KR20090094626A - 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 평판 표시 장치 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- -1 BaTiO 3 Chemical class 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
발명은 비정질 12CaO·7Al2O3(C12A7)을 포함하는 채널층을 구비한 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 C12A7을 이용하여 낮은 온도에서 비정질 채널층을 형성할 수 있다. 상기 비정질의 채널층을 구비한 박막 트랜지스터는 우수한 전기 이동도를 갖는다.
Description
본 발명은 박막 트랜지스터 및 이를 포함한 평판 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 비정질의 12CaO·7Al2O3(C12A7)을 포함한 채널층을 구비한 박막 트랜지스터 및 이를 포함한 평판 표시 장치에 한 것이다.
전계 효과형 트랜지스터(field effect transistor)는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하며. 채널층 내, 즉 소스 및 드레인 전극 사이에 흐르는 전류가 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 제어되는 능동 소자(active device)이다. 특히 세라믹, 유리 또는 플라스틱 등의 절연 기판상에 얇은 막을 채널층으로서 사용하는 전계 효과형 트랜지스터를 박막 트랜지스터(thin film transistor, 이하 TFT)라고 불린다.
TFT는 얇은 막 기술을 이용하고 있기 때문에 비교적 대면적을 가지는 기판상에의 형성이 용이하다는 이점이 있고 액정 표시 소자(LCD) 등의 평판(flat panel) 표시 장치의 구동 소자로서 넓게 사용되고 있다. 즉 기판상에 형성한 TFT를 이용하 여 각각의 화상 픽셀의 온·오프(on·off)가 행해지는데, 특히 장래의 고성능 유기 발광 장치 등에서 TFT에 의하여 픽셀 전류가 유효하게 제어될 수 있다고 예상된다. 또한 화상 전체를 구동 및 제어하는 TFT 회로를 화상 표시 영역 주변의 기판상에 형성하여 보다 고성능의 액정 표시 장치가 실현되어 있다.
TFT로서 현재 가장 넓게 사용되는 것은 다결정 실리콘막 또는 비정질 실리콘 막을 채널층 재료로서 사용한 것이며, 예들 들어 대한민국 특허 공개 번호 제 1997-0013427에 공개되어 있다. 하지만 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘의 경우 고온 프로세스가 요구되고 플라스틱판이나 필름의 기판상에 형성하는 것은 곤란하다.
플라스틱 필름상에 저온으로 성막 가능한 재료로서 펜타센과 같은 유기 반도체막등이 개발되고 있다. 이러한 유기 반도체는 모두 방향환을 가지고 있고 결정화한 때 바황환의 적층 방향에서 큰 캐리어 이동도가 얻어진다. 그러나 펜타센 등의 유기 반도체는 열적 안정성이 낮은 문제가 있다. 기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극을 이루는 물질과 유기 반도체층을 이루는 물질 간의 일함수 차이로 인하여 이들 간의 오믹 콘택이 거의 불가능하다. 또한, 소스 및 드레인 전극은 통상적으로 무기물로 이루어지고, 유기 반도체층은 유기물로 이루어지는 바, 소스 및 드레인 전극과 유기 반도체층 간의 접착력도 만족할 만한 수준에 이르지 못하고 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은, 비정질의 12CaO·7Al2O3(C12A7)을 포함하는 채널층을 구비한 박막 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 박막 트랜지스터를 이용한 평판 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명에서는
기판 상부에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 채널층, 및 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 개재된 절연층을 구비하는 박막 트랜지스터로서, 상기 채널층이 비정질 12CaO·7Al2O3(C12A7)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터; 또는
기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극과 절연된 게이트 전극, 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되고 상기 게이트 전극과 절연된 채널층, 및 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 개재된 절연층을 구비하는 박막 트랜지스터로서, 상기 채널층이 비정질 12CaO·7Al2O3(C12A7)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 채널층의 두께는 5 내지 200 nm일 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 있어서, 상기 채널층은 상기 절연층 상에 증착된 12CaO·7Al2O3 필름을 100 내지 600 ℃에서 열처리하여 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 있어서, 상기 기판은 서스(SUS) 기판, 플라스틱 기판 또는 유리 기판일 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 있어서, 상기 채널층의 에너지 밴드 값이 3 내지 3.5 eV일 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명에서는 상술한 박막 트랜지스터 및 표시 장치를 구비한 평판 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 표시 장치는 유기 발광 장치 또는 액정 표시 장치(LCD)일 수 있다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 12CaO·7Al2O3(C12A7)로 형성된 비정질막의 채널층을 구비한다. 상기 채널층을 구비한 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 일 구현예는 도 1에 도시되어 있다.
