KR20090090277A - 이물검사장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

이물검사장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의한 이물검사장치는, 피검사물의 앞면과 뒷면의 각각에 광속을 조사하는 조사수단과; 상기 앞면 및 뒷면으로부터의 산란광을 검출하는 제1 및 제2검출수단과; 상기 제1검출수단 및 상기 제2검출수단으로부터의 출력에 근거해서 상기 앞면 및 뒷면의 이물을 검사하는 연산수단과; 상기 조사수단, 상기 제1검출수단, 상기 제2검출수단 및 상기 연산수단을 제어하는 제어수단을 가진다. 상기 조사수단은, 상기 앞면 또는 상기 뒷면에 광속을 선택적으로 조사한다. 상기 제어수단은, 상기 선택적인 광속의 조사를 받은 피검사면에 대하여 상기 광속의 동시 조사 및 선택적인 조사에 응한 검출수단의 출력에 근거해서 상기 연산수단이 이물을 검사하게 한다.

Description

이물검사장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법{PARTICLE INSPECTION APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 예를 들면 원판 등의 피검사물에 부착한 이물을 검출하는 이물검사장치에 관한 것이다.
노광장치에 있어서는, 레티클이나 포토 마스크(photomask)로 불리우는 원판상에는 IC 또는 LSI 등의 반도체 디바이스, CCD, 액정 패널, 자기 헤드 등의 디바이스(이하, "디바이스"로 총칭함)를 제조하기 위해 사용되는 회로패턴이 형성되고 있다.
펠리클은 원판 상에의 이물의 부착을 방지하기 위해서 원판에 장착된 보호 커버이다.
일반적으로, IC 제조공정에 있어서는, 레티클이나 포토 마스크 등의 원판 상에 형성되어 있는 회로패턴을 노광장치(스테퍼 또는 마스크 얼라이너)에 의해 레지스트가 도포된 웨이퍼 상에 전사하고 있다.
이 경우, 원판 상에 패턴 결함이나 먼지 등의 이물이 존재하면, 전사할 때, 이물도 회로패턴과 함께 동시에 전사되어 버려서, IC나 LSI의 제조수율을 저하시킨 다.
특히, 레티클을 사용해서 스텝 앤드 리피트 방식에 의해 웨이퍼 상의 다수의 쇼트영역에 회로패턴을 반복해서 전사하는 경우, 레티클 상에 유해한 1개의 이물이 존재하고 있으면, 이 이물이 웨이퍼의 앞면에 전사된다. 그 결과, IC나 LSI의 수율을 크게 저하시킨다.
따라서, IC 제조공정에 있어서 원판 상의 이물의 존재를 검출하는 것은 불가결하게 되어서, 대부분의 노광장치에는 이물검사장치가 내장되어 있다.
이물검사장치에 의한 이물검사는, 사전에 설정된 원판 상의 검사영역에 대해서, 노광장치에서 패턴의 전사가 개시되는 전후에 실행된다.
도 6A 및 도 6B의 개략 구성도를 참조하여, 노광장치에 내장되는 종래기술의 이물검사장치를 이하 설명한다.
검출부(20)는, 반도체 레이져(11), 집광렌즈(13), 하프 미러(14), (22) 및 이미지 센서(19a), (19b)를 가진다.
검출부(20)는, 도시되지 않은 구동부에 의해 레티클(15)에 대해서 상대적으로 구동되어 레티클(15)의 전체면에 걸쳐서 이물(17)의 검출이 가능하다.
반도체 레이져(11)로부터 사출된 검사광(12)은 집광렌즈(13)에 의해 평행광으로 정형되고, 하프 미러(14)에 의해 검사광(12a), (12b)으로 2분할된 후에, 검사광(12b)은 하프 미러(22)에 의해 반사된다.
또, 검사광(12b)은, 검사대상이 되는 레티클(15) 및 회로패턴(23)의 보호 커버인 펠리클(16) 상에 조사된다. 펠리클(16)은, 펠리클 프레임(21)에 의해 레티클 (15)에 유지된다.　
