KR101903774B1 - 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 BCL(Blue Common Layer) 구조의 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 R 발광부, G 발광부, 및 B 발광부를 포함하는 유기발광다이오드 소자층; 및 하부 기판상에서 상기 R 발광부 및 G 발광부와 대응되는 영역에 형성되는 컬러필터를 구비하고, 상기 유기발광다이오드 소자층은, 상기 TFT층의 소스 전극에 접속된 애노드 전극; 상기 R 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 R 발광층; 상기 G 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 G 발광층; 및 상기 R 발광부의 R 발광층, 상기 G 발광부의 G 발광층, 상기 B 발광부의 애노드 전극 상에 형성되는 B 발광층을 포함하며, 상기 컬러필터는 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않는 것을 특징으로 한다.

Description

유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 BCL(Blue Common Layer) 구조의 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode)와 같은 여러가지 평판표시장치가 활용되고 있다. 이들 평판표시장치 중에서, 유기발광다이오드 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다. 유기발광다이오드 표시장치 중에서 다수의 화소가 매트릭스 형태로 위치하여 영상을 표시하는 액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치가 널리 사용된다.
소형 면적의 유기발광다이오드 표시장치는 수십 ㎛에 해당하는 소자 패턴이 정교하게 형성된 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, 이하 'FMM'으로 칭함)를 이용하여 R, G, B 발광 재료를 증착(deposition)함으로써 R, G, B 발광층을 형성한다. 하지만, 대형 면적의 유기발광다이오드 표시장치에서 FMM을 이용하여 R, G, B 발광 재료를 증착하는 경우, FMM의 크기가 대형화되어야 하므로 FMM의 처짐이 발생하게 된다. 이로 인해, 대형 면적의 유기발광다이오드 표시장치에서 FMM을 이용하여 R, G, B 발광 재료를 증착할 때, 증착 오차가 발생하게 된다.
이러한 문제를 해결한 대형 면적의 유기발광다이오드 표시장치를 형성하기 위해, R, G 발광 재료를 용액 도포하여 R, G 발광층을 형성하고, B 발광 재료를 증착하여 B 발광층을 공통층(common layer)으로 형성하는 BCL(Blue Common Layer) 구조의 유기발광다이오드 표시장치가 제안되었다. BCL 구조에서 B 발광 재료의 재료 특성으로 인해 B 발광층을 용액도포 공정으로 형성하는 경우 수율이 크게 저하되는 문제가 있으므로, B 발광층은 증착 공정을 이용하여 공통층으로 형성된다. 이 경우, B 발광층이 공통층으로 형성되기 때문에, BCL 구조의 R 발광부에는 R 발광층과 B 발광층이 형성되고 G 발광부에는 G 발광층과 B 발광층이 형성된다. 이로 인해, BCL 구조의 R 발광부에서는 적색과 청색이 혼합된 색이 발광되고, G 발광부에서는 녹색과 청색이 혼합된 색이 발광되는 문제가 발생한다.
본 발명은 R 발광부와 G 발광부에서 발광되는 청색 파장의 빛을 제거할 수 있는 BCL(Blue Common Layer) 구조의 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 R 발광부, G 발광부, 및 B 발광부를 포함하는 유기발광다이오드 소자층; 및 하부 기판상에서 상기 R 발광부 및 G 발광부와 대응되는 영역에 형성되는 컬러필터를 구비하고, 상기 유기발광다이오드 소자층은, 상기 TFT층의 소스 전극에 접속된 애노드 전극; 상기 R 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 R 발광층; 상기 G 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 G 발광층; 및 상기 R 발광부의 R 발광층, 상기 G 발광부의 G 발광층, 상기 B 발광부의 애노드 전극 상에 형성되는 B 발광층을 포함하며, 상기 컬러필터는 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 R 발광부, G 발광부, 및 B 발광부를 포함하는 유기발광다이오드 소자층; 및 TFT층 상에서 R 발광부 및 G 발광부와 대응되는 영역에 형성되는 컬러필터를 구비하고, 상기 유기발광다이오드 소자층은, 상기 TFT층의 소스 전극에 접속된 애노드 전극; 상기 R 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 R 발광층; 상기 G 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 G 발광층; 및 상기 R 발광부의 R 발광층, 상기 G 발광부의 G 발광층, 상기 B 발광부의 애노드 전극 상에 형성되는 B 발광층을 포함하며, 상기 컬러필터는 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 