KR20090101617A - 산화아연 나노와이어의 제조방법 - Google Patents

산화아연 나노와이어의 제조방법

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KR20090101617A
KR20090101617A KR1020080026871A KR20080026871A KR20090101617A KR 20090101617 A KR20090101617 A KR 20090101617A KR 1020080026871 A KR1020080026871 A KR 1020080026871A KR 20080026871 A KR20080026871 A KR 20080026871A KR 20090101617 A KR20090101617 A KR 20090101617A
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Abstract

본 발명은 기판 상부에 다수의 시드를 포함하는 금속 시드층을 형성하는 단계; 상기 금속 시드층을 열처리에 의해 산화시켜 다수의 금속산화물 결정을 형성하는 전처리 단계; 및 상기 다수의 금속 산화물 결정 상부에 다수의 산화아연 나노와이어를 기판에 대해 일정 방향으로 정렬되도록 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 금속 시드층 형성단계 및 금속 시드층의 전처리 단계를 포함함으로써 나노와이어 성장기판으로 다양한 기판을 사용할 수 있으며, 기판면에 대해 수직으로 정렬된 나노와이어를 형성할 수 있는 산화아연 나노와이어의 제조방법에 관계한다.

Description

산화아연 나노와이어의 제조방법{Method for Manufacturing Zinc Oxide Nanowires}
본 발명은 산화아연 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 산화아연 나노와이어를 형성하는 방법에서 금속 시드층 형성단계 및 금속 시드층의 전처리 단계를 포함함으로써 다양한 성장 기판 면에 수직으로 정렬된 나노와이어를 형성할 수 있는 산화아연 나노와이어의 제조방법에 관계한다.
나노와이어(nanowire)는 직경이 수 내지 수백 나노미터 영역이고, 길이가 수백 나노미터, 마이크로미터 또는 밀리미터 단위를 갖는 극미세선으로서, 직경과 길이에 따라 그 물성이 달라진다. 나노와이어는 작은 크기로 인하여 미세 소자에 다양하게 응용될 수 있을 뿐 아니라, 특정 방향으로의 전자의 이동 및 편광 현상을 나타내는 광학 특성을 이용할 수 있는 장점이 있다.
따라서, 이러한 나노와이어는 미래의 전자 및 광전 소자로의 커다란 응용 가능성 때문에 최근 많은 연구가 이루어지고 있다. 나노와이어를 이용한 소자의 경우 이론적으로는 수 nm의 회로선폭까지 달성할 수 있어 집적도를 획기적으로 올릴 수 있을 것으로 기대되고 있다. 따라서, 나노와이어의 대량 합성 기술과 나노와이어의 정렬 및 고집적 어레이화 기술 연구가 활발하게 진행되고 있다.
특히, 산화아연 나노와이어(ZnO nanowire)는 2-6족 산화물 반도체 소재로 넓은 밴드갭(3.37 eV)(wide direct band gap)과 큰 엑시톤(exciton) 결합 에너지(60 mV)를 지닌 기능성 나노 소재로 여러 반도체 및 광 응용 분야에서 각광 받고 있다.
나노와이어의 응용에 있어서 정렬도는 디바이스의 성능 및 집적도를 결정하는 중요한 요소 중의 하나이다. 일반적으로 ZnO 나노와이어는 성장 시 기판의 결정지수에 의해 성장 방향이 결정되며 비정질 기판의 경우 그 성장방향이 무작위하게 나타난다. ZnO 나노와이어의 응용은 나노와이어의 성장 방향의 조절에 큰 영향을 받으며, 이를 달성하기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 기판면에 대해 수직으로 정렬되어 성장할 수 있으며, 제조공정 상의 단가를 낮출 수 있는 산화아연 나노와이어의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 산화아연 나노와이어를 포함하는 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은 기판 상부에 다수의 시드를 포함하는 금속 시드층을 형성하는 단계; 상기 금속 시드층을 열처리에 의해 산화시켜 다수의 금속산화물 결정을 형성하는 전처리 단계; 및 상기 다수의 금속 산화물 결정 상부에 다수의 산화아연 나노와이어를 기판에 대해 일정 방향으로 정렬되도록 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법에 관한 것이다.
