JP2016216306A - シリコン単結晶の軸方向の抵抗率制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記シリコン単結晶の引上げ長に応じて、前記棒状シリコン結晶を前記原料融液へ挿入するパターンを計算する工程と、
前記シリコン単結晶の直胴部を育成する際に、前記原料融液の前記湯面位置を変化させるパターンに応じて、前記棒状シリコン結晶を前記原料融液へ挿入するパターンに、前記原料融液の前記湯面位置を変化させる分の補正を加える工程と、
該補正を加えた前記棒状シリコン結晶を前記原料融液へ挿入するパターンを用いて、前記シリコン単結晶の育成中に前記棒状シリコン結晶の挿入を行う工程とを有することを特徴とするシリコン単結晶の軸方向の抵抗率制御方法を提供する。
まず、シリコン単結晶3の引上げ長に応じて、棒状シリコン結晶15を原料融液4へ挿入するパターンを計算する。このように、まず、原料融液4の湯面位置の変化を勘案せずに、シリコン単結晶3の引上げ長に応じた棒状シリコン結晶15の挿入パターンを計算により求める。
次に、シリコン単結晶3の直胴部を育成する際に、原料融液4の湯面位置を変化させるパターンに応じて、上記のSP1において求めた棒状シリコン結晶15を原料融液4へ挿入するパターンに、原料融液4の湯面位置を変化させる分の補正を加える。
上記のようにして補正を加えた棒状シリコン結晶15を原料融液4へ挿入するパターンを用いて、シリコン単結晶3の育成中に棒状シリコン結晶15の挿入を行う。
一方、棒状シリコン結晶15のB濃度が低すぎると、抵抗率を一定に保つために必要な棒状シリコン結晶15の体積が増大し、取り扱いのしにくさ等から問題が出てくる。ただし棒状シリコン結晶15の濃度下限をどの程度に設定すべきかは、シリコン単結晶3の狙い抵抗率や原料融液4の体積、棒状シリコン結晶15の寸法に加えてシリコン単結晶3の引上げ重量でも変わってくるため、具体的に限定することは難しい。各条件に応じて適宜決定できる。
シリコン単結晶の引上げ長に応じて、図4の比較例に示すような、棒状シリコン結晶を原料融液へ挿入するパターンの通りに、棒状シリコン結晶を原料融液へ挿入したこと以外、実施例と同様な条件で、シリコン単結晶の製造を行った。なお、この比較例のパターンは、実施例での補正前のパターン、すなわち、挿入パターン計算工程で求めたパターンと同様であり、湯面位置の変化による影響を考慮していないものである。
4…原料融液、 5…石英ルツボ、 6…黒鉛ルツボ、 7…加熱ヒーター、
8…断熱部材、 9…ガス流出口、 10…ガス導入口、 11…トップチャンバー、
12…ガスパージ筒、 13…遮熱部材、 14…棒状シリコン結晶挿入機、
15…棒状シリコン結晶、 16…磁場印加装置、 17…単結晶育成装置。
Claims (3)
- ルツボ内の原料融液の湯面位置を変化させながら、チョクラルスキー法によって前記原料融液からシリコン単結晶を引上げて育成する際に、棒状シリコン結晶を前記原料融液へ挿入することで、育成される前記シリコン単結晶の軸方向の抵抗率を制御する方法であって、
前記シリコン単結晶の引上げ長に応じて、前記棒状シリコン結晶を前記原料融液へ挿入するパターンを計算する工程と、
前記シリコン単結晶の直胴部を育成する際に、前記原料融液の前記湯面位置を変化させるパターンに応じて、前記棒状シリコン結晶を前記原料融液へ挿入するパターンに、前記原料融液の前記湯面位置を変化させる分の補正を加える工程と、
該補正を加えた前記棒状シリコン結晶を前記原料融液へ挿入するパターンを用いて、前記シリコン単結晶の育成中に前記棒状シリコン結晶の挿入を行う工程とを有することを特徴とするシリコン単結晶の軸方向の抵抗率制御方法。 - 前記棒状シリコン結晶として、前記シリコン単結晶の導電型となる主ドーパントと反対極性の導電型の副ドーパントを含むものを用いることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の軸方向の抵抗率制御方法。
- 前記副ドーパントを、前記主ドーパントよりも偏析係数が大きいものとすることを特徴とする請求項2に記載のシリコン単結晶の軸方向の抵抗率制御方法。
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