KR100538069B1 - 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법 - Google Patents

암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100538069B1
KR100538069B1 KR10-2003-0091843A KR20030091843A KR100538069B1 KR 100538069 B1 KR100538069 B1 KR 100538069B1 KR 20030091843 A KR20030091843 A KR 20030091843A KR 100538069 B1 KR100538069 B1 KR 100538069B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor substrate
insulating film
image sensor
ion implantation
region
Prior art date
Application number
KR10-2003-0091843A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050060266A (ko
Inventor
임재영
고호순
Original Assignee
매그나칩 반도체 유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 매그나칩 반도체 유한회사 filed Critical 매그나칩 반도체 유한회사
Priority to KR10-2003-0091843A priority Critical patent/KR100538069B1/ko
Priority to TW093118957A priority patent/TWI397171B/zh
Priority to US10/882,846 priority patent/US20050127462A1/en
Priority to JP2004194527A priority patent/JP4922552B2/ja
Priority to CNB2004100907941A priority patent/CN100401497C/zh
Publication of KR20050060266A publication Critical patent/KR20050060266A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100538069B1 publication Critical patent/KR100538069B1/ko
Priority to US11/890,991 priority patent/US7507614B2/en
Priority to US12/409,453 priority patent/US7939386B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Abstract

암 신호 감소를 위한 소자분리가 적용된 이미지센서 및 그 제조 방법이 개시되어 있는 바, 이를 위한 본 발명은, 로직부와 복수의 포토다이오드들을 갖는 수광부로 이루어진 이미지센서에 있어서, 상기 수광부의 인접한 포토다이오드들 사이의 영역에서, 반도체기판 표면 하부에 형성된 필드이온주입영역과 상기 반도체기판 상부에 형성된 절연막으로 상기 포토다이오드들의 분리가 이루어진 이미지센서를 제공한다. 이와 같이 수광부에서는 특화된 소자분리 기술을 적용하고 로직부에서는 통상의 LOCOS 또는/및 STI 기술을 적용하여, 이미지센서의 암 신호를 줄일 수 있다. 즉, LOCOS 및 STI 기술은 필연적으로 열 산화 공정을 수반하고 있으므로 필드영역과 소자분리 영역의 계면에서 스트레스 유발에 의한 결함이 발생되고 이로인해 암 신호가 생성되게 되지만, 본 발명은 수광부에서 열산화 공정을 수반하지 않는 이온주입 및 절연막 증착에 의해 소자분리막이 형성되는 구조이기에 암신호를 감소/억제하게 된다.

