KR20130012464A - 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130012464A
KR20130012464A KR1020110073700A KR20110073700A KR20130012464A KR 20130012464 A KR20130012464 A KR 20130012464A KR 1020110073700 A KR1020110073700 A KR 1020110073700A KR 20110073700 A KR20110073700 A KR 20110073700A KR 20130012464 A KR20130012464 A KR 20130012464A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
refractive index
substrate
control layer
light emitting
organic light
Prior art date
Application number
KR1020110073700A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101317276B1 (ko
Inventor
이종람
김성준
홍기현
유학기
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Priority to KR1020110073700A priority Critical patent/KR101317276B1/ko
Publication of KR20130012464A publication Critical patent/KR20130012464A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101317276B1 publication Critical patent/KR101317276B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드용 기판은, DMD 전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 반사 전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판으로서, 광투과성을 가진 기판부재와 상기 기판부재의 상면에 형성되는 굴절률 조절층을 포함하고, 상기 굴절률 조절층은 상기 DMD 전극에서 상기 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각이 증가하도록 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진다.
본 발명에 의하면, DMD 전극이 형성되는 기판부재의 상면에 기판부재의 굴절률보다 크고 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 굴절률 조절층이 형성됨으로써, 발광층으로부터 방출되어 DMD 전극에서 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각을 증가시킴으로써 DMD 전극과 기판의 계면에서 발생하는 전반사 현상을 줄여 광추출 효율을 제고할 수 있고, 특히 굴절률 조절층은 제1ㆍ제2굴절률 조절층으로 이루어지고 제2굴절률 조절층이 형성되는 제1굴절률 조절층의 표면에 다수의 요철부가 형성됨으로써, 측 방향으로 진행하는 빛이 소실되지 않고 이러한 요철부에서 굴절되어 기판 측으로 방출되게 하여 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.

Description

유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법 {SUBSTRATE FOR ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 DMD 전극, 전자층, 정공층 및 발광층이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법으로서, 발광체에 대한 광추출 효율을 향상시킬 수 있고, 간편하면서도 저렴한 비용으로 제조될 수 있는 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diode)는 유기화합물을 이용해 자체 발광시키는 차세대 디스플레이 소자로 반응속도가 매우 빠르고 자체 발광으로 인해 색감을 떨어뜨리는 후광장치가 불필요한 여러 가지 장점 때문에 대형 텔레비전부터 모바일 기기까지 널리 이용되고 있다.
도 1은 이러한 유기 발광 다이오드의 일반적인 구조를 보여주는 도면이다. 유기 발광 다이오드는 기판(10) 위에 양전극(20), 정공주입층과 정공수송층 같은 정공층(30), 유기물로 이루어져 전자와 정공이 결합하면서 빛이 발생되는 발광층(40), 전자주입층과 전자수송층 같은 전자층(50) 및 음전극(60)이 순서대로 적층되어 이루어진다.
여기서 상기 기판(10) 상에 형성되는 양전극(20)은, 1987년 C. W. Tang과 S. A. Van Slyke에 의해 유기 발광 다이오드가 발표된 이래로 투명하고 전도성이 좋으며 일함수가 4.7eV로 큰 ITO(Indium Tin Oxide)가 일반적으로 사용되고 있다.
그러나 이러한 ITO는 제조 비용이 다른 전도성 금속 산화물질들(ZnO, SnO2 등)에 비해 두 배 이상 높고, 유기 발광 다이오드가 장시간 작동하는 경우 인듐 원자가 유기물인 발광층(40) 측으로 확산하여 소자의 발광 효율을 저하시키는 단점이 있다.
이에 따라, 양전극(20)으로 사용하기에 적합한 다른 물질을 개발하기 위한 노력이 이루어져 왔으며, 대한민국 공개특허 제2009-105316호는 ITO 대신 유전체(dielectric)/금속(metal)/유전체(dielectric)를 적층한 DMD 다층 박막을 양전극(20)으로 사용하여 고효율의 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법을 제시하고 있다.
이러한 DMD 다층 박막을 사용한 전극(이하 'DMD 전극'이라 한다)은 유전체 층의 반사 억제 효과로 인해 가시광선 영역에서 높은 광투과도를 보이므로 발광층(40)의 빛이 높은 효율로 DMD 전극과 기판(10)을 통해 방출될 수 있고, 유전체층의 전하 주입 효율 향상 효과 및 금속 박막의 우수한 전기 전도도로 인해 낮은 전기 저항 특성을 보여 구동 전압과 소비 전력이 낮고 높은 효율을 갖는 장점이 있다.
하지만 이와 같은 기판(10) 상에 접촉 형성되는 DMD 전극의 유전체 박막은 일반적으로 2.0 안팎의 높은 굴절률을 가지며, 이는 일반적으로 기판(10)으로 사용되는 1.5의 굴절률을 갖는 유리에 비해 큰 값이다.
따라서 도 2에 도시된 바와 같이 DMD 전극인 양전극(20)과 기판(10)의 계면에 임계각(θc)보다 작은 각도로 입사하는 빛(Ray1)은 기판(10)을 통과해 방출될 수 있지만, 임계각(θc)보다 큰 각도로 입사하는 빛(Ray2)은 양전극(20)과 기판(10)의 계면에서 전반사가 일어나 방출되지 못하고 소실된다.
