KR20090082001A - 고강도,고저항 특성을 갖는 실리콘 단결정과 그 제조방법및 웨이퍼 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 쵸크랄스키(Cz)법에 의해 성장된 실리콘 단결정에 있어서,게르마늄(Ge) 원소가 1×1019개/cm3 이상의 농도로 첨가된 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 제1항에 있어서,초기 산소농도가 6ppma 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 제1항에 있어서,비저항(resistivity)이 1000Ωcm 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 실리콘 단결정으로부터 제조된 실리콘 웨이퍼.
- 실리콘 멜트(Melt)가 수용될 수 있는 내부공간이 마련된 석영 도가니와, 상기 석영 도가니를 둘러싸도록 설치된 히터(Heater)와, 상기 석영 도가니와 히터가 수용되는 챔버를 포함하는 단결정 성장장치를 이용하고, 실리콘 멜트에 시드(Seed)를 담근 후 상기 시드를 회전시키면서 상부로 인상시켜 고액계면을 통해 단결정 잉 곳을 성장시키는 쵸크랄스키(Cz)법을 이용한 실리콘 단결정 성장방법에 있어서,상기 단결정에 게르마늄(Ge) 원소를 1×1019개/cm3 이상의 농도로 첨가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장방법.
- 제5항에 있어서,자기장을 이용해 초기 산소농도를 6ppma 이하로 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장방법.
- 제6항에 있어서,자기장의 수직성분이 0인 ZGP(Zero Gauss Plane)를 기준으로 상부와 하부의 자기장 세기가 다른 비대칭 커스프(Cusp) 자기장을 인가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장방법.
- 제7항에 있어서,상기 비대칭 커스프 자기장에 있어서, 상부 자기장에 대한 하부 자기장의 비대칭 비율(Low자기장/Upper자기장)이 2.0 ~ 10.0인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장방법.
- 제7항에 있어서,상기 석영 도가니의 벽체에는 200G 이상의 자기장을 인가하고, 상기 고액계면으로부터 5cm 영역 내에는 100G 이내의 자기장을 인가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장방법.
- 제5항에 있어서,상기 히터의 최대발열 부위를 멜트면에서 20 ~ 40mm 범위에 위치시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장방법.
- 제5항에 있어서,BMD 개선을 위해 질소, 탄소 및 바륨 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 상기 단결정에 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장방법.
- 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항의 실리콘 단결정 성장방법에 의해 제조되며, 비저항(resistivity)이 1000Ωcm 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 제12항의 실리콘 단결정으로부터 제조된 실리콘 웨이퍼.
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