KR20090082233A - 유기 발광 다이오드 장치 - Google Patents

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KR20090082233A
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light
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optical sensor
sensor
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한스-페테르 로에블
볼프강 오토 부드
디에트리히 베르트람
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코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

본 발명은 담체로서 기판 재료(10)를 포함하는 유기 발광 다이오드 장치(1)에 관한 것이며, 기판 재료는 하부 전극 층(11), 발광을 위한 적어도 하나의 방출 재료 층(12) 및 상부 전극 층(13)에 의해 코팅 및/또는 중첩되며, 상부 전극 층(13)은 방출 광을 기판 재료(10)를 통하여 전달하기 위해 광 반사성을 특징으로 하며, 상기 장치(1)는 방출 광의 광도를 검출하기 위한 광 센서(14)를 포함한다.
유기 발광 다이오드, 기판 재료, 광 센서, 홀, 전기 리드

Description

유기 발광 다이오드 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE}
본 발명은 하부 전극층(lower electrode layer)에 의해 코딩 및/또는 중첩(superimpose)된 담체(carrier)로서 기판 재료, 발광을 위한 적어도 하나의 방출 재료 층 및 상부 전극층(upper electrode layer)을 포함하는 유기 발광 다이오드 장치에 관한 것이며, 상기 장치는 방출 광의 광도(luminous intensity)를 검출하기 위한 광 센서를 포함한다.
최근 몇 년 동안, 유기 발광 다이오드(OLED;organic light emitting diodes)는 우수한 평면-패널 시스템으로서 매우 주목받고 있다. 이 평면-패널 시스템은 유기 재료의 박막을 통과하는 전류를 사용하여 광을 생성한다. 방출 광의 컬러와, 전류에서 광으로의 에너지 변환 효율은 유기 박막 재료의 조성에 의해 결정된다. 따라서, OLED는 담체부로서 사용되는 기판 재료를 포함하고, 상기 기판 재료는 상부-방출형 OLED의 경우에 금속 포일(metal foils) 등의 불투과성(non-transmittive) 재료로부터 또는 유리(glass) 또는 유기 재료로부터 만들어질 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드는 대략 100nm의 층 두께의 유기 재료를 갖는 매우 박층, 또는 전기 전도성이 있고 광학적으로 투명한 산화물(optically transparent oxide)로 피복된 유리 기판으로 이루어진다. 이런 유기 층은 통상적으로 ITO(Indium-Tin-Oxide)로서 기능한다.
통상적으로, 하나의 전극 층은 애노드 층(anode layer)으로서 기능하고, 하나의 전극 층은 캐소드 층(cathode layer)으로서 기능한다. ITO 재료 층에 의해 형성되는 애노드 층은 기판 재료에 인접하여 배치된다. 다음 층은 전체 장치의 활성 광 방출부를 형성하는 복수의 서로 다른 층으로서 기능하는 방출 재료 층이다. 방출 재료 층의 상부에는 캐소드 층을 형성하는 상부 전극층이 퇴적(deposit)된다. 전극 층들의 관련 재료에 따라, 애노드 층은 상기 ITO-층으로 만들어지는 것이 바람직하고, 캐소드 층은 알루미늄 층으로 구현되며, 알루미늄 층은 대략 100nm 두께, 따라서 ITO-층(ITO=Indium Tin Oxide)과 마찬가지의 두께를 특징으로 한다. 각 층의 두께에 따라서, 또한 재료 조성에 따라서, 방출 재료 층에 의해 방출되는 광은 하부 전극 층 또는 상부 전극 층(상부 방출)을 통과하여 장치를 떠난다. 따라서, 방출 광은 기판 재료를 통과할 수 있고, 상부 전극 층은 미러(mirror)를 형성한다. 이 경우, ITO-층은 투명하다. 다른 방법으로, 캐소드 금속이 충분히 얇아 부분적으로 투명하게 되는 것이 가능하여, 방출 광의 일부가 또한 캐소드를 통해 전달될 수 있다. 다른 실시예에서, 캐소드는 광을 반사시키는 두꺼운 알루미늄 층으로 이루어지는 유리 기판상에 위치된다. 이어서 유기 전달 및 방출 층(the organic transport and emission layer)이 퇴적되고, 애노드가 적층물 상부에 위치될 수 있다. 이 애노드는 광의 투과를 강화하는 광학 층을 갖는 얇은 실버 필름(thin Silver film)(반투명(semitransparent))으로 이루어질 수 있다. 광학 층(선택적임)은 ZnSe 또는 ZnS, 또는 유사한 광학 특성을 갖는 재료로부터 형성될 수 있다.