검사광(12b)의 조사영역 내에 이물(17)이 있는 경우에는, 산란광(18)이 발생하고, 이 산란광(18)은 조사영역 내에 배치된 이미지 센서(19b)에 의해 수광되어서 이물(17)이 검출된다.
설치 스페이스에 제약이 큰 노광장치에 내장되는 이물검사장치에 있어서는, 도 6A 및 도 6B에 나타내는 이물검사장치에서와 같이, 검사광(12)을 검사광(12a), (12b)으로 분할하는 하프 미러(14), (22)를 사용하여 상기 레티클(15)의 앞면과 뒷면의 모두를 검사하는 경우가 많다.
일본 특개평 11-83752호 공보에서는, 실제의 이물의 성질에 따라서 합리적으로 이물의 랭크를 설정하고, 레티클 세정이나 펠리클 대체의 필요성을 제거하고, 이물 간과의 리스크를 감소시키는 표면상태 검사방법 및 표면상태 검사장치가 제안되고 있다.
또, 일본 특개평 8-15169호 공보에서는, 레티클이나 펠리클의 표면에 부착한 먼지 등의 이물을 고정밀도로 검출할 수 있는 이물검사장치 및 그것을 이용한 반도체 디바이스의 제조방법이 제안되고 있다.
도 7A는, 레티클(15)의 단부로부터 레티클(15)의 내부에 들어간 검사광(12a)의 일부(33)가 회로패턴(23)에 의해 회절하고, 이미지 센서(19)에 회절광(34)로서 입사하고 있는 상태를 나타내고 있다.
도 7B는, 이미지 센서(19)의 출력(25)에 회절광(34)의 영향이 나타나고 있는 상태를 나타내고 있다.
검사광(12a)의 일부(33)는, 레티클(15)의 단부로부터 레티클(15)의 내부에 들어가고, 도 6에 나타낸 회로패턴영역(24) 내의 회로패턴(23)에 도달해서, 입사방향과는 반대측(레티클(15)의 아래면쪽)에 회로패턴(23)에 의한 회절광(34)을 발생기킨다. 회절광(34)이 이미지 센서(19b)에 입사하면, 이미지 센서의 출력(25)에 이물 산란광 신호(26) 및 패턴 회절광 신호(27)가 나타나서 이물(17)로서 잘못 검출된 다.
이물검사에 영향을 주는 강한 회절광(34)은 회절광(34)끼리의 간섭에 의해서 발생한다. 그 때문에, 회절광(34)의 간섭광(이하, 단지 "회절광"이라고 함)이 발생하는 방향은 예를 들면 회로패턴(23)의 반복 피치 등에 의해서 정해진다.
그 때문에, 종래기술에 있어서는, 이미지 센서(19a), (19b)의 배치를 조정하는 것에 의해서, 회절광(34)이 이미지 센서(19b)에 입사하는 것을 방지했다.
그러나, 근년, IC의 집적도가 더욱 향상하고, 회로패턴(23)이 다양화되었기 때문에, 단순히 이미지 센서(19a), (19b)의 배치의 조정만으로 모든 회절광 (34)를 회피하는 것이 어렵다.
이 때문에, 회절광(34)가 이미지 센서(19b)에 입사해서, 이물(17)로서 잘못검출되는 경우가 있다.
회절광(34)에 의한 오검출(誤檢出)이 발생했을 경우에는, 레티클(15)은 세정 공정에 보내지기 때문에, 노광장치의 가동률이 저하했다.
또, 도 7A에 도시된 종래기술에서는, 검사광(12a)이 레티클(15)의 상단부로부터 레티클(15)의 내부에 입사하는 예를 나타냈지만, 레티클(15)의 표면으로부터 입사하는 경우나, 펠리클(16)의 표면으로부터 입사하는 경우도 마찬가지이다.
