KR20040086948A - Ｐｅｃｖｄ장치의 구조와 그 동작 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정표시장치를 제조하는 공정 중 박막을 형성하는 증착장비의 구조를 개선한 것으로써 특히 PECVD장치의 기판 예열부를 개선한 것에 관한 것이다.

본 발명의 PECVD장치는 다수의 프로세스 챔버와, 다수의 기판을 적층하고 있는 카세트가 위치하는 로드락 챔버와, 상기 로드락 챔버로부터 각각의 프로세스 챔버로 기판을 이송하기 위한 트랜스퍼 챔버를 구비하여 구성된다.

상기 프로세스 챔버는 박막이 증착되는 기판과, 상기 기판이 안착되고 기판에 박막을 형성하기 위한 전계를 인가하기 위한 일측의 전극으로 작용하는 서셉터와, 상기 서셉터가 고정되어 있는 지지판과, 상기 지지판을 지지하는 지지대와, 상기 서셉터의 위치를 결정하는 위치 감지부와, 상기 위치 감지부와 대향하는 피감지부와, 상기 서셉터의 상하 구동을 위한 타임 벨트와 모터를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

상기의 구성을 가진 증착장비를 사용함으로써 증착장비의 공간 효율을 증대시키고 기판의 이동 경로를 최소화함으로써 얼라인먼트 불량을 최소화하고 기판의 이송 시 발생할 수 있는 기판 파손문제를 개선하는 효과를 얻을 수 있다.

Description

ＰＥＣＶＤ장치의 구조와 그 동작 방법{STRUCTURE OF PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND THE OPERATING METHOD OF THE SAME}

본 발명은 액정표시장치에 박막을 형성하는 증착 장비에 관한 것으로써, 특히 기판 상에 증착 공정을 안정적으로 수행하기 위한 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장비의 구조와 그 동작 방법에 관한 것이다.

통상적이 액정표시소자에 대해서 설명하면, 액정표시소자(Liquid Crystal Display Device, 이하 LCD)는 하부의 TFT어레이 기판과 상부의 컬러필터 기판과 그 사이에 충진되는 액정으로 구성되어 있다.

TFT어레이 기판은 횡 방향으로 평행하고 일정한 간격을 두고 배열된 다수의 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 수직 교차하면서 매트릭스 형태로 배열하는 다수의 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 매트릭스 형태로 배열되는 다수의 박막트랜지스터(Thin Film Transistor,이하 TFT)와, 액정에 전계를 인가하기 위한 화소전극을 구비하여 구성된다.

컬러필터 기판은 상기 TFT어레이 기판을 통과하는 광 중 여분의 광을 차단하고 매트릭스 형태로 배열된 블랙매트릭스와, 컬러로 디스플레이 하기 위한 유기질의 컬러수지와, 액정에 전계를 인가하기 위한 공통전극을 구비하여 구성된다. 상기의 TFT어레이 기판과 컬러필터 기판의 이격을 위하여 스페이서가 TFT어레이 기판과 컬러필터 기판 상에 배열될 수 있다.

이러한 액정표시소자의 제조방법 중 TFT어레이 기판 상의 TFT나 각종 배선 등의 보호막을 형성하기 위하여 PECVD공정을 이용하여 박막을 형성하는 공정을 수행한다.

도 1을 통하여 종래의 PECVD장치의 동작을 살펴본다.

액정표시장치를 형성하기 위한 기판은 주로 투명한 유리기판을 사용한다. 기판은 여러 공정이 진행되는 동안 다수의 프로세스 챔버를 거치게 되는데 이때 기판은 개별적으로 이송되는 것이 아니라 카세트라는 기판 이송장치에 집적되어 이송된다. 하나의 카세트에는 통상, 동일의 공정이 진행되어야할 기판들이 하나의 묶음으로 적층되어 이송된다.