예컨대 ITO(Indium-Tin-Oxide) 층인 애노드 층과 알루미늄 층과 같은 캐소드 층 사이에는 방출 재료 층을 형성하는 수개의 기능 층(functional layers)이 배치된다. 이들 층은 형광성(fluorescent) 및/또는 인광성(phosphorescent) 에미터 층들, 홀 차단 층(hole blocking layer), 전자 전달 층(electron transport layer), 홀 전달 층(hole transporting layer) 및/또는 부가적으로 홀 주입 층(hole injection layer) 및/또는 부가적으로 전자 주입 층(electron injection layer)에 관한 것일 수 있고, 이들 층은 대략 5nm 내지 100nm의 두께를 특징으로 한다. OLED는 또한 전술된 바와 같이 OLED의 적층물(a stack of OLEDs)로 이루어질 수 있고, 이는 ITO 또는 금속 박막 등의 도전 층에 의해, 또는 p-도핑 층과 n-도핑 층(이들 사이에 장벽 층(barrier layer)이 있거나 없음)으로 이루어지는 소위 전하 발생 층(charge generation layers)에 의해 분리된다. 적층(the layers stack)에 따라, 알루미늄 캐소드를 통과함으로써 방출되는 상부 방출, 또는 ITO-층을 통해 광을 전달함으로써 방출되는 하부 방출은 서로 다른 유형의 유기 방출 다이오드를 나타낼 수 있다.
유기 발광 다이오드의 수명 동안, 방출 광의 루미넌스 레벨(luminance level)은 소정의 동작 전압만큼 감소할 수 있다. 에이징 효과(aging effects)를 보상하고 루미넌스 레벨을 수명 내내 일정하게 유지하기 위해, 인가 전압을 증가시키는 피드백 루트가 필요로 된다. 이런 피드백 루프는 유기 발광 다이오드에 의해 방출되는 출력 광을 측정하는 감지 소자를 필요로 한다. 특히, 유기 발광 다이오 드 장치가 각각이 방출 타일(emitting tile)을 형성하는 복수의 장치 내에 배치되는 경우, 개별 타일의 밝기 레벨을 제어하는 것은, 대규모 발광 영역의 균질한 외관(a homogeneous appearance of the large area of emitting light)이 요구될 때, 중요하다. 광 타일들(light tiles)은 또한 고의적으로 비균질한 광 효과를 달성할 수 있는 방식으로 조정(steer)될 수 있다. 또한 광의 컬러 포인트(color point)가 제어 또는 가변되는 OLED 응용들에서는 광-감지 소자의 사용이 필요로 된다.
특허 출원 공개 US 2003/0047736 A1은 발광 소자로부터 방출된 광의 광도를 검출하기 위한 광 센서를 포함하는 유기 발광 다이오드 장치를 개시한다. 발광 소자는 반사 층(reflective layer)으로서 기능하는 하부 전극(lower electrode), 및 투광성(light transparency)을 갖는 상부 전극 층을 포함하며, 하부 전극 층과 상부 전극 층 사이에는 발광 층이 배치된다. 광 센서는 상부 전극 층을 통과하는 방출 광을 검출하기 위해 투명한 상부 전극 층의 상부에 배치된다.
