CN117042547A - 一种有机发光模组及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 443
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 30
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 22
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 36
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical class [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/90—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
- H10K59/95—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element comprising only organic light-emitting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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Abstract
本发明公开了一种有机发光模组及其制备方法，有机发光模组包括：基板；发光器件层，发光器件层设置于基板上，发光器件层用于发光；透明缓冲层，透明缓冲层设置于发光器件层远离基板的一侧；透明电极层，透明电极层设置于透明缓冲层远离基板的一侧，透明电极层与发光器件层电连接。本发明可以减少形成透明电极层时对发光器件层的损伤，并且可以调节发光器件层的出光。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种有机发光模组及其制备方法。
背景技术
如今，随着信息化社会的发展，半导体技术也得到快速发展。
然而，随着屏尺寸增大，透明阴极方阻变大，电压的梯度性变大，OLED照明屏体上距离电源供给点越远的部分，电压降越明显，导致整个屏体上压降分布不均匀，最终屏体会出现较为明显的亮度不均匀的现象。解决方法之一是在发光器件层上通过溅射方式制备较厚的氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)或者铝掺杂的氧化锌(AZO)透明电极层。
但是，由于溅射过程中，ITO能量较高，会损伤发光器件层，导致有机发光模组性能变差，甚至引起短路，使有机发光模组无法工作。
发明内容
本发明提供了一种有机发光模组及其制备方法，可以减少形成透明电极层时对发光器件层的损伤，并且可以调节发光器件层的出光。
第一方面，本发明实施例提供了一种有机发光模组，包括：基板；发光器件层，发光器件层设置于基板上，发光器件层用于发光；透明缓冲层，透明缓冲层设置于发光器件层远离基板的一侧；透明电极层，透明电极层设置于透明缓冲层远离基板的一侧，透明电极层与发光器件层电连接。
可选地，透明缓冲层为网格状光学缓冲层。
可选地，基板包括显示区和非显示区，发光器件层设置于显示区，透明缓冲层在基板上的垂直投影面积占显示区的面积的比例大于或等于80％。
可选地，透明缓冲层的厚度为30nm至500nm。
可选地，透明缓冲层的折射率范围在1.8至2.4之间。
可选地，透明缓冲层的消光系数小于或者等于0.1。
可选地，发光器件层包括：阳极层，阳极层设置于基板上；OLED功能层，OLED功能层设置于阳极层远离基板的一侧；半透明阴极层，半透明阴极层设置于OLED功能层远离基板的一侧；其中，半透明阴极层与透明电极层电连接。
可选地，OLED功能层包括发光层，发光层包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层；第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层同层设置；透明缓冲层至少覆盖第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层。
可选地，有机发光模组还包括光学调控层，光学调控层位于透明电极层远离基板的一侧。
可选地，光学调控层的厚度范围在30nm至500nm之间，光学调控层的折射率范围在1.3至8之间；且光学调控层消光系数小于或者等于0.1。
第二方面，本发明实施例提供了一种有机发光模组的制备方法，包括：在基板的一侧形成发光器件层，发光器件层用于发光；在发光器件层远离基板的一侧形成透明缓冲层；在透明缓冲层远离基板的一侧形成透明电极层，透明电极层与发光器件层电连接。