도 1에서 도시된 바와 같이, 상기의 카세트가 로드락(loadlock) 챔버(101) 내로 이송해 들어온다. 상기 카세트의 이송은 일정한 레일을 따라 자동으로 이동하는 카세트 캐리어의 도움으로 받아 이루어진다. 로드락 챔버는 소정의 공정이 진행될 기판이 공정진행을 대기하고 준비하는 단계를 거치는 챔버이다.

로드락 챔버(101)로 카세트가 이동되어오면 개개의 기판은 트랜스퍼 챔버(102) 내의 로봇 암(미 도시)에 의해 카세트로부터 언로딩되고 예열 챔버(preheat chamber:103)로 이송된다.

상기의 PECVD 챔버는 다수의 공정이 진행될 수 있는 여러 챔버가 일체를 이루는 멀티 프로세스 챔버로서 진공상태에서 증착 공정이 진행된다. 즉, 프로세스 챔버 및 트랜스퍼 챔버는 고진공 상태를 유지하고 있다. 그러나, 카세트가 이송되어 들어오는 로드락 챔버는 대기압 상태를 유지하고 있으므로 카세트가 로드락 챔버로 진입한 후, 상기 로봇 암에 의한 기판의 언로딩 전에 로드락 챔버를 진공 상태로 만들어 트랜스퍼 챔버와 분위기를 일치시킬 필요가 있다. 그러므로 로드락 챔버 내로 카세트가 진입한 후에 카세트가 출입하는 로드락 챔버의 출구를 봉쇄하고 로드락 챔버를 진공으로 만든 후에 트랜스퍼(transfer) 챔버와 연결되는 출구를 열어 로봇 암에 의해 기판을 언로딩한다.

카세트로부터 기판을 언로딩한 로봇 암은 기판을 예열 챔버로 이송한다. 예열 챔버는 기판에 증착 공정을 진행하기 전에 기판을 일정한 온도로 예열을 하고 프로세스 챔버로 기판이 이송되기 전에 대기하는 장소로서의 역할도 수행한다.

기판은 예열 챔버 내에서 일정한 방향으로 적층되어 있고 얼라인 되어있다.

다음으로, 예열 챔버 내의 기판을 프로세스 챔버 내로 이송하고 증착 공정이 진행된다.

프로세스 챔버를 통하여 박막을 증착하는 공정은 첫째, 플라즈마에 의해 이온과 라디칼이 형성되고 둘째, 상기에서 형성된 라디칼이 타겟에 흡착되고 셋째, 표면에 흡착된 라디칼의 물리적 화학적 반응을 통하여 박막이 기판 상에 형성되는 과정으로 나눌 수 있다. 라디칼은 높은 흡착성을 가지고 있으므로 표면에 흡착한 후, 가장 안정된 자리를 찾아 이동하고 새로운 결합을 만들어 박막을 형성한다.

일반적으로 PECVD공정의 변수로는 온도, 가스 조성비, 가스 유량, 압력, 입력 파워, 고주파수 및 전극 간격 등이 있다. 전형적인 PECVD장치는 평형 평판형 구조를 갖고 있다. 또한 박막의 특성은 증착 속도, 박막 조성비, 밀도, 굴절률, 막 두께의 균일도, 응력, 에칭 속도 등에 의해서 평가된다.

상기에서 언급한 특성들이 좋은 박막을 형성하기 위해서는 무엇보다도 기판이 서셉터 상에 정확히 얼라인 되는 것이 중요하다. 얼라인이 정확하지 않으면 증착을 위하여 전계를 인가하는 전극 기판 사이에서 아크(Arc)가 발생하여 박막의 위치에 따라 다른 증착 두께를 이루는 등 특성에 큰 문제를 일으킨다.

프로세스 챔버 내에서 증착은 로봇 암에 의해 기판이 서셉터 상에 얼라인된 후에 가스 주입구를 통하여 가스를 반응 가스를 주입함으로 이루어진다.

