KR20090071831A - 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents

이미지센서 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090071831A
KR20090071831A KR1020070139749A KR20070139749A KR20090071831A KR 20090071831 A KR20090071831 A KR 20090071831A KR 1020070139749 A KR1020070139749 A KR 1020070139749A KR 20070139749 A KR20070139749 A KR 20070139749A KR 20090071831 A KR20090071831 A KR 20090071831A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photodiode
layer
substrate
image sensor
ion implantation
Prior art date
Application number
KR1020070139749A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100936105B1 (ko
Inventor
심희성
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40797105&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20090071831(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020070139749A priority Critical patent/KR100936105B1/ko
Priority to CN2008101906431A priority patent/CN101471374B/zh
Priority to US12/344,538 priority patent/US7867808B2/en
Publication of KR20090071831A publication Critical patent/KR20090071831A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100936105B1 publication Critical patent/KR100936105B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

실시예에 따른 이미지센서는 배선을 포함하는 회로(circuitry)가 형성된 제1 기판; 상기 제1 기판과 본딩된 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)에 형성되면서, 상기 배선과 전기적으로 연결된 포토다이오드; 및 상기 포토다이오드에 형성된 이온주입 분리층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이미지센서, 포토다이오드

Description

이미지센서 및 그 제조방법{Image Sensor and Method for Manufacturing thereof}
실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
한편, 종래기술에 따른 씨모스 이미지센서는 포토다이오드가 트랜지스터와 수평으로 배치되는 구조이다.
물론, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의해 CCD 이미지센서의 단점이 해결되기는 하였으나, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에는 여전히 문제점들이 있다.
즉, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의하면 포토다이오드와 트랜지스터가 기판상에 상호 수평으로 인접하여 제조된다. 이에 따라, 포토다이오드를 위한 추가적인 영역이 요구되며, 이에 의해 필팩터(fill factor) 영역을 감소시키고 또한 레졀류션(Resolution)의 가능성을 제한하는 문제가 있다.
또한, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의하면 포토다이오드와 트랜지스터를 동시에 제조하는 공정에 대한 최적화를 달성하는 점이 매우 어려운 문제가 있다. 즉, 신속한 트랜지스터 공정에서는 작은 면저항(low sheet resistance)을 위해 샐로우 졍션(shallow junction)이 요구되나, 포토다이오드에는 이러한 샐로우 졍션(shallow junction)이 적절하지 않을 수 있다.
또한, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의하면 추가적인 온칩(on-chip) 기능들이 이미지센서에 부가되면서 단위화소의 크기가 이미지센서의 센서티버티(sensitivity)를 유지하기 위해 증가되거나 또는 포토다이오드를 위한 면적이 픽셀사이즈를 유지하기 위해 감소되야한다. 그런데, 픽셀사이즈가 증가되면 이미지센서의 레졀류션(Resolution)이 감소하게되며, 또한, 포토다이오드의 면적이 감소되면 이미지센서의 센서티버티(sensitivity)가 감소하는 문제가 발생한다.
실시예는 회로(circuitry)와 포토다이오드의 새로운 집적을 제공할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 수직형 포토다이오드가 결정질(crystalline)이면서, 수직형 포토다이오드에서의 암전류(Dark Current)를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 수직형 포토다이오를 채용하는 이미지센서의 제조에 있어서 기판간의 본딩의 용이성 및 얼라인 마진을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 레졀류션(Resolution)과 센서티버티(sensitivity)가 함께 개선될 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 수직형의 포토다이오드를 채용하면서 포토다이오드 내에 디펙트를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 이미지센서는 배선을 포함하는 회로(circuitry)가 형성된 제1 기판; 상기 제1 기판과 본딩된 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)에 형성되면서, 상기 배선과 전기적으로 연결된 포토다이오드; 및 상기 포토다이오드에 