본 발명은, 오검출을 저감한 이물검사장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 1측면에 따른 이물검사장치는, 피검사물의 앞면 및 뒷면에 광속을 조사하는 조사수단과; 상기 앞면으로부터의 산란광을 검출하는 제1검출수단과; 상기 뒷면으로부터의 산란광을 검출하는 제2검출수단과; 상기 제1검출수단 및 상기 제2검출수단으로부터의 출력에 근거해서 상기 앞면 및 뒷면의 이물을 검사하는 연산수단과; 상기 조사수단, 상기 제1검출수단, 상기 제2검출수단 및 상기 연산수단을 제어하는 제어수단을 가진다. 그리고, 상기 조사수단은, 상기 앞면과 뒷면중 적 어도 하나에 광속을 선택적으로 조사하고, 상기 제어수단은, 상기 앞면 및 뒷면 모두에의 광속의 동시 조사를 상기 조사수단이 하게하고, 상기 앞면 또는 뒷면에의 광속의 선택적인 조사를 상기 조사수단이 하게 하며, 상기 선택적인 광속의 조사를 받은 피검사면에 대하여, 상기 광속의 동시 조사에 응한 검출수단의 출력과 상기 광속의 선택적인 조사에 응한 출력에 근거해서 상기 연산수단이 이물을 검사하게 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 오검출을 저감한 이물검사장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 특징은, 유첨도면을 참조한 다음의 전형적인 실시예의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1을 참조하여, 본 발명의 실시예의 이물검사장치를 가지는 반도체 노광장치를 이하 설명한다.
본 실시예의 반도체 노광장치는, 반도체 분야 등에서 사용되는 레티클이나 포토 마스크 등의 노광용 원판을 사용해서, 스텝 앤드 리피트 방식에 의해 웨이퍼 상의 다수의 쇼트 영역에 회로패턴을 반복해서 전사한다.
원판인 레티클은 최초로 레티클 삽입구(1)에 놓여진다. 레티클 스테이지(2)는 투영렌즈(6)의 윗쪽에서 레티클을 유지하는 기구이다.
본 실시예에 의한 이물검사장치(3)는 레티클 상에 부착한 이물을 검사하는 장치이다. 제어장치(4)는, 후술하는 반송 로봇을 제어하고, 이물검사장치(3)에 대 해서, 레티클을 반송하거나 이물검사를 하도록 지시하며, 노광제어 등을 한다.
콘솔(5)은, 제어장치(4)에 대해서 노광에 관한 각종 파라미터를 설정하고, 노광장치의 동작 상황을 표시한다.
투영렌즈(6)은 레티클의 회로패턴으로부터 얻어지는 패턴상을 기판인 웨이퍼(8a) 상에 결상한다.
반송 로봇(7)은, 제어장치(4)로부터의 지시에 따라서 레티클을 노광장치 내의 각 부에 반송한다.
웨이퍼 스테이지(8)는, 투영렌즈(6)의 하부에서 기판인 웨이퍼(8a)를 유지한다.
광원램프(9)는, 레티클 상의 패턴을 조명해서 패턴상을 형성하고, 레티클은, 노광장치 내의 반송로(10)을 따라서 반송된다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조해서, 본 실시예의 이물검사장치(3)를 이하 설명한다.
도 2A는, 검사광(12a), (12b)의 광로 내에 설치된 차광선택수단(28)이, 레티클(15)의 상부의 피검사면에 입사하는 검사광(12a)을 차광해서, 레티클(15)의 하부의 면에 패턴 회절광이 발생하지 않는 상황에서, 검사광(12b)에 의해 레티클(15)의 하부의 면의 이물검사를 실시하고 있는 상태를 나타낸다. 반도체 레이져(11), 집광렌즈(13) 및 하프 미러(14), (22)를 가지는 조사수단(37)은, 피검사물인 레티클 (15)의 상부면(앞면) 및 하부면(뒷면)의 각각에 각 검사광(12a), (12b)를 조사한 다.
