KR20090097333A - 기판 처리 시스템의 유체 공급 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 시스템의 유체 공급 장치에 관한 것으로, 기판 처리 시스템의 챔버 장치에 유체를 공급하는 유체 공급 장치에 있어서, 유체가 저장된 적어도 하나의 유체 저장부와, 상기 유체 저장부로부터 상기 챔버 장치에 제공되는 유체의 유량을 제어하는 적어도 하나의 유량 제어부 및 상기 유량 제어부를 냉각시키는 유량 제어부 냉각 수단을 포함하는 유체 공급 장치를 제공한다. 이와 같이 본 발명은 유량 제어기(즉, MFC)를 열 차단 커버부로 커버하고, 커버부 내측에 냉각 유체를 분사하여 유량 제어기의 열적 손상을 방지할 수 있다.
유량 제어기, MFC, 열, 손상, 커버, 냉각 유체

Description

기판 처리 시스템의 유체 공급 장치{Fluid supplying apparatus in substrate processing system}
본 발명은 기판 처리 시스템의 유체 공급 장치에 관한 것으로, 반도체 기판 또는 투과성 절연 기판 등의 기판에 박막을 형성하거나 형성된 박막의 일부를 제거하는 기판 처리 시스템에 제공되는 유체(예를 들어, 기체 또는 액체)의 유량을 제어하는 질량 유량 제어기(Mass Flow Controller; MFC)를 외부 열로부터 보호할 수 있는 유체 공급 장치에 관한 것이다.
일반적으로 기판 처리 시스템은 반도체 기판 및 절연 기판상에 박막 패턴을 형성하여 반도체 소자, 광학 소자 또는 표시 패널을 제작하는 장치이다. 기판 처리 시스템은 챔버 내부에 기판을 안치시킨 다음 기판이 안치된 챔버 내부로 가스 또는 액체와 같은 유체들을 공급하여 기판상에 박막을 형성하거나, 기판 상에 형성된 박막을 식각한다. 이러한 기판 처리 시스템은 챔버 내부로 복수의 유체들을 제공하고, 이러한 유체들 간의 화학적 또는 물리적 반응을 통해 기판을 처리한다. 이 때, 챔버 내부로 제공되는 유체의 유량을 일정하게 조절하는 것이 매우 중요한 요소가 된다. 즉, 유체의 공급 유량이 변화되는 경우 유체들 간의 화학적 또는 물리적 반응이 깨지게 되는 문제가 발생하고, 이로인해 원치않는 파티클 발생이 많아지고 박막의 패턴이 깨어지는 문제가 발생한다.
이를 위해 종래에는 챔버 내부로 유체를 제공하는 공급 시스템 내에 유체의 유량을 정확히 측정하고 이에 따라 유량을 제어하는 유량 제어기를 배치시켰다. 이러한 유량 제어기로 질량 유량 제어기(MFC)를 사용하였다. 질량 유량 제어기는 그 내부 회로가 열에 의해 쉽고 오동작을 일으키기 때문에 열에 취약한 특성을 갖고 있다. 하지만, 앞서 설명한 기판 처리 시스템의 경우, 챔버 내부로 공급된 유체의 반응성을 향상시키기 위해 적어도 300도 이상의 고온에서 기판 처리 공정을 수행하게 된다. 따라서, 기판 처리 시스템에서 발산된 열에 의해 상기 질량 유량 제어기가 쉽게 오작동을 일으키는 문제가 발생한다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해 최근에는 질량 유량 제어기를 열원의 영향이 없는 곳으로 장착하고자 하였다. 하지만, 이는 질량 유량 제어기의 장착 범위가 제한되는 문제가 발생하고, 유체가 지나가는 패스가 길어지게 되는 문제가 발생한다. 또한, 고온의 유체가 질량 유량 제어기를 통과하는 경우 질량 유량 제어기의 온도가 상승하여 정상적인 동작을 하지 못하는 문제가 발생하였다.