Description

암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법{Isolation of image sensor for reducing dark signal}
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 암신호(Dark signal)을 감소시키기 위한 이미지센서의 소자분리 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 반도체 집적회로 제조 시 트랜지스터나 캐패시터 등과 같은 개별 소자들 사이를 전기적으로 서로 분리하기 위하여 소자분리기술을 사용한다. 소자분리 방법으로서 가장 널리 알려진 방법은 로코스(Local Oxidation of Silicon; LOCOS) 기술과, STI (Shallow Trench Isolation) 기술이다.
LOCOS 공정은 소자가 형성될 활성영역의 기판상에 질화막 마스크패턴을 형성하고 이를 마스크로하여 실리콘기판을 열 산화시키는 방법으로서 비교적 면적이 크고 경계면에 발생되는 버즈빅(bird's beak) 등의 문제로 인하여 고집적 소자에 적용하는데 한계가 있다. 따라서, 최근 고집적 소자 등에서는 기판에 얕은 깊이의 트렌치를 형성하고 이 트렌치에 산화막을 매립시켜 소자분리 영역을 형성하는 STI 기술을 적용하고 있다.
한편 이미지센서는 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 전하결합소자(CCD : charge coupled device)와 CMOS 이미지센서가 널리 보급되어 있다. 이러한 이미지센서는 단위 화소(Pixel) 내에 포토다이오드를 구비하고 있으며, 인접한 단위화소들의 각 포토다이오드는 소자분리막으로서 분리되어야 한다.
그런데, 각 포토다이오드를 분리하기 위한 LOCOS 또는 STI에 의한 소자분리막은 필드(Field) 영역과 액티브(Active) 영역의 경계 영역에서 발생하는 스트레스(stress)에 의해서 무수한 결함들이 발생되고, 이 결함들에 의해 이미지센서의 가장 중료한 특성중의 하나인 암(dark) 특성에 치명적인 악 영향을 준다.
따라서, 이미지센서의 경우에는 센서의 특성에 적합한 소자분리 기술이 필요한 상황이다.
본 발명은 상술한 제반 요구사항에 따라 제안된 것으로서, 암 신호 감소를 위한 소자분리가 적용된 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 제1측면에 따른 본 발명은, 로직부와 복수의 포토다이오드들을 갖는 수광부로 이루어진 이미지센서에 있어서, 상기 수광부의 인접한 포토다이오드들 사이의 영역에서, 반도체기판 표면 하부에 형성된 필드이온주입영역과 상기 반도체기판 상부에 형성된 절연막으로 상기 포토다이오드들의 분리가 이루어진 이미지센서를 제공한다.
또한 제2측면에 따른 본 발명은 로직부와 복수의 포토다이오드들을 갖는 픽셀어레이부로 이루어진 CMOS 이미지센서에 있어서, 상기 수광부의 인접한 포토다이오드들 사이의 영역에서, 반도체기판 표면 하부에 형성된 필드이온주입영역과 상기 반도체기판 상부에 형성된 절연막으로 포토다이오드의 분리가 이루어지진 CMOS 이미지센서를 제공한다.
제1 및 제2 측면에 따른 본 발명에서, 상기 로직부는 소자들간의 분리를 위하여 LOCOS 또는 STI에 의한 절연막을 구비한다. 그리고, 포토다이오드를 분리하기 위한 절연막은 상기 반도체기판을 열 산화(Themal oxidation)시켜 성장시킨 산화막으로 형성하는 것이 바람직한 바, 이는 기판을 열산화시키면서 기판의 표면에 존재하는 불순물을 외부 확산시키는 게더링 효과를 얻을 수 있기 때문이다.
필드스탑이온주입영역은 기판의 도전형과 동일한 타입으로서, 예컨대 상기 반도체기판은 제1도전형이고, 상기 포토다이오드는 제2도전형이며, 상기 필드이온주입영역은 제1도전형이다.