상기 조사수단(37)은 또한, 레티클(15)의 앞면 또는 뒷면에 검사광(12a), (12b)의 조사를 선택적으로 실시하는 차광선택수단(28)을 가진다.
제1검출수단인 이미지 센서(19a)는, 레티클(15)의 앞면으로부터의 산란광을 검출한다.
제2검출수단인 이미지 센서(19b)는, 레티클(15)의 뒷면으로부터의 산란광을 검출한다.
도 3A에 나타낸 연산수단(35)는, 제1검출수단인 이미지 센서(19a) 및 제2검출수단인 이미지 센서(19b)로부터의 출력에 근거해서 레티클(15)의 앞면과 뒷면의 이물(17)을 검사한다.
제어수단(36)은, 조사수단(37), 이미지 센서(19a), 이미지 센서(19b), 및 연산수단(35)를 제어한다.
도 2A, 도 2C, 도 3A 및 도 3B를 참조하여 차광선택수단(28)을 이하 설명한다.
차광선택수단(28)은, 검사광(12a), (12b)의 광로내에 설치되어 있고, 오퍼레이터의 지시 또는 과거의 검사결과에 의거해서 결정된 지시에 따라서, 제어수단 (36)에 의해 제어된다.
차광선택수단(28)은, 제어수단(36)의 제어하에서, 검사광(12a), (12b)의 입사 대상을, 레티클(15)의 앞면, 또는 레티클(15)의 뒷면, 또는 양쪽면으로부터 선택한다.
제어수단(36)은, 조사수단(37)이 레티클(15)의 앞면과 뒷면에 검사광(12a) 및 (12b)를 동시에 조사하게 하고, 또한 조사수단(37)이 상기 앞면 또는 뒷면에 검사광(12a) 및 (12b)중 하나를 선택적으로 조사하게 한다.
또, 제어수단(36)은, 선택적인 광속인 검사광(12a) 또는 (12b)의 조사를 받은 레티클(15)의 피검사면에 대응한 이미지 센서(19a) 및 이미지 센서(19b)의 적어도 한쪽에 관해서, 연산수단(35)이 이물(17)을 검사하게 한다.
보다 구체적으로는, 제어수단(36)은, 검사광(12a) (12b)의 동시 조사에 응한 출력과 검사광(12a) 또는 검사광(12b)의 선택적인 조사에 응한 출력에 근거해서 연산수단(35)이 이물(17)을 검사하게 한다.
차광선택수단(28)에 있어서는, 차광판(32)가 풀리(pulley) 겸용의 차광판 유지부재(29)에 의해 유지되어 있다.
차광판 유지부재(29)는, 벨트(31)에 의해 모터(30)와 접속되고, 모터(30)을 회전시켜서 차광판 유지부재(29)의 전체를 회전시킨다.
레티클(15)의 내부에의 침입을 방지하기 위해서 레티클(15)의 앞면(상부면)에 입사하는 검사광(12a)를 차광한다.
레티클(15)의 뒷면(하부면)에 입사하는 검사광(12b)를 차광하기 위해서는, 차광판 유지부재(29)를, 도 2C의 상태로부터 180도 회전시킨다.
차광선택수단(28)에 의해, 도 7에 나타내는 회절광(34)의 원인이 되는, 반대측의 면에 입사하는 검사광(12a) 또는 (12b)를 필요에 따라 차광하고, 이에 의해 회로패턴(23)에 의한 회절광 (34)의 영향을 받지 않는 이물(17)의 검사가 가능해진다.
본 실시예에서는, 차광선택수단(28)에 의해 레티클(15)의 앞면(상부면)에 입사하는 검사광(12a) 또는 레티클(15)의 뒷면(하부면)에 입사하는 검사광(12b)를 선택적으로 차광하는 것을 설명했지만, 예를 들면, 이하와 같이 구성해도 된다.