하부 기판상에서 R 발광부 및 G 발광부와 대응되는 영역에 컬러필터를 형성하는 제1 단계; TFT층의 소스 전극에 접속된 애노드 전극을 형성하고, 상기 R 발광부의 애노드 전극 상에 R 발광층을 형성하고, 상기 G 발광부의 애노드 전극 상에 G 발광층을 형성하는 제2 단계; 및 상기 R 발광부의 R 발광층, 상기 G 발광부의 G 발광층, 상기 B 발광부의 애노드 전극 상에 B 발광층을 형성하는 제3 단계를 포함하고, 상기 제1 단계는, 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않도록 상기 컬러필터를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 TFT층 상에서 발광부 및 G 발광부와 대응되는 영역에 컬러필터를 형성하는 제1 단계; 상기 TFT층과 컬러필터 상에서 상기 TFT층의 소스 전극에 접속된 애노드 전극을 형성하고, 상기 R 발광부의 애노드 전극 상에 R 발광층을 형성하고, 상기 G 발광부의 애노드 전극 상에 G 발광층을 형성하는 제2 단계; 및 상기 R 발광부의 R 발광층, 상기 G 발광부의 G 발광층, 상기 B 발광부의 애노드 전극 상에 B 발광층을 형성하는 제3 단계를 포함하고, 상기 제1 단계는, 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않도록 상기 컬러필터를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 R 발광부와 G 발광부에 대응되는 영역에 청색 파장의 빛을 투과시키지 않는 컬러필터를 형성한다. 그 결과, 본 발명은 R 발광부에서 발광되는 적색과 청색 파장의 빛 중에서 적색 파장의 빛만이 컬러필터를 투과하고, G 발광부에서 발광되는 녹색과 청색 파장의 빛 중에서 녹색 파장의 빛만이 컬러필터를 투과한다. 이로 인해, 본 발명은 R 발광부와 G 발광부에서 발광되는 청색 파장의 빛을 제거할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도.
도 3은 R 화소, G 화소, B 화소의 빛의 파장 대역, 컬러필터의 빛의 투과 대역, 컬러필터를 투과한 R 화소, G 화소, B 화소의 빛의 파장 대역을 나타내는 도면들.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도.
이하 첨부된 도면을 참조하여 유기발광다이오드 표시장치를 중심으로 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 단면도이다. 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도이다. 이하에서, 도 1, 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 상세히 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 하부 기판(100)에 블랙 매트릭스(black matrix)(110), 컬러필터(color filter)(120), TFT(Thin Film Transistor)층(130), 및 유기발광다이오드 소자(140) 등을 형성한다.
첫 번째로, 도 2a와 같이 하부 기판(100)상에는 블랙 매트릭스(110)와 컬러필터(120)가 형성된다. 블랙 매트릭스(110)는 R 발광부(150), G 발광부(160), 및 B 발광부(170)를 제외한 영역에 형성된다. 즉, 블랙 매트릭스(110)는 R 발광부(150), G 발광부(160), 및 B 발광부(170)와 대응되는 영역에는 형성되지 않는다. 블랙 매트릭스(110)는 카본 블랙(carbon black) 또는 크롬 옥사이드(chrome oxide)로 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(110)는 외부광이 유기발광다이오드 표시장치에 입사하는 것을 차단할 수 있으므로, 외부광이 표시장치에 입사되어 게이트 금속 패턴, 소스/드레인 금속 패턴에 의해 반사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 외부광의 반사에 의해 명암비(contrast ratio)가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
블랙 매트릭스(110)들 사이에는 컬러필터(120)가 형성된다. 컬러필터(120)는 R 발광부(150) 및 G 발광부(160)와 대응되는 영역에 형성된다. B 발광부(170)와 대응되는 영역에는 컬러필터(120)가 형성되지 않는다. 컬러필터(120)는 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛은 투과시키고, 청색 파장의 빛을 투과시키지 않도록 형성된다. 예를 들어, 컬러필터(120)는 청색 파장의 빛을 투과시키지 않기 위해 500nm 이하의 빛의 파장을 투과시키지 않도록 구현될 수 있다. 또는, 컬러필터(120)는 노란색 빛의 파장을 투과시키는 노란색 컬러필터로 형성될 수 있다. 노란색 빛의 파장 대역은 적색 빛의 파장 대역과 녹색 빛의 파장 대역을 포함하고, 청색 빛의 파장 대역을 포함하지 않기 때문이다. 이에 대한 자세한 설명은 도 3을 결부하여 후술한다. 블랙 매트릭스(110)와 컬러필터(120) 상에는 평탄화를 위해 블랙 매트릭스(110)와 컬러필터(120)를 덮는 오버코트층(111)이 형성된다.
