KR20080047897A - 플라즈마 화학기상 증착장치 - Google Patents

플라즈마 화학기상 증착장치 Download PDF

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KR20080047897A
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Abstract

본 발명은 액정표시장치의 제작에 이용되는 플라즈마 화학기상 증착장치에 관한 것으로서, 본 발명의 목적은, 서셉터의 내부 평면뿐만 아니라 서셉터의 외곽 부분에도 히터를 내장하여, 기판의 중앙 부분과 외곽 부분의 온도를 다르게 제어하므로써, 일정한 증착 두께를 갖는 증착물이 기판에 증착될 수 있도록 한 플라즈마 화학기상 증착장치를 제공하는 것이다. 이를 위해, 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치는 외부의 가스공급원과 가스 유입관을 통해 연결되어 있는 백킹 플레이트; 판 형상으로 구성되어 있으며, 상기 백킹 플레이트와 연결되어, 상기 백킹 플레이트를 통해 유입된 가스를 분사하기 위한 판 형상의 샤워헤드; 상기 판 형상의 샤워헤드로부터 분사되는 상기 가스를 여기시켜 플라즈마로 변화시키기 위해, 상기 백킹 플레이트로 전원을 인가하기 위한 전원 공급부; 및 상기 플라즈마에 의해 증착막이 형성되는 기판이 놓여지고, 히터 제어부에 의해 가열되는 서셉터를 포함하며, 상기 서셉터는, 내부의 평면에 형성되어 있는 제1 히터; 및 내부의 외곽 주변에 형성되어 있는 제2 히터를 포함한다.

Description

플라즈마 화학기상 증착장치{Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition}
도 1은 일반적인 증착장비의 일실시예 구성도.
도 2는 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치를 개략적으로 나타낸 예시도.
도 3은 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치의 일실시예 구성도.
도 4는 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치에 적용되는 서셉터의 일실시예 평면도.
도 5a는 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치에 의해 형성되는 증착막의 두께 형성 상태를 나타낸 그래프.
도 5b는 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치에서의 온도에 따른 증착률을 나타낸 일예시도.
도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치의 일실시예 구성도.
도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치에 적용되는 서셉터의 일실시예 평면도.
도 8은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치에 적용되는 서셉터의 일실시예 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
214 : 챔버 바디 222 : 챔버 리드
232 : 판 형상의 샤워헤드 250 : 고리 형상의 샤워헤드
260 : 서셉터 10 : 기판
234 : 백킹 플레이트 262 : 제1 히터
263 : 제2 히터 240 : 히터 제어부
본 발명은 화학기상 증착장치에 관한 것으로서, 특히, 액정표시장치의 제작에 이용되는 플라즈마 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
액정표시장치(Liquid Crystal Display)는 영상신호에 대응하도록 광빔의 투과량을 조절함에 의해 화상을 표시하는 대표적인 평판 표시장치이다. 특히, LCD는경량화, 박형화, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있으며, 이러한 추세에 따라 LCD는 사무자동화(Office Automation)장치 및 노트북 컴퓨터의 표시장치로 이용되고 있다.
액정표시장치는 액정패널과 상기 액정패널에 광을 조사하는 백라이트 유닛으로 크게 구분된다. 이러한 액정패널 및 백라이트 유닛은 일체화된 형태로 체결되어야 함과 아울러 외부의 충격에 의하여 손상되지 않도록 케이스로 보호되어 있다.
액정패널은 구동신호를 입력받는 박막트랜지스터 기판(TFT 기판)(이하, 간단히 '하부기판'이라 함), 칼라필터층을 포함한 칼라필터기판(C/F 기판)(이하, 간단히 '상부기판'이라 함) 및 상부기판과 하부기판 사이에 개재된 액정층으로 구성된다.