상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 기판 처리 시스템에 일정한 유량을 제공하는 유량 제어기를 외부 열원과 차폐시키고, 유량 제어기를 냉각시켜 열에 의한 오작동을 방지할 수 있는 기판 처리 시스템의 유체 공급 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리 시스템의 챔버 장치에 유체를 공급하는 유체 공급 장치에 있어서, 유체가 저장된 적어도 하나의 유체 저장부와, 상기 유체 저장부로부터 상기 챔버 장치에 제공되는 유체의 유량을 제어하는 적어도 하나의 유량 제어부 및 상기 유량 제어부를 냉각시키는 유량 제어부 냉각 수단을 포함하는 유체 공급 장치를 제공한다.
상기 유량 제어부 냉각 수단은, 상기 적어도 하나의 유량 제어부를 커버하는 열 차폐 커버부 및 상기 열 차폐 커버부 내측에 냉각 유체를 제공하는 냉각 유체 분사부를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 냉각 유체 분사부는 냉각 유체가 저장된 냉각 유체 저장부와, 상기 열 차폐 커버부의 내측으로 연장된 복수의 분사 파이프와, 상기 냉각 유체 저장부의 냉각 유체를 상기 복수의 분사 파이프에 제공하는 공급 파이프를 포함하는 것이 효과적이다.
상기 냉각 유체는 상온의 가스인 것이 바람직하다.
상기 냉각 유체의 온도는 상기 유제 저장부로부터 상기 챔버 장치에 제공되는 상기 유체의 온도보다 낮은 것이 효과적이다.
상기 냉각 유체 분사부는 상기 냉각 유체의 유속 또는 유량을 제어하기 위한 흐름 조절기를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 열 차폐 커버부는 일측면이 개방된 통 형태의 커버 몸체와, 상기 커버 몸체의 양측벽 영역에서 개방 영역으로 연장된 연장부를 구비하고, 상기 커버 몸체에 내측에 상기 유량 제어부가 위치하고, 상기 연장부에 의해 상기 밀봉 박스부 일측에 고정되는 것이 효과적이다.
또한, 본 발명에 따른 유체가 저장된 적어도 하나의 유체 저장부와, 상기 유체 저장부로부터 상기 챔버 장치에 제공되는 유체의 유량을 제어하는 적어도 하나의 유량 제어부 및 상기 유량 제어부를 냉각시키기 위해 상기 적어도 하나의 유량 제어부를 커버하는 열 차폐 커버부와, 상기 열 차폐 커버부 내측에 냉각 유체를 제공하는 냉각 유체 유로를 포함하는 유량 제어부 냉각 수단을 포함하는 유체 공급 장치 및 상기 유체 공급 장치의 상기 유체를 제공받아 기판 처리를 수행하는 챔버 장치를 포함하는 기판 처리 시스템을 제공한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 유량 제어기(즉, MFC)를 열 차단 커버부로 커버하고, 커버부 내측에 냉각 유체를 분사하여 유량 제어기의 열적 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 실린더, 또는 에어 밸브 구동에 사용되는 저온의 공기를 이용하여 제작 단가를 상승시키지 않으면서도 유량 제어기를 열로부터 보호할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 블록 개념도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 유체 공급 장치의 일부 영역의 개념 분해 사시도이고, 도 3은 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 일부 영역의 조립 사시도이다. 도 4는 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 개념 단면도이다. 도 5는 일 실시예에 따른 분사 파이프의 사시 개념도이고, 도 6은 일 실시예의 변형예에 따른 분사 파이프의 사시 개념도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템은 기판 처리 공정을 위한 유체를 공급하는 유체 공급 장치(1000)와, 상기 유체를 제공받아 기판 처리를 수행하는 챔버 장치(100)를 구비한다.
여기서, 챔버 장치(100)는 처리 공간을 갖는 챔버(110)와, 처리 공간 내에 마련되어 기판(10)이 안치되는 기판 안치부(120)와, 제공받은 유체를 상기 기판(10)에 분사하는 유체 분사부(130)를 구비한다. 도 1에서는 챔버 장치(100) 내에 하나의 챔버(110) 만이 도시되었지만 이에 한정되지 않고, 챔버 장치(100)는 복수의 챔버를 구비할 수 있다. 이경우 복수의 챔버 중 일부는 기판 이송을 담당할 수도 있다.
