KR102261643B1 - 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 259
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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Abstract
본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 반사 전극; 상기 제1 반사 전극 상에 배치되며, 발광층을 포함하는 유기층; 및 상기 유기층 상에 배치된 제2 반사 전극;을 포함하며, 상기 제1, 제2 반사 전극 중 적어도 하나는, 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층을 포함하는, 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.
Description
본 발명의 실시예들은 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기발광 표시장치(organic light-emitting display apparatus)는 정공 주입을 위한 전극과 전자 주입을 위한 전극, 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 발광층을 포함하고, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 발광층에서 재결합하고 소멸하면서 빛을 내는 자발광형 표시장치이다. 유기발광 표시장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.
이러한 유기발광 표시장치는 다층의 적층 구조를 가지는데, 발광층에서 발생한 빛이 유기발광 표시장치의 층 내부에 갇혀 외부로 방출되지 못하는 비율이 상당히 높다. 유기발광 표시장치에서 광추출 효율은 매우 낮으며, 약 20%정도로 알려져 있다. 이러한 현상은 전반사에 의한 도파관 현상에 기인한다고 볼 수 있다. 따라서 유기발광 표시장치에서는 광추출 효율을 높이는 것이 매우 중요하다.
본 발명의 실시예들은 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광표시장치 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는,
기판;
상기 기판 상에 배치된 제1 반사 전극;
상기 제1 반사 전극 상에 배치되며, 발광층을 포함하는 유기층; 및
상기 유기층 상에 배치된 제2 반사 전극;을 포함하며,
상기 제1, 제2 반사 전극 중 적어도 하나는, 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층을 포함하는, 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 반사 전극은, 상기 유기층에 접촉하는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층의 하부에 배치되는 반사층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 투명 전극층은, 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 저굴절층은, 굴절율이 1.2 이하인 ITO층일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 저굴절층은, 상기 투명 전극층과 상기 반사층 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 저굴절층은, 굴절율이 1.4 이하인 산화 규소층일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 반사 전극의 단부에 배치되며, 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 돌출된 스페이서;를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 스페이서는, 상기 제1 반사 전극의 단부를 덮도록 형성된 제1 스페이서와, 상기 제1 스페이서 상에 형성된 제2 스페이서를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 반사 전극은, 상기 유기층에서 발생한 빛이 상기 제1 반사 전극을 향하도록 반사하는 제1 반사면과, 상기 유기층에서 발생한 빛이 상기 기판을 향하도록 반사하는 제2 반사면을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 반사면은 상기 제1 반사 전극의 단부에 배치되며, 상기 제1 반사 전극의 단부를 둘러싸는 원호 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 반사 전극 사이에 배치된 절연막;을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판은 투명 기판일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 반사 전극 사이에 배치된 차광층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는,
기판 상에 제1 반사 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 반사 전극 상에, 발광층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 및
상기 유기층 상에 제2 반사 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 제1 반사 전극을 형성하는 단계 및 상기 제2 반사 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나에서, 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층을 형성하는 단계를 포함하는, 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1 반사 전극을 형성하는 단계는, 기판 상에 반사층을 형성하는 단계와, 상기 반사층 상에 굴절율이 1.2 이하인 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 투명 전극층이 상기 저굴절층일 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1 반사 전극을 형성하는 단계는, 기판 상에 반사층을 형성하는 단계와, 상기 반사층 상에 굴절율이 1.4 이하인 상기 저굴절층을 형성하는 단계와, 상기 저굴절층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
본 실시예에 따른 유기발광 표시장치 및 그 제조방법은, 발광층에 전자 및 정공을 주입하는 전극들을 반사 전극으로 형성하되, 이들 중 적어도 하나의 전극에 저굴절층을 형성함으로써, 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 II 부분을 확대 도시한 도면이며,
도 3은 도 1의 III 부분을 확대 도시한 도면이다.
도 4는 도 1에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치에서 제1 반사 전극을 포함한 일부를 확대 도시한 도면이며,
도 5a 및 도 5b는 도 4에서 유기층에서 발생된 빛의 입사각에 따른 빛의 이동을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 4의 변형 실시예로서, 저굴절층의 배치를 달리한 실시예를 설명하는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 도 6에서 유기층에서 발생된 빛의 입사각에 따른 빛의 이동을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 실시예에 따른 유기발광 표시장치에서, 유기층에서 발생한 빛이 제1 반사 전극에 대하여 각각 60도 및 45도의 입사각을 가질 때, 측면으로 이동하는 빛의 궤적 및 광량의 시뮬레이션 결과이다.
도 9a 및 도 9b는 비교예에 따른 유기발광 표시장치에서, 유기층에서 발생한 빛이 제1 반사 전극에 대하여 각각 60도 및 45도의 입사각을 가질 때, 측면으로 이동하는 빛의 궤적 및 광량의 시뮬레이션 결과이다.