특히, PECVD장치는 주로 SiNx 또는 SiO2의 무기막을 증착하기 위하여 사용되는데, SiNx박막을 증착하는 것을 예로 들면, 반응가스 주입로를 통하여 N₂/SiH₄또는 NH₃/SiH₄혼합가스가 챔버 내로 주입되고 혼합 가스에 고주파의 에너지가 가해지면 상기 주입된 가스는 분해된다. 분해 가스는 라디칼을 형성하여 기판 상에 증착되고 화학적, 물리적 반응을 일으켜 박막을 형성한다.

기판이 안착된 서셉터는 기판 상으로 플라즈마가 증착될 때 스퍼터링되지 않도록 접지되어 있다.

기판 상에 박막 증착 공정이 끝나면 로봇 암은 챔버로부터 기판을 언로딩하여 로드락 챔버로 이송하고 카세트에 기판을 로딩하므로 박막 증착 공정을 마친다.

다른 박막 증착 공정이 진행될 때는 상기의 공정을 반복하여 실시함으로써 증착 공정을 진행할 수 있다.

상기에서 살펴 본 바와 같이, 증착을 위한 멀티 프로세스 챔버 내에는 증착이 진행될 기판이 임시로 보관되고 증착 공정 전에 증착 효율을 높이기 위하여 기판을 예열하는 예열 챔버를 별도로 구비함으로써 프로세스 챔버가 공정 라인에서 공간을 많이 차지하고 기판을 로드락 챔버에서 예열 챔버로 이송하고, 예열 챔버에서 프로세스 챔버로 이송해야하기 때문에 기판의 파손 우려가 많고 프로세스 챔버로의 이송시 기판의 얼라인먼트(alignment)에 오차가 발생하는 문제점 등이 있었다. 멀티 프로세스 챔버 내로 기판을 이송하고 언로딩할 때는 별도의 얼라인먼트 공정이 없으므로 기판의 이송경로가 클수록 더욱 얼라인먼트 불량 가능성은 커진다.

프로세스 챔버 내에서 기판의 얼라인먼트 불량이 발생하면 서셉터 표면이 기판의 불량 얼라인먼트로 노출되고 고주파 발생시 아크(ARC)가 발생하여 기판에 이상 증착을 유발할 수 있다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 멀티 프로세스 챔버의 구성요소로서 예열 챔버를 제거하여 구성하고 플라즈마 증착 공정을 수행하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 종래의 PECVD 장치의 개략적 구성을 나타내는 단면도.

도 2는 본 발명의 PECVD장치의 개략적인 구성을 나나태는 단면도.

도 3은 본 발명의 프로세스 챔버의 구성을 나타내는 개략적인 단면도.

도 4는 본 발명의 프로세스 챔버 내로 기판을 로딩/언로딩하는 과정을 나타내는 구성도.

도 5a ~ 5c는 본 발명의 프로세스 장치에 기판을 로딩하고 예열 공정을 실시하는 공정을 나타내는 수순도.

***********도면의 중요부분에 대한 부호의 설명*********

302:프로세스 챔버 304:기판

306:리프트 핀 308:로봇 암

310:서셉터 지지판 318:서셉터

320:지지대 315,316:위치 감지부

321,322:위치 피감지부 312:모터

314: 타임 밸트

본 발명의 멀티 프로세스 챔버는 다수의 프로세스 챔버(process chamber)와, 기판이 적층되어 있는 기판 카세트가 대기하는 로드락 챔버(Loadlock chamber)와. 로드락 챔버로부터 기판을 프로세스 챔버로 이송하는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

상기 프로세스 챔버는 박막이 증착되는 기판과, 상기 기판이 안착되고 박막 증착을 위한 일 전극으로 작용하는 서셉터와, 상기 서셉터 상에 위치하고 기판을 로딩/ 언로딩하는 리프트 핀과, 상기 서셉터를 지지하고 서셉터가 고정되어 있는리프트 지지판과, 상기 지지판을 지지하는 지지대와, 서셉터의 위치를 결정하기 위한 위치 감지부와, 상기 위치 감지부와 대향하는 피감지부와, 상기 서셉터의 상하운동을 위한 타임 벨트와, 상기 타임 벨트를 구동하기 위한 모터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

도 2와 도 3을 통하여 본 발명의 동작을 설명한다.