상기 하부기판 상에는 일반적으로 박막트랜지스터(TFT)가 형성된다. 박막트랜지스터는 상기 하부기판 상에 형성되는 게이트(Gate)전극과, 게이트절연막 및 반도체층을 사이에 두고 형성되어 있는 소스(Source) 및 드레인(Drain)전극으로 이루어진다. 이러한 박막트랜지스터를 보호하기 위해 보호층이 형성되며, 박막트랜지스터의 드레인전극은 보호층을 관통하는 접촉홀(Contact Hole)을 통해 화소전극과 접속된다. 상기와 같은 구조를 갖는 박막트랜지스터에서, 상기 게이트절연막 및 보호막 등의 구성은 일반적으로 플라즈마 화학기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)(이하, 간단히 "PECVD"라 함)장치를 이용하여 증착되고 있다.
PECVD장치의 기본 원리는, 진공실을 이루는 챔버 내부에 증착에 필요한 가스를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면 고주파(Radio Frequency)를 이용하여 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판 위에 증착하는 것이다.
도 1은 일반적인 증착장비의 일실시예 구성도로서, 다수의 PECVD장치가 배치되어 있는 증착장비를 나타낸 것이다. 도 2는 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치를 개략적으로 나타낸 예시도로서, PECVD장치의 동작을 설명하기 위한 것이다.
일반적인 증착장비는 도 1에 도시된 바와 같이, 전송 챔버(Transfer Chamber)(38)가 중앙에 위치되고, 그 주위에 복수개의 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장치(챔버)(30-1, 30-2, 30-3, 30-4), 기판이 인입되는 로더(35), 기판이 유출되는 언로더(36) 및 유입된 기판(10)을 PECVD 공정 전에 예열하는 프리히팅(preheating) 챔버(37)를 포함하여 이루어진다.
이러한 일반적인 증착장비의 구동은 다음과 같다.
즉, 로더(35)에서 상기 전송 챔버(38)로 인입된 기판(10)이 프리히팅 챔버(37)로 들어가 증착 공정 전 일정 온도로 예열되고, 상기 복수개의 PECVD장치(30-1, 30-2, 30-3, 30-4) 중 하나의 PECVD장치(30)로 들어가 PECVD 공정을 마친 후, 다시 전송 챔버(38)를 거쳐언로더(36)로 빠져나가게 된다.
상기 기판(10)의 이동은 중앙에 위치한 로봇 암(robot arm)(39)이 움직이며 제어하게 되고, 상기 기판은 각각 로더(35)와 언로더(36)에서 카셋트(cassette)(60) 내에 장착되어 있다가 하나씩 빠져나가거나, 하나씩 들어와 카셋트(60)에 채워진 후 다음 공정 라인으로 빠져나가게 된다. 상술한 증착장비 내의 상기 로봇 암(39)을 이용한 기판(10)의 이동은 컨트롤러(40)에 의해 제어된다.
이러한 일반적인 증착장비 내에는 PECVD장치(30-2, 30-2, 30-3, 30-4)가 복수개 구성되며 상기 각 PECVD장치(30)는 도 2에 도시된 바와 같이 구성되어 있다.
즉, PECVD장치(30)는 소정 간격으로 이격된 백킹 플레이트(134) 및 서셉터(162)를 구비하고, 상기 서셉터(162) 상에 기판(10)이 장착된다. 상기 백킹 플레이트(134)에 RF(Radio Frequency) 파워(180)가 인가되고, 상기 서셉터(162)는 접지되며, 상기 백킹 플레이트(134) 및 서셉터(162) 사이의 공간에 플라즈마 영역이 형성된다. 즉, 상기 PECVD장치(30) 내에 증착하고자 하는 증착막의 반응 가스와, 분 위기 가스가 유입되어 상기 반응 가스가 상기 백킹 플레이트(134) 및 서셉터(162) 사이의 공간에서 플라즈마 상태로 있다가 기판(10) 상에 증착된다.
도 3은 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치의 일실시예 구성도로서, 도 2에 도시된 플라즈마 화학기상 증착장치를 구체적으로 나타낸 것이다.
PECVD장치(30)는 하부의 챔버 바디(114)와 상부의 챔버 리드(122)로 구분되며, 그 사이에는 오-링과 같은 실링 부재(116)가 개재되어 PECVD장치(30)의 내부 영역을 외부영역으로부터 밀폐시킨다.