또한, 본 발명에 따른 소자분리 방법은, 수광부와 로직부로 이루어진 이미지센서 제조방법에 있어서, 수광부의 필드영역의 반도체기판 상에 절연막패턴을 형성하는 단계; 상기 로직부의 필드영역에 LOCOS 또는 STI 공정으로 소자분리절연막을 형성하는 단계; 및 수광부의 필드영역의 반도체기판 표면하에 필드이온주입영역을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 소자분리 방법에서, 상기 절연막패턴의 측벽이 경사지게 형성하는 것이 바람직한 바, 이를 위해 상기 절연막 패턴을 형성하는 단계는, 반도체기판 상에 산화막과 질화막을 적층하는 단계; 상기 질화막상에 수광부의 액티브영역이 오픈된 마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크패턴을 식각마스크로하여 상기 질화막과 상기 산화막을 건식 식각하고 습식식각하는 단계; 및 상기 마스크패턴 및 상기 질화막을 제거하는 단계를 포함한다.
그리고, 앞서 설명한 바와 같이 상기 산화막은 게더링 효과를 얻기 위하여 열 산화 공정에 의해 성장된 산화막으로 형성하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 구조를 보여준다.
도 1을 참조하면, 이미지센서는 포토다이오드가 형성되는 수광부(A)와 일반 CMOS 소자들이 형성되는 로직부(B)로 그게 구분된다.
수광부(A)는 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(10a, 10b)가 형성되어 있다. 인접한 포토다이오드(10a, 10b)들 사이에서 기판(100) 표면 하부에는 필드이온주입영역(20)이 형성되어 있고 기판(100) 표면 상에는 절연막(30)이 형성되어 있다. 필드이온주입영역(20)과 절연막(30)에 의해 인접한 포토다이오드(10a, 10b)들을 분리된다. 실리콘 기판(100)이 제1도전형이면, 포토다이오드(10a, 10b)는 제2도전형이며, 필드이온주입영역(20)은 제1도전형이다.
로직부(B)는 통상의 LOCOS 또는/및 STI 공정에 의한 절연막(60)으로 소자분리가 이루어진다.
이와 같이, 본발명은 수광부에서는 특화된 소자분리 기술을 적용하고 로직부에서는 통상의 LOCOS 또는/및 STI 기술을 적용하여, 이미지센서의 암 신호를 줄일 수 있다. 즉, LOCOS 및 STI 기술은 필연적으로 국부적인 열 산화 공정을 수반하고 있으므로 필드영역과 액티브영역의 계면에서 스트레스 유발에 의한 결함이 발생되고 이로인해 암 신호가 생성되게 되지만, 본 발명은 수광부에서 열산화 공정을 수반하지 않는 이온주입 및 절연막 증착에 의해 소자분리막이 형성되는 구조이기에 암신호를 감소/억제하게 된다.
도 2는 본 발명에 따른 소자분리 구조를 갖는 CMOS 이미지센서를 보여준다.
도 2를 참조하면, CMOS 이미지센서는 포토다이오드가 형성되는 픽셀어레이부(C)와, 일반 CMOS 소자들이 형성되는 로직부(D)로 그게 구분된다.
픽셀어레이부(C)의 기판(P-Sub)에는 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(10)와, 포토다이오드(10)에 생성된 광전하를 센싱노드(40)로 전달하는 트랜스퍼게이트(Tx) 등을 포함한다.
이와 같이 본 발명의 CMOS 이미지센서는 픽셀어레이부(C)에서 필드이온주입영역(20)과 절연막(30)에 의해 소자분리가 이루어지고, 로직부(D)에서는 STI에 의한 소자분리막(또는 LOCOS에 의한 소자분리막)(60A)에 의해 소자분리가 이루어 진다. 따라서, 픽셀어레이부(C)에서 필드영역과 액티브영역의 경계면(도면의 200)에서 결함 발생을 줄일 수 있고, 이에 의해 암 신호가 감소된다.
한편, 소자분리를 위한 절연막(30)은 그 형성 이후의 공정 스펙(이온주입 에너지 등)을 고려한 두께를 가져야 한다. 즉, 현재 적용하고 있는 이미지센서 프로세스(Process)에서의 이온주입 에너지 등은 LOCOS에 의해 형성되는 소자분리막의 두께를 고려하여 설정된 것이기 때문에, 이러한 후속 이온주입 에너지 등의 조건을 변형시키지 않으려면 LOCOS에 의해 실리콘기판 표면 상부로 성장되는 필드산화막의 두께로 절연막(30)을 형성하여야 한다. 아울러, 상술한 특화된 소자분리 구조를 형성할 때 현재 사용하고 있는 공정의 변화를 최소화하여야 하는 바, 아래에서 이를 위한 본 발명의 제조 방법(process)을 상세히 설명한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이미지센서의 소자분리 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 3a를 참조하면 실리콘기판(301) 상에 2000∼2500Å 두께의 산화막(302)과 1000∼1500Å 두께의 질화막(303)을 증착하고, 그 위에 수광부의 액티브영역과 로직부의 전체영역이 오픈된 제1소자분리마스크패턴(304)을 형성한다.