상기 챔버(110)는 소정의 공간을 갖는 챔버 몸체(112)와 챔버 몸체(112)를 덮는 챔버 리드(111)를 구비한다. 도시되지 않았지만, 챔버 몸체(112)의 일측에는 기판(10)이 출입하는 출입구가 마련된다. 기판 안치부(120)는 기판(10)이 안치되는 기판 안치대(121)와 기판 안치대(121)를 승하강 시키는 구동부(122)를 구비한다. 도시되지 않았지만, 기판 안치부(120)는 기판(10)의 로딩과 언로딩을 위해 기판 안치대(121)를 관통하는 복수의 리프트 핀을 구비할 수 있다. 여기서, 상기 기판 안치대(121) 내에 하나의 기판(10)이 안치될 수 있고, 이에 한정되지 않고, 복수의 기판(10)이 안치될 수도 있다. 그리고, 기판 안치부(120)는 기판(10)을 가열하기 위한 가열 수단을 구비할 수 있다. 유체 분사부(130)는 기판 안치부(120)의 기판 안치대(121)에 대향 배치된다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이 유체 분사부(130)는 챔버 리드(111)에 결합되는 것이 효과적이다. 여기서, 유체 분사부(130)는 샤워헤드 형태로 제작될 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 복수의 분사 노즐을 갖는 봉 형태로 제작한 다음 상기 봉을 회전시킬 수도 있다. 또한, 도시되지 않 았지만, 유체 분사부(130)는 가열 수단을 구비할 수도 있다.
물론 본 실시예의 챔버 장치(100)는 상술한 설명에 한정되지 않고, 기판 처리를 위한 다양한 요소들이 더 구비될 수 있다. 예를 들어 챔버(110) 내측에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생부를 더 구비할 수다. 또한, 챔버(110)의 유체를 외부로 배기하는 배기부를 구비할 수도 있다. 그리고, 챔버(110)의 내측의 온도를 조절하는 온도 조절 수단이 구비될 수도 있다.
본 실시예의 유체 공급 장치(1000)는 상기 챔버 장치(100)의 유체 분사부(130)에 복수의 유체를 공급한다.
이러한 유체 공급 장치(1000)는 유체가 저장된 적어도 하나의 유체 저장부(1100)와, 유체 저장부(1100)의 유체 공급을 제어하는 적어도 하나의 유체 공급 제어부(1200)를 구비한다. 물론 상기 유체 공급 장치(1000)는 유체 저장부(1100)와 상기 유체 공급 제어부(1200)간을 연결하는 복수의 제 1 유체 파이프부(1301)와, 유체 공급 제어부(1200)와 챔버 장치(100) 간을 연결하는 복수의 제 2 유체 파이프부(1302)를 포함한다.
상기 적어도 하나의 유체 저장부(1100)는 유체가 저장된 저장 탱크인 것이 바람직하다. 이때, 본 실시예에서는 상기 유체로 기체 또는 액체를 사용한다. 따라서, 가스 탱크 또는 액체 탱크인 것이 효과적이다. 복수개의 유체 저장부(1100)를 통해 챔버 장치(100)에서 사용하는 다양한 형태의 유체를 챔버 장치(100)에 제공하는 것이 바람직하다.
유체 공급 제어부(1200)는 적어도 하나의 유체 저장부(1100)로부터 제공된 유체들 각각의 유량을 제어한다.
이러한 유체 공급 제어부(1200)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 유체의 흐름을 제어하는 복수의 밸브부(1210)와, 유량을 제어하는 적어도 하나의 유량 제어부(1220)와, 유량 제어부(1220)를 냉각하는 유량 제어부 냉각 수단을 포함한다. 상기 유량 제어부 냉각 수단은 유량 제어부(1220)를 커버하는 열 차폐 커버부(1230)와, 열 차폐 커버부(1230) 내측에 냉각 유체를 제공하는 냉각 유체 분사부(1240)를 포함한다. 이때, 상기 열 차폐 커버부(1230)는 냉각 유체가 유량 제어부(1220) 주위를 흐를 수 있는 가이드 역할과 외부로부터의 열을 차폐하는 역할을 한다. 물론 이때, 상기 열 차폐 커버부(1230)는 유량 제어부(1220)의 자체 커버일 수도 있다.
