KR20090105621A - 웨이퍼 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 세정 방법에 따르면, 웨이퍼를 세정액에 투입한다. 상기 웨이퍼의 제 1 면에 제 1 초음파를 인가하여, 상기 웨이퍼의 제 1 면을 세정한다. 상기 제 1 면과 반대측인 상기 웨이퍼의 제 2 면에 제 2 초음파를 인가하여, 상기 웨이퍼의 제 2 면을 세정한다. 따라서, 웨이퍼의 전면에 초음파를 균일하게 인가할 수가 있다.

Description

웨이퍼 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치{METHOD OF CLEANING A WAFER AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME}
본 발명은 웨이퍼 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 초음파를 이용해서 웨이퍼를 세정하는 방법, 및 이러한 방법을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치는 증착 공정, 패터닝 공정, CMP 공정, 세정 공정 등 여러 공정들을 통해서 제조된다. 상기와 같은 공정 중에, 웨이퍼에는 공정 중에 발생된 파티클과 같은 오염물질이 묻게 된다. 이러한 오염물질은 반도체 장치에 치명적인 악영향을 준다. 따라서, 웨이퍼를 세정하는 공정이 상기 제조 공정들 사이에 수행된다.
웨이퍼는 세정액과 초음파를 이용해서 세정된다. 초음파를 웨이퍼에 인가하는 종래의 장치로는 다음과 같은 2가지가 있다.
먼저, 초음파 인가부가 세정액이 저장된 세정조의 하부에 배치된다. 초음파 인가부로부터 발생된 초음파가 웨이퍼에 인가되어, 웨이퍼에 묻은 오염물질이 제거된다. 그러나, 상기된 종래의 세정 장치에서는, 웨이퍼 위치에 따라 초음파가 인가 되는 정도가 달라지게 된다. 즉, 초음파가 웨이퍼 하부로부터 인가되므로, 초음파가 웨이퍼의 전면에 균일하게 인가되지 않는다. 결과적으로, 웨이퍼에 묻은 오염물질을 제거하는 효율이 낮다. 또한, 초음파가 웨이퍼의 일부 영역에 집중되므로, 해당 영역에 형성된 패턴이 손상되는 경우도 있다.
다른 세정 장치는 회전형 초음파 로드를 갖는다. 회전하는 초음파 로드로부터 발생된 초음파가 웨이퍼로 전달되는 것에 의해서 오염물질을 제거한다. 그러나, 이러한 종래의 세정 장치에서도, 웨이퍼의 중앙부와 가장자리부에 인가되는 초음파의 밀도가 상이하여, 오염물질을 균일하게 제거할 수 없다. 또한, 전술된 바와 같이, 초음파가 웨이퍼의 일부 영역에 집중되므로, 해당 영역에 형성된 패턴이 손상되는 경우도 있다.
본 발명의 실시예들은 초음파를 웨이퍼의 전면에 균일하게 인가할 수 있는 웨이퍼 세정 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예에들은 상기된 방법을 수행하기 위한 장치를 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 웨이퍼 세정 방법에 따르면, 웨이퍼를 세정액에 투입한다. 상기 웨이퍼의 제 1 면에 제 1 초음파를 인가하여, 상기 웨이퍼의 제 1 면을 세정한다. 상기 제 1 면과 반대측인 상기 웨이퍼의 제 2 면에 제 2 초음파를 인가하여, 상기 웨이퍼의 제 2 면을 세정한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼의 제 1 면에 상기 제 1 초음파를 인가하는 단계와 상기 웨이퍼의 제 2 면에 상기 제 2 초음파를 인가하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼의 제 1 면에 상기 제 1 초음파를 인가하는 단계는 상기 웨이퍼의 제 1 면을 상기 제 1 초음파로 스캐닝하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼의 제 2 면에 상기 제 2 초음파를 인가하는 단계는 상기 웨이퍼의 제 2 면을 상기 제 2 초음파로 스캐닝하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 1 초음파의 스캐닝 속도와 상기 제 2 초음파의 스캐닝 속도는 동일할 수 있다. 또한, 상기 제 1 초음파의 스캐닝 방향과 상기 제 2 초음파의 스캐 닝 방향은 동일할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 세정 방법은 상기 웨이퍼의 제 1 면 및 제 2 면과 상기 제 1 초음파와 상기 제 2 초음파를 인가하는 각각의 위치들 간의 간격들을 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 웨이퍼 세정 장치는 세정조, 제 1 초음파 인가부 및 제 2 초음파 인가부를 포함한다. 