RU2009118965A - Органическое светоизлучающее диодное устройство - Google Patents

Органическое светоизлучающее диодное устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2009118965A
RU2009118965A RU2009118965/28A RU2009118965A RU2009118965A RU 2009118965 A RU2009118965 A RU 2009118965A RU 2009118965/28 A RU2009118965/28 A RU 2009118965/28A RU 2009118965 A RU2009118965 A RU 2009118965A RU 2009118965 A RU2009118965 A RU 2009118965A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photosensitive sensor
electrode layer
light
emitted light
upper electrode
Prior art date
Application number
RU2009118965/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Ханс-Петер ЛЕБЛЬ (NL)
Ханс-Петер ЛЕБЛЬ
Вольфганг Отто БУДДЕ (NL)
Вольфганг Отто БУДДЕ
Дитрих БЕРТРАМ (NL)
Дитрих БЕРТРАМ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2009118965A publication Critical patent/RU2009118965A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H01L31/147—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • H01L31/153—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/18—Tiled displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H01L31/145—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the semiconductor device sensitive to radiation being characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes

Abstract

1. Органическое светоизлучающее диодное устройство (1), содержащее материал подложки (10) в качестве носителя, на который наносят и/или накладывают нижний электродный слой (11), по меньшей мере, один слой (12) излучающего материала для излучения света и верхний электродный слой (13), причем верхний электродный слой (13) отражает свет, чтобы излучаемый свет проходил через материал (10) подложки, причем упомянутое устройство (1) содержит светочувствительный сенсор (14) для детектирования интенсивности излучаемого света. ! 2. Устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) расположен на верхнем электродном слое (13). ! 3. Устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что верхний электродный слой (13) имеет отверстие (15), которое образовано под светочувствительным сенсором (14), для прохождения излучаемого света в светочувствительный сенсор (14). ! 4. Устройство (1) по п.3, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) содержит активную оптическую область (16), причем излучаемый свет освещает упомянутую активную оптическую область (16) через упомянутое отверстие (15). ! 5. Устройство (1) по п.1 или 4, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) содержит, по меньшей мере, один электрический провод (17), обеспечивающий первый электрический контакт со светочувствительным сенсором (14), причем второй электрический контакт образован с помощью верхнего электродного слоя (13). ! 6. Устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что материал (10) подложки ограничен боковой гранью (18) и упомянутый светочувствительный сенсор (14) расположен на боковой грани (18). ! 7. Устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) расп�

Claims (12)

1. Органическое светоизлучающее диодное устройство (1), содержащее материал подложки (10) в качестве носителя, на который наносят и/или накладывают нижний электродный слой (11), по меньшей мере, один слой (12) излучающего материала для излучения света и верхний электродный слой (13), причем верхний электродный слой (13) отражает свет, чтобы излучаемый свет проходил через материал (10) подложки, причем упомянутое устройство (1) содержит светочувствительный сенсор (14) для детектирования интенсивности излучаемого света.
2. Устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) расположен на верхнем электродном слое (13).
3. Устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что верхний электродный слой (13) имеет отверстие (15), которое образовано под светочувствительным сенсором (14), для прохождения излучаемого света в светочувствительный сенсор (14).
4. Устройство (1) по п.3, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) содержит активную оптическую область (16), причем излучаемый свет освещает упомянутую активную оптическую область (16) через упомянутое отверстие (15).
5. Устройство (1) по п.1 или 4, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) содержит, по меньшей мере, один электрический провод (17), обеспечивающий первый электрический контакт со светочувствительным сенсором (14), причем второй электрический контакт образован с помощью верхнего электродного слоя (13).
6. Устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что материал (10) подложки ограничен боковой гранью (18) и упомянутый светочувствительный сенсор (14) расположен на боковой грани (18).
7. Устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) расположен между нижним электродным слоем (11) и слоем (12) излучающего материала, и, таким образом, светочувствительный сенсор (14) выполнен в виде прикрепленного к поверхности устройства.
8. Устройство (1) по п.7, отличающееся тем, что нижний электродный слой (11) является фигурным, посредством чего упомянутый светочувствительный сенсор (14) находится в электрическом контакте с помощью нижнего электродного слоя (11) благодаря, по меньшей мере, двум электрически разделенным областям внутри электродного слоя (11).
9. Устройство (1) по п.7 или 8, отличающееся тем, что активная оптическая область (16) расположена в направлении слоя (12) излучающего материала.
10. Устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) приклеен и/или припаян на, по меньшей мере, один слой (11, 13) и/или материал (10) подложки.
11. Устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что светочувствительный сенсор (14) содержит, по меньшей мере, один фотодиод.
12. Устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что устройство (1) образовано в виде излучающего мозаичного элемента в расположении множества устройств (1).
RU2009118965/28A 2006-10-20 2007-10-10 Органическое светоизлучающее диодное устройство RU2009118965A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06122642.9 2006-10-20
EP06122642 2006-10-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2009118965A true RU2009118965A (ru) 2010-11-27