두 번째로, 도 2b와 같이 오버코트층(111) 상에는 TFT층(130)이 형성된다. TFT층(130)은 게이트 전극 패턴, 게이트 절연막(133), 반도체층(134), 층간 절연막(135), 및 소스/드레인 전극 패턴을 포함한다. 게이트 라인과 게이트 전극(131)과 스토리지 하부전극(132)을 포함하는 게이트 전극 패턴은 오버코트층(111) 상에 형성된다. 게이트 전극 패턴 상에는 게이트 절연막(133)이 형성된다. 게이트 절연막(133) 상에는 반도체층(134)이 형성된다. 반도체층(134) 상에는 층간 절연막(135)이 형성된다. 층간 절연막(135) 상에는 데이터 라인과 소스 전극(136)과 드레인 전극(137)과 스토리지 상부전극(138)을 포함하는 소스/드레인 전극 패턴이 형성된다. 소스 전극(136)과 드레인 전극(137) 각각은 게이트 절연막(133)과 층간 절연막(135)을 관통하는 컨택홀을 통해 게이트 전극(131)과 접촉된다.
세 번째로, 도 2c와 같이 소스/드레인 전극 패턴 상에는 평탄화막(139)이 형성되고, 평탄화막(139) 상에는 유기발광다이오드 소자(140)가 형성된다. 유기발광다이오드 소자(140)는 R 발광부(150), G 발광부(160), 및 B 발광부(170)를 포함한다.
평탄화막(139) 상에는 애노드 전극(141)이 형성된다. 애노드 전극(141)은 평탄화막(139)을 관통하는 컨택홀을 통해 소스 전극(136)과 접속된다. 애노드 전극(141) 상에서 R 발광부(150), G 발광부(160), 및 B 발광부(170)를 제외한 영역에는 뱅크(bank)(142)가 형성된다. R 발광부(150), G 발광부(160), 및 B 발광부(170)는 뱅크(bank)에 의해 구획된다. R 발광부(150), G 발광부(160), 및 B 발광부(170)의 애노드 전극(141) 상에는 정공주입층과 정공수송층(143)이 순차적으로 적층된다. R 발광부(150)의 정공주입층과 정공수송층(143) 상에는 R 발광층(144)이 형성되고, G 발광부(160)의 정공주입층과 정공수송층(143) 상에는 G 발광층(145)이 형성된다. 정공주입층과 정공수송층(143), R 발광층(144), 및 G 발광층(145) 각각은 용액 도포 공정으로 형성된다. 예를 들어, 정공주입층과 정공수송층(143), R 발광층(144), 및 G 발광층(145) 각각은 슬릿 코팅(slit coating) 방식, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방식, 노즐 프린팅(nozzle printing) 방식, 그라비아 프린팅(gravure printing) 방식, 기타 전사 인쇄 방식을 이용하여 형성될 수 있다. 이를 위해, 정공주입층과 정공수송층(143)의 재료, R 발광 재료, 및 G 발광 재료 각각은 용액 도포 공정이 가능한 고분자 또는 저분자 물질로 형성될 수 있다.
네 번째로, 도 2d와 같이 R 발광층(144)과 G 발광층(145)이 형성된 후에, B 발광층(146), 전자수송층과 전자주입층(147), 및 캐소드층(148)이 공통층(common layer)으로 차례대로 형성된다. 공통층으로 형성되는 B 발광층(146), 전자수송층과 전자주입층(147), 및 캐소드층(148)은 공통 마스크를 이용하여 증착(deposition)함으로써 형성된다. 예를 들어, B 발광층(146), 전자수송층과 전자주입층(147), 및 캐소드층(148)은 열 증착(thermal evaporation) 방식, 스퍼터링(sputtering) 방식, 전자빔(Electron Beam, E-Beam) 증착 방식으로 형성될 수 있다. 한편, BCL(Blue Common Layer) 구조에서는 B 발광층(146)이 공통층으로 형성되기 때문에, BCL 구조는 종래 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, FMM)의 처짐으로 인해 발생했던 증착 오차에 대한 문제를 해결할 수 있는 장점이 있다.