실제로, 방출 광의 강도를 검출하는 것은 가능하지만, 불행히도 광 센서는 OLED 장치의 방출 필드(emitting field) 내에 배치된다. 발광 필드(light emitting field) 내에 광 센서를 배치하는 것으로 인해, 광 센서는 어두운 영역 또는 어두운 지점(dark spot)으로 나타날 수 있다. 방출 필드 내의 어두운 영역 또는 어두운 지점의 외관으로 인해, 전체 장치의 균질한 방출 외관이 악영향을 받는다.
장치가 복수의 방출 장치의 배치에서 방출 타일로 형성되는 경우, 방출 타일 각각은 어두운 지점을 포함한다. 또한, 광도 정보가 광 센서로부터 전류 또는 전압의 형태로 공급되었는지의 여부를 스위칭하는 광 센서 스위칭 소자가 개시된 OLED 시스템에 따라 필요하다. 스위칭 소자는 OLED의 활성층에 인접하여 배치되고, 하나의 장치 다음에 다른 하나의 장치가 일종의 행렬로 배치되는 복수의 장치에 의해 방출되는 발광 필드의 균질한 외관을 방해(obstruct)한다. 또한, 광 센서의 전기적 접촉(contacting)은 문제를 일으키기 쉬운데, 왜냐하면 전기적 접촉이 단지 스위칭 소자에 의해서 실현되기 때문이다.
따라서, 본 발명은 전술된 단점들을 제거하는 목적을 가진다. 특히, 본 발명의 목적은, 수명 내내 루미넌스에 있어서 높은 평탄도(high evenness)를 특징으로 하는 유기 발광 다이오드를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 균질한 발광 외관을 특징으로 하는 복수의 장치에서 방출 타일로 배치되어 기능하는 발광 다이오드 장치를 제공하는 것이다.
이런 목적은 본 발명의 청구항 1에 의해 교시되는 바와 같은 유기 발광 다이오드 장치에 의해 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 종속항들에 의해 규정된다.
본 발명은 상부 전극 층이 기판 재료를 통하여 방출 광을 전달하기 위해 광 반사성을 특징으로 하는 것을 개시한다. 따라서, 광 센서는 OLED 장치의 방출 필드 내에 나타나지 않는다. 광은 하부 전극 층과 기판 재료를 통과하는데, 왜냐하면 상부 전극 층이 미러로 기능하기 때문이다. 이런 장점은 오로지 하부 방출 OLED와 상기 광 센서를 결합함으로써 달성될 수 있다. 하부 방출은 하부 전극 층과 기판 재료를 통과함으로써 광의 방출을 기술한다.
바람직한 실시예로서, 광 센서가 상부 전극 층 위에 배치된다. 광 센서를 상부 전극 층 위에 인가(apply)함으로써, 광 센서는 방출 광의 전파를 방해하지 않는다. 광은 방출 재료 층으로부터 하부 전극 층을 통해서 따라서 기판 재료를 통해서 전파될 수 있으며, 광 센서가 방출 필드 내의 어두운 지점 또는 어두운 영역으로 나타나지 않는다는 장점이 획득된다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 상부 전극 층은 방출 광을 광 센서 내에 전달하기 위해 광 센서 아래에 형성되는 홀(hole)을 특징으로 한다. 상부 전극 층 내에 홀을 형성함으로써, 홀 영역은 미러 효과를 갖지 않으며, 방출 재료 층의 방출 광이 기판 재료 쪽으로 반사되지 않는다. 반사되지 않는 광은 홀을 통과하고, 광 센서를 조명한다.