Family

ID=38830405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009118965/28A RU2009118965A (ru) 2006-10-20 2007-10-10 Органическое светоизлучающее диодное устройство

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20100295064A1 (ru)
EP (1) EP2084761A2 (ru)
JP (1) JP2010507244A (ru)
KR (1) KR20090082233A (ru)
CN (1) CN101529612A (ru)
RU (1) RU2009118965A (ru)
TW (1) TW200832773A (ru)
WO (1) WO2008047271A2 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8536044B2 (en) * 2010-07-08 2013-09-17 Intersil Americas Inc. Protecting bond pad for subsequent processing
CN102487062A (zh) * 2010-12-04 2012-06-06 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管
US8866416B2 (en) 2011-05-04 2014-10-21 Universal Display Corporation Illumination source using LEDs and OLEDs
US8520114B2 (en) * 2011-06-01 2013-08-27 Global Oled Technology Llc Apparatus for displaying and sensing images
DE102013107855B4 (de) * 2013-07-23 2021-09-23 Pictiva Displays International Limited Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
CN104952907B (zh) * 2015-05-20 2018-11-30 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管基板和有机发光二极管器件
CN107464529B (zh) * 2017-10-12 2019-09-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法
CN109065599B (zh) * 2018-08-20 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、以及显示装置
CN108807719A (zh) * 2018-09-04 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板、显示装置及其制作方法
CN109244270B (zh) * 2018-09-20 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 底发射oled显示基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5786801A (en) * 1996-09-06 1998-07-28 Sony Corporation Back light control apparatus and method for a flat display system
JP4302901B2 (ja) * 2001-02-27 2009-07-29 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光体および発光システム
US6501230B1 (en) * 2001-08-27 2002-12-31 Eastman Kodak Company Display with aging correction circuit
US6933532B2 (en) * 2003-03-28 2005-08-23 Eastman Kodak Company OLED display with photosensor
US7053412B2 (en) * 2003-06-27 2006-05-30 The Trustees Of Princeton University And Universal Display Corporation Grey scale bistable display
JP4342870B2 (ja) * 2003-08-11 2009-10-14 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
JP4628770B2 (ja) * 2004-02-09 2011-02-09 株式会社日立製作所 照明装置を備えた画像表示装置及び画像表示方法
JP2007531261A (ja) * 2004-03-24 2007-11-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ エレクトロルミネッセント表示装置
JP4438722B2 (ja) * 2004-11-19 2010-03-24 ソニー株式会社 バックライト駆動装置、バックライト駆動方法及び液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008047271A2 (en) 2008-04-24
US20100295064A1 (en) 2010-11-25
JP2010507244A (ja) 2010-03-04
CN101529612A (zh) 2009-09-09
KR20090082233A (ko) 2009-07-29
WO2008047271A3 (en) 2008-08-14
EP2084761A2 (en) 2009-08-05
TW200832773A (en) 2008-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009118965A (ru) Органическое светоизлучающее диодное устройство
KR101457245B1 (ko) 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법
ATE551731T1 (de) Lichtemittierende einrichtung mit einem leuchtdioden-chip
TW200627671A (en) Two dimensional light source using light emitting diode and liquid crystal display device using the two dimensional light source
JP2013526047A5 (ru)
WO2014039833A4 (en) Integrated led based illumination device
WO2006138465A3 (en) Light emitting diodes with reflective electrode and side electrode
ATE542245T1 (de) Leuchtdiode mit einem mehrschichtreflektor
TW200610198A (en) Semiconductor light emitting device
TW200721547A (en) Light emitting diode and method for manufacturing the same
JP2006245032A5 (ru)
RU2009116458A (ru) Пакет светового модуля
JP2011502341A5 (ru)
US20110121336A1 (en) Arrangement Comprising at Least one Optoelectronics Semiconductor Component
US8227829B2 (en) Semiconductor light-emitting device
EP2779806A3 (en) Flexible lighting device including a heat-spreading layer
JP2007027585A5 (ru)
TW200505062A (en) Light-emitting diode
RU2008139984A (ru) Элементы освещения с секционированными электродами
KR100845041B1 (ko) 조명 장치용 렌즈와 이를 구비한 발광 다이오드 및 조명장치
TW200717840A (en) Light emitting diode package
RU2011146531A (ru) Прозрачное органическое светодиодное устройство с высокой интенсивностью
TW200733430A (en) Light emitting device
US20100039825A1 (en) Led
WO2002029904A1 (fr) Systeme optique de reception et dispositif optique a semiconducteur equipe de ce dernier