도 10a 및 도 10b는, 제1 반사 전극에 저굴절층이 포함된 실시예 및 제1 반사 전극에 저굴절층이 포함되지 않은 비교예에서의 빛의 궤적 및 광량의 시뮬레이션 결과이다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 12a 내지 도 12b는, 도 4에 개시된 제1 반사 전극을 형성하는 단계의 일 예를 개략적으로 나타낸 것이며,
도 13은 저굴절 ITO층을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 14a 내지 도 14c는 도 6에 개시된 제1 반사 전극을 형성하는 단계의 다른 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 II 부분을 확대 도시한 도면이며,
도 3은 도 1의 III 부분을 확대 도시한 도면이다.
도 4는 도 1에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치에서 제1 반사 전극을 포함한 일부를 확대 도시한 도면이며,
도 5a 및 도 5b는 도 4에서 유기층에서 발생된 빛의 입사각에 따른 빛의 이동을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 4의 변형 실시예로서, 저굴절층의 배치를 달리한 실시예를 설명하는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 도 6에서 유기층에서 발생된 빛의 입사각에 따른 빛의 이동을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 실시예에 따른 유기발광 표시장치에서, 유기층에서 발생한 빛이 제1 반사 전극에 대하여 각각 60도 및 45도의 입사각을 가질 때, 측면으로 이동하는 빛의 궤적 및 광량의 시뮬레이션 결과이다.
도 9a 및 도 9b는 비교예에 따른 유기발광 표시장치에서, 유기층에서 발생한 빛이 제1 반사 전극에 대하여 각각 60도 및 45도의 입사각을 가질 때, 측면으로 이동하는 빛의 궤적 및 광량의 시뮬레이션 결과이다.
도 10a 및 도 10b는, 제1 반사 전극에 저굴절층이 포함된 실시예 및 제1 반사 전극에 저굴절층이 포함되지 않은 비교예에서의 빛의 궤적 및 광량의 시뮬레이션 결과이다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 12a 내지 도 12b는, 도 4에 개시된 제1 반사 전극을 형성하는 단계의 일 예를 개략적으로 나타낸 것이며,
도 13은 저굴절 ITO층을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 14a 내지 도 14c는 도 6에 개시된 제1 반사 전극을 형성하는 단계의 다른 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 유기발광 표시장치(1)는, 기판(10), 기판(10) 상에 배치된 절연막(20), 절연막(20) 상에 배치된 제1 반사 전극(100), 제1 반사 전극(100) 상에 배치된 유기층(300) 및 유기층(300) 상에 배치된 제2 반사 전극(200)을 포함한다.
기판(10)은 빛이 투과할 수 있는 투명 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 기판(10)으로 사용될 수 있는 투명 수지 기판은 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리 에테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 술폰산 수지 등을 포함할 수 있다.
기판(10) 상에는 차광층(11)이 배치될 수 있다. 차광층(11)에 의해 선택적으로 빛을 통과시킴으로써, 유기발광 표시장치(1)의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 차광층(11)으로는, 광을 흡수할 수 있는 층, 예를 들어 블랙 매트릭스층이 사용될 수 있다.
절연막(20)은 기판(10) 상에 차광층(11)을 덮도록 배치될 수 있다. 절연막(20)은 단일 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 절연막(20)은 2층 이상의 다층 구조로 형성될 수도 있다.
일 예로서, 절연막(20)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 포토 레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
다른 예로서, 절연막(20)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연막(20)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 절연막(20)은, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 아연 산화물(ZnOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도면에는 도시되지는 않았으나, 기판(10) 상에는 스위칭 소자, 배선, 회로 등을 포함하는 하부 구조물이 배치될 수 있다. 이 경우, 절연막(20)은 하부 구조물들을 덮을 수 있는 충분한 두께를 가질 수 있다.
기판(10) 상에는 제1 반사 전극(100)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 반사 전극(100)은 기판(10) 상에 배치된 절연막(20) 상에 배치될 수 있다.
제1 반사 전극(100)은 유기층(300)에 전기적으로 접촉하며, 유기층(300)에서 발생한 빛을 반사하는 역할을 수행한다.
제1 반사 전극(100)은 반사판 역할을 수행하는 데 적합한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반사 전극(100)은, 알루미늄, 은, 백금, 금(Au), 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 등과 같은 금속, 이들의 합금 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 제1 반사 전극(100)은 전술한 금속 및/또는 합금을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 포함할 수도 있다. 제1 반사 전극(100)의 구체적인 구조에 대해서는 후술하기로 한다.
제1 반사 전극(100)의 양 단부에는 기판(10)에서 멀어지는 방향으로 돌출된 스페이서(400)가 배치될 수 있다. 스페이서(400)는 제1 반사 전극(100)의 단부를 덮도록 형성될 수 있다.
스페이서(400)는 광 투과율이 95% 이상일 수 있다. 그에 따라, 빛이 스페이서(400)를 투과하는 과정에서 광량의 손실을 줄일 수 있다.
스페이서(400)는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 스페이서(400)는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지로부터 선택된 물질을 포함할 수 있다. 다만, 스페이서(400)의 재질은 이에 한정되지 않으며, 무기 물질, 예를 들어 실리콘 화합물을 포함할 수도 있다.