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액이 세정조에 저장된다. 제 1 초음파 인가부는 세정조에 투입된 웨이퍼의 제 1 면에 인접하게 배치되어, 상기 제 1 면으로 제 1 초음파를 인가하여 상기 웨이퍼의 제 1 면을 세정한다. 제 2 초음파 인가부는 상기 제 1 면과 반대측인 상기 웨이퍼의 제 2 면에 인접하게 배치되어, 상기 제 2 면으로 제 2 초음파를 인가하여 상기 웨이퍼의 제 2 면을 세정한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 장치는 상기 제 1 초음파 인가부가 고정되고 상기 웨이퍼의 제 1 면으로 제공되는 상기 세정액의 인입 통로와 세정을 완료한 세정액의 인출 통로를 갖는 제 1 세정 헤드, 및 상기 제 2 초음파 인가부가 고정되고 상기 웨이퍼의 제 2 면으로 제공되는 상기 세정액의 인입 통로와 세정을 완료한 세정액의 인출 통로를 갖는 제 2 세정 헤드를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 세정 장치는 상기 제 1 세정 헤드에 연결되어 상기 제 1 세정 헤드를 제 1 방향을 따라 이동시키기 위한 제 1 이동부, 및 상기 제 2 세정 헤드에 연결되어 상기 제 2 세정 헤드를 상기 제 1 방향을 따라 이동시키기 위한 제 2 이동부를 더 포함할 수 있다.
부가적으로, 상기 세정 장치는 상기 제 1 세정 헤드에 연결되어 상기 제 1 세정 헤드를 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향을 따라 이동시켜서 상기 제 1 초음파 인가부와 상기 웨이퍼의 제 1 면 간의 간격을 조정하기 위한 제 3 이동부, 및 상기 제 2 세정 헤드에 연결되어 상기 제 2 세정 헤드를 상기 제 2 방향을 따라 이동시켜서 상기 제 2 초음파 인가부와 상기 웨이퍼의 제 2 면 간의 간격을 조정하기 위한 제 4 이동부를 더 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 웨이퍼의 양면 전체에 초음파가 동시에 인가되므로, 초음파가 웨이퍼의 전면에 균일하게 적용될 수 있다. 따라서, 웨이퍼에 묻은 오염물질을 제거하는 효율이 향상된다. 또한, 웨이퍼에 형성된 패턴이 손상되는 현상도 억제된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
웨이퍼 세정 장치
실시예 1
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 정면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치(100)는 세정조(160), 제 1 세정 헤드(110), 제 2 세정 헤드(120), 제 1 초음파 인가부(130), 제 2 초음파 인가부(140) 및 제 1 내지 제 4 이동부(151, 152, 153, 154)를 포함한다.
웨이퍼를 세정하기 위한 세정액이 세정조(160)에 저장된다. 웨이퍼는 세정조(160) 내에 수평하게 배치된다.
제 1 세정 헤드(110)는 웨이퍼의 제 1 면, 즉 상부면 상부에 배치된다. 제 1 세정 헤드(110)는 웨이퍼의 제 1 면으로 제공되는 세정액의 인입 통로(112), 및 세정을 완료한 세정액의 인출 통로(114)를 갖는다. 본 실시예에서, 제 1 세정 헤드(110)는 대략 직육면체 형상을 갖는다. 또는, 제 1 세정 헤드(110)는 원형, 삼각형, 정사각형, 직사각형, 마름모 등의 단면 형상을 가질 수도 있다.
제 1 초음파 인가부(130)는 제 1 세정 헤드(110)의 밑면에 설치된다. 제 1 초음파 인가부(130)는 웨이퍼의 제 1 면으로 제 1 초음파를 인가하여, 웨이퍼의 제 1 면에 묻은 오염물질을 떨어뜨린다. 본 실시예에서, 제 1 초음파 인가부(130)는 웨이퍼의 제 1 면 크기와 대응하는 크기를 갖는 바 형상을 가질 수 있다.
제 1 이동부(151)는 제 1 세정 헤드(110)에 수평 방향을 따라 연결되어, 제 1 세정 헤드(110)를 제 1 방향, 즉 수평 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 제 1 초 음파 인가부(130)에서 발생된 제 1 초음파가 웨이퍼의 제 1 면을 스캐닝하게 된다. 결과적으로, 제 1 초음파는 웨이퍼의 제 1 면에 균일하게 인가될 수 있다. 본 실시예에서, 제 1 이동부(151)는 제 1 세정 헤드(110)를 0.1mm/s 내지 250mm/s, 바람직하게는 0.1mm/s 내지 100mm/s 속도로 이동시킨다.