本发明实施例的技术方案，通过在发光器件层与透明电极层之间形成具有缓冲功能的透明缓冲层，可以减少在发光器件层上通过溅射法形成形成透明电极层时对发光器件层的损伤，并且该透明缓冲层可以调节发光器件层的出光，具体的，可以调控整个基板因为不同区域透过率不一致导致的色偏。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种有机发光模组的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的又一种有机发光模组的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种有机发光模组的制备方法的流程图；
图4是本发明实施例提供的一种步骤S301对应的有机发光模组的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种步骤S302对应的有机发光模组的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种步骤S303对应的有机发光模组的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的又一种有机发光模组的制备方法的流程图；
图8是本发明实施例提供的一种步骤S401对应的有机发光模组的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种步骤S402对应的有机发光模组的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种步骤S403对应的有机发光模组的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的一种步骤S404对应的有机发光模组的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种步骤S405对应的有机发光模组的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的一种步骤S406对应的有机发光模组的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的又一种有机发光模组的制备方法的流程图；
图15是本发明实施例提供的一种步骤S501对应的有机发光模组的结构示意图；
图16是本发明实施例提供的一种步骤S502对应的有机发光模组的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的一种步骤S503对应的有机发光模组的结构示意图；
图18是本发明实施例提供的一种步骤S504对应的有机发光模组的结构示意图；
图19是本发明实施例提供的一种步骤S505对应的有机发光模组的结构示意图；
图20是本发明实施例提供的一种步骤S506对应的有机发光模组的结构示意图；
图21是本发明实施例提供的一种步骤S507对应的有机发光模组的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
图1是本发明实施例提供的一种有机发光模组的结构示意图，如图1所示，有机发光模组包括：基板101；发光器件层102，发光器件层102设置于基板101上，发光器件层102用于发光；透明缓冲层103，透明缓冲层103设置于发光器件层102远离基板101的一侧；透明电极层104，透明电极层104设置于透明缓冲层103远离基板101的一侧，透明电极层104与发光器件层102电连接。
具体的，基板101包括衬底，衬底可以为有机发光模组提供缓冲、保护或支撑等作用。衬底可以是柔性衬底，柔性衬底的材料可以是聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，也可以是上述多种材料的混合材料。衬底也可以为采用玻璃等材料形成的硬质衬底。当然，在其他实施方式中，衬底也可以选用硅基基板(如碳化硅(SiC)衬底或者硅(Si)衬底)或氮化镓(GaN)基板等，还可以是其它可用的衬底材料，在此不作限定。
形成透明缓冲层103的材料没有特别限制，只要能提供缓冲功能并且在获得足够的缓冲功能所需的膜厚度下表现出透明性即可。示例性地，透明缓冲层103可以使用可热蒸发的无机材料ZnSe，ZnS，TiOx以及有机材料。
透明缓冲层103的形成方法没有特别限制，只要该方法不对包括例如发光层的发光器件层102产生影响即可。例如，可以使用化学气相沉积法以及真空蒸镀法、溅射法或离子镀法等物理气相沉积法形成透明缓冲层103。其中，优选化学气相沉积法、真空蒸镀法。这是因为，在化学气相沉积法和真空蒸镀法中，气化材料的动能低，使得给予包括例如发光层的发光器件层102的能量小。