유기발광다이오드 소자(140)를 형성한 후에, 상부 기판(180)을 이용하여 봉지 공정이 수행된다. 봉지 공정은 자외선 경화 실런트(UV sealant), 프릿 실런트(frit sealant), 하이브리드 인캡(Hybrid Encap.) 박막 공정으로 수행될 수 있다.
도 3은 R 화소, G 화소, B 화소의 빛의 파장 대역, 컬러필터의 빛의 투과 대역, 컬러필터를 투과한 R 화소, G 화소, B 화소의 빛의 파장 대역을 나타내는 도면들이다. 이하에서, 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 R 발광부(150)와 G 발광부(160)에서 발광되는 청색 파장의 빛을 제거하는 방법에 대하여 상세히 살펴본다.
도 3을 참조하면, R 발광부(150)는 R 발광층(144)과 B 발광층(146)을 포함하므로, R 발광부(150)의 빛 파장 대역은 적색 빛의 파장 대역(630nm)과 청색 빛의 파장 대역(456nm)을 포함한다. R 발광부(150)와 대응되는 영역에는 컬러필터(120)가 형성되므로, R 발광부(150)의 빛은 컬러필터(120)를 통과한다. 컬러필터(120)의 빛 투과 대역은 적색 빛의 파장 대역과 녹색 빛의 파장 대역은 포함하나 청색 빛의 파장 대역을 포함하지 않으므로, R 발광부(150)의 B 발광층(146)의 청색 빛은 컬러필터(120)를 통과하지 못한다. 예를 들어, 컬러필터(120)는 청색 파장의 빛을 투과시키지 않기 위해 500nm 이하의 빛의 파장을 투과시키지 않도록 구현될 수 있다. 또는, 컬러필터(120)는 노란색 빛의 파장을 투과시키는 노란색 컬러필터로 형성될 수 있다. 노란색 빛의 파장 대역은 적색 빛의 파장 대역과 녹색 빛의 파장 대역을 포함하고, 청색 빛의 파장 대역을 포함하지 않기 때문이다. 따라서, R 발광부(150)는 R 발광층(144)과 B 발광층(146)를 포함함에도 불구하고, 컬러필터(120)를 투과한 R 발광부(150)의 빛 파장 대역은 적색 빛의 파장 대역(630nm)과 실질적으로 동일하다.
G 발광부(160)는 G 발광층(145)과 B 발광층(146)을 포함하므로, G 발광부(160)의 빛 파장 대역은 녹색 빛의 파장 대역(520nm)와 청색 빛의 파장 대역(456nm)을 포함한다. G 발광부(160)와 대응되는 영역에는 컬러필터(120)가 형성되므로, G 발광부(160)의 빛은 컬러필터(120)를 통과한다. 컬러필터(120)의 빛 투과 대역은 적색 빛의 파장 대역과 녹색 빛의 파장 대역은 포함하나 청색 빛의 파장 대역을 포함하지 않으므로, G 발광부(160)의 B 발광층(146)의 청색 빛은 컬러필터(120)를 통과하지 못한다. 따라서, G 발광부(160)는 G 발광층(145)과 B 발광층(146)를 포함함에도 불구하고, 컬러필터(120)를 투과한 G 발광부(160)의 빛 파장 대역은 녹색 빛의 파장 대역과 실질적으로 동일하다.
B 발광부(170)는 B 발광층(146)을 포함하므로, B 발광부(170)의 빛 파장 대역은 청색 빛의 파장 대역(456nm)을 포함한다. B 발광부(170)와 대응되는 영역에는 컬러필터(120)가 형성되지 않으므로, B 발광부(170)의 빛은 그대로 외부로 방출된다. 따라서, B 발광부(170)의 빛 파장 대역은 청색 빛의 파장 대역과 실질적으로 동일하다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 R 발광부(150) 및 G 발광부(160)에 대응되는 영역에 청색 파장의 빛을 투과시키지 않는 컬러필터(120)를 형성한다. 그 결과, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 R 발광부(150)에서 발광되는 적색과 청색 파장의 빛 중에서 적색 파장의 빛만이 컬러필터(120)를 투과하고, G 발광부(160)에서 발광되는 녹색과 청색 파장의 빛 중에서 녹색 파장의 빛만이 컬러필터를 투과한다. 이로 인해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 R 발광부(150)와 G 발광부(160)에서 발광되는 청색 파장의 빛을 제거할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 단면도이다. 도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도이다. 이하에서, 도 4, 도 5a 내지 도 5e를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 상세히 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 하부 기판(200)에 블랙 매트릭스(210), 컬러필터(220), TFT층(230), 및 유기발광다이오드 소자(240) 등을 형성한다.