질화막(303)은 산화막(302)의 패턴 형성시 패턴 측벽이 경사지도록 하기 위해 사용되는 막이다.
산화막(302)은 열 산화 공정에 의해 성장시킨다. 이에 의해 기판 내부에 존재하는 불순물들을 외부 확산시켜 게더링 효과를 얻을 수 잇다.
또한, 산화막(302)은 수광부의 소자분리용 절연막(도 1의 도면부호 30)으로 이용될 것이기에 후속 이온주입 공정 등을 고려하여 그 두께를 충분히 두껍게 하여야 한다. 예컨대 현재 LOCOS 공정에 의해 실리콘 표면 상부로 성장된 필드산화막 두께가 2200Å 정도이므로 최소한 이정도의 두께는 필요하다. 마스크 패턴(304)은 통상의 포토리소그라피 공정에 의해 형성된 포토레지스트(PR)이다.
이어서, 도 3b와 도 3c는 제1소자분리마스크패턴(304)이 오픈된 영역의 질화막(303)과 산화막(302)를 식각한 상태로서, 도 3a는 건식식각한 후의 단면도이고, 도 3b는 습식식각한 후의 단면도이다.
건식 식각시에 식각에 의해 패턴되는 산화막의 측벽 프로파일이 약 60°정도경사(도면의 'b')지게 하는 것이 바람직한 바, 이는 후속 공정에서 도전층(예컨대 게이트전극용 폴리실리콘)의 잔유물 발생이 억제되도록 하기 위함이다.
또한, 건식 식각에 의해 패턴되는 질화막(303)의 측벽 하부에 언더컷(도면의 'a')을 형성하는 것이 바람직한 바, 이는 후속 습식 식각시에 산화막(302)의 상부에서 라운딩(rounding)을 효과적으로 얻기 위함이다.
아울러, 건식 식각시에 산화막(302)을 600∼700Å 두께(도면의 'c')로 잔류시키는 바, 이는 건식 식각시에 플라즈마에 의한 실리콘기판(301)의 손상을 방지하기 위해서 이다.
이어서, 도 3d를 참조하면, 제1소자분리마스크패턴(304) 및 질화막(303)을 제거하고, 로직부의 소자분리를 위하여 다시 100∼200Å의 패드 산화막(305)과 1000∼1500Å 두께의 패드 질화막(306)을 증착하고, 그 위에 로직부의 필드영역이 오픈된 제2소자분리마스크패턴(307)을 형성한다.
이어서, 도 3e를 참조하면, 제2소자분리마스크패턴(307)을 제거한 후 열산화에 의해 로직부의 필드절연막(308)을 성장시키고, 패드 질화막(306) 및 패드 산화막(305)를 제거한다.
앞서 설명한 도 3d 및 도 3e에 도시된 과정은 통상의 LOCOS 공정으로 로직부의 필드영역에 소자분리막이 형성된 것으로서, 로직부의 소자분리절연막은 이러한 LOCOS 공정이 아닌 통상의 STI 공정에 의해서도 형성이 가능하다.
이어서, 도 3f는 수광부의 필드영역(패드산화막 302가 잔류하고 있는 영역)에만 선택적으로 필드이온주입을 실시하여 패드 산화막(302)의 하부 실리콘기판(301) 표면하에 필드이온주입영역(309)을 형성한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.
본 발명은 수광부에서는 필드이온주입 및 증착된 산화막에 의한 특화된 소자분리 기술을 적용하고 로직부에서는 통상의 LOCOS 또는/및 STI 기술을 적용하므로써, 수광부에서 스트레스에 의한 결함을 원천적으로 방지하여 암 신호를 줄일 수 있다. 따라서, 이미지센서의 저조도 특성의 향상과 공정 수율 증대의 효과를 얻는다.
또한, 현재 공정 변화를 최소화하여 상술한 소자분리 구조를 얻을 수 있기 때문에, 개발 및 양산으로의 시간적, 경제적 절감 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 구조를 보여주는 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 소자분리 구조를 갖는 CMOS 이미지센서를 보여주는 단면도.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이미지센서의 소자분리 방법을 나타낸 공정 단면도.