상기 나노와이어는 기판 상부의 가공면에 따라 기판에 수직으로 정렬되어 성장할 수 있다. 상기 나노와이어 성장 단계는 열 화학 기상 증착법(Thermal CVD) 또는 습식법(hydrothermal synthesis)에 의해 수행될 수 있다.
상기 기판은 비정질 기판이거나 임의의 기판 상부에 비정질 SiO2 막이 형성된 것일 수 있다. 상기 임의의 기판은 실리콘, 유리, ITO, 운모, 흑연, 황화 몰리브덴, 구리, 아연, 알루미늄, 스테인레스, 마그네슘, 철, 니켈, 금, 은, 및 플라스틱 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 금속 시드층은 아연막일 수 있으며, 상기 금속 시드층의 두께는 10nm 내지 50nm 일 수 있으며, 보다 바람직하게는 30nm인 것이 좋다.
상기 금속 시드층은 전처리 단계에서의 열처리에 의해 산화 및 결정화되어 나노와이어의 성장 방향을 제어할 수 있다.
본 발명의 다른 양상은 상기 제조방법에 의해 제조된 정렬된 산화아연 나노와이어를 포함하는 소자에 관한 것이다. 상기 소자는 박막 트랜지스터, 발광 다이오드, 광전 소자 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 산화아연 나노와이어를 포함하는 소자는 본 발명에 의한 산화아연 나노와이어의 제조방법을 포함하여 제조될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법을 보여주는 공정흐름도이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법을 보여주는 공정흐름도이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법을 보여주는 공정흐름도이고,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법에 사용된 열 화학 기상 증착 설비의 개략도이고,
도 5a 및 5b는 본 발명의 일실시예에 의해 제조된 산화아연 나노와이어의 주사전자현미경사진(SEM)이고,
도 6은 본 발명의 일실시예에 의해 제조된 산화아연 나노와이어의 X선 회절 결과를 나타내는 그래프이고,
도 7은 본 발명의 일실시예에 의해 제조된 산화아연 나노와이어의 PL(Photo Luminescence) 그래프이고,
도 8a 내지 8b는 본 발명의 일실시예에 의해 형성된 시드층의 두께에 따른 산화아연 나노와이어의 주사전자현미경사진(SEM)이며,
도 9는 본 발명의 본 발명의 일실시예에 의해 형성된 시드층의 X선 회절 결과를 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 10, 20: 기판, 11, 21: SiO2 막
2, 12, 22: 금속 시드층, 2`, 12`, 22`: 전처리된 금속 시드층
3, 13, 23: 산화아연 나노와이어
이하, 본 발명의 구현예들에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
본 발명의 일구현예에 따른 산화아연 제조방법은 기판 상부에 다수의 시드를 포함하는 금속 시드층을 형성하는 단계; 상기 금속 시드층을 열처리에 의해 산화시켜 다수의 금속산화물 결정을 형성하는 전처리 단계; 및 상기 다수의 금속 산화물 결정 상부에 다수의 산화아연 나노와이어를 기판에 대해 일정 방향으로 정렬되도록 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 구현예들에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법을 보여주는 공정흐름도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 구현예들에 의한 산화아연 제조방법은 기판(1) 상부에 다수의 시드를 포함하는 금속 시드층(2)을 형성하는 단계; 상기 금속 시드층(2)을 열처리에 의해 산화시켜 다수의 금속산화물 결정을 형성하는 전처리 단계; 및 상기 다수의 금속 산화물 결정 상부에 다수의 산화아연 나노와이어(3)를 기판에 대해 일정 방향으로 정렬되도록 성장시키는 단계의 3 단계로 나눌 수 있다.