여기서 상기 임계각(θc)은 θc = arcsin(기판의 굴절률/DMD 전극의 굴절률)의 수식에 의해 결정되며, 기판(10)의 굴절률을 일반적인 유리 기판의 굴절률인 1.5, DMD 전극의 굴절률을 1.95로 가정할 경우, 임계각(θc)은 50.28°가 된다.
즉, 임계각(θc)인 50.28°이상의 입사각으로 기판(10)에 입사되는 빛은 전반사가 일어나 소실되며, 이에 따라 기판(10)을 통과해 방출되는 빛의 양이 감소하면서 광추출 효율이 최대 30% 이상 감소하여 유기 발광 다이오드의 휘도가 저하되는 문제점이 있다.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, DMD 전극과 기판의 계면에서 전반사 현상을 크게 줄일 수 있고, 측 방향으로 진행하는 빛을 굴절시켜 최대한 소실되지 않고 기판 측으로 방출될 수 있게 할 수 있는 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드용 기판은, DMD 전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 반사 전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판으로서, 광투과성을 가진 기판부재와 상기 기판부재의 상면에 형성되는 굴절률 조절층을 포함하고, 상기 굴절률 조절층은 상기 DMD 전극에서 상기 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각이 증가하도록 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진다.
상기 굴절률 조절층은, 상기 기판부재 상에 형성되며 그 상면에 다수의 요철부가 구비된 제1굴절률 조절층과 상기 제1굴절률 조절층 상에 형성되는 제2굴절률 조절층을 포함하되, 상기 제1ㆍ제2굴절률 조절층은, 각각 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1굴절률 조절층은 상기 제2굴절률 조절층을 이루는 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1굴절률 조절층은 MgO, CaO, ZnO, ITO, V2O5, RuO, CuO, SnO2, AgO, WO3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제2굴절률 조절층은 ZrO2, MgO, ITO, V2O5, RuO, WO3 , TiO2, PdO 및 MoO3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1굴절률 조절층은 비등방성 결정구조를 갖는 물질로 이루어지며, 상기 요철부는 비등방성 결정구조로 인한 결정면의 표면에너지 차이에 의해 상기 제1굴절률 조절층의 표면에 자발적으로 생성될 수 있다.
상기 제1굴절률 조절층은 암염구조를 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1굴절률 조절층은 MgO, CaO, ZnO 또는 이 중 둘 이상의 혼합물로 이루어질 수 있다.
상기 제1굴절률 조절층의 두께는 10㎚ ~ 500㎚일 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법은, DMD 전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 반사 전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법으로서, 광투과성을 가진 기판부재의 상면에 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로써 굴절률 조절층을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 굴절률 조절층을 형성하는 단계는, 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어지며, 표면에 다수의 요철부가 구비된 제1굴절률 조절층을 상기 기판부재의 상면에 형성하는 단계; 및 상기 제1굴절률 조절층의 상면에 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어지는 제2굴절률 조절층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 제1굴절률 조절층을 형성하는 단계는, 비등방성 결정구조를 갖는 물질의 결정면의 표면에너지 차이에 의해 자발적으로 상기 다수의 요철부가 형성되도록 비등방성 결정구조를 갖는 물질을 상기 기판부재의 상면에 증착시켜 상기 제1굴절률 조절층을 형성하는 단계;일 수 있다.
상기 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법에 있어서, 상기 제1굴절률 조절층은 암염구조를 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법에 있어서, 상기 제1굴절률 조절층은 MgO, CaO, ZnO 또는 이 중 둘 이상의 혼합물로 이루어질 수 있다.
상기 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법에 있어서, 상기 제1굴절률 조절층은 상기 제2굴절률 조절층을 이루는 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1굴절률 조절층은 진공증착법, 전자선증착법, 스퍼터링법 또는 레이저증착법으로 형성될 수 있다.
상기 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법에 있어서, 상기 제1굴절률 조절층은 그 두께가 10㎚ ~ 500㎚로 형성될 수 있다.
이러한 본 발명의 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법에 의하면, DMD 전극이 형성되는 기판부재의 상면에 기판부재의 굴절률보다 크고 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 굴절률 조절층이 형성됨으로써, 발광층으로부터 방출되어 DMD 전극에서 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각을 증가시킴으로써 DMD 전극과 기판의 계면에서 발생하는 전반사 현상을 크게 줄여 소자의 광추출 효율을 제고할 수 있다.
또한, 상기 굴절률 조절층은 제1ㆍ제2굴절률 조절층으로 이루어지고 제2굴절률 조절층이 형성되는 제1굴절률 조절층의 표면에 다수의 요철부가 형성됨으로써, 측 방향으로 진행하는 빛이 이러한 요철부에 의해 굴절되어 소실되지 않고 기판 측으로 방출되게 하여 소자의 광추출 효율을 더욱 제고할 수 있다.
