RU2009116458A - Пакет светового модуля - Google Patents

Пакет светового модуля Download PDF

Info

Publication number
RU2009116458A
RU2009116458A RU2009116458/28A RU2009116458A RU2009116458A RU 2009116458 A RU2009116458 A RU 2009116458A RU 2009116458/28 A RU2009116458/28 A RU 2009116458/28A RU 2009116458 A RU2009116458 A RU 2009116458A RU 2009116458 A RU2009116458 A RU 2009116458A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
ceramic layer
package
light module
mounting substrate
Prior art date
Application number
RU2009116458/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2437182C2 (ru
Inventor
Бернд АКЕРМАНН (NL)
Бернд АКЕРМАНН
Ханс-Хельмут БЕХТЕЛЬ (NL)
Ханс-Хельмут БЕХТЕЛЬ
Ахим ХИЛЬГЕРС (NL)
Ахим ХИЛЬГЕРС
Маттиас ВЕНДТ (NL)
Маттиас ВЕНДТ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2009116458A publication Critical patent/RU2009116458A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2437182C2 publication Critical patent/RU2437182C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)

Abstract

1. Пакет светового модуля (1), содержащий: ! монтажную подложку (10) для монтажа и электрического контакта по меньшей мере одного светоизлучающего диода (20), ! керамический слой (40), расположенный на пути света, излучаемого светоизлучающим диодом (20), при этом керамический слой (40) содержит материал, преобразующий длину волны, ! светоизлучающий диод (20), расположенный между керамическим слоем (40) и монтажной подложкой (10), ! светочувствительный датчик (30), расположенный на монтажной подложке (10) и обнаруживающий световую отдачу светоизлучающего диода (20) для управления яркостью и/или цветом света, исходящего от светового модуля (1), где ! чувствительная область светочувствительного датчика (30) обращена прямо к керамическому слою (40), и где ! керамический слой (40) является лишь частично прозрачным для защиты светочувствительного датчика (30) от окружающего света. ! 2. Пакет светового модуля (1) по п.1, отличающийся тем, что светочувствительный датчик (30) встроен в монтажную подложку (10). ! 3. Пакет светового модуля (1) по п.1 или 2, отличающийся тем, что керамический слой (40) содержит световод (41), направленный в сторону светочувствительного датчика (30). ! 4. Пакет светового модуля (1) по п.3, отличающийся тем, что световод (41) является носообразным, а окончание световода (41) располагается на расстоянии от светочувствительного датчика (30). ! 5. Пакет светового модуля (1) по п.3, отличающийся тем, что световод (41) протянут до светочувствительного датчика (30). ! 6. Пакет светового модуля (1) по п.1, отличающийся тем, что отражающий слой (60) расположен на керамическом слое (40), обеспечивая дополнительную защиту от окружающего света. ! 7. Пакет светового модуля

Claims (11)