첫 번째로, 도 5a와 같이 하부 기판(200)상에는 블랙 매트릭스(210)가 형성된다. 블랙 매트릭스(210)는 R 발광부(250), G 발광부(260), 및 B 발광부(270)를 제외한 영역에 형성된다. 즉, 블랙 매트릭스(210)는 R 발광부(250), G 발광부(260), 및 B 발광부(270)와 대응되는 영역에는 형성되지 않는다. 블랙 매트릭스(210)는 카본 블랙 또는 크롬 옥사이드로 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(210)는 외부광이 유기발광다이오드 표시장치에 입사하는 것을 차단할 수 있으므로, 외부광이 표시장치에 입사되어 게이트 금속 패턴, 소스/드레인 금속 패턴에 의해 반사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 외부광의 반사에 의해 명암비(contrast ratio)가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 블랙 매트릭스(110) 상에는 평탄화를 위해 블랙 매트릭스(110)를 덮는 오버코트층(111)이 형성된다.
두 번째로, 도 5b와 같이 오버코트층(211) 상에는 TFT층(230)이 형성된다. TFT층(230)은 게이트 전극 패턴, 게이트 절연막(233), 반도체층(234), 층간 절연막(235), 및 소스/드레인 전극 패턴을 포함한다. 게이트 라인과 게이트 전극(231)과 스토리지 하부전극(232)을 포함하는 게이트 전극 패턴은 오버코트층(211) 상에 형성된다. 게이트 전극 패턴 상에는 게이트 절연막(233)이 형성된다. 게이트 절연막(233) 상에는 반도체층(234)이 형성된다. 반도체층(234) 상에는 층간 절연막(235)이 형성된다. 층간 절연막(235) 상에는 데이터 라인과 소스 전극(236)과 드레인 전극(237)과 스토리지 상부전극(238)을 포함하는 소스/드레인 전극 패턴이 형성된다. 소스 전극(236)과 드레인 전극(237) 각각은 게이트 절연막(233)과 층간 절연막(235)을 관통하는 컨택홀을 통해 게이트 전극(231)과 접촉된다.
세 번째로, 도 5c와 같이 소스/드레인 전극 패턴 상에는 평탄화막(239)이 형성되고, 평탄화막(239) 상에는 컬러필터(220)가 형성된다. 컬러필터(220)는 블랙 매트릭스(110)들 사이에 형성된다. 즉, 컬러필터(220)는 R 발광부(250) 및 G 발광부(260)와 대응되는 영역에 형성된다. 컬러필터(220)는 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛은 투과시키고, 청색 파장의 빛을 투과시키지 않도록 형성된다. 예를 들어, 컬러필터(120)는 청색 파장의 빛을 투과시키지 않기 위해 500nm 이하의 빛의 파장을 투과시키지 않도록 구현될 수 있다. 또는, 컬러필터(120)는 노란색 빛의 파장을 투과시키는 노란색 컬러필터로 형성될 수 있다. 노란색 빛의 파장 대역은 적색 빛의 파장 대역과 녹색 빛의 파장 대역을 포함하고, 청색 빛의 파장 대역을 포함하지 않기 때문이다. 이에 대한 자세한 설명은 도 3을 결부하여 후술한다. B 발광부(270)와 대응되는 영역에는 컬러필터(220)가 형성되지 않는다.