도 2에서와 같이, 본 발명은 증착 공정이 진행되는 다수의 프로세스 챔버(204)와, 기판을 적재하는 카세트가 위치하는 로드락 챔버(201)와, 상기 로드락 챔버(201) 내의 기판을 상기 프로세스 챔버(204)로 이송하는 트랜스퍼 챔버(202)를 구비하여 형성된다.

또한, 트랜스퍼 챔버를 중심으로 로드락 챔버와 다수의 프로세스 챔버가 방사형으로 배치되고 트랜스퍼 챔버와 일체를 이루고 있다.

기판은 개별적으로 이송되는 것이 아니라 동일한 공정이 진행될 기판들끼리 카세트에 적층되어 공정 라인을 따라 이송된다. 박막 증착이 진행될 단계에서는 상기의 다수의 기판이 적층된 카세트는 로드락 챔버(201)로 이송된다. 로드락 챔버는 본 발명의 멀티 프로세스 챔버의 일측에 위치하며 증착 공정이 진행되기 위한 기판들이 대기하는 영역이다.

상기 로드락 챔버(201)에 위치한 기판에 증착 공정을 수행하기 위해서 카세트에 적재된 각각의 기판은 트랜스퍼 챔버(202)에 위치하는 로봇 암(미도시)에 의해 카세트에서 언로딩되고 공정이 진행될 프로세스 챔버로 이송된다.

이때, 카세트는 대기압 하에서 로드락 챔버(201)로 이송되었기 때문에 로드락 챔버(201)는 대기압의 환경을 유지하고 있다. 그러나, 증착 공정은 고순도의 진공 속에서 진행되고 프로세스 챔버(204) 및 트랜스퍼 챔버(202)는 고진공 상태이므로 로드락 챔버(201)와 트랜스퍼 챔버(202)의 기압을 일치시키기 위해 로드락 챔버(201)의 출구를 밀폐하고 로드락 챔버(201)를 진공으로 만든 후에 트랜스퍼 챔버(202)와 연결되는 출구를 열어 기판의 이송 공정을 수행한다.

트랜스퍼 챔버(202) 내의 로봇 암에 의해 기판은 프로세스 챔버로 이송된다.

기판(304)은 로봇 암(308:robot arm)에 의해 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)에서 프로세스 챔버의 서셉터(310) 상으로 로딩되거나 증착공정이 마무리된 후 반송된다.

프로세스 챔버 내의 서셉터(310)에는 기판을 로딩/언로딩하기 위한 리프트 핀(306)이 다수 위치하고 있다. 또한 서셉터(310)는 지지판(318)에 고정되어 있고 지지판(318)을 지지하는 지지대(320)에 의해 챔버(302) 내에서 소정의 높이에 위치하고 있다. 상기의 서셉터(310)는 지지대(320)에 연결된 타임벨트(314:time belt)와, 타임 벨트를 구동하는 모터(312)에 의해 수직 방향으로 왕복 운동할 수 있다.

타임 벨트(314)는 모터(312)에 의해 구동되어 지지대(320)를 원하는 높이로 이동시킴으로써 서셉터(310)가 프로세스별 해당 위치로 이동하게 된다. 이러한 서셉터(310)의 위치는 타임벨트(314)의 구동에 의해 결정된다. 또한 상기 프로세스 챔버는 상기의 서셉터(310)의 위치를 감지하기 위하여 지지대의 일측부에 위치하는 위치 감지부(317)와, 위치 감지부(317)에 대면하여 위치하는 피 감지부(323)를 구비하고 있다.