즉, 레티클(15)의 상부면에 검사광(12a)를 조사하는 광원인 반도체 레이져 (11) 및 광학계와, 레티클(15)의 하부면에 검사광(12b)를 조사하는 광원인 반도체 레이져 및 광학계를 별도로 설치하고, 2개의 광원을 선택적으로 동작시켜서 발광시켜도 된다.
도 3A 및 도 3B를 참조하여 본 실시예의 이물검사장치를 구성하는 연산수단 (35)를 이하 설명한다.
유지부(y1)는, 검사광(12a) 또는 (12b)의 차광을 실시하지 않는 이미지 센서(19a) 또는 (19b)의 출력신호인 이물 산란광 신호(26) 및 패턴 회절광 신호 (27)을 유지한다.
유지부(y2)는, 검사광(12a) 또는 (12b)를 차광해서 회절광(34)의 영향을 제거한 이미지 센서(19a) 또는 (19b)의 출력신호인 이물 산란광 신호(26)을 유지한 다.
유지부(y3)는, 패턴 회절광 신호(27)을 유지한다.
연산부(y4)는, 이물 산란광 신호(26)와 패턴 회절광 신호(27) 사이의 차분을 연산하고, 이 차분을 임의의 유지부에 설정한다.
이상의 구성요소에 의해, 연산수단(35)에서는 주로 이하의 처리를 실시한 다.
상기 연산수단(35)에 의해 유지부(y1)와 유지부(y2)에 유지된 신호로부터 패턴 회절광 신호(27)을 연산하고, 이 패턴 회절광 신호(27)를 유지부(y3)에 설정한다.
또는, 유지부(y1)와 유지부(y3)에 유지된 신호로부터 회절광의 영향을 제거한 이미지 센서(19a) 또는 (19b)의 출력신호인 이물 산란광 신호(26)을 연산하고, 이것을 유지부(y2)에 설정한다.
도 3B는, 유지부(y1)~(y3)에 유지되는 신호의 예를 나타낸다.
신호(z1)는, 유지부(y1)에 유지된 이물 산란광 신호(26) 및 패턴 회절광 신호(27)를 포함한다. 이들 신호는 검사광(12a) 또는 (12b)의 차광이 실시되지 않은 이미지 센서(19a) 또는 (19b)의 출력이다.
신호(z2)는, 유지부(y2)에 유지된 이물 산란광 신호(26)를 포함한다. 상기 신호는 회절광(34)의 영향을 받지 않는 이미지 센서(19a) 또는 (19b)의 출력이다.
신호(z3)는, 유지부(y3)에 유지된 패턴 회절광 신호(27)를 포함한다.
연산수단(35)에 의해, 차광시와 비차광시의 출력신호로부터 패턴 회절광 신호(27)을 연산하는 것이 가능하다.
연산한 패턴 회절광 신호(27)은 장치내에 기억되고, 같은 레티클(15)에 대한 2번째 이후의 이물검사에 있어서는, 양면 동시 검사시의 출력신호로부터 연산에 의해 패턴 회절광 신호(27)을 제거하는 것이 가능하다.
도 4를 참조하여, 본 발명의 실시예인 이물검사장치를 이용한 다른 이물검사방법을 이하 설명한다.
이 이물 검사방법에 있어서는, 검사광 (12a), (12b)를 차광 하지 않고 레티클(15)의 양면을 동시에 검사한다.
제어수단(36)은, 상기 광속(12a), (12b)의 동시 조사에 의해 얻어지는 이미지 센서(19a) 및 이미지 센서(19b)중 적어도 하나로부터의 출력의 레벨이 임계치를 넘었을 경우는, 상기 검사광(12a) 또는 (12b)의 선택적인 조사를 조사수단(37)이 하게 한다.
제어수단(36)은, 상기 출력레벨이 임계치를 넘지 않는 경우는, 상기 검사광(12a) 또는 (12b)의 선택적인 조사를 조사수단(37)이 하게 하지 않는다.