도 1에 있어서, 기판(11)은 BaTiO3, LaAlO3, MgO 등의 금속 산화물, 서스(SUS) 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 상기 기판 상부에는 SiOx 등으로 이루어진 버퍼층(11')이 형성되나, 이는 생략될 수 있다. 상기 버 퍼층 위에 형성된 게이트 전극(12)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Nd, W, ITO 및 IZO로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 중 2 이상의 금속의 합금으로 이루어지는 것도 물론 가능하다. 절연층(13)은 상기 게이트 전극을 덮도록 형성되어 있다. 상기 절연층(13)의 상부에는 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)이 각각 형성되어 있다. 이 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)은 도 1에서 볼 수 있듯이, 일정부분 게이트 전극(12)과 중첩되도록 할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)은 예를 들면, Au, Pd, Pt, Ni, Rh, Ru, Ir, Os, ITO, Mo, MoW, IZO, Al 및 Ti로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 중 2 이상의 금속의 합금도 물론 사용가능하다. 상기 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)사이에는 소스/드레인 영역을 전기적으로 연결하는 채널층(15)이 형성된다. 한편, 도 1에는 채널층(15)이 소스 및 드레인 전극(14a, 14b) 하부에 형성되어 있으나, 채널층(15)이 소스 및 드레인 전극(14a, 14b) 상부에 형성될 수 있음은 물론이다.
상기 채널층은 비정질의 12CaO·7Al2O3로 형성된다. 상기 채널층은 12CaO·7Al2O3을 스퍼터링(sputtering) 등의 방법에 의하여 상온에서 증착된 필름을 100 내지 600 ℃, 바람직하게는 100 내지 400 ℃ 더욱 바람직하게는 300 내지 400 ℃에서 열처리하는 단계에 의하여 형성된다. 채널층을 형성하는 과정에 있어서 상기 열처리 단계 이후 더 이상의 공정은 생략되므로, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 더 욱 간편하게 제작될 수 있다.
도 4는 본 발명의 박막 트랜지스터에 사용되는 채널층을 유리 기판과 함께 XRD로 분석한 스펙트럼을 나타낸다. 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 채널층은 유리 기판과 유사하게 비정질 상태임을 확인할 수 있다.
이와 같이 비정질의 12CaO·7Al2O3로 이루어진 채널층은 비교적 낮은 온도에서 형성되기 때문에, 본 발명에 따른 박막 트랜지스트터에는 BaTiO3, LaAlO3, MgO 등의 금속 산화물로 이루어진 기판뿐만 아니라 써스(SUS) 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
또한 이와 같이 채널층은 낮은 온도에서 형성될 수 있으므로 200nm 이하의 두께로 얇게 형성하는 것이 가능하며, 바람직하게는 채널층의 두께는 5 내지 200 nm, 더욱 바람직하게는 5 내지 100 nm이다. 상기 채널층의 두께가 5 nm 미만이면 박막이 균일하게 형성되지 못하며, 200 nm를 초과하면 제조 공정 및 전기적 특성 면에서 바람직하지 아니하다.