Claims (15)

  1. 로직부와 복수의 포토다이오드들을 갖는 수광부로 이루어진 이미지센서에 있어서,
    상기 수광부의 인접한 포토다이오드들 사이를 분리하기 위한 소자분리영역을 구비하고,
    상기 소자분리영역은 반도체기판 표면 하부에 형성됨 없이 상기 반도체기판 표면 상부에 형성된 절연막패턴과, 상기 절연막패턴 하부의 상기 반도체기판 표면 하부에 형성된 필드이온주입영역으로 구성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체기판은 제1도전형이고, 상기 포토다이오드는 제2도전형이며, 상기 필드이온주입영역은 제1도전형인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연막패턴은 상기 반도체기판의 전체 표면 상에 열산화에 의해 형성된 후 마스크 및 식각공정에 의해 패턴된 산화막임을 특징으로 하는 이미지센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 로직부는 소자들간의 분리를 위하여 LOCOS 또는 STI에 의한 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  5. 로직부와 복수의 포토다이오드들을 갖는 픽셀어레이부로 이루어진 이미지센서에 있어서,
    상기 픽셀어레이부의 인접한 포토다이오드들 사이를 분리하기 위한 소자분리영역을 구비하고,
    상기 소자분리영역은 반도체기판 표면 하부에 형성됨 없이 상기 반도체기판 표면 상부에 형성된 절연막패턴과, 상기 절연막패턴 하부의 상기 반도체기판 표면 하부에 형성된 필드이온주입영역으로 구성된 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반도체기판은 제1도전형이고, 상기 포토다이오드는 제2도전형이며, 상기 필드이온주입영역은 제1도전형인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 로직부는 LOCOS 또는 STI에 의한 소자분리절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 절연막패턴은 상기 반도체기판의 전체 표면 상에 열산화에 의해 형성된 후 마스크 및 식각공정에 의해 패턴된 산화막임을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 절연막패턴은 후속 이온주입 공정시 이온주입 에너지를 고려한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
  10. 수광부와 로직부로 이루어진 이미지센서 제조방법에 있어서,
    반도체기판의 전체 표면 상에 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 수광부의 필드영역에만 절연막패턴을 형성하는 단계;
    상기 로직부의 필드영역에 LOCOS 또는 STI 공정으로 소자분리절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 절연막패턴 하부의 상기 반도체기판 표면하에 필드이온주입영역을 형성하는 단계
    를 포함하는 이미지센서의 소자분리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 절연막패턴의 측벽이 경사지게 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 소자분리 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 절연막을 형성하는 단계는 반도체기판 상에 산화막과 질화막을 적층하여 이루어지며,
    상기 절연막패턴을 형성하는 단계는,
    상기 질화막상에 수광부의 액티브영역이 오픈된 마스크패턴을 형성하는 단계;
    상기 마스크패턴을 식각마스크로하여 상기 질화막과 상기 산화막을 건식 식각하고 습식식각하는 단계; 및
    상기 마스크패턴 및 상기 질화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 소자분리 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 건식 식각에 의해 패턴되는 상기 질화막의 측벽 하부에 언더컷을 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 소자분리 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 건식 식각시에 상기 산화막을 600∼700Å 두께로 잔류시키는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 소자분리 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 산화막은 열 산화에 의해 성장된 산화막인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 소자분리 방법.
KR10-2003-0091843A 2003-12-16 2003-12-16 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법 KR100538069B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0091843A KR100538069B1 (ko) 2003-12-16 2003-12-16 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법
TW093118957A TWI397171B (zh) 2003-12-16 2004-06-29 施加有裝置隔離技術以用於降低暗電流信號之影像感測器及其製造方法
US10/882,846 US20050127462A1 (en) 2003-12-16 2004-06-30 Image sensor applied with device isolation technique for reducing dark signals and fabrication method thereof
JP2004194527A JP4922552B2 (ja) 2003-12-16 2004-06-30 イメージセンサの製造方法
CNB2004100907941A CN100401497C (zh) 2003-12-16 2004-11-11 一种用于降低暗电流信号的影像传感器的制造方法
US11/890,991 US7507614B2 (en) 2003-12-16 2007-08-08 Image sensor applied with device isolation technique for reducing dark signals and fabrication method thereof
US12/409,453 US7939386B2 (en) 2003-12-16 2009-03-23 Image sensor applied with device isolation technique for reducing dark signals and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0091843A KR100538069B1 (ko) 2003-12-16 2003-12-16 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050060266A KR20050060266A (ko) 2005-06-22
KR100538069B1 true KR100538069B1 (ko) 2005-12-20