그리고 이와 같은 다수의 요철부는, 비등방성 결정구조를 갖는 물질을 기판부재의 일면에 증착시켜 제1굴절률 조절층을 형성함으로써, 비등방성 결정구조로 인한 결정면의 표면에너지 차이를 이용해 제1굴절률 조절층의 표면에 자발적으로 형성될 수 있다.
따라서 다수의 요철부를 형성하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않으므로, 표면에 다수의 요철부를 갖는 제1굴절률 조절층을 포함하는 유기 발광 다이오드용 기판을 매우 간편하고 저렴한 비용으로 제조할 수 있다.
게다가 제1굴절률 조절층의 굴절률보다 크고 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 제2굴절률 조절층이 제1굴절률 조절층 상에 형성됨으로써, 발광체에서 기판 방향으로의 빛의 진행 경로를 따라 빛이 통과하는 부재의 굴절률이 단계적으로 낮아지게 구비됨으로써, 각 계면에서의 전반사 발생을 최대한 억제할 수 있다.
뿐만 아니라, 이와 같은 제2굴절률 조절층은 제1굴절률 조절층의 울퉁불퉁한 다수의 요철부 상에 DMD 전극이 직접 구비되지 않게 함으로써, DMD 전극에서의 전기 누설 등을 방지하여, 유기 발광 다이오드의 전기적 특성이 안정적으로 유지될 수 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 다이오드용 기판을 이용한 일반적인 유기 발광 다이오드의 구조도,
도 2는 종래의 유기 발광 다이오드용 기판을 이용한 유기 발광 다이오드에 있어서, DMD 전극에서 기판으로 진행하는 광의 일부가 DMD 전극과 기판의 계면에서 전반사되는 현상을 설명하기 위한 개략적인 단면도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판의 개략적인 단면도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판에 DMD 전극을 형성한 유기 발광 다이오드에 있어서, DMD 전극에서 기판부재로 진행하는 광에 대한 전반사 발생 임계각이 종래에 비해 증대되어 광추출 효율이 향상되는 원리를 설명하기 위한 개략적인 단면도,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판에 구비된 기판부재(Glass), 제1굴절률 조절층(MgO), 제2굴절률 조절층(ZrO2) 및 DMD 전극의 유전체층(WO3)의 빛의 파장에 따른 굴절률을 도시한 그래프,
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판에 구비되는 제1굴절률 조절층(MgO)과 제2굴절률 조절층(ZrO 2 )의 빛의 파장에 따른 광투과도를 도시한 그래프,
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판에 구비되는 제1굴절률 조절층의 표면에 형성된 다수의 요철부를 확인할 수 있는 표면 주사 전자 현미경 사진 및 투과 전자 현미경 사진,
도 8 및 도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판에 DMD 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(MgO/ZrO2/DMD), 종래의 기판에 ITO 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(ITO), 종래의 기판에 DMD 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(DMD)의 전류밀도-휘도 특성을 도시한 그래프 및 전류밀도-전력효율-휘도 특성을 도시한 그래프,
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법을 도시한 순서도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자(이하, '당업자'라 한다)가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 그 범위가 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
먼저 이하의 설명에 있어서, 유전체층/금속층/유전체층의 다층 박막 구조를 갖는 DMD 전극에 있어서, 기판과 접촉되는 하측의 유전체층의 굴절률을 DMD 전극의 굴절률로 표현하고 있음을 밝혀둔다.
이하, 첨부된 도 3 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)의 구성 및 작용효과를 구체적으로 설명한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)은 기판부재(110) 및 굴절률 조절층(120)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판부재(110)는 유기 발광 다이오드의 발광층에서 생성된 빛이 전방으로 방출될 수 있도록 광투과성을 갖는 물질로 이루어지며, DMD 전극(200), 정공주입층과 정공수송층 같은 정공층, 발광층, 전자주입층과 전자수송층 같은 전자층 및 반사 전극이 지지 형성될 수 있게 기판(100)의 몸체를 이룬다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 기판부재(110)는 1.5의 굴절률을 갖는 유리로 이루어졌으나, 이에 한정되지 않고 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에스터(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC) 등과 같은 수지부터 실리콘, 사파이어 등의 비금속에 이르기까지 다양한 재료로 구현될 수 있다.
상기 굴절률 조절층(120)은 기판부재(110)의 상면에 형성되며, 기판부재(110)의 굴절률보다 크고 DMD 전극(200)의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어져, DMD 전극(200)이 형성되는 기판(100) 상면의 굴절률을 DMD 전극(200)의 굴절률에 가깝게 조절함으로써, DMD 전극(200)에서 기판부재(110)로 진행하는 빛에 대하여 기판부재(110) 상에 굴절률 차이가 큰 DMD 전극(200)이 바로 접하게 형성된 것보다 전반사가 발생하는 임계각을 증가시킨다.