유익하게도, 광 센서는 활성 광 영역(active optical area)을 포함하고, 방출 광은 상기 홀을 통과함으로써 상기 활성 광 영역을 조명한다. 홀은 0,05 내지 2mm의 직경, 바람직하게는 0,07 내지 1,5mm의 직경, 가장 바람직하게는 0,1 내지 0,5mm의 직경을 특징으로 할 수 있다. 마찬가지로, 장방형(oblong) 또는 서로 다른 임의의 홀 모양이 가능하다. 홀이 작을수록, 비-반사성 영역으로서 전체 방출 필드에서 홀이 더 적게 나타난다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 광 센서는 광 센서로의 제1 전기적 접촉을 제공하는 적어도 하나의 전기 리드(electrical lead)를 포함하고, 반면에 제2 전기적 접촉은 상부 전극 층 자체에 의해 형성된다. 상부 전기 층은 도전 재료로 만들어져, 상부 전극 층에 의하여 광 센서에 접촉하는 것이 가능하다. 제2 접촉은 리드, 접촉 핀, 또는 광 센서의 상부면 상의 접촉 패드에 의해 형성된다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 기판 재료는 측면에 의해 경계가 지워지고, 상기 광 센서는 측면에 배치된다. 기판 재료는 적어도 4개의 측면에 의해 경계가 지워지는 장방형 또는 정방형(quadrate) 담체부의 형태를 갖는다. 방출 광이 기판 재료를 통과하는 경우, 방출 광의 일부는 유리 또는 플라스틱 재료로 기능하는 기판 재료 내에서 안내(guide)되기 때문에, 광은 측면에 도달한다. 광의 안내는 기판 재료 내의 내부 반사에 의해 일어나고, 측면을 향하여 전파된다.
센서의 광 영역은 측면을 향하여 배치되고, 방출 광은 활성 광 영역을 조명하게 된다. 광 센서의 전기적 접촉은 2개의 전기 리드에 의해 실현되는데, 왜냐하면 기판 재료가 전기적으로 도전성이 없어, 센서로의 전기적 접촉으로서 사용될 수 없기 때문이다. 하지만, 리드의 배치는 측면을 따라 얇은 스트립 컨덕터(thin strip conductors)로서 제공될 수 있으며, 광 센서는 장치를 방출 타일로 기능하는 데 방해가 되지 않는다.
본 장치의 또 다른 실시예는 하부 전극 층과 방출 재료 층 사이에 광 센서를 배치하는 경우에 보일 수 있다. 따라서, 광 센서는 제1 전극 층의 상부 표면에 장착된 장치로 구현된다. 센서의 활성 영역은 OLED의 유기 발광 층을 향하여 지향된다(directed). 서로 다른 코팅 공정을 가함으로써, 기판 재료의 상부의 제1 코팅에는 하부 전극 층이 포함되며, 하부 전극 층의 상부면에 광 센서를 인가하는 것이 뒤따른다. 그 다음에, 방출 재료 층이 광 센서 및 하부 전극 층의 상부면에 도포되고, 이는 하부 전극 층상의 방출 재료 층과 광 센서의 표면 간의 평활하게 인터럽트되지 않는 전이를 형성한다(forms a smoothly and uninterrupted transition between the emitting material layer on the lower electrode layer to the surface of the light sensor). 따라서, 광 센서의 활성 광 영역은 방출 재료 층을 향하여 배치된다. 광 센서의 상부면의 방출 재료 층에 의해 방출된 광을 측정하는 것에 의해, 전체 방출 필드의 루미넌스 레벨에 대한 신뢰성있는 정보가 가능하게 된다.