이 경우, 상기 검사광(12a) 및 (12b)의 동시 조사에 응한 이미지 센서(19a) 및 이미지 센서(19b)로부터의 각각의 출력에 근거해서 연산수단(35)이 이물(17)을 검사하게 한다.
스텝 101에서, 검사광(12a), (12b)이 레티클(15)의 앞면과 뒷면에 각각 입사한 상태에서, 조사수단(37) 및 이미지 센서(19a), (19b)를 레티클(15)에 대해서 상대 구동하는 것에 의해, 레티클(15)의 앞면과 뒷면 모두의 이물검사를 동시에 실행 한다.
스텝 102에서, 레티클(15)의 표면 모두에 대응한 이미지 센서(19a), (19b)로 부터의 출력신호 중, 검사영역 내의 출력신호의 레벨이, 본 실시예의 이물검사장치에 사전에 설정된 이물 검출레벨을 넘고 있는지의 여부를 판정한다.
양면의 출력신호의 레벨이 이물 검출레벨 이하이면, 이물검사를 종료한다.
스텝 103에서, 출력신호가 검출레벨을 넘어 버린 검사면 마다, 반대면에 입 사하고 있는 검사광을 차광한 상태에서 이물검사를 실시한다.
이 검사는 회절광의 영향을 받지 않고 검사가 가능하다.
스텝 104에서, 스텝 103에서 얻은, 회절광의 영향을 받지 않은 출력신호를 이용해서 이물의 위치와 크기를 산출해서 출력한다.
본 이물검사방법에 따르면, 오퍼레이터의 의식에 관계없이, 필요한 경우에만 자동적으로 오검출을 회피하기 위한 오검출 회피검사를 실행하기 때문에, 노광장치의 가동률을 최대한으로 높이는 것이 가능해진다.
도 5를 참조하여 본 발명의 실시예의 이물검사장치(3)를 이용한 또 다른 이물검사방법을 이하 설명한다.
이 검사방법에 있어서는, 양면 검사와 오검출 회피검사에 있어서 이미지 센서로부터 출력된 신호 사이의 차분으로부터, 패턴 회절광에 의한 신호 성분을 산출하고, 이 신호성분을 장치 내에 기억한다.
다음에, 동일한 레티클(15)에 대한 2번째 이후의 검사시에, 양면 검사에 있어서의 출력신호분으로부터, 패턴 회절광에 의한 신호 성분을 연산에 의해 제거하는 것에 의해, 오검출 회피검사를 실시하지 않고 패턴 회절광의 영향을 제거한다.
즉, 패턴 회절광을 피하기 위해서 반대면에 입사하는 검사광(12a) 또는 (12b)를 차광한 상태에서 한 면만에 오검출 회피검사를 실시하며, 이 오검출 회피검사는 양면 검사 후에 필요한 경우에만 자동으로 실행한다.
연산수단(35)은, 검사광(12a) 및 (12b)의 동시 조사에 응한 출력과 검사광 (12a) 또는 (12b)의 선택적인 조사에 응한 출력 사이의 차이를 산출하고, 이것을 기억한다. 또, 연산수단(35)은 피검사물의 이후의 검사에 있어서 검사광(12a) 또는 (12b)의 선택적인 조사를 조사수단(37)이 하지 않도록 한다.
이 경우, 검사광(12a), (12b)의 동시 조사를 조사수단(37)이 하게 하고, 검사광(12a), (12b)의 동시 조사에 응한 출력 중 적어도 한쪽의 출력으로부터 상기 차이를 차감하여 이물(17)을 검사한다.
스텝 201에서, 검사광(12a), (12b)이 레티클(15)의 앞면 및 뒷면에 각각 입사한 상태에서, 검출부를 레티클(15)에 대해서 상대 구동하는 것에 의해, 레티클 (15)의 양면에 대한 이물검사를 동시에 실행한다.
스텝 202에서, 레티클(15)을 본 실시예의 이물검사장치(3)로 미리 검사하였을 경우에는, 스텝 206으로 진행한다.