형성된 이온주입 분리층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은 제1 기판에 배선을 포함하는 회로(circuitry)를 형성하는 단계; 제2 기판의 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드에 이온주입 분리층을 형성하는 단계; 및 상기 포토다이오드와 상기 배선이 접촉하도록 상기 제2 기판과 제1 기판을 본딩하는 단계; 및 상기 제2 기판의 하측을 제거하여 상기 포토다이오드를 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 픽셀간(Pixel-to-Pixel)의 절연(Isolation)을 위해 종래의 STI 공정을 사용하지 않고 P0 층을 이용하여 N-로 도핑(Doping)된 포토다이오드(Photodiode)를 절연(Isolation)시키므로 식각(Etch) 공정 중 발생 가능한 결정결함에 의한 암전류(Dark Current)를 감소시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 수직형 포토다이오를 채용하는 이미지센서의 제조에 있어서 절연층과 메탈 패드를 형성한 후 본딩함으로써 기판간의 본딩의 용이성 및 얼라인 마진을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적에 의해 필팩터(fill factor)를 100%에 근접시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 수직형 집적에 의해 같은 픽셀 사이즈에서 높은 센서티버티(sensitivity)를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 같은 레졀류션(Resolution)을 위해 공 정비용을 감축할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 각 단위 픽셀은 센서티버티(sensitivity)의 감소 없이 보다 복잡한 회로(circuitry)를 구현할 수 있다.
또한, 실시예에 의해 집적될 수 있는 추가적인 온칩 회로(on-chip circuitry)는 이미지센서의 퍼포먼스(performance)를 증가시키고, 나아가 소자의 소형화 및 제조비용을 절감을 획득할 수 있다.
이하, 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
본 발명은 씨모스이미지센서에 한정되는 것이 아니며, 포토다이오드가 필요한 이미지센서에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 이미지센서의 단면도이다.
실시예에 따른 이미지센서는 배선을 포함하는 회로(circuitry)(미도시)가 형성된 제1 기판(100); 상기 제1 기판(100)과 본딩된 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)에 형성되면서, 상기 배선과 전기적으로 연결된 포토다이오드(210); 및 상기 포토다이오드(210)에 형성된 이온주입 분리층(220);을 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예에서 상기 포토다이오드(210)는, 결정형 반도체층 내에 형성된 제2 도전형 전도층(212); 및 상기 제2 도전형 전도층(212) 상에 형성된 제1 도전형 전도층(214);을 포함할 수 있다.
즉, 실시예에 의하면 포토다이오드가 회로(circuitry)의 상측에 위치하는 수직형의 포토다이오드를 채용하면서 포토다이오드를 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer) 내에 형성함으로써 포토다이오드 내의 디펙트를 방지할 수 있다.
상기 이온주입 분리층(220)은, 상기 포토다이오드(210)의 필셀 경계에 형성된 제2 도전형 제2 이온주입 분리층(220b)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 이온주입 분리층(220)은 상기 제1 도전형 전도층(214) 하측에 형성된 제2 도전형 제1 이온주입 분리층(220a)을 더 포함할 수 있다.
즉, 실시예에 의하면 픽셀간(Pixel-to-Pixel)의 절연(Isolation)을 위해 종래의 STI 공정을 사용하지 않고 이온주입 분리층, 예를 들어 P0 층(220)을 이용하여 N-로 도핑(Doping)된 포토다이오드(Photodiode)를 측면 및/또는 하면을 절연(Isolation)시키므로 식각(Etch) 공정 중 발생 가능한 결정결함에 의한 암전류(Dark Current)를 감소시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 상기 포토다이오드(210) 하측에 형성된 제2 절연층(260); 및 상기 제2 절연층(260)에 형성된 메탈패드(270);를 더 포함할 수 있다. 즉, 실시예에 의하면 수직형 포토다이오를 채용하는 이미지센서의 제조에 있어서 절연층과 메탈 패드를 형성한 후 본딩함으로써 기판간의 본딩의 용이성 및 얼라인 마진을 향상시킬 수 있다.
도 1의 도면 부호 중 미설명 도면 부호는 이하 제조방법에서 설명하기로 한다.
이하, 도 2 내지 도 8을 참조하여 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명한다.
우선, 도 2와 같이 제2 기판(200)의 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)에 포토다이오드(210)를 형성한다. 이러한 결정형 반도체층에 포토다이오드(210)가 형성됨으로써 포토다이오드 내의 디펙트를 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 기판(200)은 에패택시얼에 의해 형성될 수 있다. 이후, 결정형 반도체층의 경계에 수소이온을 주입하여 수소이온 주입층(미도시)을 형성한다. 상기 수소이온의 주입은 포토다이오드(210) 형성을 위한 이온주입 후에 진행될 수도 있다.
이후, 상기 결정형 반도체층에 이온주입에 의해 포토다이오드(210)를 형성한다. 예를 들어, 상기 결정형 반도체층 하부에 제2 도전형 전도층(212)을 형성한다. 예를 들어, 상기 결정형 반도체층 하부에 마스크 없이 블랭킷으로 제2 기판(200) 전면에 이온주입하여 고농도 P형 전도층(212)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 전도층(212)은 약 0.5 ㎛ 이내의 졍션뎁스(junction depth)로 형성될 수 있다.