本发明所使用的透明电极层104形成于透明缓冲层103上，且具有防氧化功能。当构成发光器件层102的半透明阴极层或电子注入层包含高反应性金属时，透明电极层104可以防止发光器件层102中的金属被环境氧氧化。因此，可以抑制发光器件层发光特性的降低，电子注入功能的降低。
形成透明电极层104的材料没有特别限制，只要其具有透明性并提供防氧化功能即可。例如，由于形成透明电极层104时对发光器件层102造成的损伤可以通过透明缓冲层103来减轻，因此用于形成透明电极层104的材料可以是具有较高熔点的材料。示例性地，透明电极层104的材料可以是铝掺杂的氧化锌(AZO)，还可以是ITO。
进一步地，导电性无机氧化物适合作为形成透明电极层104的材料。导电性无机氧化物的优点在于，其可以通过例如溅射法或离子镀法以膜状方式形成，并且无机氧化物可以提供致密的膜，从而表现出防氧化功能。
透明电极层104的形成方法没有特别限制，可以使用例如化学气相沉积法以及物理气相沉积法形成。优选使用溅射法和原子层沉积法(Atomic layer deposition，ALD)形成透明电极层104。这是因为，溅射法和ALD法的成膜能量高，成膜效率良好。
本发明所使用的透明缓冲层103形成于发光器件层102与透明电极层104之间，具有冲击缓冲功能。当通过溅射法形成透明电极层104时，发光器件层102被该透明缓冲层103保护。此外，通过将透明电极层104与发光器件层102电连接，可以降低发光器件层102的电阻，以减少透明电极层104与发光器件层102之间的电压降。
本发明实施例的技术方案，通过在发光器件层与透明电极层之间形成具有缓冲功能的透明缓冲层，可以减少在发光器件层上通过溅射法形成形成透明电极层时对发光器件层的损伤，并且该透明缓冲层可以调节发光器件层的出光。具体的，可以调控整个基板因为不同区域透过率不一致导致的色偏。
继续参考图1，发光器件层102包括：阳极层11，阳极层11设置于基板101上；OLED功能层12，OLED功能层12设置于阳极层11远离基板101的一侧；半透明阴极层13，半透明阴极层13设置于OLED功能层12远离基板的一侧；其中，半透明阴极层13与透明电极层104电连接。通过将透明电极层104与半透明阴极层13电连接，可以降低半透明阴极层13的电阻。
其中，阳极层11材料没有特别限定，只要具有透明性和导电性即可。示例性的，阳极层11的材料可以为氧化铟锡(ITO),掺杂二氧化锡(FTO),氧化锌(ZnO),铟镓锌氧化物(IGZO)和石墨烯及其衍生物中的至少一种。
阳极层11的厚度没有特别限制，可以根据所使用的导电材料适当设定。具体的，阳极层11的厚度范围优选为40nm～500nm。这是因为，当阳极层11的厚度太小时，阳极层11的电阻可能会变高。另一方面，当阳极层11的厚度太大时，存在阳极层11与半透明阴极层13短路的可能性。
OLED功能层12为依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的多层结构。当阳极层11和半透明阴极层13之间施加合适的电压后，空穴从阳极层11、电子从半透明阴极层13注入到OLED功能层12中，并在OLED功能层12中的发光层进行复合发光。
“半透明”在这里并且在全文中表示对于可见光而言可穿透的层。在此，半透明的层能够是透明的，也就是说清晰透光的，或者是至少部分地散射光的和/或部分地吸收光的，半透明的层也可以是漫射地或乳白色地透光的。优选的，半透明的层尽可能透明地构成，使得对光的吸收尽可能的小。
半透明阴极层13的材料没有特别限定，只要具有透明性和导电性即可。半透明阴极层可以是单层，也可以是多层的层叠体。示例性地，半透明阴极层13的可以是Mg、Ag和Yb薄膜。
碱金属和碱土金属容易被氧化，半透明阴极层13的电子注入功能可能会因金属的氧化而丧失。然而，由于具有防氧化功能的透明电极层104形成在半透明阴极层13上，因此即使半透明阴极层13含有碱金属或碱土金属，半透明阴极层13也受到透明电极层104的保护，可以防止碱金属和碱土金属被环境氧氧化。
半透明阴极层13的厚度没有特别限制，可以根据所使用的导电材料适当设定。具体的，半透明阴极层13的厚度范围优选为10nm～30nm。这是因为，如果半透明阴极层13的厚度太小，则电阻可能会变高；如果半透明阴极层13的厚度太大，则透射率可能会变低。
可选地，透明缓冲层103为网格状光学缓冲层。网格状的空隙区域可以保证透明电极层104和半透明阴极层13连接。