스페이서(400)는 2단 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 스페이서(400)는, 제1 반사 전극(100)의 단부를 덮도록 형성된 제1 스페이서(401)와, 제1 스페이서(401) 상에 형성된 제2 스페이서(402)를 포함할 수 있다.
유기층(300)은, 제1 반사 전극(100) 상에 형성될 수 있다. 유기층(300)은 스페이서(400) 사이에 형성될 수 있다.
유기층(300)은 적어도 1층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
유기층(300)은, 발광층을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층(300)에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.
제2 반사 전극(200)은 유기층(300), 스페이서(400) 상에 배치될 수 있다. 제2 반사 전극(200)은, 알루미늄, 은, 백금, 금(Au), 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 등과 같은 금속, 이들의 합금 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 II 부분을 확대 도시한 도면이며, 도 3은 도 1의 III 부분을 확대 도시한 도면이다. 이하에서는, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(1)의 발광 구조에 대하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 제1 반사 전극(100)과 제2 반사 전극(200) 사이에 배치된 유기층(300)에서 빛이 발생한다. 유기층(300)에서 발생한 빛은 제2 반사 전극(200)을 향해 이동되며, 제2 반사 전극(200)에 의해 반사된다. 이후, 제1 반사 전극(100), 제2 반사 전극(200)에 반복적으로 반사되며, 측면으로 이동된다.
도 3을 참조하면, 측면으로 이동된 빛은 스페이서(400)를 투과하여 제2 반사 전극(200)에 의해 반사된다. 반사된 빛은 개구(12)를 통해 외부로 추출된다.
제2 반사 전극(200)은 유기층(300) 및 스페이서(400) 상에 형성된다. 제2 반사 전극(200)은, 유기층(300) 상에 배치되며 제1 반사 전극(100)을 향해 빛을 반사하는 제1 반사면(201)과, 스페이서(400) 상에 배치되며 기판(10)을 향해 빛을 반사하는 제2 반사면(202)을 가진다.
스페이서(400) 상에 형성된 제2 반사 전극(200)은 스페이서(400)의 형상에 대응하는 형상을 가진다. 제2 반사면(202)은 스페이서(400)의 표면 형상에 대응하는 반사면을 가질 수 있다.
제2 반사 전극(200)이 측면으로 이동된 빛을 기판(10)을 향해 반사시킬 수 있도록, 스페이서(400)는 소정의 형상 및 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 스페이서(400)는 전체적으로 원호 형상을 기지며, 소정 두께 이상의 두께를 가질 수 있다.
스페이서(400)는 원호 2개가 중첩된 2단 구조의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 스페이서(400)는 제1 반사 전극(100)의 단부를 덮도록 형성된 원호 형상의 제1 스페이서(401)와, 제1 스페이서(401)의 상부에 형성된 원호 형상의 제2 스페이서(402)를 포함할 수 있다. 그에 따라, 스페이서(400) 상에 형성된 제2 반사 전극(200)의 제2 반사면(202)은 제1 반사 전극(100)의 단부를 둘러싸는 원호 형상을 가질 수 있다. 제2 반사면(202)은 제1 스페이서(401)의 일부에 대응하는 원호 형상과, 제2 스페이서(402)에 대응하는 원호 형상을 포함하는 2단 구조를 가질 수 있다. 이러한 2단 구조의 제2 반사면(202)을 통해 개구(12)를 통한 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
스페이서(400)는 250 nm 이상의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 스페이서(400)는 1500 nm 이상의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 스페이서(400)는 2500 nm 이상의 두께를 가질 수 있다.
상술한 것처럼, 제2 반사 전극(200)의 제2 반사면(202)은, 제1, 제2 반사 전극(100, 200)에 의해 반사되어 측면으로 이동된 빛을 기판(10) 방향으로 반사시킨다. 제2 반사면(202)에 의해 반사된 빛은 스페이서(400), 절연막(20), 개구(12) 및 기판(10)를 투과하여, 외부로 방출된다.
즉, 유기층(300)에서 발생된 빛은 도 2와 같이 제1, 제2 반사 전극(100, 200)에 의해 반사되어 측면으로 이동되며, 도 3과 같이 측면에서 제2 반사 전극(200)에 의해 반사되어 외부로 방출된다. 그리하여, 광도파로에 의해 갇혀 버리는 빛을 최소화시킬 수 있다.
다만, 상기 도 2와 같이, 유기층(300)에서 발생된 빛이 제1, 제2 반사 전극(100, 200)에 반사되는 과정에서 빛이 소실될 수 있다. 즉, 제1 반사 전극(100) 또는 제2 반사 전극(200)에 입사되는 빛의 일부는 반사되지만, 빛의 나머지 일부는 반사 전극(100, 200), 특히 빛을 반사하는 반사층(120; 도 4 참조)에 의해 흡수될 수 있다. 이와 같이, 빛이 반사 전극(100, 200)에 반사되는 과정에서 흡수 소멸되는 양은, 반사되는 횟수에 따라 달라질 수 잇다.