네 번째로, 도 5d와 같이 컬러필터(220)와 평탄화막(239) 상에는 유기발광다이오드 소자(240)가 형성된다. 유기발광다이오드 소자(240)는 R 발광부(250), G 발광부(260), 및 B 발광부(270)를 포함한다. 컬러필터(220)와 평탄화막(239) 상에는 애노드 전극(241)이 형성된다. 애노드 전극(241)은 컬러필터(220) 및/또는 평탄화막(139)을 관통하는 컨택홀을 통해 소스 전극(236)과 접속된다. R 발광부(250) 및 G 발광부(260)의 애노드 전극(241)은 컬러필터(220)와 평탄화막(239)을 관통하는 컨택홀을 통해 소스 전극(236)과 접속된다. B 발광부(270)의 애노드 전극(241)은 평탄화막(239)을 관통하는 컨택홀을 통해 소스 전극(236)과 접속된다. 애노드 전극(141) 상에서 R 발광부(250), G 발광부(260), 및 B 발광부(270)를 제외한 영역에는 뱅크(bank)(242)가 형성된다. R 발광부(250), G 발광부(260), 및 B 발광부(270)는 뱅크(bank)에 의해 구획된다. R 발광부(250), G 발광부(260), 및 B 발광부(270)의 애노드 전극(241) 상에는 정공주입층과 정공수송층(243)이 순차적으로 적층된다. R 발광부(250)의 정공주입층과 정공수송층(243) 상에는 R 발광층(244)이 형성되고, G 발광부(260)의 정공주입층과 정공수송층(243) 상에는 G 발광층(245)이 형성된다. 정공주입층과 정공수송층(243), R 발광층(244), 및 G 발광층(245) 각각은 용액 도포 공정으로 형성된다. 예를 들어, 정공주입층과 정공수송층(243), R 발광층(244), 및 G 발광층(245) 각각은 슬릿 코팅(slit coating) 방식, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방식, 노즐 프린팅(nozzle printing) 방식, 그라비아 프린팅(gravure printing) 방식, 기타 전사 인쇄 방식을 이용하여 형성될 수 있다. 이를 위해, 정공주입층과 정공수송층(243)의 재료, R 발광 재료, 및 G 발광 재료 각각은 용액 도포 공정이 가능한 고분자 또는 저분자 물질로 형성될 수 있다.
다섯 번째로, 도 5e와 같이 R 발광층(244)과 G 발광층(245)이 형성된 후에, B 발광층(246), 전자수송층과 전자주입층(247), 및 캐소드층(248)이 공통층(common layer)으로 차례대로 형성된다. 공통층으로 형성되는 B 발광층(246), 전자수송층과 전자주입층(247), 및 캐소드층(248)은 공통 마스크를 이용하여 증착(deposition)함으로써 형성된다. 예를 들어, B 발광층(246), 전자수송층과 전자주입층(247), 및 캐소드층(248)은 열 증착(thermal evaporation) 방식, 스퍼터링(sputtering) 방식, 전자빔(Electron Beam, E-Beam) 증착 방식으로 형성될 수 있다. 한편, BCL(Blue Common Layer) 구조에서는 B 발광층(246)이 공통층으로 형성되기 때문에, BCL 구조는 종래 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, FMM)의 처짐으로 인해 발생했던 증착 오차에 대한 문제를 해결할 수 있는 장점이 있다.
유기발광다이오드 소자(240)를 형성한 후에, 상부 기판(280)을 이용하여 봉지 공정이 수행된다. 봉지 공정은 자외선 경화 실런트(UV sealant), 프릿 실런트(frit sealant), 하이브리드 인캡(Hybrid Encap.) 박막 공정으로 수행될 수 있다.
한편, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 R 발광부(250) 및 G 발광부(260)에 대응되는 영역에 청색 파장의 빛을 투과시키지 않는 컬러필터(220)를 형성한다. 그 결과, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 R 발광부(250)에서 발광되는 적색과 청색 파장의 빛 중에서 적색 파장의 빛만이 컬러필터(220)를 투과하고, G 발광부(260)에서 발광되는 녹색과 청색 파장의 빛 중에서 녹색 파장의 빛만이 컬러필터를 투과한다. 이로 인해, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 R 발광부(250)와 G 발광부(260)에서 발광되는 청색 파장의 빛을 제거할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100, 200: 하부 기판 110: 210: 블랙 매트릭스
120, 220: 컬러필터 130, 230: TFT층
131, 231: 게이트 전극 132, 232: 스토리지 하부 전극
133, 233: 게이트 절연막 134, 234: 반도체층
135, 235: 층간 절연막 136, 236: 소스 전극
137, 237: 드레인 전극 138, 238: 스토리지 상부 전극
139, 239: 평탄화막 140, 240: 유기발광다이오드 소자
141, 241: 애노드 전극 142, 242: 뱅크
143, 243: 정공주입층과 정공수송층 144, 244: R 발광층
145, 245: G 발광층 146, 246: B 발광층
147, 247: 전자수송층과 전자주입층 148, 248: 캐소드 전극
150, 250: R 발광부 160, 260: G 발광부
170, 270: B 발광부 180, 280: 상부 기판

Claims (26)

  1. TFT층 상에서, R 발광부, G 발광부, 및 B 발광부를 포함하는 유기발광다이오드 소자층; 및