그리고, 유체 공급 제어부(1200)는 상기 복수의 밸브부(1210)와, 열 차폐 커버부(1230)에 의해 커버된 유량 제어부(1220)를 밀봉시키는 밀봉 박스부(1250)를 더 구비한다.
여기서, 본 실시예의 밀봉 박스부(1250)는 그 내측 요소들의 누설을 방지하기 위해 밀봉되는 것이 바람직하다. 이는 밸브부 및 유량 제어부(1220)는 제 1 및 제 2 유체 파이프(1301, 1302)에 결합 또는 장착되기 때문에 이들의 결합 영역 또는 장착 영역에서 유체의 누설이 발생할 수 있다. 하지만, 반도체 기판 또는 투광성 절연 기판의 제조시 사용되는 유체 중에는 유독성의 유체가 사용될 수 있다. 따라서, 누설이 발생하는 경우에는 이를 빠르게 배기시켜야 한다. 따라서, 본 실시예에서는 밀봉 박스부(1250)를 두어 상기 밀봉 박스부(1250) 내에 누설이 발생하는 경우 밀봉 박스부(1250) 외측으로 빠르게 배기시켜 누설이 기판 처리를 위한 생산 설비 전체로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 이를 위해 상기 밀봉 박스(1250)의 일측에는 센서부와 배기부가 마련되는 것이 바람직하다. 그리고, 밀봉 박스부(1250)는 소정의 밀봉 부재가 적용될 수 있다.
이와 같은 역할을 수행하는 밀봉 박스부(1250)는 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이 밸브부(1210)와 유량 제어부(1220) 및 열 차폐 커버부(1230)가 고정된 고정 판(1251)과, 상기 고정판을 덮어 밀봉하는 밀봉부(1252)를 포함한다. 상기 밀봉부(1252)에는 상기 복수의 제 1 및 제 2 유체 파이프(1301, 1302)가 관통하는 복수의 관통홈(1253)이 마련된다.
유량 제어부(1220)는 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이 상기 고정 판(1251)에 고정된다. 그리고, 유량 제어부(1220)는 해당 제 1 및 제 2 유량 파이프(1301, 1302)에 접속된다.
즉, 유량 제어부(1220)는 도 4에 도시된 바와 같이 센서부(1221)와, 제어부(1222)와 구동부(1223)를 구비한다. 즉, 센서부와 제어부를 통해 유량 제어부(1220)를 지나는 유량의 질량을 측정하고, 측정된 결과와 제공된 입력 값에 따라 구동부를 통해 유량 제어부(1220)를 통과하여 빠져나가는 유체의 유량을 제어한다. 이러한, 유량 제어부(1220)는 일 몸체 내에 마련된다. 그리고, 도 2에 도시된 바와 같이 유량 제어부(1220)는 유체가 지나는 모든 유체 파이프 중간에 설치할 수 있다. 그리고, 상기 유량 제어부(1220)는 결합 부재(1253)에 의해 상기 고정판(1251)에 고정되는 것이 바람직하다.
앞선 배경기술에서 설명한 바와 같이 상기의 유량 제어부(1220)는 열에 의해 쉽게 오동작을 일으킬 수 있다. 유량 제어부(1220)로 사용하는 질량 유량 제어기(MFC)의 경우 열선이 부착된 온도 센서를 이용하여 유량의 질량을 측정하기 때문이다. 따라서, 유량 제어부(1220)는 주변의 온도가 약 40 내지 80도 이상의 경우 쉽게 오동작을 발생시킬 수 있다. 하지만, 유량 제어부(1220)가 챔버 장치(100)에 인접 배치된 밀봉 박스부(1250) 내에 장착되는 경우, 고온(약 300도 이상) 공정을 수행하는 챔버 장치(100)의 열에 의해 유량 제어부(1220)가 손상을 받게 된다.