상술한 실시예와 같이, 빛을 반사시켜 측면으로 이동시키는 구조에서는, 반복적인 반사로 인해 흡수되는 광량이 커질 수 있다. 이는, 발광 효율의 저하로 나타날 수 있다.
본 실시예에서는, 이러한 반사 전극(100, 200)에 빛이 반사되는 과정에서 빛의 흡수되는 양을 최소화하기 위하여, 제1, 제2 반사 전극(100, 200) 중 적어도 하나에 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층(130)이 포함될 수 있다.
도 4는 도 1에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(1)에서 제1 반사 전극(100)을 포함한 일부를 확대 도시한 도면이며, 도 5a 및 도 5b는 유기층(300)에서 발생된 빛의 입사각에 따른 빛의 이동을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 제1 반사 전극(100)에 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층(130)이 포함될 수 있다. 다만, 저굴절층(130)의 배치는 제1 반사 전극(100)에 한정되지는 아니하며, 제2 반사 전극(200)에 포함되거나, 제1, 제2 반사 전극(100, 200) 모두에 포함될 수도 있음은 물론이다.
제1 반사 전극(100)은, 유기층(300)에 접촉하는 투명 전극층(110)과, 투명 전극층(110)의 하부에 배치되는 반사층(120)을 포함할 수 있다.
반사층(120)은 투명 전극층(110)을 투과한 빛을 반사하는 층으로서, 알루미늄, 은(Ag), 백금, 금(Au), 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 등과 같은 금속, 이들의 합금 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사층(120)은 은(Ag)을 포함할 수 있다.
투명 전극층(110)은, 유기층(300)에 전기적으로 접촉하는 층으로서, 유기층(300)에 정공을 주입하기 위한 전극일 수 있다. 즉, 투명 전극층(110)은 애노드(anode)일 수 있다. 투명 전극층(110)은, 빛이 통과될 수 있는 투명한 층이며, 전기 전도성을 가질 수 있다.
투명 전극층(110)은, 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층(130)일 수 있다. 투명 전극층(110)은 유기층(300)의 굴절율보다 작은 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 투명 전극층(110)은, 유기층(300)의 굴절율보다 0.3 이상 작을 수 있다. 예로서, 유기층(300)의 굴절율이 약 1.7일 경우, 투명 전극층(110)의 굴절율은 약 1.2일 수 있다.
이와 같이, 유기층(300)과 투명 전극층(110) 사이에 굴절율 차이에 의해, 이들 사이의 경계면에는 소정의 임계각(θc)이 나타난다. 그에 따라, 유기층(300)에서 발생한 빛이 제1 반사 전극(100)으로 이동할 경우, 반사층(120)에 의한 빛의 흡수를 최소화할 수 있다.
유기층(300)에서 발생한 빛은 다양한 각도로 투명 전극층(110)을 향해 이동될 수 있다. 예를 들어, 유기층(300)에서 발생한 빛은 투명 전극층(110)에 임계각(θc)보다 큰 각도로 입사할 수 있으며, 또는 임계각(θc)보다 작은 작도로 입사할 수 있다.
도 5a를 참조하면, 유기층(300)에서 발생한 빛의 투명 전극층(110)에 대한 입사각(θ1)이 임계각(θc)보다 클 경우, 유기층(300)에서 발생한 빛은 투명 전극층(110)에 전반사된다. 그에 따라, 유기층(300)에서 발생한 빛이 반사층(120)과 접촉되는 것을 방지될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 유기층(300)에서 발생한 빛의 투명 전극층(110)에 대한 입사각(θ2)이 임계각(θc)보다 작을 경우, 빛은 굴절되어 반사층(120)에 대한 빛의 입사각(θ3)은 투명 전극층(110)에 대한 입사각(θ2)보다 커지게 된다. 입사각(θ3)이 커짐에 따라, 동일한 거리에서 반사층(120)에 의해 반사되는 횟수를 줄일 수 있다. 그에 따라, 반사층(120)에 의해 빛이 흡수되는 양을 줄일 수 있다.
상기와 같이, 굴절율이 1.4 이하인 투명 전극층(110)을 사용함으로써, 유기층(300)에서 발생한 빛이 반사층(120)에 의해 흡수되는 양을 줄일 수 있으며, 그에 따라 외부로 추출되는 광량을 증가시킬 수 있다.
굴절율이 1.4 이하인 투명 전극층(110)은, 저굴절 ITO(Indium Tin Oxide)층일 수 있다. 저굴절 ITO층은 굴절율이 1.2 이하일 수 있다.
한편, 상술한 실시예에서는, 투명 전극층(110) 자체가 저굴절층(130)인 예를 중심으로 설명하였다. 그러나, 저굴절층(130)의 배치는 이에 한정되지 아니하며, 반사층(120)의 상부에 배치되는 경우라면 그 위치는 변경될 수 있다.