可选地，基板101包括显示区和非显示区，发光器件层102设置于显示区，透明缓冲层103在基板101上的垂直投影面积占显示区的面积的比例大于或等于80％。这是因为，若透明缓冲层在基板101上的垂直投影面积占显示区的面积小于80％，则会在形成透明电极层104时仍会损伤下方的半透明阴极层13。优选透明缓冲层103在基板101上的垂直投影面积与有机发光模组的发光区域面积相等或者比有机发光模组的发光区域的面积稍大一些，其他显示区裸露。
透明缓冲层103的厚度只要是能够发挥缓冲功能且满足可见光透过率为80％的厚度即可。该厚度还可以根据透明缓冲层103所用材料的种类和透明电极层104的形成工艺来适当设定。具体而言，透明缓冲层103的厚度优选为30nm至500nm。
这是因为，一方面若透明缓冲层103的厚度小于上述范围，则透明缓冲层103缓冲功能可能无法充分发挥。另一方面，如果透明缓冲层103的厚度大于上述范围，则可能导致透过率降低或成膜时间变长。另外，如果透明缓冲层103的厚度大于上述范围，则发光器件层102与透明电极层104的间隔太大，透明电极层104的防氧化效果会降低。
可选地，透明缓冲层103的折射率范围在1.8至2.4之间。示例性地，透明缓冲层103的折射率可以是1.9。通过改变透明缓冲层103的折射率和厚度可以调节光线的出光。具体的，可以调控整个基板101因为不同区域透过率不一致导致的色偏。
可选地，透明缓冲层103的消光系数小于或者等于0.1，通过设置透明缓冲层103的消光系数小于或者等于0.1，会使得光损失减少，从而可以提高透明缓冲层103对光的调控效果。
可选地，该有机发光模组还包括光学调控层105，光学调控层105位于透明电极层104远离基板101的一侧。光学调控层105的厚度范围在30nm至500nm之间，光学调控层105的折射率范围在1.3至8之间。光学调控层的材料可以是例如MgF2、CaF2的无机材料，也可以是例如NPB的有机材料。通过光学调控层105可以调整有机发光模组的光场分布，使尽量多的可见光透过。
可选地，光学调控层105的消光系数小于或者等于0.1。通过设置光学调控层105的消光系数小于或者等于0.1会使得光损失减少，从而可以提高光学调控层105对光的调控效果。
图2是本发明实施例提供的又一种有机发光模组的结构示意图，如图2所示，本实施例在上述各实施例的基础上，可选地，阳极层11包括多个阳极，相邻阳极之间有间隙。
OLED功能层12包括发光层，发光层包括第一颜色发光层121、第二颜色发光层122和第三颜色发光层123；第一颜色发光层121、第二颜色发光层122和第三颜色发光层123同层设置；透明缓冲层103至少覆盖第一颜色发光层121、第二颜色发光层122和第三颜色发光层123。即透明缓冲层103在基板101上的垂直投影，位于阳极在基板101上的垂直投影外。通过设置透明缓冲层103至少覆盖第一颜色发光层121、第二颜色发光层122和第三颜色发光层123，既可以保证透明缓冲层上方的透明电极层104和下方的半透明阴极层13连接，也可以保证在通过溅射法形成透明电极层104时，不会损伤透明缓冲层103下方的半透明阴极层13。
作为形成发光层的材料，通常使用颜料类发光材料、金属络合物类发光材料或聚合物类发光材料。此外，可以将进行荧光发射或磷光发射的掺杂剂掺入发光层中，以提高发光效率并改变发光波长。
示例性的，颜料类发光材料可以是环戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物等；金属络合物类发光材料可以是恶二唑、噻二唑、苯基的金属络合物；聚合物类发光材料可以是聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物中的至少一种。
发光层的厚度没有特别限制，只要其是能够提供电子和空穴复合的场以提供发光功能的厚度即可。例如，发光层的厚度范围可以是1nm至200nm。
可选地，有机发光模组还包括像素定义层14，像素定义层14位于阳极层11远离基板101的一侧，像素定义层14包括多个开口区，发光层填充开口区。
其中，垂直于基板101的第一方向X上，也就是沿基板101的厚度方向上，开口区与阳极一一对应交叠，即开口区在基板101上的垂直投影与阳极在基板101上的垂直投影交叠，例如阳极在基板101上的垂直投影，位于开口区在基板101上的垂直投影外。像素定义层14可以由聚合物树脂形成。例如，像素定义层14可以包括聚丙烯酸酯基树脂或聚酰亚胺基。除了聚合物树脂之外，像素定义层14还可以包括无机材料。例如，像素定义层14可以由氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种形成。
图3是本发明实施例提供的一种有机发光模组的制备方法的流程图，如图3所示，该有机发光模组的制备方法包括：
S301、在基板的一侧形成发光器件层。
