기 챔버 내에 공급되는 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 가스의 유량을 저감시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제13항에 있어서, 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급할 때에, 상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 높은 온도의 가스의 상기 챔버 내에의 공급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 챔버벽을 가열할 때에, 이 챔버벽에 설치된 히터에 의해 상기 챔버벽을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 기판의 세정액을 저류하는 세정조 및 상기 세정조의 근방에 배치된 건조 유닛을 포함한 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 프로그램을 기록한 기록 매체로서, 상기 프로그램을 실행함으로써, 상기 제어 컴퓨터가 상기 기판 처리 장치를 제어하여 기판 처리 방법을 실행시키는 것에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 세정조에 저류된 세정액에 기판을 침지하는 공정과,
    상기 건조 유닛에서 챔버를 내부에 형성하는 챔버벽을 가열하는 공정과,
    상기 챔버벽의 외부에 있는 대기의 온도보다 낮은 온도의 가스인 냉각 가스를 상기 챔버 내에 공급함으로써 상기 챔버 내에 있는 가열된 가스를 냉각 가스로 치환하는 공정과,
    기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 공정과,
    기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시키는 동안에, 또는 기판을 상기 세정조 내에서부터 상기 건조 유닛의 챔버 내까지 이동시킨 후에, 상기 챔버 내에 건조 가스를 공급하는 공정
    을 포함한 것을 특징으로 하는 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독가능한 기록 매체.
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