Family

ID=34651486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0091843A KR100538069B1 (ko) 2003-12-16 2003-12-16 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20050127462A1 (ko)
JP (1) JP4922552B2 (ko)
KR (1) KR100538069B1 (ko)
CN (1) CN100401497C (ko)
TW (1) TWI397171B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100538069B1 (ko) * 2003-12-16 2005-12-20 매그나칩 반도체 유한회사 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법
JP4496866B2 (ja) * 2004-07-08 2010-07-07 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP2006196514A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
KR100674986B1 (ko) 2005-08-05 2007-01-29 삼성전자주식회사 이미지센서 및 그 제조방법
KR100698099B1 (ko) * 2005-09-13 2007-03-23 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100855960B1 (ko) * 2005-09-20 2008-09-02 삼성전자주식회사 기판 스트레스를 억제할 수 있는 ｃｍｏｓ 이미지 소자 및그 제조방법
US7732844B2 (en) 2006-11-03 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Crosstalk improvement through P on N structure for image sensor
US7642608B2 (en) * 2007-03-09 2010-01-05 Aptina Imaging Corporation Dual isolation for image sensors
KR100936105B1 (ko) * 2007-12-28 2010-01-11 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
US7732885B2 (en) * 2008-02-07 2010-06-08 Aptina Imaging Corporation Semiconductor structures with dual isolation structures, methods for forming same and systems including same
KR20100077363A (ko) * 2008-12-29 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 씨모스 이미지 센서의 제조 방법
TWI508222B (zh) * 2011-01-24 2015-11-11 United Microelectronics Corp 形成溝渠及溝渠絕緣的方法
KR101975028B1 (ko) 2012-06-18 2019-08-23 삼성전자주식회사 이미지 센서