스텝 203에서, 레티클(15)의 양쪽 표면에 해당하는 검사영역 내에 있어서의이미지 센서(19a), (19b)의 출력신호 레벨이, 이물검사장치(3)에 미리 설정된 이물 검출레벨을 넘고 있는지의 여부를 판정한다.
양쪽의 이미지 센서(19a), (19b)의 출력신호가 이물 검출레벨 이하이면, 이물검사를 종료한다.
스텝 204에서, 이미지 센서(19a) 또는 (19b)의 출력신호가 검출레벨을 넘어버린 검사면 마다, 반대면에 입사하는 검사광을 차광한 상태에서 이물검사를 실시한다.
이 검사는 회절광의 영향을 받지 않고 검사가 가능하다.
스텝 205에서, 양면 검사와 오검출 회피검사에 있어서의 이미지 센서의 출력 신호로부터 회절광 신호를 산출하고, 다음 번 이후의 검사에 있어서 연산에 의해 제거하기 위해서 연산수단(35)에 유지한다.
스텝 206에서, 이전의 검사시에 회절광 신호가 유지되어 있지 않은 경우는, 이물검사에 영향을 주는 회절광이 발생하고 있지 않기 때문에, 스텝 208로 진행한다.
스텝 207에서, 양면 검사시의 출력신호로부터 이전의 검사시에 유지된 회절광 신호를 연산에 의해 제거한다.
스텝 208에서, 스텝 201 또는 스텝 204의 검사결과, 또는 스텝 207의 연산 결과에 의거해서 이물(17)의 위치와 크기를 산출해서 출력한다.
이 이물검사법에 따르면, 동일한 레티클(15)에 대한 2번째 이후의 이물검사에 있어서는, 오검출 회피검사가 불필요해져서 검사시간을 최소한으로 할 수가 있다.
(디바이스 제조방법)
디바이스(예를 들면, 반도체 집적회로 소자, 액정 표시 소자 등)는, 상술한 몇개의 실시예에 따른 노광장치를 사용해서, 감광제를 도포한 기판(예를 들면, 웨이퍼, 유리 플레이트 등)을 노광하는 공정과, 그 기판을 현상하는 공정과, 다른 주지의 공정을 거치는 것에 의해 제조된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 예를 들면, 오검출을 저감한 이물검사장치를 제공할 수 있다.
본 발명을 전형적인 실시예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 전 형적인 실시예로 한정되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다음의 청구의 범위는 모든 변형과, 등가의 구성 및 기능을 모두 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 노광장치의 전체 구성도;
도 2A는 본 발명의 실시예에 의한 이물검사장치의 구성도;
도 2B는 이미지 센서로부터의 출력을 나타내는 도면;
도 2C는 차광선택부를 나타내는 도면;
도 3A는 본 발명의 실시예에 의한 이물검사장치의 부분 구성도;
도 3B는 유지부에 유지된 선호의 예를 나타낸 도면;
도 4는 본 발명의 실시예의 처리 플로우 차트;
도 5는 본 발명의 실시예의 다른 처리 플로우 차트;
도 6A 및 도 6B는 종래기술의 이물검사장치의 개략 구성도;
도 7A 및 도 7B는 종래기술의 패턴 회절광의 발생 원리 설명도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
2: 레티클 스테이지 3: 이물검사장치
4: 제어장치 5: 콘솔
8: 웨이퍼 스테이지 8a: 웨이퍼
12a, 12b: 검사광 15: 레티클
17: 이물 19a, 19b: 이미지 센서
28: 차광선택수단 34: 회절광
35: 연산수단 36: 제어수단
37: 조사수단

Claims (8)

  1. 피검사물의 앞면과 뒷면의 각각에 광속을 조사하는 조사수단과;
    상기 앞면으로부터의 산란광을 검출하는 제1검출수단과;
    상기 뒷면으로부터의 산란광을 검출하는 제2검출수단과;
    상기 제1검출수단 및 상기 제2검출수단으로부터의 출력에 근거해서 상기 앞면 및 뒷면의 이물을 검사하는 연산수단과;