따라서, 본 실시예에서는 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 열 차폐 커버부(1230)로 유량 제어부(1220)를 덮어 외부 열(즉, 대류 또는 전도 열)이 유량 제어부(1220)로 전도되는 것을 일차로 차단한다. 그리고, 열 차폐 커버부(1230)에 의해 커버된 유량 제어부(1220)에 냉각 유체를 분사시켜 유량 제어부(1220)의 온도를 일정하게 유지시켜 줌으로써 유량 제어부(1220)의 오동작을 방지한다.
상술한 동작을 하는 열 차폐 커버부(1230)는 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이 하측이 개방된 통 형태의 커버 몸체(1231)와, 커버 몸체(1231)의 양 측벽 영역에서 하측 방향으로 연장된 연장부(1232)를 구비한다. 이때, 연장부(1232)는 도 3에 도시된 바와 같이 밀봉 박스부(1250)의 고정판(1251)에 결합 고정된다. 이를 통해 커버 몸체부(1231)의 내부 빈 공간에 유량 제어부(1220)가 배치된다.
상기 커버 몸체부(1231)는 내부가 비어 있는 육각형 형태의 몸체로 제작된다. 커버 몸체부(1231)의 형상은 이에 한정되지 않고, 유량 제어부(1220) 그리고, 밀봉 박스부(1250)의 형상에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 커버 몸체부(1231)에 는 냉각 유체 분사부(1240)가 관통하는 복수의 관통홈(1231-1)이 마련된다. 상기 연장부(1231)는 상기 커버 몸체부(1231)의 양측벽면에서 판 형태로 연장되고, 그 끝단 일부가 돌출된다. 그리고, 돌출된 영역이 상기 고정판(1251)에 고정 결합된다. 이때, 상기 연장부(1231)와 고정판(1251) 간의 결합을 위해 볼트 또는 너트와 같은 별도의 결합 부재가 사용될 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 접착체 또는 용접과 같은 방법을 통해 연장부(1231)와 고정판(1251)을 고정시킬 수 있다. 본 실시예에서는 연장부(1231)에 의해 상기 커버 몸체부(1231)의 다른 양 측벽면 영역은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 오목하게 들어간 형상으로 제작된다. 이때, 상기 오목 영역으로 상기 유량 제어부(1220)에 접속된 제 1 및 제 2 유체 파이프(1301, 1302)가 지나가는 것이 바람직하다. 또한, 상기 오목 영역으로 상기 커버 몸체부(1231) 내측으로 공급된 냉각 유체가 배기될 수 있다.
본 실시예에서는 열 차폐 커버부(1230)으로 대류 또는 전도 열을 차단할 수 있는 물질로 제작하는 것이 효과적이다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 열 차폐 커버부(1230)로 서스, 금속 및 플라스틱 등을 사용할 수 있다. 이와 같이 본 실시예에서는 유량 제어부(1220)를 열 차폐 커버부(1230)로 커버함으로 인해 대류열이 유량 제어부(1220)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
더욱이 본 실시예에서는 냉각 유체 분사부(1240)를 통해 상기 열 차폐 커버부(1230)의 내측에 배치된 유량 제어부(1220)에 냉각 유체를 분사하여 유량 제어부(1220)의 온도를 일정 범위(예를 들어, 10 내지 50도) 내로 유지할 수 있다.
상술한 냉각 유체 분사부(1240)는 냉각 유체가 저장된 냉각 유체 저장 부(1244)와, 열 차폐 커버부(1230)의 내측으로 연장된 복수의 분사 파이프(1241)와, 냉각 유체 저장부(1244)의 냉각 유체를 상기 복수의 분사 파이프(1241)에 제공하는 공급 파이프(1243)를 포함한다.
본 실시예에서는 냉각 유체로 압축 공기를 사용하되, 먼지, 유분 및 수분등의 불순물이 제거된 압축 공기를 사용하는 것이 효과적이다. 여기서, 압축 공기는 챔버 장치의 실린더 또는 에어 밸브 구동에 사용하는 공기인 것이 바람직하다. 이를 통해 별도의 냉각 유체 생성을 위한 설비를 추가하지 않을 수 있다. 물론, Ar, N2 등을 가스를 사용할 수도 있다. 이때, 냉각 유체의 온도는 상기 유량 제어부(1220)의 목표 온도(예를 들어 10 내지 40도)와 동일하거나 이보다 낮은 온도를 갖는 것이 효과적이다. 또한, 냉각 유체로 상온의 가스를 사용할 수 있다. 그리고, 냉각 유체의 온도는 상기 유체 저장부(1100)로부터 상기 챔버 장치(100)에 제공되는 유체의 온도보다 낮은 것이 바람직하다.