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
KR960014448B1 (ko) * 1993-12-14 1996-10-15 금성일렉트론 주식회사 반도체 소자간의 격리방법
US5679599A (en) * 1995-06-22 1997-10-21 Advanced Micro Devices, Inc. Isolation using self-aligned trench formation and conventional LOCOS
JP2917920B2 (ja) * 1996-06-27 1999-07-12 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6040592A (en) * 1997-06-12 2000-03-21 Intel Corporation Well to substrate photodiode for use in a CMOS sensor on a salicide process
JP3403062B2 (ja) 1998-03-31 2003-05-06 株式会社東芝 固体撮像装置
JPH11312731A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US6215165B1 (en) * 1998-06-17 2001-04-10 Intel Corporation Reduced leakage trench isolation
KR100464955B1 (ko) * 1998-06-29 2005-04-06 매그나칩 반도체 유한회사 메모리소자와 함께 집적화된 씨모스 이미지센서
TW401648B (en) * 1998-09-07 2000-08-11 United Microelectronics Corp The structure of photo diode and its manufacture method
US6331873B1 (en) * 1998-12-03 2001-12-18 Massachusetts Institute Of Technology High-precision blooming control structure formation for an image sensor
US6825878B1 (en) * 1998-12-08 2004-11-30 Micron Technology, Inc. Twin P-well CMOS imager
US6245643B1 (en) * 1999-04-30 2001-06-12 Mosel Vitelic, Inc. Method of removing polysilicon residual in a LOCOS isolation process using an etching selectivity solution
US6617174B2 (en) * 1999-06-08 2003-09-09 Tower Semiconductor Ltd. Fieldless CMOS image sensor
KR20010015297A (ko) 1999-07-12 2001-02-26 조셉 제이. 스위니 전기적 펄스 변조를 이용하는 고 종횡비 구조를 위한 전기화학적 증착
US6329233B1 (en) * 2000-06-23 2001-12-11 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing photodiode CMOS image sensor
KR100562667B1 (ko) * 2000-08-31 2006-03-20 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서 및 그 제조방법
JP4981216B2 (ja) * 2001-05-22 2012-07-18 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
US6607951B2 (en) * 2001-06-26 2003-08-19 United Microelectronics Corp. Method for fabricating a CMOS image sensor
US20030038336A1 (en) * 2001-08-22 2003-02-27 Mann Richard A. Semiconductor device for isolating a photodiode to reduce junction leakage and method of formation
US6756616B2 (en) * 2001-08-30 2004-06-29 Micron Technology, Inc. CMOS imager and method of formation
US6462365B1 (en) * 2001-11-06 2002-10-08 Omnivision Technologies, Inc. Active pixel having reduced dark current in a CMOS image sensor
JP2003264277A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Fujitsu Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサおよびその製造方法
JP3840203B2 (ja) * 2002-06-27 2006-11-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置を用いたカメラシステム
US6900484B2 (en) * 2003-07-30 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Angled pinned photodiode for high quantum efficiency
KR100538069B1 (ko) * 2003-12-16 2005-12-20 매그나칩 반도체 유한회사 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법
US7863702B2 (en) * 2004-06-10 2011-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor package and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005183920A (ja) 2005-07-07
TW200522342A (en) 2005-07-01
US20090191662A1 (en) 2009-07-30
US7939386B2 (en) 2011-05-10
CN1630089A (zh) 2005-06-22
KR20050060266A (ko) 2005-06-22
US7507614B2 (en) 2009-03-24
CN100401497C (zh) 2008-07-09
TWI397171B (zh) 2013-05-21
US20070281437A1 (en) 2007-12-06
JP4922552B2 (ja) 2012-04-25
US20050127462A1 (en) 2005-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7507614B2 (en) Image sensor applied with device isolation technique for reducing dark signals and fabrication method thereof
US8629023B2 (en) CMOS image sensor having double gate insulator therein and method for manufacturing the same
TWI497704B (zh) 後側照光影像感測器及其製造方法
KR102589608B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
CN108666331A (zh) 金属栅格的形成方法、图像传感器及其形成方法
CN105826331B (zh) 采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法
US10497736B2 (en) Backside illuminated image sensor
US8071417B2 (en) Image sensor and fabrication method thereof
US5246875A (en) Method of making charge coupled device image sensor
KR100486756B1 (ko) 이미지센서 제조 방법
KR100708866B1 (ko) 이미지 센서의 제조 방법
JP2010118661A (ja) イメージセンサー及び前記イメージセンサーの製造方法
US7432125B2 (en) CMOS image sensor and manufacturing method thereof
KR100741920B1 (ko) 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서의 제조 방법
US20230043664A1 (en) Backside illuminated image sensor and manufacturing method therefore
US20040043530A1 (en) Methods of making shallow trench-type pixels for CMOS image sensors
KR100612423B1 (ko) 씨모스 이미지 센서
KR100793609B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조 방법
CN117276294A (zh) 背照式图像传感器及其形成方法
KR100749254B1 (ko) 전하운송효율을 향상시키기 위한 이미지센서 제조 방법
KR20070033076A (ko) 기판 스트레스를 억제할 수 있는 ｃｍｏｓ 이미지 소자 및그 제조방법
KR20060077244A (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법
KR20100012506A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR20100071447A (ko) 이미지 센서의 제조 방법
KR20060136242A (ko) 씨모스 이미지 센서의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131129

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141128

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150930

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161125

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170929

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180928

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190924

Year of fee payment: 15