상부는 챔버 리드(122)에 의하여 외부와 격리되어 있는데, 챔버 리드(122)의 내측에는 판형의 백킹 플레이트(134) 및 판형의 샤워헤드(130)가 설치되어 있다.
반응 가스는 외부의 가스공급원(190)으로부터 가스라인(191)을 경유하여 챔버 리드(122)와 백킹 플레이트(134)의 중앙을 관통하는 가스 유입관(170)에 의하여 백킹 플레이트(134)의 하부로 주입된다. 상기 가스공급원(190)에서는 SiH4, H2, NH3, N2 등의 가스를 공급하고 있다.
이와 같이 주입된 반응 가스는 백킹 플레이트(134)와 샤워헤드(130) 사이의 내부 공간(A)으로 확산된다. 확산된 반응 가스는 샤워헤드(130)에 형성된 다수의 분사홀(132)을 통하여 반응 공간(S)으로 균일하게 분사되어 서셉터(160) 상면에 안착된 기판(10)의 상면으로 나아가게 된다.
분사된 반응 가스를 여기 시키는데 필요한 에너지를 공급하는 RF 전원(180)이 백킹 플레이트(134) 및 샤워헤드(130)와 연결되어 샤워헤드(130)를 통해 분사된 반응 가스를 플라즈마화시킴으로써, 기판(10)에 박막이 형성된다. 따라서, 백킹 플레이트(134) 및 샤워헤드(130)는 상부 전극으로서 기능한다.
챔버 바디(114)의 양측면은 챔버 리드(122)와 실링부재(116)를 통하여 결합되며, 그 내부에는 서셉터(160)가 샤워헤드(130)와 일정간격 이격되어 대향적으로 설치되며, 상기 서셉터(160)의 상면에는 기판(10)이 안착된다.
서셉터(160)의 내부 평면에는 히터(162)가 매설되어, 박막 증착 과정에서 서셉터(160)의 상부에 안착된 기판(10)을 증착에 적합한 온도로 상승시킨다. 상기 히터(162)는 상기 서셉터(160)의 평면 전반에 걸쳐 형성되어져 있으며, 상기 히터(162)는 히터 제어부(140)에 의해 제어된다. 또한, 서셉터(160)는 하부 전극으로 기능 하도록 전기적으로 접지(ground)된다.
증착 반응이 완료된 후에 PECVD장치(30) 내부에 잔류하는 반응 가스가 외부로 배출되도록 챔버바디(114) 하부에는 배기구(152)가 구비되어 있다.
도 4는 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치에 적용되는 서셉터의 일실시예 평면도로서, 상기 서셉터(160)의 내부 평면에 형성되어 있는 히터(162)의 구조를 나타내고 있다.
상기 히터(162)는 도 4에 도시된 바와 같은 물결 무늬 형태 뿐만 아니라, 다양한 형태로 상기 서셉터(160)의 내부 평면에 형성될 수 있다.
상기 히터(162)는 상기 히터 제어부(140)에 의해 구동되는 것으로, 상기 히터 제어부(140)는 각 기판의 특성에 따라 최적의 히터 온도에 대한 정보를 저장하고 있으며, 상기 온도 정보에 따라 상기 히터(162)의 온도를 제어하게 된다.
도 5a는 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치에 의해 형성되는 증착막의 두께 형성 상태를 나타낸 그래프이다. 또한, 도 5b는 종래의 플라즈마 화학기상 증착장치에서의 온도에 따른 증착률을 나타낸 일예시도이다.
상기한 바와 같은 종래의 PECVD장치는 가스 분사 시 균일성을 높이기 위해 여러가지 모양으로 개발되고 있으나, 일반적으로 중앙 부위(B)의 플라즈마(Plasma) 밀도가 높고, 외곽(Edge) 부위(C)는 펌핑(Pumping) 기류 발생 등으로 인해 플라즈마(Plasma) 밀도가 낮아진다. 따라서, 종래의 PECVD장치에 의해 형성된 증착막의 두께는, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 중앙 부분(B)과 외곽(Edge) 부분(C) 간의 두께차가 발생하게 되며, 이로인해, 공정상 불량 발생 가능성이 높아지게 되고, 증착막의 특성 및 액정패널의 특성이 저하된다는 문제점이 있다. 즉, 종래의 PECVD장치에 유입되는 가스(Gas)는 단순히 확산 작용에 의해서만 움직이므로 장치 중앙 부분(B)과 외곽 부분(C)에 균일하지 못한 플라즈마가 형성되며, 이로인해 두께가 균일하지 못한 증착막이 형성된다.