도 6은 도 4의 유기발광 표시장치의 변형 실시예로서, 저굴절층(130A)의 배치를 달리한 실시예를 설명하는 도면이다. 도 7a 및 도 7b는 도 6에서 유기층(300)에서 발생된 빛의 입사각에 따른 빛의 이동을 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 유기발광 표시장치(1)의 제1 반사 전극(100A)은, 투명 전극층(110A), 저굴절층(130A) 및 반사층(120)을 포함한다. 도 4와 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 중복 설명은 생략하며, 차이점을 위주로 설명한다.
투명 전극층(110A)은, 일반적인 투명 전극으로 사용되는 재질이라면 자유롭게 사용될 수 있다. 투명 전극층(110A)은 투명 전도성 산화물을 포함하는 층, 예를 들어, ITO층, IZO층일 수 있다. 투명 전극층(110A)은, 유기층(300)과 굴절율이 유사할 수 있다. 예를 들어, 투명 전극층(110A)과 유기층(300)의 굴절율 차이는 0.1 이하일 수 있다. 유기층(300)의 굴절율이 1.7일 경우, 투명 전극층(110A)의 굴절율은 1.75일 수 있다.
저굴절층(130A)은, 굴절율이 1.4 이하일 수 있다. 저굴절층(130A)은 굴절율이 1.4 이하인 산화 규소(SiO2)층일 수 있다. 저굴절층(130A)의 굴절율은, 투명 전극층(110A)의 굴절율보다 작을 수 있다. 저굴절층(130A)의 굴절율은 투명 전극층(110A)의 굴절율보다 0.3 이상 작을 수 있다.
이와 같이, 투명 전극층(110A)과 저굴절층(130A)의 굴절율 차이에 의해, 이들 사이의 경계면에서 소정의 임계각(θc1)이 나타난다. 그에 따라, 유기층(300)에서 발생한 빛이 제1 반사 전극(100A)으로 이동할 경우, 반사층(120)에 의한 빛의 흡수를 최소화할 수 있다.
유기층(300)에서 발생한 빛은 굴절율이 동일 또는 유사한 투명 전극층(110A)을 통과하여 저굴절층(130A)에 다양한 입사각으로 입사될 수 있다. 예를 들어, 유기층(300)에서 발생한 빛은 저굴절층(130A)에 임계각(θc1)보다 큰 각도로 입사할 수 있으며, 또는 임계각(θc1)보다 작은 작도로 입사할 수 있다.
도 7a를 참조하면, 유기층(300)에서 발생한 빛의 저굴절층(130)에 대한 입사각(θ11)이 임계각(θc1)보다 클 경우, 유기층(300)에서 발생한 빛은 저굴절층(130A)에 전반사된다. 그에 따라, 빛이 반사층(120)과 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 유기층(300)에서 발생한 빛의 저굴절층(130A)에 대한 입사각(θ21)이 임계각(θc1)보다 작을 경우, 빛은 굴절되어 반사층(120)에 대한 빛의 입사각(θ31)은 저굴절층(130A)에 대한 입사각(θ21)보다 커지게 된다. 그에 따라, 동일한 거리에서 반사층(120)에 의해 반사되는 횟수를 줄일 수 있다. 그에 따라, 반사층(120)에 의해 빛이 흡수되는 양을 줄일 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 실시예에 따른 유기발광 표시장치(1)에서, 유기층(300)에서 발생한 빛이 제1 반사 전극(100)에 대하여 각각 60도 및 45도의 입사각을 가질 때, 측면으로 이동하는 빛의 궤적 및 광량의 시뮬레이션 결과이다. 도 9a 및 도 9b는 비교예에 따른 유기발광 표시장치(1)에서, 유기층(300)에서 발생한 빛이 제1 반사 전극(100)에 대하여 각각 60도 및 45도의 입사각을 가질 때, 측면으로 이동하는 빛의 궤적 및 광량의 시뮬레이션 결과이다.
도 8a 및 도 8b는 제1 반사 전극(100)이 1.4 이하인 저굴절층(130)을 포함한 실시예의 시뮬레이션 결과이며, 도 9a 및 도 9b는 제1 반사 전극(1000)이 1.4 이하인 저굴절층(130)을 포함하지 않은 비교예의 시뮬레이션 결과이다. 상기 실시예에서는, 투명 전극층(110)이 굴절율이 1.2인 저굴절 ITO층으로 구성되며, 상기 비교예에서는, 투명 전극층(110A)이 굴절율이 1.75인 ITO층으로 구성된다. 그에 따라, 유기층(300)과 투명 전극층(110)(110A) 사이의 계면에서 임계각(θc)은 실시예에서는 41.8도로 나타나며, 비교예에서는 76.5도로 나타난다.
유기층(300)에서 발생한 빛은 제1 반사 전극(100), 제2 반사 전극(200)에 교대로 반사되며 측면으로 이동된다. 반사 과정에서, 반사층(120)에 빛이 흡수됨에 따라 광량이 감소하게 된다. 상기 시뮬레이션에서는 광량이 높을 경우 실선 화살표로 표시되며, 광량이 낮을 경우 점선 화살표로 표시되었다.