결정성 12CaO·7Al2O3의 에너지 밴드 값이 6.4 내지 6.7eV인데 비해, 본 발명의 박막 트랜지스터에 형성된 비정질의 채널층은 에너지 밴드 값이 3 내지 4 eV, 더욱 바람직하게는 3 내지 3.5 eV 범위이다. 이와 같이 낮은 범위의 에너지 밴드 값을 갖는 채널층을 구비한 박막 트랜지스터는 더욱 우수한 전기적 특성을 나타낸다. 한편 에너지 밴드 값이 3 eV 미만이면 가시광 흡수로 인해 가시광 표시 소 장치에 사용할 수 없으므로 바람직하지 못하다.
도 2에는 본 발명을 따르는 박막 트랜지스터의 다른 구현예가 도시되어 있다. 먼저, 금속, 유리, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있는 기판(11) 상부에는 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)가 구비되어 있다. 상기 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)은 채널층(15)과 전기적으로 연결되어 있는데, 상기 채널층(15)을 이루는 물질은 전술한 바와 같다. 채널층(15)의 상부에는 채널층(15)을 게이트 전극(12)과 절연시키는 절연층(13)이 형성되어 있다.
도 2에는 채널층이 소스 및 드레인 전극의 상부에 형성되어 있으나, 기판(11) 상부에 채널층이 형성되고 그 위에 소스 및 드레인 전극이 형성되는 등, 다양한 변형이 가능함은 물론이다. 이 경우 절연층은 소스/드레인 전극 및 게이트 전극 사이에 개재된다.
본 발명의 박막 트랜지스터 제조 방법은, 도 1의 박막 트랜지스터의 예를 들면, 기판 상에 형성된 게이트 전극 상부에 절연층을 도포하여 상기 게이트 전극을 절연하는 단계; 상기 절연체 상부에 채널층 형성용 C12A7 필름을 도포하는 단계; 상기 C12A7 필름 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 결과물을 100 내지 600 ℃에서 열처리하여 채널층을 형성하는 단계에 의하여 이루어질 수 있다.
상기와 같은 구조의 박막 트랜지스터는 LCD 또는 유기 발광 장치와 같은 평판 표시 장치에 구비될 수 있다.
도 3은 평판 표시 장치의 일 구현예인 유기 발광 표시장치에 본 발명의 박막 트랜지스터를 적용한 것을 나타낸 것으로서, 유기 발광 표시 장치 중 하나의 부화 소를 도시한 것이다. 이러한 각 부화소에는 자발광 장치로서 유기 발광 장치(이하, "EL 장치"라 함)를 구비하고 있고, 박막 트랜지스터가 적어도 하나 이상 구비되어 있다. 그리고, 도면으로 나타내지는 않았지만 별도의 커패시터가 더 구비되어 있다. 이러한 유기 발광 표시장치는 EL 장치(OLED)의 발광 색상에 따라 다양한 화소 패턴을 갖는 데, 바람직하게는 적, 녹, 청색의 화소를 구비한다.
이러한 적(R), 녹(G), 청(B)색의 각 부화소는 도 3에서 볼 수 있는 바와 같은 TFT 구조와 자발광 장치인 EL 장치(OLED)를 갖는다. 그리고, 박막 트랜지스터를 구비하는 데, 이 박막 트랜지스터는 전술한 실시예들에 따른 박막 트랜지스터가 될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 구비할 수 있다.