위치 감지부(317)는 고정적으로 설치되며 서로 다른 높이와 서로 다른 두께를 가지는 제 1 및 제 2 센서(315,316)로 구성된다. 피 감지부(323)는 제 1센서(315)에 서셉터(310)의 위치에 따라 선택적으로 접촉되는 제 1 돌출부(321)와, 서셉터(310)의 위치에 따라 그 위치를 달리하여 제 2센서(316)에 접촉되는 제 2돌출부(322)로 구성된다. 제 1 및 제 2 센서(315,316)는 통상 포토 센서로써 피 감지부(323)의 제 1 및 제 2돌출부와 접촉하는 경우 온(on)신호를 발생하고 접촉되지 않는 경우 오프(off) 신호를 발생하여 증착 장비 내에서 서셉터의 위치를 감지할 수 있다.

타임 벨트(314)의 구동에 의해 서셉터(310)가 상승하게 되고 서셉터(310) 상의 리프트 핀(306)이 기판을 지지하게되면 기판은 로봇 암(308)에서 분리되고 리프트 핀(306)만이 기판을 지지하게 된다(도 5a). 이때 로봇 암(308)은 프로세스 챔버에서 빠져 나온다.

로봇 암의 퇴출 후, 타임 벨트는 일정한 시간동안 구동하여 증착을 위한 위치로 서셉터(310)를 이동시킨다.

서셉터가 증착 위치로 이동함과 동시에 서셉터 상의 리프트 핀(306)은 서셉터 안으로 삽입됨으로써 기판을 서셉터 상으로 밀착시킨다.

본 발명은 상기의 리프트 핀이 서셉터 안으로 삽입되기 전에 리프트 핀의 일정 부분만 삽입되고 일정 부분은 삽입되지 않고 기판을 그대로 지지하면서 기판의 예열 공정을 진행한다.(도 5b)

리프트 핀(306)은 서셉터(310) 상에 다수 분포하는데, 상기의 예열 공정에서는 예열 동안 기판의 팽창으로 말미암은 얼라인먼트의 불량을 예방하기 위하여 리프트 핀의 서셉터 표면으로부터의 돌출 정도는 서셉터(310)의 중앙부가 서셉터의 가장자리 부분보다 작게 함으로써 예열 동안 기판이 외측으로 유동하지 않고 서셉터 안으로 모일 수 있도록 한다.(도5b)

리프트 핀의 돌출 정도는 기판의 크기와 예열 온도등을 고려하여 적정값을 정할 수 있다.

기판의 예열은 기판 상에 박막을 증착하기 위해서는 중요한 공정이다. PECVD공정은 다른 박막을 형성하는 공정에 비해서는 상대적으로 저온 공정이지만 상온보다는 충분히 높은 온도이므로 증착시키고자 하는 가스의 온도와 기판의 온도를 비슷하게 하여 줄 필요가 있다. 그렇지 않을 경우, 증착되는 원소의 라디칼들이 기판 상에 증착될 때 제대로 반응하지 못하고 원하는 박막을 형성하지 못할 수가 있다.

도 5b에서처럼, 서셉터 중앙의 리프트 핀의 높이가 서셉터의 가장자리의 리프트핀의 높이보다 작도록 배치하고 기판을 예열한 다음, 리프트 핀을 완전히 서셉터 안으로 삽입하여 기판과 서셉터를 밀착시킨다. 기판의 예열은 서셉터에 의해서 이루어진다. 서셉터는 가열판을 포함하고 있어 챔버 내의 온도를 조절하는 기능도 수행한다.

이후 박막을 형성하고자 하는 주입 가스를 가스 주입구(미도시)를 통하여 주입하고 고주파 또는 촉매등을 사용하여 주입 가스를 분해하고 기판 상에서 상기의 분해 가스들이 물리적, 화학적 반응을 통해 박막이 증착된다.