실시예 및 비교예에서, 동일한 각도인 60도의 입사각으로 제1 반사 전극(100)에 입사될 때, 빛의 광량을 비교해보면, 도 8a에서는 유기층(300)에서 발생한 빛이 제1, 제2 반사 전극(100, 200)에 의해 반사되는 과정에서 실선 화살표를 유지하는 반면, 도 9a에서는 유기층(300)에서 발생한 빛이 제1, 제2 반사 전극(1000, 200)에 의해 반사되는 과정에서 실선 화살표에서 점선 화살표로 변경되었다.
유기층에서 발생한 빛의 광량을 1로 가정하였을 때, 도 8a의 X지점에서 측정된 광량은 0.7384로 나타났으며, 도 9a의 X지점에서 측정된 광량은 0.7127로 나타났다. 즉, 도 8a에서의 광량이 도 9a에서의 광량보다 약 3.6% 정도 높게 나타났다.
한편, 실시예 및 비교예에서, 동일한 각도인 45도의 입사각으로 제1 반사 전극(100)(1000)에 입사된 경우에도, 실시예에서의 빛의 광량이 비교예에서의 빛의 광량보다 높게 유지되는 것으로 나타났다. 도 9a에서는, 유기층(300)에서 발생한 빛이 제1 반사 전극(100)에 3회 반사될 때까지 실선 화살표를 유지하는 반면, 도 9a에서는 유기층(300)에서 발생한 빛이 제1 반사 전극(1000)에 2회 반사될 때까지 실선 화살표로 유지된다. 즉, 유기층(300)에서 발생한 빛이 동일한 횟수로 제1 반사 전극(100)(1000)에 반사되었을 때, 소멸되는 양은 저굴절층(130)이 포함되지 않는 비교예에 비해 저굴절층(130)이 포함된 실시예가 작게 나타나는 것을 알 수 있다.
도 10a 및 도 10b는, 제1 반사 전극(100)에 저굴절층(130)이 포함된 실시예 및 제1 반사 전극(100)에 저굴절층(130)이 포함되지 않은 비교예에서의 빛의 궤적 및 광량의 시뮬레이션 결과이다.
도 10a에 따른 실시예에서 개구(12)를 통해 출광되는 광속 밀도가 도 10b에 따른 비교예에서 개구(12)를 통해 출광되는 광속 밀도보다 크게 나타난다. 구체적으로, 도 10a 및 도 10b에서 동일한 영역이 X1, X2부분을 살펴보면, 광속 밀도가 도 10a에서 도 10b보다 크게 나타난 것을 알 수 있다. 시뮬레이션 결과, 도 10a에서 출광되는 광속 밀도가 도 10b에서 출광되는 광속 밀도보다 약 8.3 % 높게 나타났다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(1)의 제조방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 11a를 참조하면, 기판(10) 상에 제1 반사 전극(100, 100A)을 형성한다. 제1 반사 전극(100, 100A)을 형성하기 이전에, 기판(10) 상에 차광층(11) 및 차광층(11)을 덮을 수 있는 절연막(20)을 형성할 수 있다.
기판(10)은 투명 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 기판(10)으로 사용될 수 있는 투명 수지 기판은 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리 에테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 술폰산 수지 등을 포함할 수 있다.
절연막(20)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 포토 레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
다른 예로서, 절연막(20)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연막(20)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 절연막(20)은, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 아연 산화물(ZnOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 반사 전극(100, 100A)은 반사판 역할을 수행하는 데 적합한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반사 전극(100, 100A)은, 알루미늄, 은, 백금, 금(Au), 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 등과 같은 금속, 이들의 합금 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 제1 반사 전극(100, 100A)은 전술한 금속 및/또는 합금을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 포함할 수도 있다. 제1 반사 전극(100, 100A)의 형성에 대해서는 후술하기로 한다.
도 11b를 참조하면, 제1 반사 전극(100)의 단부를 덮는 스페이서(400)를 형성할 수 있다. 스페이서(400)는, 2단 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 스페이서(401) 및 제1 스페이서(401) 상에 형성된 제2 스페이서(402)를 포함할 수 있다.
제1 반사 전극(100) 상에 유기층(300)을 형성할 수 있다. 유기층(300)은 스페이서(400) 사이에 형성될 수 있다.
스페이서(400)는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 스페이서(400)는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지로부터 선택된 물질을 포함할 수 있다. 다만, 스페이서(400)의 재질은 이에 한정되지 않으며, 무기 물질, 예를 들어 실리콘 화합물을 포함할 수도 있다.
제1, 제2 스페이서(401, 402)는 서로 동일한 물질일 수 있거나, 서로 다른 물질일 수 있다.
유기층(300)은 적어도 1층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
유기층(300)은, 발광층을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층(300)에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.