유익하게도, 하부 전극 층은 전극 층 내의 적어도 2개의 전기적으로 분리된 영역으로 인해 상기 광 센서가 하부 전극 층에 의해 전기적으로 접촉된다는 것으로 패턴화된다. 패턴화된 하부 전극 층은 측정 전류 또는 측정 전압을 광 센서로 공급할 수 있는 전기적으로 분리된 영역을 포함한다. 광 센서와 하부 전극 층 간에 전기적 접촉은 광 센서와 하부 전극 층 간의 도전성 접합제(conductive gluing) 또는 솔더링 볼드(soldering bolds)에 의해 실현될 수 있다. 따라서, 하부 전극 층의 전기적으로 분리된 제1 부분은 제1 전기적 접촉 및 하부 전극 층의 전기적으로 분리된 제2 부분을 형성할 수 있고, 제2 부분은 실제 애노드 층을 형성하고 광 센서의 제2 전기적 접촉을 형성한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는, 적어도 하나의 층 및/또는 기판 재료 위에 솔더링 볼을 인가함으로써 접합 및/또는 솔더링되는 광 센서를 포함한다. 접합은 전기 도전성 접합제를 가함으로써 전기적 접촉부를 포함할 수 있다. 광 센서를 적어도 하나의 층 위에 솔더링하는 것은, 광 센서가 층 상부면에 솔더링되기 때문에, 일종의 표면 실장형 장치를 형성한다. 광 센서는 활성 광 영역으로 기능하는 적어도 하나의 포토다이오드(photodiode)를 포함한다. 적어도 하나의 포토다이오드의 광 감지면은 광 센서 몸체(light sensor body)의 상부면 또는 하부면을 향하여 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는 균질한 루미넌스 레벨로 광을 방출할 수 있는 복수의 타일의 행렬을 형성하는 복수의 장치들의 배치에서 방출 타일로 형성되는 OLED 장치를 제공한다.
본 발명의 목적의 장점, 특징, 및 추가적인 상세는 종속항들에 개시되어 있으며, 각각의 도면 - 단지 예시적 방식으로 도시됨 - 에 대한 하기의 설명은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하며, 첨부 도면들과 관련하여 기술될 것이다.
도 1은 상부 전극 층의 반대측에 배치된 광 센서를 갖는 유기 발광 다이오드를 측 단면도로 도시.
도 2는 기판 재료의 측면에 배치된 광 센서를 도시.
도 3은 하부 전극 층과 방출 재료 층 사이에 광 센서를 배치하는 것에 대한 다른 실시예를 도시.
도 4는 도 3에 따른 광 센서 배치의 상부도.
유기 발광 다이오드 장치(1)는 측 단면도로 도시되어 있다. 하부에는 1 mm 내지 2 mm의 두께를 특징으로 할 수 있는, 유리 또는 합성(synthetic) 재료를 포함 하는 기판 재료(10)가 도시되어 있다. 기판 재료(10)의 상부면에는 투명한 ITO-애노드 층(a transparent ITO-anode layer)일 수 있는 하부 전극 층(lower electrode layer)(11)이 퇴적된다.
하부 전극 층(11) 상에는 수개의 기능 층(functional layer)으로 이루어진 방출 층(emitting layer)(12)이 퇴적되며, 기능 층은 홀 주입 층, 홀 투과 층(hole transparent layer), 방출 층 - 방출 층은 형광성 및/또는 인광성 에미터 층으로 기능할 수 있음 - , 홀 차단 층, 전자 전달 층, 홀 전달 층 및/또는 부가적으로 전자 주입 층, 및/또는 부가적으로 홀 주입 층일 수 있으며, 이들 층은 대략 5nm 내지 100nm의 두께를 특징으로 할 수 있다. 최종 층은 알루미늄 층 또는 실버 층으로 기능할 수 있고 캐소드 층을 형성하는 상부 전극 층(upper electrode layer)(13)이다. 상부 전극 층(13)은 방출 광의 고 반사성을 특징으로 한다. 따라서, 방출 재료 층(12)에 의해 방출된 광은 상부 전극 층(13)에서 반사되어 기판 재료(10)를 향하여 전파된다.
상부 전극 층(13)의 상부에는 광 센서(14)가 인가된다. 방출 광이 상부 전극 층(13)을 통과하게 하기 위해서, 홀(15)이 상부 전극 층(13)에서 기능한다. 홀(15)은 0,1 내지 0,5mm의 직경을 특징으로 할 수 있고, 광 센서(14)는 홀(15) 내에 드문드문 배치된다. 광 센서(14)는 활성 광 영역(active optical area)(16)을 포함하고, 홀(15)을 통과하는 광은 활성 광 영역(16)을 조명할 수 있고, 활성 광 영역(16)은 포토다이오드로 기능할 수 있다.