이로써, 상기 굴절률 조절층(120)은, 기판(100)과 DMD 전극(200)의 계면에서 전반사되어 기판(100) 측으로 방출되지 못하고 소실되는 빛을 줄인다. 상기 계면에서 전반사가 발생하는 임계각이 증가함에 따라, 증가된 임계각보다 더 큰 입사각으로 입사되는 소량의 빛만 소실되기 때문이다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 굴절률 조절층(120)은 도 3에 도시된 바와 같이, 기판부재(110) 상에 형성되며 그 상면에 다수의 요철부(121-1)가 구비된 제1굴절률 조절층(121) 및 상기 제1굴절률 조절층(121) 상에 형성되는 제2굴절률 조절층(122)으로 이루어진다.
여기서 상기 제1굴절률 조절층(121)은 기판부재(110)의 일면에 비등방성 결정구조를 가지면서, 기판부재(110)의 굴절률보다 크고 DMD 전극(200)의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질을 증착시켜 형성된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서는 암염구조를 갖는 물질, 그 중에서도 굴절률이 약 1.73인 산화마그네슘을 기판부재(110)의 일면에 증착시켜 박막(120)을 형성하였으나, 그 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 산화칼슘이나 산화아연이 사용될 수도 있고, 더 넓게는 암염구조를 갖는 다른 물질, 가장 넓게는 비등방성 결정구조를 갖는 물질이 사용될 수도 있다.
이렇게 비등방성 결정구조를 갖는 물질을 기판부재(110)의 일면에 증착시키게 되면, 비등방성 결정구조로 인한 결정면의 표면에너지 차이로 인해 표면에 다수의 요철부(121-1)를 갖는 제1굴절률 조절층(121)이 형성된다.
보다 구체적으로 설명하면, 비등방성 결정구조를 갖는 물질은 기판부재(110)에 증착될 때에 그 결정구조로 인해 다수의 결정면 중에서 상대적으로 낮은 표면에너지를 갖는 결정면이 발생하고, 증착 공정 중에서 제1굴절률 조절층(121)의 에너지를 낮추기 위해 자발적으로 낮은 표면에너지를 갖는 결정면에 증착되는 물질이 배열되는 우선 방위 형성 과정을 통해 다수의 요철부(121-1)가 형성되는 것으로 설명될 수 있다.
이렇게 비등방성 결정구조를 갖는 물질을 증착시켜 다수의 요철부(121-1)를 갖는 제1굴절률 조절층(121)을 형성하게 되면, 요철부(121-1) 형성을 위한 별도의 리소그래피 공정이나 패터닝 공정을 거칠 필요가 없으므로, 매우 간편하고 저렴하게 제1굴절률 조절층(121)을 형성할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제1굴절률 조절층(121)은 MgO로 이루어졌으나, 제1굴절률 조절층(121)을 이루는 물질이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판부재(110)의 굴절률보다 크고 DMD 전극(200)의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 CaO, ZnO, ITO, V2O5, RuO, CuO, SnO2, AgO, WO3 , TiO2 이나 이들 중 하나 이상을 포함하는 혼합 물질로 이루어질 수도 있다.
상기 제2굴절률 조절층(122)은 제1굴절률 조절층(121)의 굴절률보다는 크고 DMD 전극(200)의 굴절률보다는 작은 1.84의 굴절률을 갖는 ZrO2로 이루어지며, 상기 제1굴절률 조절층(121)의 다수의 요철부(121-1)가 형성된 표면에 증착 형성된다.
이렇게 DMD 전극(200)에서 기판(100) 측으로 방출되는 빛이 단계적으로 조금씩 굴절률이 낮아지는 제2굴절률 조절층(122), 제1굴절률 조절층(121) 및 기판부재(110)를 통과하여 방출되게 함으로써, 각 층간의 계면에서 전반사가 일어나는 임계각을 매우 크게 하여 전반사가 최대한 일어나지 않게 한다.
한편, DMD 전극(200)은 전도성 물질로 이루어져 전기가 흐르는 곳이므로, 표면이 울퉁불퉁할 경우 그 표면을 통해 전기 누설 등이 일어나 유기 발광 다이오드의 전기적 특성이 불안정해질 수 있다.
이러한 DMD 전극(200)의 특성에 따라, 상기 제2굴절률 조절층(122)은 제1굴절률 조절층(121)의 다수의 요철부(121-1)가 DMD 전극과 직접 접하지 않도록 하여, DMD 전극(200)에서의 전기 누설 등을 방지하여, 유기 발광 다이오드의 전기적 특성을 안정화시키는 역할도 수행한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제2굴절률 조절층(122)은 ZrO2로 이루어졌으나, 제2굴절률 조절층(122)을 이루는 물질이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판부재(110)의 굴절률보다 크고 DMD 전극(200)의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 MgO, ITO, V2O5, RuO, WO3 , TiO2, PdO, MoO3 이나 이들 중 하나 이상을 포함하는 혼합 물질로 이루어질 수도 있다.
이하, 도 4를 참조하여, 전술된 바와 같은 제1ㆍ제2굴절률 조절층(122)의 빛 소실을 줄이는 효과에 대하여 상세히 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 상부에 제1ㆍ제2굴절률 조절층(121, 122)으로 이루어지는 굴절률 조절층(120)이 형성될 경우, 기판(100)과 DMD 전극(200)의 계면에서 전반사가 발생하는 임계각(θc')은 DMD 전극(200)의 굴절률과 제2굴절률 조절층(122)의 굴절률에 의해 결정된다.