1. Пакет светового модуля (1), содержащий:
монтажную подложку (10) для монтажа и электрического контакта по меньшей мере одного светоизлучающего диода (20),
керамический слой (40), расположенный на пути света, излучаемого светоизлучающим диодом (20), при этом керамический слой (40) содержит материал, преобразующий длину волны,
светоизлучающий диод (20), расположенный между керамическим слоем (40) и монтажной подложкой (10),
светочувствительный датчик (30), расположенный на монтажной подложке (10) и обнаруживающий световую отдачу светоизлучающего диода (20) для управления яркостью и/или цветом света, исходящего от светового модуля (1), где
чувствительная область светочувствительного датчика (30) обращена прямо к керамическому слою (40), и где
керамический слой (40) является лишь частично прозрачным для защиты светочувствительного датчика (30) от окружающего света.
2. Пакет светового модуля (1) по п.1, отличающийся тем, что светочувствительный датчик (30) встроен в монтажную подложку (10).
3. Пакет светового модуля (1) по п.1 или 2, отличающийся тем, что керамический слой (40) содержит световод (41), направленный в сторону светочувствительного датчика (30).
4. Пакет светового модуля (1) по п.3, отличающийся тем, что световод (41) является носообразным, а окончание световода (41) располагается на расстоянии от светочувствительного датчика (30).
5. Пакет светового модуля (1) по п.3, отличающийся тем, что световод (41) протянут до светочувствительного датчика (30).
6. Пакет светового модуля (1) по п.1, отличающийся тем, что отражающий слой (60) расположен на керамическом слое (40), обеспечивая дополнительную защиту от окружающего света.
7. Пакет светового модуля (1) по п.6, отличающийся тем, что керамический слой (40) формируется с лицевой стороной (42) и с обратной стороной (43), где обратная сторона (43) направлена к монтажной подложке (10), где отражающий слой (60) расположен на лицевой стороне (42).
8. Пакет светового модуля (1) по п.1, отличающийся тем, что температурный датчик (50), расположенный на монтажной подложке (10), измеряет температуру светоизлучающего диода (20) и/или светочувствительного датчика (30).
9. Пакет светового модуля (1) по п.1, отличающийся тем, что керамический слой (40) содержит твердый агломерат люминесцентных частиц.
10. Пакет светового модуля (1) по п.1, отличающийся тем, что керамический слой (40) содержит многослойную структуру, имеющую по меньшей мере два отдельных керамических слоя, присоединенных друг к другу.
11. Пакет светового модуля (1) по п.1, отличающийся тем, что светочувствительный датчик (30) расположен рядом с керамическим слоем (40).
RU2009116458/28A 2006-10-05 2007-09-20 Пакет светового модуля RU2437182C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06121788.1 2006-10-05
EP06121788 2006-10-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009116458A true RU2009116458A (ru) 2010-11-10
RU2437182C2 RU2437182C2 (ru) 2011-12-20

Family

ID=39148559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009116458/28A RU2437182C2 (ru) 2006-10-05 2007-09-20 Пакет светового модуля

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7947947B2 (ru)
EP (1) EP2074656A2 (ru)
JP (1) JP2011502341A (ru)
KR (1) KR20090082378A (ru)
CN (1) CN101523599B (ru)
BR (1) BRPI0718194A2 (ru)
RU (1) RU2437182C2 (ru)
TW (1) TW200824160A (ru)
WO (1) WO2008041150A2 (ru)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009133502A2 (en) * 2008-04-29 2009-11-05 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Photo-detector
US8358085B2 (en) * 2009-01-13 2013-01-22 Terralux, Inc. Method and device for remote sensing and control of LED lights
US9326346B2 (en) 2009-01-13 2016-04-26 Terralux, Inc. Method and device for remote sensing and control of LED lights
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
EP2501393B1 (en) * 2009-11-17 2016-07-27 Terralux, Inc. Led power-supply detection and control
US8286886B2 (en) * 2009-12-23 2012-10-16 Hynix Semiconductor Inc. LED package and RFID system including the same
CN103098552B (zh) 2010-09-16 2016-07-06 特锐拉克斯有限公司 通过电源总线与照明单元进行通信的方法及系统
US9596738B2 (en) 2010-09-16 2017-03-14 Terralux, Inc. Communication with lighting units over a power bus
US9357592B2 (en) * 2010-11-18 2016-05-31 Phoseon Technology, Inc. Light source temperature monitor and control
US8515289B2 (en) * 2011-11-21 2013-08-20 Environmental Light Technologies Corp. Wavelength sensing lighting system and associated methods for national security application
WO2013090904A1 (en) 2011-12-16 2013-06-20 Terralux, Inc. System and methods of applying bleed circuits in led lamps
US9265119B2 (en) 2013-06-17 2016-02-16 Terralux, Inc. Systems and methods for providing thermal fold-back to LED lights
KR102246296B1 (ko) * 2014-12-19 2021-04-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP3131077B1 (de) * 2015-08-13 2017-10-18 Siemens Schweiz AG Optische rauchdetektionseinheit für einen rauchmelder mit zwei miteinander optisch gekoppelten leuchtdioden und mit einer damit verbundenen steuereinheit zur ableitung einer alterungsinformation sowie rauchmelder
US10368411B2 (en) * 2016-09-20 2019-07-30 Bolb Inc. Ultraviolet light module having output power control mechanism
KR101989027B1 (ko) * 2018-08-31 2019-06-14 주식회사 아이씨에이치 고유전성 점착 필름
US11412598B2 (en) * 2019-02-11 2022-08-09 Nanogrid Limited Systems and methods for adjusting light output
US11790831B2 (en) 2019-03-29 2023-10-17 Creeled, Inc. Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays
US11776460B2 (en) 2019-03-29 2023-10-03 Creeled, Inc. Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays
US11694601B2 (en) 2019-03-29 2023-07-04 Creeled, Inc. Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays
US11695102B2 (en) 2020-06-19 2023-07-04 Creeled, Inc. Active electrical elements with light-emitting diodes