또한, 제 3 이동부(153)는 제 1 세정 헤드(110)에 수직 방향을 따라 연결되어, 제 1 세정 헤드(110)를 제 1 방향과 실질적으로 직교하는 제 2 방향, 즉 수직 방향을 따라 이동시킨다. 제 3 이동부(153)는 웨이퍼의 제 1 면과 제 1 초음파 인가부(130) 간의 간격을 조절하여, 너무 강한 제 1 초음파가 웨이퍼의 제 1 면에 인가되는 것을 방지한다. 즉, 강한 제 1 초음파에 의해 웨이퍼의 제 1 면에 형성된 패턴이 손상되는 것이 방지된다. 본 실시예에서, 제 3 이동부(153)는 제 1 세정 헤드(110)를 0.1mm/s 내지 250mm/s, 바람직하게는 0.1mm/s 내지 100mm/s 속도로 이동시킨다.
제 2 세정 헤드(120)는 제 1 면과 반대측인 웨이퍼의 제 2 면, 즉 하부면 하부에 배치된다. 제 2 세정 헤드(120)는 웨이퍼의 제 2 면으로 제공되는 세정액의 인입 통로(122), 및 세정을 완료한 세정액의 인출 통로(124)를 갖는다. 본 실시예에서, 제 2 세정 헤드(120)는 제 1 세정 헤드(110)와 실질적으로 동일한 대략 직육면체 형상을 갖는다. 또는, 제 2 세정 헤드(120)는 원형, 삼각형, 정사각형, 직사각형, 마름모 등의 단면 형상을 가질 수도 있다.
제 2 초음파 인가부(140)는 제 2 세정 헤드(120)의 표면에 설치된다. 제 2 초음파 인가부(140)는 웨이퍼의 제 2 면으로 제 2 초음파를 인가하여, 웨이퍼의 제 2 면에 묻은 오염물질을 떨어뜨린다. 본 실시예에서, 제 2 초음파 인가부(140)는 제 1 초음파 인가부(130)와 동시에 제 2 초음파를 웨이퍼의 제 2 면에 인가할 수 있다. 즉, 웨이퍼의 제 1 면과 제 2 면에 제 1 초음파와 제 2 초음파가 동시에 인가될 수 있다. 또한, 제 2 초음파는 제 1 초음파와 실질적으로 동일한 특성을 가질 수 있다. 아울러, 제 2 초음파 인가부(140)는 웨이퍼의 제 2 면 크기와 대응하는 크기를 갖는 바 형상을 가질 수 있다.
제 2 이동부(152)는 제 2 세정 헤드(120)에 수평 방향을 따라 연결되어, 제 2 세정 헤드(120)를 제 1 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 제 2 초음파 인가부(140)에서 발생된 제 2 초음파가 웨이퍼의 제 2 면을 스캐닝하게 된다. 결과적으로, 제 2 초음파는 웨이퍼의 제 2 면에 균일하게 인가될 수 있다. 본 실시예에서, 제 2 세정 헤드(120)의 수평 이동 속도는 제 1 세정 헤드(110)의 수평 이동 속도와 동일할 수 있다. 또한, 제 2 이동부(152)는 제 2 세정 헤드(120)를 0.1mm/s 내지 250mm/s, 바람직하게는 0.1mm/s 내지 100mm/s 속도로 이동시킨다.
또한, 제 4 이동부(154)는 제 2 세정 헤드(120)에 수직 방향을 따라 연결되어, 제 2 세정 헤드(120)를 제 2 방향을 따라 이동시킨다. 제 4 이동부(154)는 웨이퍼의 제 2 면과 제 2 초음파 인가부(140) 간의 간격을 조절하여, 너무 강한 제 2 초음파가 웨이퍼의 제 2 면에 인가되는 것을 방지한다. 즉, 강한 제 2 초음파에 의해 웨이퍼의 제 2 면에 형성된 패턴이 손상되는 것이 방지된다. 본 실시예에서, 제 2 세정 헤드(120)의 수직 이동 속도는 제 1 세정 헤드(110)의 수직 이동 속도와 동일할 수 있다. 또한, 제 4 이동부(154)는 제 1 세정 헤드(110)를 0.1mm/s 내지 250mm/s, 바람직하게는 0.1mm/s 내지 100mm/s 속도로 이동시킨다.