여기서 상기 임계각(θc')은 θc'= arcsin(제2굴절률 조절층의 굴절률/DMD 전극의 굴절률)의 수식에 의해 결정되며, 발명의 배경이 되는 기술에서 산출한 바와 같이 DMD 전극(200)의 굴절률을 1.95로 가정하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서 제2굴절률 조절층(122)인 ZrO2의 굴절률이 1.84이므로, 임계각(θc')은 70.66°가 된다.
즉, 발명의 배경이 되는 기술에서 산출한 바와 같이, DMD 전극(200)이 유리로 이루어진 기판에 직접 접하게 구비된 경우 임계각이 50.28°이므로, 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서 70.66°의 임계각(θc')은 20°이상 증가된 것임을 알 수 있다.
이에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이, 50.28°보다 큰 입사각을 갖는 빛(Ray3)도 전반사가 일어나지 않고 기판(100) 측으로 굴절 통과될 수 있다. 입사각이 70.66°보다 큰 한정적인 빛(Ray4)만 전반사가 일어나므로 종래에 비해 기판(100) 측으로 굴절되지 못하고 전반사로 소실되는 빛을 훨씬 줄일 수 있다.
계속해서 제2굴절률 조절층(122)으로 진입한 빛은 제1굴절률 조절층(121)과 기판부재(110)를 통과하여 방출되는데, 이때 제1굴절률 조절층(121)의 상면에 형성된 복수의 요철부(121-1)를 통과하게 된다.
이때, 도 4에 도시된 바와 같이, 측 방향을 향하는 입사각이 큰 빛의 경우에도 요철부(121-1)에 의해 굴절 및 전반사(제1ㆍ제2굴절률 조절층의 사이에서 일어나는 전반사)되면서 기판부재(110) 측을 향하게 방출될 수 있으므로, 광추출 효율은 더욱 향상될 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 유리(Glass)로 이루어진 기판부재(110), MgO로 이루어진 제1굴절률 조절층(121), ZrO2로 이루어진 제2굴절률 조절층(122) 및 WO3로 이루어진 DMD 전극(200)의 유전체층의 빛의 파장에 따른 굴절률을 도시한 그래프이다.
앞서 임계각의 산출에 사용한 바와 같이, 평균적으로 기판부재(110)는 1.5 정도, 제1굴절률 조절층(121)은 1.73 정도, 제2굴절률 조절층(122)은 1.84 정도, DMD 전극(200)은 1.95 정도의 굴절률을 갖는 것을 확인할 수 있다.
그리고 도 6은 MgO로 이루어진 제1굴절률 조절층(121), ZrO2로 이루어진 제2굴절률 조절층(122)의 빛의 파장에 따른 광투과도를 도시한 그래프로서, 두 물질 모두 가시광선 영역에서 90% 이상의 높은 광투과도를 나타내므로 굴절률 조절층(120)에 의한 빛 손실은 미미하여 굴절률 조절층(120) 구비에 따른 빛 손실은 우려할 필요가 없음을 확인할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제1ㆍ제2굴절률 조절층(121, 122)은 전자선증착법으로 상온에서 증착 형성되었으나, 그 증착 방식이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제1ㆍ제2굴절률 조절층(121, 122)은 진공증착법, 스퍼터링법, 레이저증착법 등으로 형성될 수도 있다.
도 7은 이렇게 전자선증착법으로 상온에서 기판부재(110) 상에 증착 형성됨에 따라 복수의 요철부(121-1)가 자발적으로 형성된 것을 확인할 수 있는 표면 주사 전자 현미경 사진 및 투과 전자 현미경 사진이다.
한편, 상기 복수의 요철부(121-1)는 제1굴절률 조절층(121)의 증착 두께에 비례하여 발달하게 된다. 즉, 제1굴절률 조절층(121)의 증착 두께가 두꺼워질수록 요철부(121-1)의 높낮이도 높아지고, 요철부(121-1)의 크기도 증가하게 된다.
따라서 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)에 있어서, 제1굴절률 조절층(121)의 증착 두께는 10㎚ ~ 500㎚로 한정되는 것이 바람직하다. 그 이유는, 그 증착 두께가 10㎚ 미만인 경우에는 요철부(121-1)의 발달이 너무 미미하여 요철부(121-1)에 의한 광추출 효율 상승 효과가 거의 없기 때문이다.
그리고 상기 제1굴절률 조절층(121)의 증착 두께가 500㎚를 초과하는 경우에는 다수의 요철부(121-1)가 과도하게 높고 크게 발달하여, 제2굴절률 조절층(122)이 형성된다고 하더라도 제2굴절률 조절층(122)의 표면에 복수의 요철부(121-1)에 의한 높낮이가 형성되므로 DMD 전극(200)과의 계면이 울퉁불퉁해져 전술된 바와 같은 전기 누설 등으로 유기 발광 다이오드의 전기적 특성이 불안정해질 수 있으므로 역시 바람직하지 않다.
