KR970063541A - 반도체 제조 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치에 사용되는 개스의 유량을 조절하는 유량 조절계에 관한 것으로, 외부로부터 제공된 공정개스를 공정챔버로 공급하는 공정개스공급라인과, 상기 공정개스공급라인상에 설치되어 상기 공정챔버로 공급되는 공정개스공급량을 조절하는 유랑조절계를 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 유량조절계의 하부에 소정의 거리를 두고 설치되어 상기 유량조절계를 약 48℃ 이상으로 가열하여 가열수단을 포함하여 상기 유량 조절계의 막힘을 방지한다. 이러한 장치에 의해서, O₃개스와 N₂개스의 반응에 의해 생성된 N₂O₅를 분해할 수 있고, 따라서 유량조절계가 막히는 것을 방지할 수 있다.

Description

반도체 제조 장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 구성을 개략적으로 보여주고 있는 단면.

Claims (10)

1. 외부로부터 제공된 공정개스(12)를 공정챔버(18)로 공급하는 공정개스공급라인(10)과, 상기 공정개스공급라인(10)상에 설치되어 상기 공정 챔버(18)로 공급되느 공정개스공급량을 조절하는 유량조절계(16)를 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 유량조절계(16)의 하부에 소정의 거리를 두고 설치되어 상기 유량 조절계(16)을 약 48℃ 이상으로 가열하는 가열수단을 포함하여 상기 유량조절계(16)의 막힘을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 가열수단은 외부로부터 제공된 개스(20)를 가열하고, 상기 가열된 개스(26)가 상기 유량조절계(16)로 분사되도록 하는 복수의 분사공을 갖는 히팅봉(24)과; 상기 히팅봉(24)과 연결되어 외부로부터 제공된 개스(20)를 상기 히팅봉(24)으로 공급하는 개스공급라인(22)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 개스(20)는 질소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
4. 제2항에 있어서, 상기 개스(20)는 약 60-70℃범위의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
5. 외부로부터 제공된 공정개스(12)를 공정챔버(18)로 공급하는 공정개스공급라인(10)과, 상기 공정개스공급라인(10)상에 설치되어 상기 공정챔버(18)로 공급되는 공정개스공급량을 조절하는 유량조절계(16)를 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 유량조절계(16)의 하부에 소정의 거리를 두고 설치되고, 외부로부터 제공된 개스(20)를 가열하는 히팅수단(24)과; 상기 히팅수단(24)과 연결되어 가열된 개스를 상기 유량조절계(16)로 분사하는 분사수단과; 상기 히팅수단(24)과 연결되어 개스(20)를 상기 히팅수단으로 공급하는 개스공급라인(22)을 포함하여 상기 유량조절계(16)의 막힘을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
6. 제5항에 있어서, 상기 유량조절계(16)는 적어도 48℃이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
7. 제5항에 있어서, 상기 히팅수단(24)은 히팅봉, 히팅라인 그리고 히팅플레이트 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
8. 제5항에 있어서, 상기 분사수단은 분사노즐을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
9. 제5항에 있어서, 상기 개스(20)는 질소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
10. 제5항에 있어서, 상기 개스(20)는 적어도 65℃이상의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.