여기서, 본 실시예에서는, 하나의 웨이퍼를 세정하는 것으로 예시되었으나, 본 발명의 세정 장치를 이용해서 복수개의 웨이퍼를 동시에 세정할 수도 있다.
실시예 2
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 정면도이다.
본 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치(100a)는 수직 배열형이라는 점을 제외하고는 실시예 1의 웨이퍼 세정 장치(100)와 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함한다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 웨이퍼가 세정조(160) 내에 수직 방향을 따라 배치된다. 따라서, 제 1 세정 헤드(110)와 제 1 초음파 인가부(130)는 웨이퍼의 우측면에 인접하게 배치된다. 반면에, 제 2 세정 헤드(120)와 제 2 초음파 인가부(140)는 웨이퍼의 좌측면에 인접하게 배치된다. 또한, 제 1 이동부(151)와 제 2 이동부(152)는 제 1 세정 헤드(110)와 제 2 세정 헤드(120) 각각에 수직 방향을 따라 연결된다. 반면에, 제 3 이동부(153)와 제 4 이동부(154)는 제 1 세정 헤드(110)와 제 2 세정 헤드(120) 각각에 수평 방향을 따라 연결된다.
웨이퍼 세정 방법
도 4는 도 1의 세정 장치를 이용해서 웨이퍼를 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 단계 ST200에서, 웨이퍼를 세정조(160) 내의 세정액으로 투입한다.
단계 ST202에서, 제 3 이동부(143)를 이용해서 제 1 초음파 인가부(130)와 웨이퍼의 제 1 면 사이의 간격을 적절하게 조절한다. 상기 간격은 웨이퍼의 제 1 면에 형성된 패턴이 제 1 초음파에 의해 손상되지 않으면서 웨이퍼의 제 1 면에 묻은 오염물질을 효과적으로 떨어뜨릴 수 있을 정도를 근거로 결정될 수 있다.
단계 ST204에서, 제 1 이동부(151)가 제 1 세정 헤드(110)를 제 1 방향을 따라 이동시킨다. 이와 동시에, 제 1 초음파 인가부(130)가 제 1 초음파를 웨이퍼의 제 1 면에 인가한다. 여기서, 제 1 초음파 인가부(130)는 제 1 세정 헤드(110)와 함께 제 1 방향을 따라 이동하므로, 웨이퍼의 제 1 면은 제 1 초음파에 의해 스캐닝된다. 따라서, 제 1 초음파가 웨이퍼의 제 1 면에 균일하게 인가될 수 있다.
단계 ST206에서, 제 4 이동부(154)를 이용해서 제 2 초음파 인가부(140)와 웨이퍼의 제 2 면 사이의 간격을 적절하게 조절한다. 상기 간격은 웨이퍼의 제 2 면에 형성된 패턴이 제 2 초음파에 의해 손상되지 않으면서 웨이퍼의 제 2 면에 묻은 오염물질을 효과적으로 떨어뜨릴 수 있을 정도를 근거로 결정될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 단계 ST206은 상기 단계 ST202와 동시에 수행될 수 있다.
단계 ST208에서, 제 2 이동부(152)가 제 1 세정 헤드(110)와 이동 방향과 동일하게 제 2 세정 헤드(120)를 제 1 방향을 따라 이동시킨다. 이와 동시에, 제 2 초음파 인가부(140)가 제 2 초음파를 웨이퍼의 제 2 면에 인가한다. 여기서, 제 2 초음파 인가부(140)는 제 2 세정 헤드(120)와 함께 제 1 방향을 따라 이동하므로, 웨이퍼의 제 2 면은 제 2 초음파에 의해 스캐닝된다. 따라서, 제 2 초음파가 웨이퍼의 제 2 면에 균일하게 인가될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 단계 ST208은 상기 단계 ST204와 동시에 수행될 수 있다. 즉, 제 1 초음파와 제 2 초음파가 웨이퍼의 제 1 면과 제 2 면에 동시에 인가될 수 있다. 여기서, 제 1 초음파와 제 2 초음파는 실질적으로 동일한 특성을 가질 수 있다.
한편, 세정액은 제 1 세정 헤드(110)와 제 2 세정 헤드(120)의 인입 통로(112, 122)들을 통해서 웨이퍼로 제공된다. 또한, 세정을 완료한 세정액은 제 1 세정 헤드(110)와 제 2 세정 헤드(120)의 인출 통로(114, 124)들을 통해서 인출된다.