도 8과 도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)에 DMD 전극(200)을 형성한 유기 발광 다이오드(MgO/ZrO2/DMD), 종래의 기판에 ITO 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(ITO), 종래의 기판에 DMD 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(DMD)의 전류밀도-휘도 특성을 도시한 그래프 및 전류밀도-전력효율-휘도 특성을 도시한 그래프이다.
여기서, DMD 전극(200)은 WO3/Ag/WO3의 다층 박막으로 형성하였으며 각 층의 두께는 30㎚/12㎚/30㎚로 형성하였으며, 굴절률 조절층을 형성하는 제1ㆍ제2굴절률 조절층(121, 122)은 75㎚/70㎚의 MgO/ZrO2로 형성하였다.
도 8에 도시된 바와 같이, DMD 전극 구조를 사용한 유기 발광 다이오드가 ITO 전극을 사용한 유기 발광 다이오드에 비해 향상된 전기적 특성을 나타내고 있는데, 구체적으로 1mA/㎠의 전류밀도에서 종래의 기판에 ITO 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(ITO), 종래의 기판에 DMD 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(DMD) 및 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)에 DMD 전극(200)을 형성한 유기 발광 다이오드(MgO/ZrO2/DMD)가 각각 6.8V, 6.3V, 6.4V의 구동 전압을 나타내고 있다.
이와 같은 DMD 전극 구조를 사용함에 따른 전기적 특성 향상은 DMD 전극 구조에 유전체층으로 사용된 WO3의 높은 일함수 특성으로 인해 유기물인 발광층과 전극의 계면에서 정공 주입 장벽이 낮아져 발생한 것으로 해석할 수 있다.
그리고 도 9에 도시된 바와 같이, 휘도 특성은 220mA/㎠의 전류밀도 조건에서 종래의 기판에 ITO 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(ITO), 종래의 기판에 DMD 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(DMD) 및 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)에 DMD 전극(200)을 형성한 유기 발광 다이오드(MgO/ZrO2/DMD)가 각각 7020cd/㎡, 7200cd/㎡, 8700cd/㎡로 나타나, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)에 DMD 전극(200)을 형성한 유기 발광 다이오드(MgO/ZrO2/DMD)가 크게 향상된 휘도 특성을 보이고 있는 것을 확인할 수 있다.
또한, 전력 효율도 220mA/㎠의 전류밀도 조건에서 종래의 기판에 ITO 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(ITO), 종래의 기판에 DMD 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(DMD) 및 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)에 DMD 전극(200)을 형성한 유기 발광 다이오드(MgO/ZrO2/DMD)가 각각 0.95lm/W, 1.01lm/W, 1.25lm/W로 나타나, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)에 DMD 전극(200)을 형성한 유기 발광 다이오드(MgO/ZrO2/DMD)가 크게 향상된 전력 효율을 갖는 것을 확인할 수 있다.
이와 같은 특성 향상은 DMD 전극(200)이 460㎚ 발광 영역에서 ITO 전극의 86.4%보다 우수한 92.5%의 광투과도 특성을 가짐과 동시에, 제1ㆍ제2굴절률 조절층(121, 122)으로 이루어진 굴절률 조절층(120)이 DMD 전극(200)에서 기판부재(110)로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각을 증가시킴으로써 DMD 전극(200)과 기판(100)의 계면에서 발생하는 전반사 현상을 크게 줄여 소자의 광추출 효율을 향상시켰기 때문이다.
이는 도 9에서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)에 DMD 전극(200)을 형성한 유기 발광 다이오드(MgO/ZrO2/DMD)가 10mA/㎠의 전류밀도 조건에서 굴절률 조절층(120)이 형성되지 않은 종래의 기판(100)에 DMD 전극을 형성한 유기 발광 다이오드(DMD)의 전력 효율인 4.66lm/W에 비해 크게 앞선 6.28lm/W의 전력 효율을 나타내고 있는 것에서, 기판(100)의 상부에 형성된 굴절률 조절층(120)에 의해 광추출 효율, 휘도 및 전력 효율이 향상된 것임을 확인할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 기판(100)의 상부에는 제1ㆍ제2굴절률 조절층(121, 122)으로 구성된 복층 박막 형태의 굴절률 조절층(120)이 형성되었으나, 굴절률 조절층(120)은 이에 한정되지 않고 단층 박막 형태로 구현되더라도 기판부재(110)의 굴절률보다 크고 DMD 전극(200)의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어질 경우 전반사 발생 임계각을 증가시켜 광추출 효율을 제고하는 효과를 가질 수 있다.
참고로 도 9의 범례에 있어서 MgO/DMD는 MgO로 이루어진 단층 구조를 갖는 굴절률 조절층(120)이 형성된 기판에 DMD 전극 구조를 형성한 유기 발광 다이오드를 의미하는 것이며, 이 경우에도 종래의 기판에 DMD 전극 구조를 형성한 유기 발광 다이오드(DMD)에 비해서는 향상된 휘도 특성 및 전력 효율 특성을 보이는 것을 확인할 수 있다.
이하, 도 3, 도 4 및 도 10을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
먼저, 광투과성을 갖는 유리나 수지 등의 물질로 이루어진 기판부재(110)를 준비하고, 이 기판부재(110)의 상면에 증착 형성할 제1굴절률 조절층(120)을 이루는 물질이며 비등방성 결정구조인 암염구조를 갖는 MgO를 증발시킨다(s100).