도 11c를 참조하면, 유기층(300) 및 스페이서(400) 상에 제2 반사 전극(200)을 형성할 수 있다. 제2 반사 전극(200)은 유기층(300) 및 스페이서(400)의 형상을 따라 형성될 수 있다. 제2 반사 전극(200)은 유기층(300)의 형상을 따라 형성된 제1 반사면(201)과, 제1 반사 전극(100, 100A)의 단부를 둘러싸는 스페이서(400)의 형상을 따라 형성된 제2 반사면(202)을 가질 수 있다. 제2 반사면(202)은, 제1 반사 전극(100)의 단부에 배치되며, 제1 반사 전극(100)의 단부를 둘러싸는 원호 형상을 가질 수 있다.
제2 반사면(202)에 의해, 유기층(300)에서 발생된 빛이 기판(10)을 향해 반사될 수 있다. 그리하여, 측면으로 추출된 광을 기판(10)을 향해 출광시킬 수 있다.
이하에서는, 제1 반사 전극(100, 100A)을 형성하는 단계를 살펴보기로 한다.
도 12a 내지 도 12b는, 도 4에 개시된 제1 반사 전극(100)을 형성하는 단계의 일 예를 개략적으로 나타낸 것이며, 도 13은 저굴절 ITO층을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12a를 참조하면, 절연막(20) 상에 반사층(120)을 형성할 수 있다. 반사층(120)은, 알루미늄, 은(Ag), 백금, 금(Au), 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 등과 같은 금속, 이들의 합금 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사층(120)은 은(Ag)을 포함할 수 있다.
반사층(120)을 형성하기 이전에, 반사층(120)과 절연막(20)의 접착력 향상을 위한 중간층(30)을 절연막(20) 상에 형성할 수 있다. 중간층(30)의 예로서, 투명 전도성 산화물을 포함하는 층이 사용될 수 있다. 예를 들어, 중간층(30)으로서, ITO층이 사용될 수 있다. 중간층(30)은, 반사층(120)과 절연막(20)의 접착력을 향상시킴과 동시에 투명 전극으로서의 기능을 수행할 수 있다.
도 12b를 참조하면, 반사층(120) 상에 굴절율이 1.4 이하인 투명 전극층(110)이 형성될 수 있다. 즉, 투명 전극층(110)이 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층(130)일 수 있다.
일 예로서, 투명 전극층(110)은 굴절율이 1.2 이하인 저굴절 ITO층을 포함할 수 있다. ITO층은 일반적으로 굴절율이 약 1.7 정도일 수 있지만, 형성 방법에 따라 굴절율이 조절될 수 있다. 예를 들어, 경사 입사 증착법을 사용하여 저굴절 ITO층을 형성할 수 있다.
도 13을 참조하여, 저굴절 ITO층을 형성하는 방법을 설명한다. 저굴절 ITO층이 형성될 기판(10)을 도가니(C)의 분사 각도에 대하여 경사지게 배치한다. 이러한 상태에서, 기판(10)에 대한 증착을 실시한다. 이러한 증착 과정을 통해, 기판(10) 상에 기판(10)에 수직인 방향과 경사지게 증착된 저굴절 ITO층이 형성된다. 그리하여, 일반적인 증착시 굴절율이 약 1.7로 나타나는 ITO 물질을 이용하여, 기판(10) 상에 굴절율이 1.2 이하인 저굴절 ITO층을 형성할 수 있다.
도 14a 내지 도 14c는 도 6에 개시된 제1 반사 전극(100A)을 형성하는 단계의 다른 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 14a를 참조하면, 절연막(20) 상에 반사층(120)을 형성한다. 반사층(120)은, 알루미늄, 은(Ag), 백금, 금(Au), 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 등과 같은 금속, 이들의 합금 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사층(120)은 은(Ag)을 포함할 수 있다.
반사층(120)을 형성하기 이전에, 반사층(120)과 절연막(20)의 접착력 향상을 위한 중간층(30)을 절연막(20) 상에 형성할 수 있다. 중간층(30)의 예로서, 투명 전도성 산화물을 포함하는 층이 사용될 수 있다. 예를 들어, 중간층(30)으로서, ITO층이 사용될 수 있다. 중간층(30)은, 반사층(120)과 절연막(20)의 접착력을 향상시킴과 동시에 투명 전극으로서의 기능을 수행할 수 있다.
도 14b를 참조하면, 반사층(120) 상에 저굴절층(130A)을 형성한다. 저굴절층(130a)은 굴절율이 1.4 이하일 수 있다. 예를 들어, 저굴절층(130A)은 굴절율이 1.4 이하인 산화 규소층일 수 있다.
도 14c를 참조하면, 저굴절층(130A) 상에 투명 전극층(110A)을 형성한다. 투명 전극층(110A)은, 굴절율이 유기층(300)과 동일 또는 유사할 수 있다. 예를 들어, 투명 전극층(110A)의 굴절율은 1.75이며, 유기층(300)의 굴절율은 1.7일 수 있다. 투명 전극층(110A)은, ITO층일 수 있다.