图4为本发明实施例提供的一种步骤S301对应的有机发光模组的结构示意图。如图4所示，基板包括衬底，衬底可以为有机发光模组提供缓冲、保护或支撑等作用。衬底可以是柔性衬底，柔性衬底的材料可以是聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，也可以是上述多种材料的混合材料。衬底也可以为采用玻璃等材料形成的硬质衬底。当然，在其他实施方式中，衬底也可以选用硅基基板(如碳化硅(SiC)衬底或者硅(Si)衬底)或氮化镓(GaN)基板等，还可以是其它可用的衬底材料，在此不作限定。
S302、在发光器件层远离基板的一侧形成透明缓冲层。
图5是本发明实施例提供的一种步骤S302对应的有机发光模组的结构示意图。如图5所示，形成透明缓冲层103的材料没有特别限制，只要能提供缓冲功能并且在获得足够的缓冲功能所需的膜厚度下表现出透明性即可。示例性地，透明缓冲层103可以使用可热蒸发的无机材料ZnSe，ZnS，TiOx以及有机材料。另外，透明缓冲层103是透明的，其在可见光透过率优选为80％。
透明缓冲层103的形成方法没有特别限制，只要该方法不对包括例如发光层的发光器件层102产生影响即可。例如，可以使用化学气相沉积法以及真空蒸镀法、溅射法或离子镀法等物理气相沉积法形成透明缓冲层103。其中，优选化学气相沉积法、真空蒸镀法。这是因为，在化学气相沉积法和真空蒸镀法中，气化材料的动能低，使得给予包括例如发光层的发光器件层102的能量小。
可选地，透明缓冲层103为网格状光学缓冲层。网格状的空隙区域可以保证透明电极层104和半透明阴极层13连接。
可选地，基板101包括显示区和非显示区，发光器件层102设置于显示区，透明缓冲层103在基板101上的垂直投影面积占显示区的面积的比例大于或等于80％。这是因为，若透明缓冲层在基板101上的垂直投影面积占显示区的面积小于80％，则会在形成透明电极层104时仍会损伤下方的半透明阴极层13。优选透明缓冲层103在基板101上的垂直投影面积与有机发光模组的发光区域面积相等或者比有机发光模组的发光区域的面积稍大一些，其他显示区裸露。
透明缓冲层103的厚度只要是能够发挥缓冲功能且满足可见光透过率为80％的厚度即可。该厚度还可以根据透明缓冲层103所用材料的种类和透明电极层104的形成工艺来适当设定。具体而言，透明缓冲层103的厚度优选为30nm至500nm。
这是因为，一方面若透明缓冲层103的厚度小于上述范围，则透明缓冲层103缓冲功能可能无法充分发挥。另一方面，如果透明缓冲层103的厚度大于上述范围，则可能导致透过率降低或成膜时间变长。另外，如果透明缓冲层103的厚度大于上述范围，则发光器件层102与透明电极层104的间隔太大，透明电极层104的防氧化效果会降低。
可选地，透明缓冲层103的折射率范围在1.8至2.4之间。示例性地，透明缓冲层103的折射率可以是1.9。
S303、在透明缓冲层远离基板的一侧形成透明电极层。
图6是本发明实施例提供的一种步骤S302对应的有机发光模组的结构示意图。如图6所示，本发明所使用的透明电极层104形成于透明缓冲层103上，且具有防氧化功能。当构成发光器件层102的半透明阴极层或电子注入层包含高反应性金属时，透明电极层104可以防止发光器件层102中的金属被环境氧氧化。因此，可以抑制发光器件层发光特性的降低，电子注入功能的降低。
形成透明电极层104的材料没有特别限制，只要其具有透明性并提供防氧化功能即可。例如，由于形成透明电极层104时对发光器件层102造成的损伤可以通过透明缓冲层103来减轻，因此用于形成透明电极层104的材料可以是具有较高熔点的材料。示例性地，透明电极层104的材料可以是AZO，还可以是ITO。
进一步地，导电性无机氧化物适合作为形成透明电极层104的材料。导电性无机氧化物的优点在于，其可以通过例如溅射法或离子镀法以膜状方式形成，并且无机氧化物可以提供致密的膜，从而表现出防氧化功能。
透明电极层104的形成方法没有特别限制，可以使用例如化学气相沉积法以及物理气相沉积法形成。优选使用溅射法和原子层沉积法(Atomic layer deposition，ALD)形成透明电极层104。这是因为，溅射法和ALD法的成膜能量高，成膜效率良好。
本发明实施例的技术方案，通过在发光器件层与透明电极层之间形成具有缓冲功能的透明缓冲层，可以减少在发光器件层上通过溅射法形成形成透明电极层时对发光器件层的损伤，并且该透明缓冲层可以调节发光器件层的出光。具体的，可以调控整个基板因为不同区域透过率不一致导致的色偏。
图7是本发明实施例提供的又一种有机发光模组的制备方法的流程图，如图7所示，该有机发光模组的制备方法包括：
S401、在基板的一侧形成阳极层。
图8是本发明实施例提供的一种步骤S401对应的有机发光模组的结构示意图。如图8所示，阳极层11材料没有特别限定，只要具有透明性和导电性即可。示例性的，阳极层11的材料可以为氧化铟锡(ITO),掺杂二氧化锡(FTO),氧化锌(ZnO),铟镓锌氧化物(IGZO)和石墨烯及其衍生物中的至少一种。