이후, 상기 제2 도전형 전도층(212) 상부에 제1 도전형 전도층(214)을 형성 한다. 예를 들어, 상기 2 도전형 전도층(212)의 상부에 마스크 없이 블랭킷으로 제2 기판(200) 전면에 이온주입하여 저농도 N형 전도층(214)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 저농도 제1 도전형 전도층(214)은 약 1.0~2.0 ㎛의 졍션뎁스(junction depth)로 형성될 수 있다.
다음으로, 실시예는 상기 제1 도전형 전도층(214) 상에 제2 도전형 제1 이온주입 분리층(220a)을 형성하는 단계를 진행할 수 있다. 예를 들어, 마스크 없이 이온주입에 의해 제1 P0층(220a)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3과 같이 상기 포토다이오드(210)의 필셀 경계에 제2 도전형 제2 이온주입 분리층(220b)을 형성한다. 예를 들어, 사진공정(Photo) 및 이온주입 공정을 이용하여 픽셀간의 경계에 제2 P0 층(220b)을 형성시킬 수 있다. 이러한 제2 P0 층(220b)은 포토다이오드(Photodiode)로 사용되는 N-층(214)의 픽셀간(Pixel-to-Pixel) 절연(Isolation) 및 그라운드 라인(Ground Line) 연결을 목적으로 한다.
다음으로, 도 4와 같이 상기 제2 도전형 제1 이온주입 분리층(220a)에 상기 제1 도전형 전도층(214)과 연결되도록 선택적으로 고농도 제1 도전형 이온주입영역(230)을 형성한다. 예를 들어, 포토마스크(Photo Mask) 공정 및 이온주입 공정을 이용하여 N+ 층(230)을 형성시킬 수 있다. 이때, 도 4에서 N- 층(214)은 포토다이오드(Photodiode) 역할을 하게 되며, 제1 P0 층(220a), 제2 P0 층(220b)은 Pixel-to-Pixel Isolation 역할 및 Ground Line 역할을 하게 된다. 또한, N+ 층(230)은 픽셀(Pixel)에서 생성된 전자 이동 통로 역할을 하게 되며, 오믹 컨택에 기여한다.
다음으로, 도 5와 같이 상기 제2 기판(200) 상에 제1 절연층(240)을 형성하 고, 메탈플러그(250)를 형성한다. 예를 들어, 제2 기판(200) 상에 산화막을 형성하고, 텅스텐으로 메탈플러그(250)를 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 6과 같이 상기 제2 기판(200)의 포토다이오드(210) 상에 제2 절연층(260)을 형성하고, 상기 제2 절연층(260)에 메탈패드(270)를 형성한다. 즉, 실시예에 의하면 수직형 포토다이오드를 채용하는 이미지센서의 제조에 있어서 절연층(260)과 메탈패드(270)를 형성한 후 본딩함으로써 기판간의 본딩의 용이성 및 얼라인 마진을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 메탈패드(270)는 텅스텐(W), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등으로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 7과 같이 배선과 회로(circuitry)(미도시)가 형성된 제1 기판(100)을 준비하고, 상기 제2 기판(200)과 웨이퍼 레벨(Wafer Level) 본딩을 진행한다. 상기 제1 기판(100)의 배선은 메탈(110)과 플러그(120)를 포함할 수 있다.
한편, 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 본딩하기 전에 플라즈마에 의한 액티베이션에 의해 본딩되는 면의 표면에너지를 높임으로써 본딩을 진행할 수 있다.
다음으로, 도 8과 같이 제2 기판(200)에 열처리를 통해 수소이온 주입층이 수소기체층으로 변하게 할 수 있다. 이후, 수소기체층을 기준으로 제2 기판(200)의 하측을 블레이드 등을 이용하여 제거하여 포토다이오드(210)가 노출되도록 할 수 있다.
예를 들어, 본딩(Bonding) 후 클리빙(Cleaving) 또는 백사이드 씨닝(Backside Thinning) 등의 방법으로 포토다이오드(Photodiode)를 포함하는 제2 기판(200) 상부의 P- Epi 층을 제거해낼 수 있다.
이후, 후속 공정 진행하여 최상부의 P+ 층(212)을 그라운드 라인(Ground Line)(미도시)으로 연결할 수 있다.
실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 픽셀간(Pixel-to-Pixel)의 절연(Isolation)을 위해 종래의 STI 공정을 사용하지 않고 P0 층을 이용하여 N-로 도핑(Doping)된 포토다이오드(Photodiode)를 절연(Isolation)시키므로 식각(Etch) 공정 중 발생 가능한 결정결함에 의한 암전류(Dark Current)를 감소시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 수직형 포토다이오를 채용하는 이미지센서의 제조에 있어서 절연층과 메탈 패드를 형성한 후 본딩함으로써 기판간의 본딩의 용이성 및 얼라인 마진을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적에 의해 필팩터(fill factor)를 100%에 근접시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 수직형 집적에 의해 같은 픽셀 사이즈에서 높은 센서티버티(sensitivity)를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 같은 레졀류션(Resolution)을 위해 공정비용을 감축할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 각 단위 픽셀은 센서티버티(sensitivity)의 감소 없이 보다 복잡한 회로(circuitry)를 구현할 수 있다.
또한, 실시예에 의해 집적될 수 있는 추가적인 온칩 회로(on-chip circuitry)는 이미지센서의 퍼포먼스(performance)를 증가시키고, 나아가 소자의 소형화 및 제조비용을 절감을 획득할 수 있다.
본 발명은 기재된 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.
도 1은 실시예에 따른 이미지센서의 단면도.
도 2 내지 도 8은 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법의 공정단면도.