한편, 이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1 : 유기발광 표시장치 10 : 기판
11 : 차광층 12 : 개구
20 : 절연막 30 : 중간층
100, 100A : 제1 반사 전극 110, 110A : 투명 전극층
120 : 반사층 130, 130A : 저굴절층
200 : 제2 반사 전극 300 : 유기층
400 : 스페이서 401 : 제1 스페이서
402 : 제2 스페이서
11 : 차광층 12 : 개구
20 : 절연막 30 : 중간층
100, 100A : 제1 반사 전극 110, 110A : 투명 전극층
120 : 반사층 130, 130A : 저굴절층
200 : 제2 반사 전극 300 : 유기층
400 : 스페이서 401 : 제1 스페이서
402 : 제2 스페이서
Claims (16)
- 기판;
상기 기판 상에 배치된 제1 반사 전극;
상기 제1 반사 전극 상에 배치되며, 발광층을 포함하는 유기층; 및
상기 유기층 상에 배치된 제2 반사 전극;을 포함하며,
상기 제1, 제2 반사 전극 중 적어도 하나는, 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층을 포함하되,
상기 기판과 제1 반사 전극 사이에는 반사된 빛을 통과시키는 개구를 가지는 차광층이 배치된, 유기발광 표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 반사 전극은,
상기 유기층에 접촉하는 투명 전극층과,
상기 투명 전극층의 하부에 배치되는 반사층을 포함하는, 유기발광 표시장치. - 제2항에 있어서,
상기 투명 전극층은, 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층인, 유기발광 표시장치. - 제3항에 있어서,
상기 저굴절층은, 굴절율이 1.2 이하인 ITO(Indium Tin Oxide)층인, 유기발광 표시장치. - 제2항에 있어서,
상기 저굴절층은, 상기 투명 전극층과 상기 반사층 사이에 배치되는, 유기발광 표시장치. - 제5항에 있어서,
상기 저굴절층은, 굴절율이 1.4 이하인 산화 규소(SiO2)층인, 유기발광 표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 반사 전극의 단부에 배치되며, 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 돌출된 스페이서;를 더 포함하는, 유기발광 표시장치. - 제7항에 있어서,
상기 스페이서는,
상기 제1 반사 전극의 단부를 덮도록 형성된 제1 스페이서와, 상기 제1 스페이서 상에 형성된 제2 스페이서를 포함하는, 유기발광 표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2 반사 전극은,
상기 유기층에서 발생한 빛이 상기 제1 반사 전극을 향하도록 반사하는 제1 반사면과,
상기 유기층에서 발생한 빛이 상기 기판을 향하도록 반사하는 제2 반사면을 포함하는, 유기발광 표시장치. - 제9항에 있어서,
상기 제2 반사면은 상기 제1 반사 전극의 단부에 배치되며, 상기 제1 반사 전극의 단부를 둘러싸는 원호 형상을 가지는, 유기발광 표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 반사 전극 사이에 배치된 절연막;을 더 포함하는, 유기발광 표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 투명 기판인, 유기발광 표시장치. - 삭제
- 기판 상에 제1 반사 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 반사 전극 상에, 발광층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 및
상기 유기층 상에 제2 반사 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 제1 반사 전극을 형성하는 단계 및 상기 제2 반사 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나에서, 굴절율이 1.4 이하인 저굴절층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 기판과 제1 반사 전극 사이에는 반사된 빛을 통과시키는 개구를 가지는 차광층을 형성하는, 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제14항에 있어서,
상기 제1 반사 전극을 형성하는 단계는,
기판 상에 반사층을 형성하는 단계와,
상기 반사층 상에 굴절율이 1.2 이하인 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 투명 전극층이 상기 저굴절층인, 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제14항에 있어서,
상기 제1 반사 전극을 형성하는 단계는,
기판 상에 반사층을 형성하는 단계와,
상기 반사층 상에 굴절율이 1.4 이하인 상기 저굴절층을 형성하는 단계와,
상기 저굴절층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하는, 유기발광 표시장치의 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140135969A KR102261643B1 (ko) | 2014-10-08 | 2014-10-08 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US14/741,274 US9634281B2 (en) | 2014-10-08 | 2015-06-16 | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140135969A KR102261643B1 (ko) | 2014-10-08 | 2014-10-08 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160042324A KR20160042324A (ko) | 2016-04-19 |
| KR102261643B1 true KR102261643B1 (ko) | 2021-06-08 |
Family
ID=55656053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140135969A KR102261643B1 (ko) | 2014-10-08 | 2014-10-08 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9634281B2 (ko) |
| KR (1) | KR102261643B1 (ko) |
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2014
- 2014-10-08 KR KR1020140135969A patent/KR102261643B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-06-16 US US14/741,274 patent/US9634281B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008108439A (ja) | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Nec Lighting Ltd | 電界発光素子および電界発光パネル |
| JP2013012377A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Canon Inc | 発光装置及び表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160042324A (ko) | 2016-04-19 |
| US20160104857A1 (en) | 2016-04-14 |
| US9634281B2 (en) | 2017-04-25 |
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