본 발명의 구현예들에서 사용할 수 있는 기판(1)으로는 비정질 기판을 사용할 수 있으며, 통상적인 기판 상부에 비정질 SiO2 막이 형성된 것을 사용할 수도 있다. 즉, 본 발명에서 기판이라는 것은 비정질 기판 또는 임의의 기판 상에 비정질 SiO2 막이 형성된 기판을 의미한다. 이러한 기판에는 특별한 제한은 없으나 실리콘 기판, 플라스틱 기판 또는 유리 기판을 예로 들 수 있으며, 바람직하게는 실리콘, 유리, ITO, 운모, 흑연, 황화 몰리브덴, 구리, 아연, 알루미늄, 스테인레스, 마그네슘, 철, 니켈, 금, 은 등의 금속, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 아크릴 수지 등의 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다.　　구체적으로, 도 1은 비정질 기판(1)을 사용한 산화아연 나노와이어의 제조방법의 공정흐름도를 나타내며, 도 2 및 도 3은 상부에 비정질 SiO2 막(11, 21)이 형성된 기판(10, 20)을 사용한 산화아연 나노와이어의 제조방법의 공정흐름도를 나타내는 것이다.
본 발명의 구현예들에서는 상기 금속 시드층(2)으로 아연막을 사용할 수 있으며, 상기 기판 상부의 금속 시드층(2)이 10nm 내지 100nm가 되도록 형성하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 10nm 내지 50nm, 가장 바람직하게는 30nm가 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 상기 기판(1) 상부에 금속 시드층(2)을 형성하는 방법으로는 통상적인 방법을 사용하며, 특별히 제한되지 아니한다. 특히, 금속 시드층(2)으로 아연막을 사용하는 경우, 상기 아연막의 형성은 스퍼터법을 이용함으로써 고가의 증착 설비인 PLD, MOCVD, MBE 등의 방법에 의한 증착과 비교하여 생산비 절감효과를 기대할 수도 있다.
상기 기판(1) 상부에 형성된 금속 시드층(2)은 시드층의 전처리 단계에서 열처리에 의해 산화되어 결정화되어 다수의 금속산화물 결정을 형성하며, 전처리된 시드층(2`)은 다음 단계에서 산화아연 나노와이어가 일정 방향으로 성장할 수 있도록 한다. 즉, 시드의 결정면은 나노와이어의 성장 방향을 결정한다. 전처리 조건은 산소분위기에서 약 350 내지 400℃에서 약 30 내지 60 분간 열처리하는 것이 바람직하다.
본 발명의 구현예들에서는 비정질 기판 상부의 금속 시드층을 전처리 하여 나노와이어가 전처리된 금속 시드층의 결정 방향에 따라 성장하도록 한다. 즉, 정렬된 나노와이어를 제조하기 위하여 특정한 결정성을 가지는 기판을 사용하는 것이 아니라 금속 시드층의 전처리를 통해 시드의 결정 방향을 이용하여 기판의 결정성과 무관하게 정렬된 나노와이어를 제조하는 것이다. 이는 나노와이어가 결정면에 대하여 수직방향으로 우수한 결정 성장 특성(에피텍셜 성장, epitaxial growth)을 갖는 것을 이용한 것이다. 일반적으로 정렬된 ZnO 나노와이어를 얻기 위해 고가의 사파이어 기판이 많이 사용되고 있는데 이는 사파이어 기판의 결정방향에 따라 ZnO 나노와이어의 성장 방향이 정해지기 때문이다. 그러나, 본 발명의 구현예들에 의한 제조방법을 사용하는 경우에는 금속 시드층의 전처리 단계를 통해 시드의 결정 방향을 이용하여 정렬된 나노와이어를 성장시키는 바, 고가의 사파이어 기판이 아니라 실리콘 이외의 다양한 기판을 이용하여 정렬된 나노와이어를 합성할 수 있으므로 ZnO 나노와이어 응용 디바이스의 생산비 절감 및 성능 향상을 이룰 수 있다.