阳极层11的厚度没有特别限制，可以根据所使用的导电材料适当设定。
具体的，阳极层11的厚度范围优选为40nm～500nm。这是因为，当阳极层11的厚度太小时，阳极层11的电阻可能会变高。另一方面，当阳极层11的厚度太大时，存在阳极层11与半透明阴极层13短路的可能性。
S402、在阳极层远离基板的一侧形成OLED功能层。
图9是本发明实施例提供的一种步骤S402对应的有机发光模组的结构示意图。如图9所示，OLED功能层12为依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的多层结构。
S403、在OLED功能层远离背板的一侧形成半透明阴极层。
图10是本发明实施例提供的一种步骤S403对应的有机发光模组的结构示意图。如图10所示，“半透明”在这里并且在全文中表示对于可见光而言可穿透的层。在此，半透明的层能够是透明的，也就是说清晰透光的，或者是至少部分地散射光的和/或部分地吸收光的，半透明的层也可以是漫射地或乳白色地透光的。优选的，半透明的层尽可能透明地构成，使得对光的吸收尽可能的小。
半透明阴极层13的材料没有特别限定，只要具有透明性和导电性即可。半透明阴极层可以是单层，也可以是多层的层叠体。示例性地，半透明阴极层13的可以是Mg、Ag和Yb薄膜。
碱金属和碱土金属容易被氧化，半透明阴极层13的电子注入功能可能会因金属的氧化而丧失。然而，由于具有防氧化功能的透明电极层104形成在半透明阴极层13上，因此即使半透明阴极层13含有碱金属或碱土金属，半透明阴极层13也受到透明电极层104的保护，可以防止碱金属和碱土金属被环境氧氧化。
半透明阴极层13的厚度没有特别限制，可以根据所使用的导电材料适当设定。具体的，半透明阴极层13的厚度范围优选为10nm～30nm。这是因为，如果半透明阴极层13的厚度太小，则电阻可能会变高；如果半透明阴极层13的厚度太大，则透射率可能会变低。
当阳极层11和半透明阴极层13之间施加合适的电压后，空穴从阳极层11、电子从半透明阴极层13注入到OLED功能层12中，并在OLED功能层12中的发光层进行复合发光。
S404、在半透明阴极层远离基板的一侧形成透明缓冲层。
图11是本发明实施例提供的一种步骤S404对应的有机发光模组的结构示意图。如图11所示，透明缓冲层103设置于半透明阴极层13远离基板101的一侧。
S405、在透明缓冲层远离基板的一侧形成透明电极层。
图12是本发明实施例提供的一种步骤S405对应的有机发光模组的结构示意图。如图12所示，透明电极层104设置于透明缓冲层103远离基板101的一侧。
S406、在透明电极层远离基板的一侧形成光学调控层。
图13是本发明实施例提供的一种步骤S406对应的有机发光模组的结构示意图。参考图13，光学调控层105位于透明电极层104远离基板101的一侧。光学调控层105的厚度范围在30nm至500nm之间，光学调控层105的折射率范围在1.3至8之间。光学调控层的材料可以是例如MgF2、CaF2的无机材料，也可以是例如NPB的有机材料。通过光学调控层105可以调整有机发光模组的光场分布，使尽量多的可见光透过。
图14是本发明实施例提供的又一种有机发光模组的制备方法的流程图，如图14所示，该有机发光模组的制备方法包括：
S501、在基板的一侧形成阳极层。
图15是本发明实施例提供的一种步骤S501对应的有机发光模组的结构示意图。参见图15，阳极层11包括多个阳极，相邻阳极之间有间隙。
S502、在阳极层远离基板的一侧形成像素定义层。
图16是本发明实施例提供的一种步骤S502对应的有机发光模组的结构示意图。参考图16，像素定义层14包括多个开口区。其中，垂直于基板101的第一方向X上，也就是沿基板101的厚度方向上，开口区与阳极一一对应交叠，即开口区在基板101上的垂直投影与阳极在基板101上的垂直投影交叠，例如阳极在基板101上的垂直投影，位于开口区在基板101上的垂直投影内。像素定义层14可以由聚合物树脂形成。例如，像素定义层14可以包括聚丙烯酸酯基树脂或聚酰亚胺基。除了聚合物树脂之外，像素定义层14还可以包括无机材料。例如，像素定义层14可以由氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种形成。
S503、在像素定义层远离基板的一侧形成OLED功能层。