이러한 현상을 막기위해 종래의 PECVD장치는 상기 샤워헤드(130)의 분사홀(132)의 조절을 통해 균일한 가스 확산을 시도하고 있으나, 기판이 대형화되면서, 가스 확산만으로 균일한 증착막을 이룰 수는 없게 되었으며, 이로인해, 증착막의 두께가 기판의 각 지점마다 달라지게 되고, 액정패널의 불량이 야기되고 있다.
한편, 일반적으로 PECVD장치에 의한 기판의 증착공정은 도 5b에 도시된 바와 같이 온도에 영향을 받게 되며, 일반적으로 높은 온도에서의 증착률이 높다. 따라서, 종래의 PECVD장치는 상기 서셉터의 내부 평면에 상기 히터(162)를 내장하고 있 다. 그러나, 상기 히터(162)는 도 4에 도시된 바와 같이 서셉터(160)의 내부 평면에만 형성되어 있기 때문에, 기판(10)의 전체면에 대하여 고르게 열을 전달하지 못하게 된다. 이로인해, 종래의 PECVD장치에서는 기판(10)의 외곽 부분의 온도가 중앙부분보다 낮게 형성되며, 이로 인해 외곽 부분의 증착률이 떨어지게 되어, 도 5a에 도시된 바와 같이 증착 두께의 불균일 문제가 발생된다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 서셉터의 내부 평면뿐만 아니라 서셉터의 외곽 부분에도 히터를 내장하여, 기판의 중앙 부분과 외곽 부분의 온도를 다르게 제어하므로써, 일정한 증착 두께를 갖는 증착물이 기판에 증착될 수 있도록 한 플라즈마 화학기상 증착장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치는 외부의 가스공급원과 가스 유입관을 통해 연결되어 있는 백킹 플레이트; 판 형상으로 구성되어 있으며, 상기 백킹 플레이트와 연결되어, 상기 백킹 플레이트를 통해 유입된 가스를 분사하기 위한 판 형상의 샤워헤드; 상기 판 형상의 샤워헤드로부터 분사되는 상기 가스를 여기시켜 플라즈마로 변화시키기 위해, 상기 백킹 플레이트로 전원을 인가하기 위한 전원 공급부; 및 상기 플라즈마에 의해 증착막이 형성되는 기판이 놓여지고, 히터 제어부에 의해 가열되는 서셉터를 포함하며, 상기 서셉터는, 내부의 평면에 형성되어 있는 제1 히터; 및 내부의 외곽 주변에 형성되어 있는 제2 히터를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예가 상세히 설명된다.
도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치의 일실시예 구성도이다.
본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치(이하, 간단히 'PECVD장치'라 함)는 하부의 챔버 바디(214)와 상부의 챔버 리드(222)로 구분되며, 그 사이에는 오-링과 같은 실링 부재(216)가 개재되어 PECVD장치의 내부 영역을 외부영역으로부터 밀폐시킨다.
상부는 챔버 리드(222)에 의하여 외부와 격리되어 있는데, 챔버 리드(222)의 내측에는 판 형상의 백킹 플레이트(234) 및 판 형상의 샤워헤드(230)가 설치되어 있다.
반응 가스는 외부의 가스공급원(290)으로부터 가스라인(291)을 경유하여 챔버 리드(222)와 백킹 플레이트(234)의 중앙을 관통하는 가스 유입관(270)에 의하여 백킹 플레이트(234)의 내부로 주입된다. 상기 가스공급원(290)에서는 SiH4, H2, NH3, N2 등의 가스를 공급하고 있다.