기판에 박막의 증착 공정이 끝난 후, 서셉터는 상기의 동작의 역순으로 운행되어 기판을 챔버 밖으로 배출한다. 즉, 증착이 끝나면 서셉터는 타임 벨트에 의해 기판 로딩 위치로 이동을 하고 리프트 핀은 서셉터에서 돌출하여 기판을 서셉터의 표면으로부터 분리시킨다. 다음으로 프로세스 챔버의 출구를 통하여 트랜스퍼 챔버 내의 로봇 암이 프로세스 챔버 내로 진입하고 기판을 서셉터로부터 언로딩한다. 상기의 로봇 암은 증착이 완료된 기판을 기판 카세트로 이송하여 저장한다.

챔버 내에 기판을 언로딩하는 방법의 또 다른 예로써, 상기의 실시 예에서와 같이 서셉터가 움직이는 대신 리프트 핀과 로봇 암의 동작을 통하여 기판을 서셉터 상으로 로딩/언로딩할 수 있다.

즉, 미리 리프트 핀이 돌출 되어있는 서셉터 상으로 트랜스퍼 챔버 내의 로봇 암에 의해 기판이 이송 되어오고 로봇 암의 하강작용에 의해 기판을 리프트 핀 상으로 로딩한다. 상기의 공정 후 리프트의 서셉터 내로 부분 삽입되고 예열 공정을 실시한다. 리프트 핀을 서셉터 내로 완전히 삽입함으로써 기판과 서셉터를 밀착시키는 공정은 상기의 실시 예에서와 같다. 기판을 서셉터 상에서 언로딩하는 공정은 상기 공정의 역순으로 진행됨으로써 이루어질 수 있다.

상기 PECVD챔버를 통하여 박막을 증착하는 방식을 살펴보면 박막이 증착될 기판이 수납된 카세트를 로드락 챔버로 진입한는 단계와, 상기 로드락 챔버를 진공환경으로 만드는 단계와, 트랜스퍼 챔버 내에 위치하는 로봇 암에 의하여 카세트 상의 기판을 프로세스 챔버로 이송하는 단계와, 기판을 서셉터 상의 리프트 핀 상에 안착하는 단계와, 기판을 예열하는 단계와, 기판을 서셉터 상에 안착하는 단계와, 증착 공정을 진행하는 단계와, 기판을 프로세스 챔버 내의 서셉터로부터 언로딩하고 카세트 내로 로딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

기판을 로드락 챔버 내로 이송하고 트랜스퍼 챔버 내의 로봇 암에 이하여 프로세스 챔버로 이송하기까지의 공정은 상기에서 설명한 바와 같이 이루어진다.

프로세스 챔버 내에서 예열을 위하여 도 5a에서와 같이, 기판을 서셉터 상의 기프트 핀 상에 로딩하고 상기리프트 핀의 일부분을 서셉터 내로 삽입하여 기판의 예열 공정을 실시한다.

특히, 리프트 핀을 서셉터 내로 완전히 삽입함으로 기판과 서셉터가 밀착(도 5c)하기 전에 리프트 핀의 일부분을 서셉터 내로 삽입할 때 서셉터의 가장자리에 위치하는 리프트 핀보다 서셉터의 중앙부에 위치하는 리프트 핀이 더욱 서셉터 내로 삽입되게 하여 기판의 예열 공정이 진행될 때 기판이 팽창함으로 기판의 얼라인이 흩트려지지 않도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

에열 공정이 끝난 후 기판을 지지하는 리프트 핀을 완전히 서셉터 내로 삽입하고 기판과 서셉터를 밀착시키고 증착 공정을 진행한다.

증착이 끝난 기판을 로봇 암에 의해 서셉터 상에서 언로딩하고 카세트 내로 이송하여 기판의 증착 공정을 완료한다.

본 발명은 디스플레이 장치의 대형화 추세가 진행되는 오늘날에는 멀티 프로세스 챔버에서 기판의 예열을 담당하는 예열 챔버(preheat chamber)를 제거하고 프로세스 챔버를 구성함으로써 챔버의 공간 효율을 증대시키고 기판의 서셉터 상에서의 얼라인먼트 불량을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.