상술한 냉각 유체는 냉각 유체 저장부(1244)에서 공급 파이프(1243)를 거쳐 분사 파이프(1241)에 제공된다. 이때, 분사 파이프(1241)에는 복수의 분사 노즐(1242)이 형성되어 있어, 분사 파이프(1241)에 제공된 냉각 유체를 분사 파이프(1241)의 외측으로 분사한다. 이때, 냉각 유체가 유량 제어부(1220)에 균일하게 분사되도록 하기 위해 본 실시예에서는 복수의 분사 파이프(1241)를 열 차폐 커버부(1230) 내측에 균일하게 배치한다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이 4개의 분사 파이프(1241)를 열 차폐 커버부(1231) 내측에 배치시키되, 열 차폐 커버부(1230)의 4 개의 모서리 영역에 분사 파이프(1241)가 배치되도록 한다. 이를 통해 분사 파이프(1241)가 열 차폐 커버부(1230) 내에 배치된 유량 제어부(1220)를 감싸도록 배치한다. 물론 분사 파이프(1241)의 개수에 이에 한정되지 않고 이보다 많거나 적은 개수도 가능하다.
그리고, 냉각 유체를 열 차폐 커버부(1231) 내측에 균일하게 분사시키기 위해 도 5에 도시된 바와 같이 복수의 분사 노즐(1242)을 분사 파이프(1241)의 표면에 일직선으로 평행하게 배열시키지 않고, 지그 재그 형태로 엇갈리게 배열시킨다. 즉, 복수의 직선으로 평행하게 분사 노즐(1242)을 형성할 수 있다. 이를 통해 도 4에 도시된 바와 같이 냉각 유체가 유량 제어부(1220)의 외측면에 균일하게 분사될 수 있다. 이는 분사 노즐(1242)을 원형 홈의 형태로 제작하기 때문이다. 하지만, 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 도 6의 변형예에서와 같이 상기 분사 노즐(1242)을 슬릿 형태의 바 형상으로 제작하여 냉각 유체가 점이 아닌 선 형태로 분사되도록 하여 분사 노즐(1242)을 통해 분사되는 냉각 유체가 유량 제어부(1220)의 외측면에 균일하게 분사되도록 할 수도 있다. 물론 상기 바는 선(-) 형태로 제작될 수도 있고, 두개의 선이 교차된 플러스(+) 형태로 제작될 수도 있다.
상기 복수의 분사 파이프(1241)에 냉각 유체를 공급하는 공급파이프(1243)는 복수의 분기를 갖는 것이 바람직하다. 이는 공급 파이프(1243)가 복수의 분사 파이프(1241)에 연통되기 때문이다. 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 분사 파이프(1241)가 4개인 경우에는 공급 파이프(1243)는 각기 2개의 분사 파이프(1241)를 연결하는 2개의 제 1 연결 파이프와, 상기 2개의 제 1 연결 파이프 간을 연결하는 제 2 연결파이프와, 제 2 연결 파이프와 냉각 유체 저장부(1244)를 연결하는 제 3 연결파이프를 구비하는 것이 효과적이다. 물론 이에 한정되지 않고, 복수의 공급 파이프(1243)를 통해 분사 파이프(1241) 각각에 냉각 유체를 제공할 수도 있다.
물론 상술한 냉각 유체 분사부(1240)는 상기 냉각 유체의 유속 또는 유량을 제어하기 위한 흐름 조절기를 더 포함할 수도 있다.
본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 블록 개념도.
도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 유체 공급 장치의 일부 영역의 개념 분해 사시도.
도 3은 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 일부 영역의 조립 사시도.
도 4는 일 실시예에 따른 유체 공급 장치의 개념 단면도.