    하부 기판상에서 상기 R 발광부 및 G 발광부와 대응되는 영역에 형성되는 컬러필터를 구비하고,
    상기 유기발광다이오드 소자층은,
    상기 TFT층의 소스 전극에 접속된 애노드 전극;
    상기 R 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 R 발광층;
    상기 G 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 G 발광층; 및
    상기 R 발광부의 R 발광층, 상기 G 발광부의 G 발광층, 상기 B 발광부의 애노드 전극 상에 형성되는 B 발광층을 포함하며,
    상기 컬러필터는,
    노란색 빛의 파장을 투과시키는 노란색 컬러필터로 구현되며, 상기 R 발광부 및 상기 G 발광부에만 선택적으로 마련되어, 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 기판상에서 상기 R 발광부, G 발광부, 및 B 발광부를 제외한 영역에 형성되는 블랙 매트릭스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 TFT층은,
    상기 블랙 매트릭스와 컬러필터를 덮는 오버코트층 상에 형성되고, 게이트 전극 패턴, 게이트 절연막, 반도체층, 층간 절연막, 및 소스/드레인 전극 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드 소자층은,
    상기 애노드 전극과 상기 R 발광층, G 발광층, 및 B 발광층 사이에 순차적으로 적층되는 정공주입층과 정공수송층;
    상기 B 발광층 상에 순차적으로 적층되는 전자수송층과 전자주입층; 및
    상기 전자주입층 상에 형성되는 캐소드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  5. R 발광부, G 발광부, 및 B 발광부를 포함하는 유기발광다이오드 소자층; 및
    TFT층 상에서 R 발광부 및 G 발광부와 대응되는 영역에 형성되는 컬러필터를 구비하고,
    상기 유기발광다이오드 소자층은,
    상기 TFT층의 소스 전극에 접속된 애노드 전극;
    상기 R 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 R 발광층;
    상기 G 발광부의 애노드 전극 상에 형성된 G 발광층; 및
    상기 R 발광부의 R 발광층, 상기 G 발광부의 G 발광층, 상기 B 발광부의 애노드 전극 상에 형성되는 B 발광층을 포함하며,
    상기 컬러필터는,
    노란색 빛의 파장을 투과시키는 노란색 컬러필터로 구현되며, 상기 R 발광부 및 상기 G 발광부에만 선택적으로 마련되어, 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    하부 기판상에서 상기 R 발광부, G 발광부, 및 B 발광부를 제외한 영역에 형성되는 블랙 매트릭스를 더 구비하는 유기발광다이오드 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 TFT층은,
    상기 블랙 매트릭스를 덮는 오버코트층 상에 형성되고, 게이트 전극 패턴, 게이트 절연막, 반도체층, 층간 절연막, 및 소스/드레인 전극 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 R 발광층의 애노드 전극과 상기 G 발광층의 애노드 전극은 상기 컬러필터 상에 형성되고, 상기 B 발광층의 애노드 전극은 상기 TFT층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드 소자층은,
    상기 애노드 전극과 상기 R 발광층, G 발광층, 및 B 발광층 사이에 순차적으로 적층되는 정공주입층과 정공수송층;
    상기 B 발광층 상에 순차적으로 적층되는 전자수송층과 전자주입층; 및
    상기 전자주입층 상에 형성되는 캐소드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  10. 하부 기판상에서 R 발광부 및 G 발광부와 대응되는 영역에 컬러필터를 형성하는 제1 단계;
    TFT층의 소스 전극에 접속된 애노드 전극을 형성하고, 상기 R 발광부의 애노드 전극 상에 R 발광층을 형성하고, 상기 G 발광부의 애노드 전극 상에 G 발광층을 형성하는 제2 단계; 및
    상기 R 발광부의 R 발광층, 상기 G 발광부의 G 발광층, B 발광부의 애노드 전극 상에 B 발광층을 형성하는 제3 단계를 포함하고,
    상기 제1 단계는,
    적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않도록 상기 컬러필터를 형성하는 단계이며,
    상기 컬러필터는,
    노란색 빛의 파장을 투과시키는 노란색 컬러필터로 구현되며, 상기 R 발광부 및 상기 G 발광부에만 선택적으로 마련되어, 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 단계는,
    상기 하부 기판상에서 상기 R 발광부, G 발광부, 및 B 발광부를 제외한 영역에 블랙 매트릭스를 형성하고, 상기 블랙 매트릭스와 컬러필터를 덮는 오버코트층을 형성하며, 상기 오버코트층 상에 게이트 전극 패턴, 게이트 절연막, 반도체층, 층간 절연막, 및 소스/드레인 전극 패턴을 포함하는 상기 TFT층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제2 단계는,
    상기 애노드 전극 상에 순차적으로 정공주입층과 정공수송층을 적층한 후, 상기 R 발광층, G 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 단계는,