다음, 증발된 MgO를 기판부재에 진공 증착시켜 기판부재(110)의 상면에 다수의 요철부(121-1)를 갖는 제1굴절률 조절층(121)을 형성한다(s200). 이때, 다수의 요철부(121-1)는 MgO의 비등방성 결정구조로 인한 결정면의 표면에너지 차이로 인해 증착 과정에 있어서 자발적으로 발달 형성된다.
이에 따라, 제1굴절률 조절층(121)의 표면에 다수의 요철부(121-1)를 형성하기 위해 별도의 리소그래피 공정이나 패터닝 공정을 진행할 필요가 없어 간편하고 저렴하게 제1굴절률 조절층(121)을 형성할 수 있다.
이후, 제1굴절률 조절층(121)이 10㎚ ~ 500㎚의 두께로 증착 형성되면 증착을 중단한다(s300).
상기 제1굴절률 조절층(121)이 이 정도 두께로 형성되는 것이 바람직한 이유는, 증착 과정에서 자발적으로 발달 형성되는 다수의 요철부(121-1)는 제1굴절률 조절층(121)의 증착 두께에 비례하여 발달하게 되는데, 제1굴절률 조절층(121)이 이보다 얇으면 요철부(121-1)의 발달이 너무 미미하여 요철부(121-1)로 인한 광추출 효율 상승 효과가 거의 없고, 제1굴절률 조절층(121)이 이보다 두꺼우면 요철부(121-1)가 과도하게 높고 크게 발달하여 DMD 전극(200)과 굴절률 조절층(120)의 계면이 울퉁불퉁해져 전기 누설 등으로 유기 발광 다이오드의 전기적 특성이 불안정해질 수 있기 때문이다.
다음, 제1굴절률 조절층(121)의 굴절률보다 크고 DMD 전극(200)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지며 제2굴절률 조절층(122)을 이루는 물질인 ZrO2를 증발시킨다(s400).
그 후, 증발된 ZrO2를 제1굴절률 조절층(121)의 표면에 증착시켜 제2굴절률 조절층(122)을 형성함으로써, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판(100)을 완성한다(s500).
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법은, 전자선증착법을 이용한 진공 증착 방식으로 제1ㆍ제2굴절률 조절층(121, 122)을 형성하였으나, 그 형성 방식이 이에 한정되는 것은 아니며, 스퍼터링법, 레이저증착법 등 다른 다양한 증착법으로 형성될 수도 있고, 증착이 아닌 다른 방식으로 형성될 수도 있다.
이렇게 제조된 유기 발광 다이오드용 기판(100) 상에 계속해서 WO3/Ag/WO3의 DMD 전극(200)을 순차 적층 형성하고, α-NPD 등으로 이루어진 정공주입층과 정공수송층 같은 정공층, Flr6가 도핑된 TCTA 등의 유기물로 이루어진 발광층, Alq3 등으로 이루어진 전자주입층과 전자수송층 같은 전자층 및 Al 등으로 이루어진 반사 전극을 순서대로 적층 형성하면 유기 발광 다이오드가 완성된다.
여기서, DMD 전극(200)을 이루는 물질이 WO3/Ag/WO3로 한정되지 않으며, 그 유전체층은 WO3 이 외에도 MgO, ITO, ZnO, AZO, MoO3, NiO, ZnS 등 다양한 물질로 구현될 수 있고, 금속층도 Ag 이외에도 Al, Cu, Ni, Au, Pt 등 다양한 물질로 구현될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법에 의하면, DMD 전극(200)이 형성되는 기판부재(110)의 상면에 기판부재(110)의 굴절률보다 크고 DMD 전극(200)의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 굴절률 조절층(120)이 형성됨으로써, 발광층으로부터 방출되어 DMD 전극(200)에서 기판부재(110)로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각을 증가시킴으로써 DMD 전극(200)과 기판(100)의 계면에서 발생하는 전반사 현상을 최소화하여 광추출 효율을 제고할 수 있고, 특히 굴절률 조절층(120)은 제1ㆍ제2굴절률 조절층(121, 122)으로 이루어지고 제2굴절률 조절층(122)이 형성되는 제1굴절률 조절층(121)의 표면에 다수의 요철부(121-1)가 형성됨으로써, 측 방향으로 진행하는 빛이 소실되지 않고 이러한 요철부(121-1)에서 굴절되어 기판(100) 측으로 방출되게 하여 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부되어 있는 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＊
100 : 유기 발광 다이오드용 기판 110 : 기판부재
120 : 굴절률 조절층 121 : 제1굴절률 조절층
122 : 제2굴절률 조절층 121-1 : 요철부
200 : DMD 전극

Claims (17)

  1. DMD 전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 반사 전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판으로서,
    광투과성을 가진 기판부재와 상기 기판부재의 상면에 형성되는 굴절률 조절층을 포함하고,
    상기 굴절률 조절층은 상기 DMD 전극에서 상기 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각이 증가하도록 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은, 상기 기판부재 상에 형성되며 그 상면에 다수의 요철부가 구비된 제1굴절률 조절층과 상기 제1굴절률 조절층 상에 형성되는 제2굴절률 조절층을 포함하되,
    상기 제1ㆍ제2굴절률 조절층은, 각각 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층은 상기 제2굴절률 조절층을 이루는 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층은 MgO, CaO, ZnO, ITO, V2O5, RuO, CuO, SnO2, AgO, WO3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제2굴절률 조절층은 ZrO2, MgO, ITO, V2O5, RuO, WO3 , TiO2, PdO 및 MoO3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층은 비등방성 결정구조를 갖는 물질로 이루어지며,
    상기 요철부는 비등방성 결정구조로 인한 결정면의 표면에너지 차이에 의해 상기 제1굴절률 조절층의 표면에 자발적으로 생성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층은 암염구조를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층은 MgO, CaO, ZnO 또는 이 중 둘 이상의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층의 두께는 10㎚ ~ 500㎚인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판.