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214449A (en) * 1975-07-23 1977-02-03 Sharp Corp Level gauge
DE19601955C2 (de) * 1996-01-09 1997-12-11 Siemens Ag Optoelektronische Sendebaugruppe
TW330233B (en) 1997-01-23 1998-04-21 Philips Eloctronics N V Luminary
US7064498B2 (en) 1997-08-26 2006-06-20 Color Kinetics Incorporated Light-emitting diode based products
US6153985A (en) 1999-07-09 2000-11-28 Dialight Corporation LED driving circuitry with light intensity feedback to control output light intensity of an LED
JP4302901B2 (ja) 2001-02-27 2009-07-29 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光体および発光システム
JP3696839B2 (ja) * 2001-03-14 2005-09-21 松下電器産業株式会社 照明装置
US6611000B2 (en) * 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
US6902291B2 (en) 2001-05-30 2005-06-07 Farlight Llc In-pavement directional LED luminaire
US6617795B2 (en) * 2001-07-26 2003-09-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multichip LED package with in-package quantitative and spectral sensing capability and digital signal output
US7855708B2 (en) * 2001-09-05 2010-12-21 Honeywell International Inc. LED backlight luminance sensing for LCDs
JP4048164B2 (ja) 2003-01-10 2008-02-13 シャープ株式会社 発光装置
US7473879B2 (en) 2003-12-19 2009-01-06 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED illumination system having an intensity monitoring system
US7165896B2 (en) * 2004-02-12 2007-01-23 Hymite A/S Light transmitting modules with optical power monitoring
US8154030B2 (en) 2004-10-01 2012-04-10 Finisar Corporation Integrated diode in a silicon chip scale package
CN101073292A (zh) 2004-12-09 2007-11-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明系统
US7901592B2 (en) * 2005-02-17 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a green-emitting ceramic luminescence converter
US7879258B2 (en) 2005-03-14 2011-02-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
TW200824160A (en) 2008-06-01
JP2011502341A (ja) 2011-01-20
WO2008041150A2 (en) 2008-04-10
BRPI0718194A2 (pt) 2013-11-05
US7947947B2 (en) 2011-05-24
EP2074656A2 (en) 2009-07-01
US20090278034A1 (en) 2009-11-12
RU2437182C2 (ru) 2011-12-20
WO2008041150A3 (en) 2008-07-03
KR20090082378A (ko) 2009-07-30
CN101523599A (zh) 2009-09-02
CN101523599B (zh) 2011-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009116458A (ru) Пакет светового модуля
JP2011502341A5 (ru)
WO2008102282A3 (en) Semiconductor device with backside tamper protection
JP5226077B2 (ja) 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
JP5395097B2 (ja) 発光モジュールおよび灯具ユニット
US20150109775A1 (en) Lighting device having semiconductor light sources and a common diffusor
US20130075764A1 (en) Optical module package structure
WO2007083244A3 (en) Package for a light emitting diode with integrated electrostatic discharge protection
TW200642527A (en) OLED device having improved light output
TWI685641B (zh) 光學感測系統、光學感測組件及其製造方法
WO2008019041A3 (en) Led lighting arrangement including light emitting phosphor
US20130200784A1 (en) Light-emitting device
TW200716388A (en) Line head and image-forming apparatus
TW200802963A (en) Light emitting system, light emitting device and fabrication method thereof
RU2009118965A (ru) Органическое светоизлучающее диодное устройство
WO2009104135A1 (en) Illumination device with integrated light sensor
JP2015026803A (ja) 光学モジュール、及びその製造方法
US8558468B2 (en) White LED light source module
KR920005416A (ko) 광센서용 발광다이오우드
TW200505062A (en) Light-emitting diode
JP2008028182A (ja) 照明装置
JP2009010048A (ja) 発光装置
JP2013258119A (ja) 発光装置、および表示装置
WO2007121198A3 (en) Light-emitting diode with low thermal resistance
TWI835460B (zh) 發光模組以及發光裝置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120921