    상기 정공주입층과 정공수송층, R 발광층, 및 G 발광층을 슬릿 코팅 방식, 잉크젯 프린팅 방식, 노즐 프린팅 방식, 및 그라비아 프린팅 방식 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 제3 단계는,
    상기 B 발광층 상에 순차적으로 전자수송층과 전자주입층을 적층하고, 상기 전자주입층 상에 캐소드 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 제3 단계는,
    상기 B 발광층을 열 증착 방식, 스퍼터링 방식, 전자빔 증착 방식 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  16. TFT층 상에서 R 발광부 및 G 발광부와 대응되는 영역에 컬러필터를 형성하는 제1 단계;
    상기 TFT층과 컬러필터 상에서 상기 TFT층의 소스 전극에 접속된 애노드 전극을 형성하고, 상기 R 발광부의 애노드 전극 상에 R 발광층을 형성하고, 상기 G 발광부의 애노드 전극 상에 G 발광층을 형성하는 제2 단계; 및
    상기 R 발광부의 R 발광층, 상기 G 발광부의 G 발광층, B 발광부의 애노드 전극 상에 B 발광층을 형성하는 제3 단계를 포함하고,
    상기 제1 단계는,
    적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않도록 상기 컬러필터를 형성하는 단계이며,
    상기 컬러필터는,
    노란색 빛의 파장을 투과시키는 노란색 컬러필터로 구현되며, 상기 R 발광부 및 상기 G 발광부에만 선택적으로 마련되어, 적색 파장의 빛과 녹색 파장의 빛을 투과하고, 청색 파장의 빛은 투과시키지 않는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 단계는,
    하부 기판상에서 상기 R 발광부, G 발광부, 및 B 발광부를 제외한 영역에 블랙 매트릭스를 형성하고, 상기 블랙 매트릭스를 덮는 오버코트층을 형성하며, 상기 오버코트층 상에 게이트 전극 패턴, 게이트 절연막, 반도체층, 층간 절연막, 및 소스/드레인 전극 패턴을 포함하는 상기 TFT층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제2 단계는,
    상기 R 발광층의 애노드 전극과 상기 G 발광층의 애노드 전극을 상기 컬러필터 상에 형성하고, 상기 B 발광층의 애노드 전극을 상기 TFT층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제2 단계는,
    상기 애노드 전극 상에 순차적으로 정공주입층과 정공수송층을 적층한 후, 상기 R 발광층, G 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제2 단계는,
    상기 정공주입층과 정공수송층, R 발광층, 및 G 발광층을 슬릿 코팅 방식, 잉크젯 프린팅 방식, 노즐 프린팅 방식, 및 그라비아 프린팅 방식 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 제3 단계는,
    상기 B 발광층 상에 순차적으로 전자수송층과 전자주입층을 적층하고, 상기 전자주입층 상에 캐소드 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 제3 단계는,
    상기 B 발광층을 열 증착 방식, 스퍼터링 방식, 전자빔 증착 방식 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101513641B1 (ko) * 2013-08-20 2015-04-22 엘지전자 주식회사 표시장치
KR102200020B1 (ko) * 2013-12-30 2021-01-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 디스플레이장치
KR102154489B1 (ko) * 2014-05-28 2020-09-11 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR102247825B1 (ko) * 2014-07-25 2021-05-04 엘지디스플레이 주식회사 칼라 필터를 구비한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR102305143B1 (ko) 2014-08-20 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102261643B1 (ko) * 2014-10-08 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20160079975A (ko) 2014-12-26 2016-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102393046B1 (ko) 2015-01-23 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR102609087B1 (ko) * 2015-12-24 2023-12-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
KR102513824B1 (ko) * 2015-12-30 2023-03-23 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102526038B1 (ko) * 2016-05-31 2023-04-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치
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