이와 같이 주입된 가스는 백킹 플레이트(234)와 샤워헤드(230) 사이의 내부 공간(A)으로 확산된다. 확산된 반응 가스는 샤워헤드(230)에 형성된 다수의 분사홀(232)을 통하여 반응 공간(S)으로 균일하게 분사되어, 서셉터(260) 상면에 안착 된 기판(10)의 상면으로 나아가게 된다.
분사된 반응 가스를 여기 시키는데 필요한 에너지를 공급하는 RF 전원(280)이 백킹 플레이트(234) 및 샤워헤드(230)와 연결되어, 샤워헤드(230)를 통해 분사된 반응 가스를 플라즈마화 시킴으로써, 기판(10)에 박막이 형성된다. 따라서, 백킹 플레이트(234) 및 샤워헤드(230)는 상부 전극으로서 기능한다.
챔버 바디(214)의 양측면은 챔버 리드(222)와 실링부재(216)를 통하여 결합되며, 그 내부에는 서셉터(260)가 샤워헤드(230)와 일정간격 이격되어 대향적으로 설치되며, 상기 서셉터(260)의 상면에는 기판(10)이 안착된다.
서셉터(260) 내부 평면에는 제1 히터(262)가 매설되어, 박막 증착 과정에서 서셉터(260)의 상부에 안착된 기판(10)을 증착에 적합한 온도로 상승시킨다. 상기 제1 히터(262)는 상기 서셉터(260)의 평면 전반에 걸쳐 형성되어져 있으며, 상기 히터(262)는 히터 제어부(240)에 의해 제어된다. 또한, 서셉터(260)는 상기 RF 전원(280)에 대한 하부 전극으로 기능 하도록 전기적으로 접지(ground)된다.
증착 반응이 완료된 후에 PECVD장치 내부에 잔류하는 반응 가스가 외부로 배출되도록 챔버바디(214) 하부에는 배기구(252)가 구비되어 있다.
한편, 본 발명은 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(260)의 내부 평면에 제1 히터(262)를 실장하고 있을 뿐만 아니라, 상기 서셉터(260)의 외곽 부분에 제2 히터(263)를 실장하고 있으며, 상기 서셉터(260)의 내부 평면에 형성되어 있는 제1 히터(262)의 온도보다 외곽 영역에 형성되어 있는 제2 히터(263)의 온도를 보다 높게 제어하므로써, 기판의 외곽 부분의 증착률이 중앙 부분의 증착률에 근접하도록 하고 있다.
즉, 일반적으로 서셉터(260)에 놓여져 있는 기판(10)의 외곽 부분의 증착률은 기판의 중앙 부분의 증착률 보다 낮게 형성되고, 기판(10)의 증착률은 일반적으로 온도가 증가될 수록 상승되므로, 본 발명은 기판 외곽 부분의 온도를 기판 중앙 부분의 온도보다 높게 형성하여, 기판 외곽 부분의 증착률이 기판 중앙 부분의 증착률과 동일하게 형성되도록 하고 있다.
이를 위해, 본 발명은 상기한 바와 같이, 기판(10)의 내부 평면에 형성되어 있는 제1 히터(262)와 함께, 기판(10)의 내부 외곽에 형성되어 있는 제2 히터(263)를 구비하고 있으며, 제2 히터(263)의 온도가 제1 히터(262)의 온도보다 높게 형성된다.
그러나, 기판(10)의 종류 및 증착물 등의 조건에 따라, 온도와 증착률의 관계는 서로 상이한 것이므로, 상기 제1 히터(262) 및 제2 히터(263)에 대한 가열 온도는 각 기판의 종류 및 증착물 등의 조건에 따라 다르게 설정되어야 한다. 따라서, 본 발명은 각 기판의 특성에 따른 제1 히터(262) 및 제2 히터(263)에 대한 가열 온도에 대한 정보를 상기 히터 제어부(240)에 저장하고 있으며, 상기 히터 제어부(240)는 저장되어 있는 상기 가열 온도정보에 따라 상기 제1 히터 및 제2 히터의 가열 온도를 제어하게 된다.