본 발명의 구현예들에서는 기판 상부에 형성된 금속 시드층을 열처리에 의해 전처리한 후, 상기 전처리된 금속 시드층 상부에 산화아연 나노와이어를 성장시킴으로써 기판에 대해 일정한 방향으로 정렬된 산화아연 나노와이어를 제조할 수 있다. 이때, 산화아연 나노와이어의 성장은 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition) 또는 습식 성장법(hydrothermal synthesis)에 의해 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
산화아연 나노와이어의 합성은 다양한 방법으로 시도되고 있으나 가장 널리 알려진 방식은 열 화학 기상 증착법을 이용한 방법이다. 이 방식은 고상의 ZnO 소스 물질을 열에 의해 기화시켜 기판 또는 기판 상부에 형성된 시드로부터 나노와이어를 성장시키는 것이다. 열 화학 기상 증착법을 이용한 산화아연 나노와이어의 합성은 다음의 두 가지 원리로 설명되어 진다. VLS(vapor-liquid-solid)법과 VS(vapor-solid) 법이 있으며 VLS 법의 경우 기화된 아연과 산소가 공융점을 이루는 금속촉매 내에서 석출되어 산화아연 나노와이어가 이루어지며, VS 법의 경우 기화된 아연과 산소가 시드에서 에피텍셜(epitaxial) 성장을 하는 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법을 보여주는 공정흐름도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법에 사용된 열 화학 기상 증착 설비의 개략도이다.
열 화학 기상 증착법에 의해 산화아연 나노와이어가 성장하는 단계(c)는 아연이 휘발되는 단계와 휘발된 아연이 시드의 결정면에 응집되면서 나노와이어로 성장하는 단계로 이루어진다.
열 화학 기상 증착법에 의해 나노와이어를 성장시키는 경우, 도 4와 같이 소스 물질과 기판을 이격 배치시킨 후, 반응로에 반응가스 또는 어닐링 가스를 흘려주면서 반응로를 가열한다. 도 4를 참조하면, 반응 가스의 흐름을 MFC로 제어할 수 있으나, 이러한 구조에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일구현예에서 사용되는 소스 물질은 산화아연이며, 상기 산화아연은 분말상, 펠렛상, 판상 또는 괴상 등이 일반적이며, 저온에서 산화아연 가스의 휘발량을 증가시키기 위하여는 분말 형태가 적합하다. 또한, 저온에서의 공정성을 보다 향상시키기 위하여 카본 분말을 혼합하여 사용할 수 있다. 카본 분말을 혼합하는 경우, 산화아연을 보다 낮은 온도에서 휘발시킬 수 있어 반응 온도를 낮출 수 있다. 반응로의 가열 속도는 5 C/min 내지 30 C/min 이 바람직하다.
가열공정과 산화아연 나노와이어의 성장 공정 동안 캐리어 가스를 소스분말에서 기판 방향으로 흘려준다. 본 발명의 일구현예에서 사용할 수 있는 캐리어 가스로는 불활성 가스를 사용하는 것이 바람직하며, 특별히 제한되지 않으나, 아르곤, 헬륨, 질소 등을 예로 들 수 있다. 또한, 산화아연 나노와이어 제작 시 나노와이어의 특성을 조절하기 위해 일정량의 산소를 추가로 포함할 수 있다. 캐리어 가스는 휘발된 아연가스를 운반하며, 아연가스가 시드의 결정면 상부에 냉각되어 성장될 때 산화아연의 순도를 높이기 위해서는 불활성 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 아르곤 내에 포집되었던 산소가 휘발된 아연가스와 반응하여 냉각 도중에 산화아연의 형태로 변한다. 가열온도는 아연의 휘발량을 조절할 수 있는 중요한 요소이며, 가열온도가 높으면 더 많은 아연을 휘발시킬 수 있으나 휘발된 아연가스의 운동에너지를 증가시켜 이동속도 및 이동거리를 증가시킨다. 따라서 기판과 휘발되는 소스 물질의 거리에 따라 적정하게 선택하는 것이 좋다. 본 발명의 구현예들에서는 약 800 ~ 1000℃가 바람직하다. 이렇게 운반되는 아연가스는 이동 과정 중에 일부분이 산화아연 가스로 바뀐다. 기판에 도달한 산화아연가스는 기판 상부의 시드층의 결정 면에 흡착되어 나노와이어로 성장하게 된다. 산화아연 나노와이어의 성장 시간은 10분 내지 60분이 바람직하다.