Claims (10)

  1. 배선을 포함하는 회로(circuitry)가 형성된 제1 기판;
    상기 제1 기판과 본딩된 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)에 형성되면서, 상기 배선과 전기적으로 연결된 포토다이오드; 및
    상기 포토다이오드에 형성된 이온주입 분리층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 포토다이오드는,
    상기 결정형 반도체층 내에 형성된 제2 도전형 전도층; 및
    상기 제2 도전형 전도층 상에 형성된 제1 도전형 전도층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 이온주입 분리층은,
    상기 포토다이오드의 필셀 경계에 형성된 제2 도전형 제2 이온주입 분리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 이온주입 분리층은,
    상기 제1 도전형 전도층 하측에 형성된 제2 도전형 제1 이온주입 분리층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 포토다이오드와 상기 배선 사이에 형성된 절연층; 및
    상기 절연층에 형성된 메탈패드;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  6. 제1 기판에 배선을 포함하는 회로(circuitry)를 형성하는 단계;
    제2 기판의 결정형 반도체층(crystalline semiconductor layer)에 포토다이오드를 형성하는 단계;
    상기 포토다이오드에 이온주입 분리층을 형성하는 단계; 및
    상기 포토다이오드와 상기 배선이 접촉하도록 상기 제2 기판과 제1 기판을 본딩하는 단계; 및
    상기 제2 기판의 하측을 제거하여 상기 포토다이오드를 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 포토다이오드를 형성하는 단계는,
    상기 결정형 반도체층 내에 제2 도전형 전도층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 도전형 전도층 상에 제1 도전형 전도층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 포토다이오드에 이온주입 분리층을 형성하는 단계는,
    상기 제1 도전형 전도층 상에 제2 도전형 제1 이온주입 분리층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 포토다이오드에 이온주입 분리층을 형성하는 단계는,
    상기 포토다이오드의 필셀 경계에 제2 도전형 제2 이온주입 분리층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  10. 제6 항 내지 제9 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 본딩 전에 상기 제2 기판의 포토다이오드 상에 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 절연층에 메탈패드를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
KR1020070139749A 2007-12-28 2007-12-28 이미지센서 및 그 제조방법 KR100936105B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070139749A KR100936105B1 (ko) 2007-12-28 2007-12-28 이미지센서 및 그 제조방법
CN2008101906431A CN101471374B (zh) 2007-12-28 2008-12-26 图像传感器及其制造方法
US12/344,538 US7867808B2 (en) 2007-12-28 2008-12-28 Image sensor and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070139749A KR100936105B1 (ko) 2007-12-28 2007-12-28 이미지센서 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090071831A true KR20090071831A (ko) 2009-07-02
KR100936105B1 KR100936105B1 (ko) 2010-01-11