광 센서(14)의 전기적 접촉은 전기 리드(17)에 의해 실현될 수 있고, 전기 리드(17)는 제1 전기적 접촉을 광 센서(14)에 제공한다. 제2 전기 센서는 상부 전극 층(14)에 의해 단독으로 형성된다. 광 센서는 에이징 효과를 보상하고 유기 발광 다이오드 장치(1)의 서비스 시간 전체에 걸쳐 루미넌스 레벨을 일정하게 유지하기 위해 전기적인 피드백 루프 내에 통합된다(피드백 루프는 도시 생략).
도 2는 다른 배치의 광 센서(14)를 갖는 유기 발광 다이오드(1)를 도시한다. 광 센서(14)는 기판 재료(10)의 측 경계부를 형성하는 측면(18)에 인가된다. 센서(14)는 측면(18)에 접합되고, 기판 재료를 통과하는 방출 광은 굴절(fraction)을 특징으로 하여, 방출 광은 전반사(total internal reflection)에 의해 기판 재료(10) 내에서 안내되어 측면(18)에 도달할 것이므로, 광 센서(14)의 활성 광 영역(16) 내에 전파될 수 있다. 광 센서(14)의 전기적 접촉을 제공하기 위해서, 센서는 센서(14)의 양측에 2개의 핀으로 도시된 2개의 전기 리드(17)를 포함한다. 이들 2개의 전기 리드(17)는 단지 예시적 방식으로 도시되어 있을 뿐이며, 다른 대안으로서 기판 재료(10)의 측면(18)에서 도전성 스트립으로 기능할 수 있다.
광 센서(14) 배치에 대한 다른 실시예는 도 3에 도시되어 있다. 도 3은 하부 전극 층(11)과 방출 재료 층(12) 사이에 배치된 광 센서를 갖는 유기 발광 다이오드 장치(1)를 도시한다. 이런 배치에 따르면, 광 센서(14)는 하부 전극 층(11)에 장착된 표면 실장형 장치로 기능한다. 통상적으로, 층들(11 내지 13)은 PVD-, CVD- 또는 유사한 방법으로 기판 재료(10) 위에 퇴적되며, 광 센서(14)의 인가는 하부 전극 층(11)의 퇴적 단계와 방출 재료 층(12)의 퇴적 단계 사이에 행해질 수 있다. 광 센서(14)의 배치로 인해, 방출 재료 층(12) 및 상부 전극 층(13)은 광 센서(14)를 통과하거나 또는 레이 오버(lay over)하기 위해 일종의 장애물(obstacle)을 특징으로 한다. 광 센서(14)의 상부의 방출 재료 층(12)의 방출 거동은 전체 방출 재료 층(12)의 방출 거동과 유사하며, 루미넌스 레벨의 측정은 임의의 서로 다른 배치로 광 센서(14)를 인가하는 것과 마찬가지로 신뢰성이 있다. 하부 전극 층(11)의 상부에 광 센서(14)를 배치하는 것으로 인해, 하부 전극 층(11)은 광 센서(14)가 하부 전극 층(11)에 의해 전기적으로 접촉되는 것에 의해 패턴화될 수 있다. 패턴화는 하부 전극 층(11)을 광 센서(14)를 접촉하기 위한 적어도 두 영역으로 전기적으로 분리하는 것으로 수행될 수 있다.
도 4는 도 3에 따른 광 센서(14) 배치에 대한 상부도를 도시한다. 광 센서(14)는 방출 광에 의해 조명되는 활성 광 영역(16)을 포함한다. 하부 전극 층(11)은 전체 하부 전극 층(11) 및 광 센서(14)의 좌측에 패턴화된 부분으로 분할된다. 광 센서(14)는 하부 전극 층(11)의 양쪽 부분들에 전기적으로 접촉되며, 전술된 바와 같이 하부 전극 층(11)에 접촉함으로써 전기적으로 접촉될 수 있다.