특히 본 발명의 멀티 프로세스 챔버는 서셉터 상에 기판을 얼라인할 때 별도로 기판을 얼라인 하는 공정이 없으므로 더욱 기판의 이송 경로를 최소화 할 필요가 있다. 본 발명은 기판을 로드락 챔버에서 곧 바로 프로세스 챔버 내로 기판을 이송함으로써 기판 이송 경로를 최소화하여 얼라인 불량을 줄일 수 있고 이를 통해 균일하고 양호한 박막 증착을 이룰 수 있다.

Claims (6)

1. 박막이 형성될 기판이 대기하는 로드락 챔버;

   기판에 박막 형성공정을 진행하고 기판의 예열 공정을 실시할 수 있는 다수의 프로세스 챔버;

   상기 로드락 챔버와 프로세스 챔버 사이로 기판을 이송하는 로봇 암을 구비하는 트랜스퍼 챔버를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 PECVD장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 다수의 프로세스 챔버와 로드락 챔버는 트랜스퍼 챔버를 중심으로 방사형으로 배치되고 일체를 이루도록 접합된 것을 특징으로 하는 PECVD장치.
3. 제 1항에 있어서, 상기 프로세스 챔버는 기판을 지지하고 플라즈마 형성을 위하여 전계를 발생시키는 일 전극으로서의 역할을 수행하는 서셉터;

   상기 서셉터 상에 위치하고 기판을 지지하며 상기 서세터 내로 삽입 가능한 리프트 핀;

   상기 서셉터가 고정되어 있는 지지판;

   상기 지지판을 지지하는 지지대;

   상기 서셉터 상에 로딩되어 박막이 증착되는 기판;

   상기 서셉터의 위치를 감지하는 위치 감지부;

   상기 위치 감지부와 대향하여 형성되는 피 감지부;

   상기 서셉터의 상하이동을 위한 타임 벨트;

   상기 타임 벨트의 구동을 위한 모터를 구비하여 형성되는 것을 특징으로 하는 PECVD 장치.
4. 다수의 기판을 수납한 기판 카세트를 로드락 챔버로 이송하는 단계;

   트랜스퍼 챔버 내의 로봇 암에 의해 로드락 챔버 내의 기판을 프로세스 챔버로 이송하는 단계;

   프로세스 챔버 내에서 박막 형성 공정을 실시하는 단계;

   박막 형성 공정이 완료된 기판을 프로세스 챔버로부터 기판 카세트로 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 PECVD장치를 이용한 박막 형성방법.
5. 제 4항에 있어서, 상기 프로세스 챔버 내에서 박막을 형성하는 공정은 기판을 상기의 로봇 암에 의해 기판을 지지하고 전계 형성의 일 전극으로 사용되는 서셉터 상으로 이송하는 단계;

   서셉터 상에 다수 분포하는 리프트 핀 상으로 기판을 언로딩하는 단계;

   상기 리프트 핀의 일부를 서셉터 내로 삽입하고 기판을 예열하는 단계;

   상기 리프트 핀을 완전히 서셉터 내로 삽입하고 기판과 서셉터를 밀착하는 단계;

   상기 서셉터 상에 밀착된 기판에 박막을 형성하는 단계;

   상기 로봇 암에 의해 서셉터 상의 기판을 언로딩하고 기판 카세트로 이송하는 단계를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 PECVD장치를 이용한 박막 형성 방법.
6. 제 4항에 있어서, 리프트 핀에 의해서 기판을 지지하고 기판을 예열하는 단계에서 서셉터의 중앙부의 리프트 핀이 서셉터의 가장자리에 위치하는 리프트 핀보다 서셉터 내로 더욱 삽입되어 기판의 예열 공정이 진행되는 것을 특징으로 하는 PECVD장치를 이용한 박막 형성 방법.