한편, 기판에 대한 증착공정이 이루어지는 경우에는 상기 제1 히터 및 제2 히터의 가열 온도가 가변되지 않는 것이 바람직하므로, 본 발명은 상기 제1 히터 및 제2 히터의 가열 온도를 감지할 수 있는 온도감지센서(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 온도감지센서는 상기 서셉터(260)의 내부에서 상기 제1 히터 또는 제2 히터 중 적어도 어느 하나와 인접된 영역에 다 수개 형성될 수 있다. 상기 온도감지센서는 온도 감지를 위해 현재 이용되고 있는 각종 센서들이 이용될 수 있다.
상기 히터 제어부(240)는 상기 온도감지센서로부터 전송되는 감지신호를 분석하여 상기 제1 히터 또는 제2 히터 중 적어도 어느 하나의 온도를 제어하므로써, 증착공정 중에 상기 제1 히터 및 제2 히터의 가열 온도가 가변되어 증착률이 변화되는 문제점을 방지할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치에 적용되는 서셉터의 일실시예 평면도이며, 도 8은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치에 적용되는 서셉터의 일실시예 사시도로서, 상기 서셉터(260)의 내부 평면에 형성되어 있는 제1 히터(262) 및 외곽 부분에 형성되어 있는 제2 히터(263)의 배치 구조를 나타내고 있다.
상기 제1 히터(262)는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(260)의 내부 평면에 배치되어 있다. 상기 제1 히터(262)는 물결 무늬 형태 뿐만 아니라, 다양한 형태로 상기 서셉터(260)의 내부 평면에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 히터(262)는 평판 형태의 구조로 형성될 수도 있다.
상기 제2 히터(263)는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(260)의 외부 영역에 배치되어 있다. 상기 제2 히터(263) 역시 다양한 형태의 열선 또는 평판으로 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 히터(262) 및 제2 히터(263)는 히터 제어부(240)에 의해 제 어되고 있으며, 온도감지센서가 상기 제1 히터(262) 및 제2 히터(263)의 온도를 감지할 수 있도록 상기 서셉터(260)에 형성되어 있는 경우에는, 상기 제어부(240)는 상기 온도감지센서로부터 전송된 온도감지정보에 따라 상기 제1 히터(262) 및 제2 히터(263)가 증착공정 중에 일정한 온도로 유지되도록 할 수도 있다.
상술된 바와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장치는, 기판 상의 증착막의 두께 균일도를 향상시켜 공정 불량 및 액정표시장치의 특성을 향상시킬 수 있다는 우수한 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (5)

  1. 외부의 가스공급원과 가스 유입관을 통해 연결되어 있는 백킹 플레이트;
    판 형상으로 구성되어 있으며, 상기 백킹 플레이트와 연결되어, 상기 백킹 플레이트를 통해 유입된 가스를 분사하기 위한 판 형상의 샤워헤드;
    상기 판 형상의 샤워헤드로부터 분사되는 상기 가스를 여기시켜 플라즈마로 변화시키기 위해, 상기 백킹 플레이트로 전원을 인가하기 위한 전원 공급부; 및
    상기 플라즈마에 의해 증착막이 형성되는 기판이 놓여지고, 히터 제어부에 의해 가열되는 서셉터를 포함하며,
    상기 서셉터는,
    내부의 평면에 형성되어 있는 제1 히터; 및
    내부의 외곽 주변에 형성되어 있는 제2 히터를 포함하는 플라즈마 화학기상 증착장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제1 히터 또는 제2 히터 중 적어도 어느 하나는,
    열선 또는 평판 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 서셉터는,
    상기 제1 히터 또는 제2 히터 중 적어도 어느 하나의 온도를 감지하는 온도감지센서를 더 포함하는 플라즈마 화학기상 증착장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 히터 제어부는,
    상기 온도감지센서로부터 전송된 온도정보에 따라 상기 제1 히터 또는 제2 히터 중 적어도 어느 하나의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 히터의 온도는 상기 제1 히터의 온도보다 높게 제어되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101139693B1 (ko) * 2010-01-18 2012-05-02 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상증착장치 및 화학기상증착장치에 포함된 서셉터의 온도제어방법
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KR20200072106A (ko) * 2018-12-12 2020-06-22 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 이를 이용한 제어 방법

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