KR20090068667A - 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 - Google Patents

불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 Download PDF

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Abstract

본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 모니터링 셀들에 대하여 제1 전압값과 제1 펄스폭을 갖는 프로그램 전압을 인가하여 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 특정 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 전압값을 감소시킨 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 펄스폭을 감소시킨 제2 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 각 측정 결과 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작은 경우 해당 프로그램 전압을 시작전압으로 하여 전체 셀을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Figure P1020070136371
펄스폭, 프로그램 속도

Description

불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법{Programming method of non volatile memory device}
본원 발명은 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 전압을 프로그램의 속도에 따라 가변적으로 제어하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법에 관한 것이다.
최근 들어 전기적으로 프로그램(program)과 소거(erase)가 가능하고, 일정 주기로 데이터를 재작성해야하는 리프레시(refresh) 기능이 필요 없는 불휘발성 메모리 소자에 대한 수요가 증가하고 있다.
상기 불휘발성 메모리 장치는 각 셀의 플로팅 게이트에 전자를 삽입 또는 제거함으로써 프로그램 또는 소거 동작을 수행하는 것을 특징으로 한다.
상기 불휘발성 메모리 장치 중 NAND 형 불휘발성 메모리 장치는 복수의 메모리 셀이 직렬로 접속된 셀 스트링들을 다수 포함하고 있다. 상기 셀 스트링의 구조상, 특정 셀을 독출 하는 경우 선택된 셀 외에 비선택된 셀은 바이패스 또는 턴온되도록 제어한다. 따라서, 비선택된 셀의 워드라인에는 해당 셀의 문턱 전압보다 큰 레벨의 패스전압을 인가하여 해당 셀을 턴온시키게 된다. 그러나, 비선택된 셀 중 프로그램의 속도가 빨라서 문턱전압이 다른 셀들에 비해 높게 프로그램된 경우 에는 해당 상기 패스전압이 인가되더라도 턴온되지 않을 가능성이 있다. 이와 같이 턴온 되지 않은 셀이 발생하게 되면, 해당 셀 스트링에서 선택된 셀의 프로그램 여부를 정확히 독출해낼 수 없게 된다.
이와 같은 현상은 같은 프로그램 전압을 받으면서도, 셀의 특성에 따라 문턱전압의 상승이 빠른 셀들과 상대적으로 문턱전압의 상승이 느린 셀들이 공존하기 때문이다. 이러한 현상을 방지하기 위하여, 프로그램 속도가 빠른 셀은 상대적으로 낮은 프로그램 전압에서, 프로그램 속도가 느린 셀은 상대적으로 높은 프로그램 전압에서 프로그램이 완료되도록 하는 ISPP(Incremental step pulse program) 프로그램 방법을 사용하고 있다.
그러나 셀의 특성 또는 셀의 프로그램 속도가 항상 균일한 것은 아니며, 프로그램과 소거 동작을 반복적으로 사용하다보면 셀의 터널 산화막(Tunnel oxide)에 손상이 가거나 트랩등이 발생하여 전체적으로 프로그램 속도가 상승하는 방향으로 변화하게 된다.
이와 같이 프로그램과 소거 동작을 반복할수록 셀의 프로그램 속도가 상승하게 되는바, 그에 따라 프로그램 전압을 제어할 필요성이 있다.
전술한 필요성에 따르는 본원 발명의 과제는 프로그램 시작 전압 감소 또는 프로그램 펄스폭 감소에 의하여 프로그램 속도를 감소시키는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법을 제공하는 것이다.
전술한 과제를 해결하기 위한 본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 모니터링 셀들에 대하여 제1 전압값과 제1 펄스폭을 갖는 프로그램 전압을 인가하여 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 특정 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 전압값을 감소시킨 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 펄스폭을 감소시킨 제2 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 각 측정 결과 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작은 경우 해당 프로그램 전압을 시작전압으로 하여 전체 셀을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 모니터링 셀들에 대하여 제1 전압값과 제1 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 특정 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 전압값을 감소시킨 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 측정결과 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작아질 때까지 