图17是本发明实施例提供的一种步骤S503对应的有机发光模组的结构示意图。参考图17，OLED功能层12包括发光层，发光层包括第一颜色发光层121、第二颜色发光层122和第三颜色发光层123；第一颜色发光层121、第二颜色发光层122和第三颜色发光层123同层设置；透明缓冲层103至少覆盖第一颜色发光层121、第二颜色发光层122和第三颜色发光层123。即透明缓冲层103在基板101上的垂直投影，位于阳极在基板101上的垂直投影外。通过设置透明缓冲层103至少覆盖第一颜色发光层121、第二颜色发光层122和第三颜色发光层123，既可以保证透明缓冲层上方的透明电极层104和下方的半透明阴极层13连接，也可以保证在通过溅射法形成透明电极层104时，不会损伤透明缓冲层103下方的半透明阴极层13。
S504、在OLED功能层远离背板的一侧形成半透明阴极层。
图18是本发明实施例提供的一种步骤S504对应的有机发光模组的结构示意图。如图18所示，半透明阴极层13设置于OLED功能层12远离基板101的一侧。
S505、在半透明阴极层远离基板的一侧形成透明缓冲层。
图19是本发明实施例提供的一种步骤S505对应的有机发光模组的结构示意图。如图19所示，透明缓冲层103设置于半透明阴极层13远离基板101的一侧。
S506、在透明缓冲层远离基板的一侧形成透明电极层。
图20是本发明实施例提供的一种步骤S506对应的有机发光模组的结构示意图。如图20所示，透明电极层104设置于透明缓冲层103远离基板101的一侧。
S507、在透明电极层远离基板的一侧形成光学调控层。
图21是本发明实施例提供的一种步骤S507对应的有机发光模组的结构示意图。如图21所示，光学调控层105设置于透明电极层104远离基板101的一侧，通过光学调控层105可以调节发光器件模组的光线。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (11)
1.一种有机发光模组，其特征在于，包括：
基板；
发光器件层，所述发光器件层设置于所述基板上，所述发光器件层用于发光；
透明缓冲层，所述透明缓冲层设置于所述发光器件层远离所述基板的一侧；
透明电极层，所述透明电极层设置于所述透明缓冲层远离所述基板的一侧，所述透明电极层与所述发光器件层电连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光模组，其特征在于，所述透明缓冲层为网格状光学缓冲层。
3.根据权利要求1所述的有机发光模组，其特征在于，所述基板包括显示区和非显示区，所述发光器件层设置于所述显示区，所述透明缓冲层在所述基板上的垂直投影面积占所述显示区的面积的比例大于或等于80％。
4.根据权利要求1所述的有机发光模组，其特征在于，所述透明缓冲层的厚度为30nm至500nm。
5.根据权利要求1所述的有机发光模组，其特征在于，所述透明缓冲层的折射率范围在1.8至2.4之间。
6.根据权利要求1所述的有机发光模组，其特征在于，所述透明缓冲层的消光系数小于或者等于0.1。
7.根据权利要求1-6任一项所述的有机发光模组，其特征在于，所述发光器件层包括：
阳极层，所述阳极层设置于所述基板上；
OLED功能层，所述OLED功能层设置于所述阳极层远离所述基板的一侧；
半透明阴极层，所述半透明阴极层设置于所述OLED功能层远离所述基板的一侧；其中，所述半透明阴极层与所述透明电极层电连接。
8.根据权利要求7所述的有机发光模组，其特征在于，所述OLED功能层包括发光层，所述发光层包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层；所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层同层设置；所述透明缓冲层至少覆盖所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层。
9.根据权利要求1所述的有机发光模组，其特征在于，还包括光学调控层，所述光学调控层位于所述透明电极层远离所述基板的一侧。
10.根据权利要求9所述的有机发光模组，其特征在于，所述光学调控层的厚度范围在30nm至500nm之间，所述光学调控层的折射率范围在1.3至8之间，所属光学调控层消光系数小于或者等于0.1。
11.一种有机发光模组的制备方法，其特征在于，包括：
在所述基板的一侧形成发光器件层，所述发光器件层用于发光；
在所述发光器件层远离所述基板的一侧形成透明缓冲层；
在所述透明缓冲层远离所述基板的一侧形成透明电极层，所述透明电极层与所述发光器件层电连接。
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN117042547A (zh) |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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