  10. DMD 전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 반사 전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법으로서,
    광투과성을 가진 기판부재의 상면에 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로써 굴절률 조절층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 굴절률 조절층을 형성하는 단계는,
    상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어지며, 표면에 다수의 요철부가 구비된 제1굴절률 조절층을 상기 기판부재의 상면에 형성하는 단계; 및
    상기 제1굴절률 조절층의 상면에 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어지는 제2굴절률 조절층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층을 형성하는 단계는,
    비등방성 결정구조를 갖는 물질의 결정면의 표면에너지 차이에 의해 자발적으로 상기 다수의 요철부가 형성되도록 비등방성 결정구조를 갖는 물질을 상기 기판부재의 상면에 증착시켜 상기 제1굴절률 조절층을 형성하는 단계;
    인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층은 암염구조를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층은 MgO, CaO, ZnO 또는 이 중 둘 이상의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층은 상기 제2굴절률 조절층을 이루는 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층은 진공증착법, 전자선증착법, 스퍼터링법 또는 레이저증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제1굴절률 조절층의 두께는 10㎚ ~ 500㎚인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법.
KR1020110073700A 2011-07-25 2011-07-25 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법 KR101317276B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110073700A KR101317276B1 (ko) 2011-07-25 2011-07-25 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110073700A KR101317276B1 (ko) 2011-07-25 2011-07-25 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130012464A true KR20130012464A (ko) 2013-02-04
KR101317276B1 KR101317276B1 (ko) 2013-10-14

Family

ID=47893159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110073700A KR101317276B1 (ko) 2011-07-25 2011-07-25 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101317276B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101470294B1 (ko) * 2013-10-01 2014-12-08 코닝정밀소재 주식회사 금속산화물 박막 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2016010172A1 (ko) * 2014-07-15 2016-01-21 (주)켐옵틱스 광추출 효율이 향상된 유기발광소자

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018030680A1 (ko) * 2016-08-12 2018-02-15 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003077680A (ja) 2001-09-06 2003-03-14 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
KR20030093515A (ko) * 2002-06-03 2003-12-11 주식회사 엘지화학 홀로그램 집광판을 포함하는 유기 발광소자
JP5402143B2 (ja) * 2008-03-28 2014-01-29 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100953658B1 (ko) * 2008-06-05 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101470294B1 (ko) * 2013-10-01 2014-12-08 코닝정밀소재 주식회사 금속산화물 박막 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2016010172A1 (ko) * 2014-07-15 2016-01-21 (주)켐옵틱스 광추출 효율이 향상된 유기발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR101317276B1 (ko) 2013-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101115154B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
US20150179979A1 (en) Layered structure for oled device, method for manufacturing the same, and oled device having the same
EP3018721B1 (en) Substrate for organic light emitting device and organic light emitting device comprising same
TWI594414B (zh) 有機發光二極體顯示器及其製造方法
JP2012527084A (ja) 有機電界発光素子およびその製造方法
CN104241535A (zh) 一种有机发光结构
KR20140014682A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
KR102261643B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
US20130140982A1 (en) Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
US20130264555A1 (en) Organic el element and translucent substrate
US11737306B2 (en) Display panel, method for preparing the same, and display device
KR101317276B1 (ko) 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법
WO2014065084A1 (ja) 電界発光素子およびその電界発光素子を用いた照明装置
US9614188B2 (en) Organic electroluminescent element and lighting device
CN106486512B (zh) 一种有机发光二极管器件及有机发光显示器
JP2006139932A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
US20130270542A1 (en) Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component
EP3104668B1 (en) Front plate for el element and illumination device
JP6867403B2 (ja) 有機ｅｌ装置
KR101489780B1 (ko) 유기발광다이오드 및 그 제조방법
JP7266897B2 (ja) 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ照明装置
KR20110094964A (ko) 대면적 유기 발광 다이오드 소자 및 이를 이용한 투과형 조명 장치
KR101275828B1 (ko) 유기 발광 다이오드용 기판, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 다이오드
JP2005203142A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN117042547A (zh) 一种有机发光模组及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161004

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171106

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191105

Year of fee payment: 7