Family

ID=40797105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070139749A KR100936105B1 (ko) 2007-12-28 2007-12-28 이미지센서 및 그 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7867808B2 (ko)
KR (1) KR100936105B1 (ko)
CN (1) CN101471374B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101046060B1 (ko) * 2008-07-29 2011-07-01 주식회사 동부하이텍 이미지센서 제조방법
CN105261623A (zh) * 2014-07-16 2016-01-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片、其制备方法、及包括其的图像传感器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6001664A (en) * 1996-02-01 1999-12-14 Cielo Communications, Inc. Method for making closely-spaced VCSEL and photodetector on a substrate
US6960757B2 (en) * 2001-06-18 2005-11-01 Foveon, Inc. Simplified wiring schemes for vertical color filter pixel sensors
JP4541666B2 (ja) * 2002-06-20 2010-09-08 三星電子株式会社 イメージセンサ及びその製造方法
KR100889365B1 (ko) * 2004-06-11 2009-03-19 이상윤 3차원 구조의 영상센서와 그 제작방법
US6852565B1 (en) 2003-07-10 2005-02-08 Galaxcore, Inc. CMOS image sensor with substrate noise barrier
US7199411B2 (en) * 2003-09-03 2007-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device and camera
KR100558529B1 (ko) * 2003-09-23 2006-03-10 동부아남반도체 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100538069B1 (ko) * 2003-12-16 2005-12-20 매그나칩 반도체 유한회사 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법
KR100642760B1 (ko) * 2005-03-28 2006-11-10 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100772891B1 (ko) * 2005-10-04 2007-11-05 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101471374A (zh) 2009-07-01
US20090166779A1 (en) 2009-07-02
US7867808B2 (en) 2011-01-11
CN101471374B (zh) 2011-05-25
KR100936105B1 (ko) 2010-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100883026B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100882467B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100856942B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100856941B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100922921B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
US8178912B2 (en) Image sensor for minimizing a dark current and method for manufacturing the same
KR100898473B1 (ko) 이미지센서
KR100855404B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100855403B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100936105B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
US8222587B2 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
KR20090072924A (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101024756B1 (ko) 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법
KR100922922B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101053773B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100882468B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR101046051B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100849238B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
US20090114964A1 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
KR20100077564A (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100877242B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100898472B1 (ko) 이미지센서의 제조방법
KR101024711B1 (ko) 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법
KR101025066B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR20110077935A (ko) 이미지센서 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121126

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131112

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141010

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151120

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161114

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171129

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181127

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191125

Year of fee payment: 11