도 3에서 볼 수 있듯이, 절연기판(21)상에 전술한 박막 트랜지스터(20)가 구비된다. 상기 박막 트랜지스터(20)는 기판(21) 상에 형성된 소정 패턴의 게이트 전극(22)을 구비하고, 이 게이트 전극(22)의 상부에는 절연층(23)이 형성된다. 그리고, 절연층(23)의 상부에는 소스 및 드레인 전극(24a, 24b)이 각각 형성된다. 상기 소스 및 드레인 전극(24a, 24b)의 상부로는 채널층(25)이 덮이게 된다. 채널층(25)이 형성된 후에는 상기 박막 트랜지스터(20)를 덮도록 패시베이션막(28)이 형성되는 데, 이 패시베이션 막(28)은 단층 또는 복수층의 구조로 형성되어 있고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다. 상기 패시베이션막(28)의 상부에는 화소정의막에 따라, EL 장치(30)의 유기 발광막(32)을 형성한다. 상기 EL 장치(30)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 박막 트랜지스터(20)의 소스 및 드레인 전극(24a, 24b) 중 어느 한 전극에 연결된 화소 전극(31)과, 전체 화소를 덮도록 구비된 대향 전극(33), 및 이들 화소 전극(31)과 대향 전극(33)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광막(32)으로 구성된다. 본 발명은 반드시 상기와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며, 다양한 유기 발광 표시장치의 구조가 그대로 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 유기 EL 장치(30)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 박막 트랜지스터(20)의 소스 및 드레인 전극(24a, 24b) 중 어느 하나에 연결된 화소 전극(31)과, 전체 화소들을 덮도록 구비된 대향 전극(33), 및 이들 화소 전극(31)과 대향 전극(33)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광막(32)으로 구성된다. 상기 화소 전극(31)과 대향 전극(33)은 상기 유기 발광막(32)에 의해 서로 절연되어 있으며, 유기 발광막(32)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광막(32)에서 발광이 이뤄지도록 한다. 상기 유기 발광막(32)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기막을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등 을 비롯해 다양하게 적 용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다. 고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다. 상기와 같은 유기막은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 화소 전극(31)은 애노드 전극의 기능을 하고, 상기 대향 전극(33)은 캐소드 전극의 기능을 한다.. 액정표시장치의 경우, 이와는 달리, 상기 화소전극(31)을 덮는 하부배향막(미도시)을 형성함으로써, 액정표시장치의 하부기판의 제조를 완성한다. 이렇게 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 도 3에서와 같이 각 부화소에 탑재될 수도 있고, 화상이 구현되지 않는 드라이버 회로(미도시)에도 탑재 가능하다.
상기 절연층 상부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스 및 드레인 전극을 덮도록 유기 반도체층을 형성하는 단계로 이루어질 수 있다.
<
실시예
>
<12CaO·7Al2O3 박막의 물성 파악 >
동일한 2개의 유리 기판 상에 12CaO·7Al2O3 의 스퍼터 타겟을 이용하여, 상온에서 25%의 산소 분압(Ar: 40sccm, O2: 13sccm) 및 공정압력 6.0 ×10-3 torr에서 700W의 파워 RF방식으로 스퍼터링하였다. 결과물을 350℃에서 열처리함으로써, 각각, 29nm(박막 1) 및 50 nm(박막 2)의 박막을 얻었다.
상기 박막을 XRD로 분석하여 유리 기판의 XRD 스펙트럼과 함께 도 4에 나타내었다. 한편 박막 형성용 스퍼터 타겟에 사용된 12CaO·7Al2O3 분말의 XRD 분석 결과를 도 5에 나타내었다. 도 5에서 스퍼터 타겟에 사용된 12CaO·7Al2O3 분말은 결정성을 나타내는데 비해, 유리 기판에 형성된 박막은 도 4와 같이 모두 비정질 상태인 것으로 확인되었다.
또한 상기 박막 1에 대하여, 파장을 달리하면서 굴절률(n) 및 흡수 계수(k)를 측정하여, 도 6에 도시하였다. 도 6을 참조하면, 얻어진 비정질 막은 360.42 nm의 파장에서 최대 흡수 계수를 가짐을 확인할 수 있다. 이를 관계식
E = hc/λ (h=4.14×10-15 eV, c=3×108 m/s)
에 대입하여, 상기 비정질 막의 에너지 밴드 값으로서 3.45eV을 얻었다.