습식법은 열 화학 기상 증착법 이외에 나노입자, 나노와이어, 나노막대 등의 나노구조의 합성에 응용되는 합성법이다. 습식법에 의해 산화아연 나노와이어를 성장시키는 경우, 수용액 상태에서의 Zn 소스를 포함하는 Zn 전구체와 OH- 를 생성하는 기능성 보조제, 예를 들어, 헥사메틸테트라디아민(HMTA)과 같은 보조제의 수용액 상에서 산화아연이 도포된 기판에 산화아연 나노와이어를 성장시키는 합성한다. 일 예로 Zn 전구체로 아연 나이트레이트 헥사 하이드레이트(Zinc Nitrate hexa hydrate, Zn(NO3)2;6H2O) 및 보조제로 헥사메틸테트라디아민(HMTA, (CH2)6N4)의 수용액을 약 90℃의 반응온도에서 반응시켜 ZnO 나노와이어를 합성할 수 있다. 이때의 반응 화학식은 다음과 같다:
(CH2)6N4 + 6H2O → 4NH3 + 6HCHO (1)
NH3 + H2O → NH4 + + OH- (2)
Zn + 2NH4 + → Zn2 + + 2NH3 + H2 (3)
Zn2 + + 2OH- → ZnO(s) + H2O (4) (90℃ 가열 공정)
본 발명의 구현예들에서는 시드층의 전처리 단계에 의해 생성된 시드의 결정면으로부터 기판에 수직한 방향으로 나노와이어를 에피텍셜 성장시켜 정렬된 나노와이어를 대량 제조할 수 있다. 본 발명의 구현예들에 의해 의해 제조된 산화아연 나노와이어는 1000 cm2/Vs의 전자이동도까지 구현할 수 있는 것으로 높은 전자이동도를 제공할 수 있다. 또한, 기판 상부를 가공하거나 다양한 구조의 기판을 사용하는 경우 기판과 수평 또는 일정한 각도를 가지고 성장되는 나노와이어를 수득할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 구현예들에 의해 제조된 정렬된 산화아연 나노와이어를 이용하면 다양한 기판으로의 정렬된 나노와이어의 이식이 가능하며, 어레이 형태의 집적 디바이스 제작을 손쉽게 할 수 있다.
본 발명의 다른 양상은 산화아연 나노와이어를 포함하는 소자의 제조방법으로서, 상기 제조방법이 본 발명의 구현예들에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법을 포함하는 소자의 제조방법에 관계한다.
상기 산화아연 나노와이어를 포함하는 소자로는 박막 트랜지스터, 발광 다이오드, 광전 소자, 등이 있으나, 이에 제한되지 아니한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명의 바람직한 구현예를 보다 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명의 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예 1
비정질 산화막(SiO2)이 형성된 실리콘 웨이퍼 기판 위에 스퍼터법으로 30nm 두께의 아연막을 형성하였다. 가열로를 이용하여 400℃로 1시간 동안 산소 분위기에서 상기 기판 상부의 아연막을 산화시켜 산화아연막을 형성하였다. 산화아연막이 형성된 기판에 열 화학 기상 증착법을 사용하여 산화아연 나노와이어를 제조하였다. 이때, 산화아연 분말 0.05g, 카본 분말 0.05g의 혼합물을 반응로의 한 쪽에 배치하고 약 3 cm 정도 떨어진 곳에 상기 산화아연막이 형성된 기판을 위치하고, 도 4와 같이 열 기상 화학 증착 설비에 배치하였다. 캐리어 가스로는 아르곤과 산소(O2)의 혼합 가스를 사용하였으며, 유량을 50 sccm 정도로 일정하게 유지하면서 20℃/min 승온 온도로 950℃까지 가열한 후 30분간 유지시켰다. 반응 후 제조된 산화아연 나노와이어에 대해 각각 상부와 약간 측면에서 주사전자현미경(SEM) 사진을 촬영하여 도 5a 및 5b에 나타내었으며, 제조된 산화아연 나노와이어의 결정성 및 광학적 특성을 각각 X선 회절(X-Ray Diffraction)법과 PL(Photo Luminescence)법으로 측정하여 도 6 및 7에 나타내었다.