따라서, 세정액에 포함된 오염물질은 인출 통로(114, 124)를 통해서 배출되므로, 오염물질이 다시 웨이퍼에 묻는 현상이 억제된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼의 양면 전체에 초음파가 동시에 인가되므로, 초음파가 웨이퍼의 전면에 균일하게 적용될 수 있다. 따라서, 웨이퍼에 묻은 오염물질을 제거하는 효율이 향상된다. 또한, 웨이퍼에 형성된 패턴이 손상되는 현상도 억제된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역 으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 세정 장치를 나타낸 정면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 정면도이다.
도 4는 도 1의 장치를 이용해서 웨이퍼를 세정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
110 ; 제 1 세정 헤드 120 ; 제 2 세정 헤드
130 : 제 1 초음파 인가부 140 : 제 2 초음파 인가부
151, 152, 153, 154 : 이동부 160 : 세정조

Claims (10)

  1. 웨이퍼를 세정액에 침지시키는 단계;
    상기 웨이퍼의 제 1 면에 제 1 초음파를 인가하여, 상기 웨이퍼의 제 1 면을 세정하는 단계; 및
    상기 제 1 면과 반대측인 상기 웨이퍼의 제 2 면에 제 2 초음파를 인가하여, 상기 웨이퍼의 제 2 면을 세정하는 단계를 포함하는 웨이퍼 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 제 1 면에 상기 제 1 초음파를 인가하는 단계와 상기 웨이퍼의 제 2 면에 상기 제 2 초음파를 인가하는 단계는 동시에 수행되는 웨이퍼 세정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 제 1 면에 상기 제 1 초음파를 인가하는 단계는 상기 웨이퍼의 제 1 면을 상기 제 1 초음파로 스캐닝하는 단계를 포함하고, 상기 웨이퍼의 제 2 면에 상기 제 2 초음파를 인가하는 단계는 상기 웨이퍼의 제 2 면을 상기 제 2 초음파로 스캐닝하는 단계를 포함하는 웨이퍼 세정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 초음파의 스캐닝 속도와 상기 제 2 초음파의 스캐닝 속도는 동일한 웨이퍼 세정 방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 초음파의 스캐닝 방향과 상기 제 2 초음파의 스캐닝 방향은 동일한 웨이퍼 세정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 제 1 면 및 제 2 면과 상기 제 1 초음파와 상기 제 2 초음파를 인가하는 각각의 위치들 간의 간격들을 조절하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 세정 방법.
  7. 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액이 저장되는 세정조;
    상기 세정조에 투입된 상기 웨이퍼의 제 1 면에 인접하게 배치되어, 상기 제 1 면으로 제 1 초음파를 인가하여 상기 웨이퍼의 제 1 면을 세정하기 위한 제 1 초음파 인가부; 및
    상기 제 1 면과 반대측인 상기 웨이퍼의 제 2 면에 인접하게 배치되어, 상기 제 2 면으로 제 2 초음파를 인가하여 상기 웨이퍼의 제 2 면을 세정하기 위한 제 2 초음파 인가부를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 초음파 인가부가 고정되고, 상기 웨이퍼의 제 1 면으로 제공되는 상기 세정액의 인입 통로와 세정을 완료한 세정액의 인출 통로를 갖는 제 1 세정 헤드; 및
    상기 제 2 초음파 인가부가 고정되고, 상기 웨이퍼의 제 2 면으로 제공되는 상기 세정액의 인입 통로와 세정을 완료한 세정액의 인출 통로를 갖는 제 2 세정 헤드를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 헤드에 연결되어, 상기 제 1 세정 헤드를 제 1 방향을 따라 이동시키기 위한 제 1 이동부; 및
    상기 제 2 세정 헤드에 연결되어, 상기 제 2 세정 헤드를 상기 제 1 방향을 따라 이동시키기 위한 제 2 이동부를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 헤드에 연결되어, 상기 제 1 세정 헤드를 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향을 따라 이동시켜서 상기 제 1 초음파 인가부와 상기 웨이퍼의 제 1 면 간의 간격을 조정하기 위한 제 3 이동부; 및
    상기 제 2 세정 헤드에 연결되어, 상기 제 2 세정 헤드를 상기 제 2 방향을 따라 이동시켜서 상기 제 2 초음파 인가부와 상기 웨이퍼의 제 2 면 간의 간격을 조정하기 위한 제 4 이동부를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190027534A (ko) * 2017-09-07 2019-03-15 한국기계연구원 공기를 이용하는 초음파 건식 세정장치 및 세정시스템
CN116230594A (zh) * 2023-05-04 2023-06-06 恒超源洗净科技(深圳)有限公司 一种单片晶圆超声波清洗装置

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