<박막 트랜지스터의 제조>
실시예
1:
실리콘 산화물(SiOx)가 형성된 유리 기판을 준비한 후, 그 위에 MoW로 이루어진 게이트 전극을 200nm의 두께로 형성하였다. 그런 다음 상기 게이트 전극 상부에 실리콘 질화물(SiNx)를 200nm의 두께로 증착시켜 절연층을 형성하였다. 상기 절연층 상부에 12CaO·7Al2O3의 스퍼터 타겟을 사용하여 상온에서 25%의 산소 분 압(Ar: 40sccm, O2: 13sccm) 및 공정압력 6.0 ×10-3 torr에서 700W의 파워로 스퍼터링하였다. 결과의 필름 상에 IZO를 이용하여 소스 및 드레인 전극을 150 nm 두께로 형성하고, 이를 350℃에서 열처리함으로써 20nm의 채널층을 구비한 박막 트랜지스터를 제작하였다.
전압-전류 특성 평가는 HP사의 probe station인 HP4155모델을 이용하였다. 얻어진 박막 트랜지스터의 전압-전류 특성을 평가하여, VDS =0.1V에서 측정된 선형이동도 및 VDS=5.1V 및 VDS=10.1V에서 측정된 포화 이동도를 나타내었다. 도 7에 따르면, 선형 이동도(linear mobility)가 9.54cm2/Vs이며, 포화 이동도(saturation mobility)는 1.68cm2/Vs, 문턱 전압(threshold voltage)는 -9.8V이며, on-off 비가 9.67×106으로, 상기 유기 박막 트랜지스터는 우수한 전기적 특성을 가짐을 알 수 있다.
비교예
1
MgO 기판 상부에 다결정의 12CaO·7Al2O3 박막을 PLD 방식으로 증착한 뒤 1000℃ 온도에서 열처리하였다. 결과의 박막을 600℃ 온도에서 H2 +로 처리하여 1000nm의 채널층을 형성하고, 그 위에 Pt로 이루어진 게이트 및 소스 전극을 40 nm로 형성하였다. 게이트 및 소스 전극 상부에 Y2O3를 350nm 두께로 증착시켜 절연층 을 형성하였다. 상기 절연층 상부에 Au를 300㎛ 두께로 증착하여 게이트 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 제작하였다.
제작된 박막 트랜지스터를 실시예 1과 동일한 방법으로 전압-전류 특성을 평가하였다. 전계효과 이동도는 0.05 cm2/Vs에 머물렀으며, on-off 비는 10임이 확인되었다.
상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 구현예에 따른 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터에 형성되는 채널층의 XRD 분석결과를 나타낸 스펙트럼이다.
도 5는 채널층 형성용 스퍼터 타겟에 사용된 12CaO·7Al2O3 분말의 XRD 분석 결과를 나타낸 스펙트럼이다.
도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터에 형성되는 채널층의 굴절률 및 흡수 계수를 파장에 따라 측정한 결과를 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터의 전류-전압 특성을 나타낸 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
11, 21 : 기판 11' : 버퍼층
12, 22 : 게이트 전극 13, 23 : 절연층
14a, 14b, 24a, 24b : 소스 및 드레인 전극 15, 25 : 채널층
Claims (12)
- 기판 상부에 형성된 게이트전극,상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극,상기 게이트 전극과 절연되고 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 채널층,상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 개재된 절연층을 구비하는 박막 트랜지스터로서,상기 채널층이 비정질의(amorphous) 12CaO·7Al2O3(C12A7)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서 상기 채널층의 두께는 5 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 채널층은 상기 절연층 상에 증착된 12CaO·7Al2O3 필름을 100 내지 600 ℃에서 열처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서 상기 기판이 서스(SUS) 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판 을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서 상기 채널층의 에너지 밴드 값이 3 내지 3.5 eV인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극,상기 소스 및 드레인 전극과 절연된 게이트 전극,상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 게이트 전극과 절연된 채널층,상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 개재된 절연층을 구비하는 박막 트랜지스터로서,상기 채널층이 비정질의(amorphous) 12CaO·7Al2O3을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제6항에 있어서 상기 채널층의 두께는 5 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제6항에 있어서, 상기 채널층은 상기 절연층 상에 증착된 12CaO·7Al2O3 필름을 100 내지 600 ℃에서 열처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스 터.