    상기 조사수단, 상기 제1검출수단, 상기 제2검출수단 및 상기 연산수단을 제어하는 제어수단을 가지는 이물검사장치로서,
    상기 조사수단은, 상기 앞면과 상기 뒷면중 적어도 하나에 광속을 선택적으로 조사하고,
    상기 제어수단은, 상기 앞면 및 상기 뒷면에의 광속의 동시 조사를 상기 조사수단이 실시하게 하고, 상기 앞면 또는 상기 뒷면에의 상기 광속의 선택적인 조사를 상기 조사수단이 실시하게 하며, 상기 선택적인 광속의 조사를 받은 피검사면에 대하여 상기 광속의 동시 조사 및 선택적인 조사에 응한 검출수단의 출력에 근거해서 상기 연산수단이 이물을 검사하게 하는 것을 특징으로 하는 이물검사장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조사수단은, 상기 앞면과 뒷면 중 적어도 하나에 조사된 광속을 선택적으로 차광하는 차광선택수단을 가지는 것을 특징으로 하는 이물검사장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 광속의 동시 조사에 응한 상기 제1검출수단 및 상기 제2검출수단의 적어도 한 쪽의 출력의 레벨이 임계치를 넘었을 경우는, 상기 광속의 선택적인 조사를 상기 조사수단이 하게 하고, 상기 레벨이 상기 임계치를 넘지 않은 경우는, 상기 광속의 선택적인 조사를 상기 조사수단이 하지 않게 하고, 상기 광속의 동시 조사에 응한 상기 제1검출수단 및 상기 제2검출수단으로부터의 출력에 근거해서 상기 연산수단이 이물을 검사하게 하는 것을 특징으로 하는 이물검사장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 연산수단은, 상기 광속의 동시 조사에 응한 출력과 상기 광속의 선택적인 조사에 응한 출력 사이의 차이를 산출해서 기억하고, 상기 제어수단은, 상기 피검사물의 이후의 검사시에는 상기 광속의 선택적인 조사를 하지 않고 상기 광속의 동시 조사를 상기 조사수단이 실시하게 하며, 상기 연산수단은, 상기 동시 조사에 응한 상기 검출수단 중 적어도 한 쪽의 출력으로부터 상기 차이를 차감해서 이물을 검사하는 것을 특징으로 하는 이물검사장치.
  5. 원판을 개재해서 기판을 노광하는 노광장치로서, 제1항 내지 제4항에 기재된 이물검사장치를 포함하고, 상기 이물검사장치는 상기 원판을 피검사물인 상기 원판 의 이물을 검사하는 것을 특징으로 하는 노광장치 .
  6. 제5항에 있어서,
    상기 원판은 펠리클을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제5항에 기재된 노광장치를 이용해서 기판을 노광하는 공정과;
    상기 노광된 기판을 현상하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  8. 피검사물의 앞면 및 뒷면의 이물을 검사하는 이물검사장치로서,
    상기 앞면과 뒷면중 적어도 하나에 선택적으로 광속을 조사하는 조사수단과;
    상기 앞면 및 뒷면으로부터의 산란광을 검출하는 제1 및 제2검출수단과;
    상기 제1 및 제2검출수단으로부터의 출력에 근거해서 상기 앞면 및 뒷면의 이물을 검사하는 연산수단과;
    상기 앞면 및 뒷면에의 광속의 동시 조사를 상기 조사수단이 하게 하고, 상기 앞면 또는 뒷면에의 선택적인 광속의 조사를 상기 조사수단이 하게 하며, 상기 선택적인 광속의 조사를 받은 피검사면에 대해서, 상기 광속의 동시 조사에 응한 출력과 상기 광속의 선택적인 조사에 응한 출력에 근거해서 상기 연산수단이 이물을 검사하게 하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 이물검사장치.
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