도 5는 일 실시예에 따른 분사 파이프의 사시 개념도.
도 6은 일 실시예의 변형예에 따른 분사 파이프의 사시 개념도.
<도면의 주요 부호에 대한 부호의 설명>
100 : 챔버 장치 1000 : 유체 공급 장치
1100 : 유체 저장부 1200 : 유체 공급 제어부
1210 : 밸브부 1220 : 유량 제어부
1230 : 열 차폐 커버부 1240 : 냉각 유체 분사부
1241 : 분사 파이프 1301, 1302 : 유체 파이프

Claims (8)

  1. 기판 처리 시스템의 챔버 장치에 유체를 공급하는 유체 공급 장치에 있어서,
    유체가 저장된 적어도 하나의 유체 저장부;
    상기 유체 저장부로부터 상기 챔버 장치에 제공되는 유체의 유량을 제어하는 적어도 하나의 유량 제어부; 및
    상기 유량 제어부를 냉각시키는 유량 제어부 냉각 수단을 포함하는 유체 공급 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 유량 제어부 냉각 수단은,
    상기 적어도 하나의 유량 제어부를 커버하는 열 차폐 커버부; 및
    상기 열 차폐 커버부 내측에 냉각 유체를 제공하는 냉각 유체 분사부를 포함하는 유체 공급 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 유체 분사부는 냉각 유체가 저장된 냉각 유체 저장부와, 상기 열 차폐 커버부의 내측으로 연장된 복수의 분사 파이프와, 상기 냉각 유체 저장부의 냉각 유체를 상기 복수의 분사 파이프에 제공하는 공급 파이프를 포함하는 유체 공급 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 유체는 상온의 가스인 유체 공급 장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 유체의 온도는 상기 유제 저장부로부터 상기 챔버 장치에 제공되는 상기 유체의 온도보다 낮은 유체 공급 장치.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 유체 분사부는 상기 냉각 유체의 유속 또는 유량을 제어하기 위한 흐름 조절기를 더 포함하는 유체 공급 장치.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 열 차폐 커버부는 일측면이 개방된 통 형태의 커버 몸체와, 상기 커버 몸체의 양측벽 영역에서 개방 영역으로 연장된 연장부를 구비하고,
    상기 커버 몸체에 내측에 상기 유량 제어부가 위치하고, 상기 연장부에 의해 상기 밀봉 박스부 일측에 고정되는 유체 공급 장치.
  8. 유체가 저장된 적어도 하나의 유체 저장부와, 상기 유체 저장부로부터 상기 챔버 장치에 제공되는 유체의 유량을 제어하는 적어도 하나의 유량 제어부 및 상기 유량 제어부를 냉각시키기 위해 상기 적어도 하나의 유량 제어부를 커버하는 열 차폐 커버부와, 상기 열 차폐 커버부 내측에 냉각 유체를 제공하는 냉각 유체 유로를 포함하는 유량 제어부 냉각 수단을 포함하는 유체 공급 장치; 및
    상기 유체 공급 장치의 상기 유체를 제공받아 기판 처리를 수행하는 챔버 장치를 포함하는 기판 처리 시스템.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101398050B1 (ko) * 2012-09-20 2014-05-27 (주)티티에스 냉각 장치, 이를 구비하는 원료 공급 장치 및 기판 처리 장치
KR20160052336A (ko) * 2014-10-29 2016-05-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 샤워 헤드

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970063541A (ko) * 1996-02-26 1997-09-12 김광호 반도체 제조 장치
JP2001072431A (ja) * 1999-09-01 2001-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 光ファイバ用母材の製造方法及び製造装置
KR20060058867A (ko) * 2004-11-26 2006-06-01 엘지전자 주식회사 냉각 시스템을 구비한 카세트 챔버
KR100682742B1 (ko) * 2005-03-22 2007-02-15 주식회사 아이피에스 박막증착장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101398050B1 (ko) * 2012-09-20 2014-05-27 (주)티티에스 냉각 장치, 이를 구비하는 원료 공급 장치 및 기판 처리 장치
KR20160052336A (ko) * 2014-10-29 2016-05-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 샤워 헤드

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