- 제6항에 있어서 상기 기판이 서스 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제6항에 있어서 상기 채널층의 에너지 밴드 값이 3 내지 3.5 eV인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 박막 트랜지스터 및 표시 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 표시 장치가 유기 발광 장치 또는 액정 표시 장치인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080019692A KR100918404B1 (ko) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 평판 표시 장치 |
| US12/183,451 US8067770B2 (en) | 2008-03-03 | 2008-07-31 | Thin film transistor and flat panel display device including the same |
| CN2009100056966A CN101527321B (zh) | 2008-03-03 | 2009-02-19 | 薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的平板显示装置 |
| EP09153911A EP2099074B1 (en) | 2008-03-03 | 2009-02-27 | Thin film transistor, manufacturing method thereof and flat panel display including the same thin film transistor |
| DE602009000232T DE602009000232D1 (de) | 2008-03-03 | 2009-02-27 | Dünnfilmtransistor, Herstellungsverfahren dafür und Flachbildschirmanzeige mit dem Dünnfilmtransistor |
| JP2009048292A JP5020276B2 (ja) | 2008-03-03 | 2009-03-02 | 薄膜トランジスタ及びそれを備える平板表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080019692A KR100918404B1 (ko) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 평판 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090094626A true KR20090094626A (ko) | 2009-09-08 |
| KR100918404B1 KR100918404B1 (ko) | 2009-09-24 |
Family
ID=40671167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080019692A KR100918404B1 (ko) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 평판 표시 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8067770B2 (ko) |
| EP (1) | EP2099074B1 (ko) |
| JP (1) | JP5020276B2 (ko) |
| KR (1) | KR100918404B1 (ko) |
| CN (1) | CN101527321B (ko) |
| DE (1) | DE602009000232D1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9070903B2 (en) | 2013-05-15 | 2015-06-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Inorganic oxide thin film and method for preparing the same |
| US20190172605A1 (en) * | 2012-06-20 | 2019-06-06 | Japan Science And Technology Agency | Metal oxide thin film, organic electroluminescence element including the thin film, solar cell, and thin film fabrication method |
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| JP5760298B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2015-08-05 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器 |
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| WO2013191212A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | 国立大学法人東京工業大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN102955312B (zh) * | 2012-11-14 | 2015-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
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| DE102015103651B4 (de) * | 2015-03-12 | 2017-11-16 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitenden Strukturen und organische Leuchtdiode |
| KR102442616B1 (ko) | 2015-04-08 | 2022-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN108963109B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-10-09 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种有机电致发光装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR0154817B1 (ko) | 1995-08-25 | 1998-10-15 | 김광호 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| WO2003089373A1 (en) * | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Japan Science And Technology Agency | Hydrogen-containing electrically conductive organic compound |
| US7282782B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
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-
2008
- 2008-03-03 KR KR1020080019692A patent/KR100918404B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-31 US US12/183,451 patent/US8067770B2/en active Active
-
2009
- 2009-02-19 CN CN2009100056966A patent/CN101527321B/zh active Active
- 2009-02-27 EP EP09153911A patent/EP2099074B1/en active Active
- 2009-02-27 DE DE602009000232T patent/DE602009000232D1/de active Active
- 2009-03-02 JP JP2009048292A patent/JP5020276B2/ja active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE602009000232D1 (de) | 2010-11-11 |
| EP2099074A1 (en) | 2009-09-09 |
| JP5020276B2 (ja) | 2012-09-05 |
| US20090218570A1 (en) | 2009-09-03 |
| KR100918404B1 (ko) | 2009-09-24 |
| CN101527321A (zh) | 2009-09-09 |
| JP2009212520A (ja) | 2009-09-17 |
| CN101527321B (zh) | 2013-03-20 |
| US8067770B2 (en) | 2011-11-29 |
| EP2099074B1 (en) | 2010-09-29 |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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| FPAY | Annual fee payment |
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