실시예 2 - 4
상기 실시예 1에서 기판 상부에 형성된 아연막의 두께를 10nm, 20nm 및 30nm로 형성한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 산화아연 나노와이어를 제조하였다. 제조된 산화아연 나노와이어의 주사전자현미경(SEM) 사진을 촬영하여 도 8a 내지 8c에 나타내었다. 또한, 산화아연 나노와이어의 제조단계 중 아연막의 산화단계 후 형성된 산화아연막에 대해 수직으로 X-선을 조사하여 결정면을 측정한 XRD 측정 결과를 도 9에 나타내었다.
도 8a 내지 8c를 참조하면, 시드층의 두께에 따라 제조된 산화아연 나노와이어의 정렬도가 차이가 나는 것을 알 수 있다. 이는 산화아연 나노와이어는 [002]방향으로 성장되는 특성이 있으며 전처리 공정 후의 시드층에 [002]면이 지배적으로 형성되었을 때 성장된 나노와이어의 정렬도가 우수하게 되기 때문이다. 이를 통해 시드층의 전처리 단계에서 아연막의 산화 공정 시, 아연막의 두께에 따라 형성되는 결정면이 영향을 받는 것을 알 수 있으며, 도 9를 참조하면, 아연막의 두께와 결정면이 상관관계가 있음을 확인할 수 있다. XRD 결과를 바탕으로 스퍼터로 형성된 약 30 nm 의 아연막에서 가장 좋은 결정면이 형성 되었음을 알 수 있으며 이러한 조건에서 성장된 산화아연 나노와이어가 정렬도가 가장 우수함을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참고로 본 발명에 대해서 상세하게 설명하였으나, 이들은 단지 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (13)

  1. 기판 상부에 다수의 시드를 포함하는 금속 시드층을 형성하는 단계;
    상기 금속 시드층을 열처리에 의해 산화시켜 다수의 금속산화물 결정을 형성하는 전처리 단계; 및
    상기 다수의 금속 산화물 결정 상부에 다수의 산화아연 나노와이어를 기판에 대해 일정 방향으로 정렬되도록 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 나노와이어가 기판에 수직의 방향으로 에피텍셜(epitaxial) 성장하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 나노와이어 성장 단계는 열 화학 기상 증착법(Thermal CVD)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 열 화학 기상증착법의 소스는 ZnO 또는 ZnO 및 탄소 분말의 혼합물인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 나노와이어 성장 단계는 습식법(hydrothermal synthesis)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 비정질 기판인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 기판 상부에 비정질 SiO2 막이 형성된 것임을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리, ITO, 운모, 흑연, 황화 몰리브덴, 구리, 아연, 알루미늄, 스테인레스, 마그네슘, 철, 니켈, 금, 은, 및 플라스틱 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 금속 시드층 형성 단계는 상기 기판 상부에 아연막을 형성하는 단계임을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 금속 시드층 형성단계에서 형성된 금속 시드층의 두께는 10nm 내지 50nm 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 금속 시드층의 두께는 30nm인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  12. 산화아연 나노와이어를 포함하는 소자의 제조방법으로서, 상기 제조방법이 제 1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 산화아연 나노와이어의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 소자는 박막 트랜지스터, 발광 다이오드, 광전 소자 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
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