본 발명은 단지 예시적으로 나타내어진 전술된 실시예에 의해 제한되는 것이 아니며, 첨부된 특허 청구항들에 의해 규정되는 보호의 범위 내에서 다양한 방식으로 변경될 수 있다. 따라서, 본 발명은 특히 OLED-장치 및/또는 광 센서(14) 장치의 설계에 대한 여러 실시예들에도 적용될 수 있다. 다른 실시예는 광 센서(14)를 기판 재료 층(10)의 상부에 인가하는 것으로 도시될 수 있으며, 하부 전극 층(11), 방출 재료 층(12) 및 상부 전극 층(13)이 기판 재료 층(10)에 뒤따른다. 따라서, 광 센서(14)는 패턴화된 하부 전극 층(11)에 의해 전기적으로 접촉될 수 있고, 센 서(14)의 접촉부는 방출 재료 층(12)을 향하여 배치된 활성 광 영역(16)과 동일한 측면에 배치된다.
부호 목록
1 유기 발광 다이오드 장치
10 기판 재료
11 하부 전극 층
12 방출 재료 층
13 상부 전극 층
14 광 센서
15 홀
16 활성 광 영역
17 전기 리드
18 측면
19 장애물

Claims (12)

  1. 담체(carrier)로서 기판 재료(substrate material)(10)를 포함하는 유기 발광 다이오드 장치(organic light emitting diode device)(1)로서,
    상기 기판 재료(10)는 하부 전극 층(lower electrode layer)(11), 발광을 위한 적어도 하나의 방출 재료 층(emitting material layer)(12), 및 상부 전극 층(upper electrode layer)(13)에 의해 코팅 및/또는 중첩(superimpose)되고, 상기 상부 전극 층(13)은 상기 기판 재료(10)를 통하여 방출 광을 전달(pass)하기 위해 광 반사성(light reflectance)을 특징으로 하며, 상기 장치(1)는 방출 광의 광도(luminous intensity)를 검출하기 위한 광 센서(light sensor)(14)를 포함하는, 유기 발광 다이오드 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광 센서(14)는 상기 상부 전극 층(13) 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 상부 전극 층(13)은 홀(hole)(15)을 특징으로 하고, 상기 홀은 상기 방출 광을 상기 광 센서(14) 내에 전달하기 위해 상기 광 센서(14) 아래에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광 센서(14)는 활성 광 영역(active optical area)(16)을 포함하고, 상기 방출 광은 상기 홀(15)을 통하여 상기 활성 광 영역(16)을 조명하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 센서(14)는 상기 광 센서(14)에 대한 제1 전기적 접촉(first electrical contact)을 제공하는 적어도 하나의 전기 리드(electrical lead)(17)를 포함하며, 제2 전기적 접촉은 상기 상부 전극 층(13)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판 재료(10)는 측면(lateral face)(18)에 의해 경계가 지워지고, 상기 광 센서(14)는 상기 측면(18) 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  7. 제1항에 있어서,
    상기 광 센서(14)는 상기 하부 전극 층(11)과 상기 방출 재료 층(12) 사이에 배치되고, 따라서 상기 광 센서(14)는 표면 실장형 장치(surface mounted device) 로 구현되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  8. 제7항에 있어서,
    상기 하부 전극 층(11)은, 상기 광 센서(14)가 상기 하부 전극 층(11) 내의 적어도 2개의 전기적으로 분리된 영역으로 인해 상기 하부 전극 층(11)에 의해 전기적으로 접촉되는 것에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 활성 광 영역(16)은 상기 방출 재료 층(12)을 향하여 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 센서(14)는 적어도 하나의 층(11, 13) 및/또는 상기 기판 재료(10) 위에 접합(gluing) 및/또는 솔더링(soldering)되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 센서(14)는 적어도 하나의 포토다이오드(photodiode)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치(1)는 복수의 장치(1)의 배치(a arrangement of a plurality of devices)에서 방출 타일(emitting tile)로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 장치(1).
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