상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 1회 이상 N회까지 수행하는 단계와, 상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 N회 수행한 시점에서의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제2 전압값을 감소시킨 제3 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 각 측정 결과 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작은 경우 해당 프로그램 전압에 따라 전체 셀을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 모니터링 셀들에 대하여 제1 전압값과 제1 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 특정 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 펄스폭을 감소시킨 제2 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 제2 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제2 펄스폭을 감소시킨 제3 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 제3 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도 가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제3 펄스폭을 감소시킨 제4 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 제4 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 전압값을 감소시킨 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와, 상기 각 측정 결과 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작은 경우 해당 프로그램 전압에 따라 전체 셀을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 본원 발명의 구성에 따라 프로그램 속도를 제어함에 있어서, 프로그램 전압값을 조절하는 방법과 프로그램 펄스폭을 조절하는 방법을 적절히 조합하여 쓸수 있다. 프로그램 전압값의 조절에 따른 프로그램 속도 변동량은 프로그램 펄스폭의 조절에 따른 프로그램 속도 변동량보다 크기 때문에, 상황에 따라 프로그램 속도를 조절할 수 있다. 특히, 프로그램 펄스폭의 조절에 의해 프로그램 속도를 보다 미세하게 제어할 수 있다. 즉, 프로그램 펄스폭의 조절에 의해 문턱전압을 미세하게 제어할 수 있다. 또한, 이러한 구성에 따라 프로그램/소거 사이클을 수회 반복시 나타나는 문턱 전압의 상승현상이 해소될 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본원 발명의 바람직한 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 불휘발성 메모리 장치의 프로그램에 따른 문턱전압의 분포를 도시한 도면이다.
소거 셀(문턱전압이 0V 이하인 셀)들과, 프로그램 셀(문턱전압이 0V 이상으로 프로그램 된 셀)들의 분포가 도시되어 있다.
이와 같은 분포를 같은 불휘발성 메모리 장치에 대하여 프로그램/소거 동작을 수회 반복하게 되면 셀의 프로그램 속도가 증가하는 현상이 나타난다.
즉, 동일한 프로그램 전압이 인가되었음에도 프로그램 셀의 문턱전압이 정상 분포보다 커지는 현상이 나타난다. 도면에 도시된 프로그램 속도가 빠른 셀은 이러한 셀의 분포를 나타낸 것이다.
이러한 현상을 방지하기 위하여, 프로그램 속도가 빠른 셀은 상대적으로 낮은 프로그램 전압에서, 프로그램 속도가 느린 셀은 상대적으로 높은 프로그램 전압에서 프로그램이 완료되도록 하는 ISPP(Incremental step pulse program) 프로그램 방법을 사용하고 있다.
도 2는 불휘발성 메모리 장치의 ISPP 프로그램 방법시에 인가되는 전압을 도시한 도면이다.
프로그램의 대상이 되는 워드라인에 대하여 최초 시작 전압에 해당하는 프로그램 펄스를 인가함으로써 프로그램을 시작하고, 검증 펄스를 인가하여 프로그램이 완료되었는지를 판단한다. 프로그램이 완료되지 않은 경우에는 상기 시작 전압보다 스텝 전압만큼 증가시켜서 프로그램 펄스를 인가하여 프로그램을 진행하게 된다.
이와 같이 시작 전압을 꾸준히 증가시켜 프로그램을 진행하게 되는데, 이러한 방법에 의하더라도 프로그램/소거 동작 횟수의 증가에 따른 프로그램 속도 증가 문제를 해결할 수는 없다.
상기의 문제를 해결하기 위하여 본원 발명에서는 프로그램/소거 동작 횟수에 따라 프로그램 시작 전압을 변경하거나 프로그램 펄스 인가 시간을 변경하는 구성을 취하고자 한다.
도 3은 프로그램 시작 전압과 프로그램 시간과의 상관 관계를 도시한 그래프이다.
도시된 바와 같이 프로그램 시작 전압이 클수록 문턱전압이 커지는 관계를 갖는다.
또한, 프로그램 시작 전압 대비 프로그램 시간은 로그 스케일의 비례관계를 가진다. 따라서, 프로그램 시작 전압뿐만 아니라, 프로그램 펄스의 펄스 폭을 조절함으로써 프로그램 속도의 조절이 가능하다.
도 4는 본원 발명의 일 실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법을 도시한 순서도이며, 도 5는 본원 발명의 일 실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 동작시에 인가되는 프로그램 전압을 도시한 도면이다.
먼저, 프로그램 전압값 변경횟수(N), 프로그램 펄스폭 변경횟수(M)에 대한 값을 각각 0으로 초기화한다(단계 410).
다음으로, 모니터링 셀에 대한 프로그램 동작을 수행한다(단계 420).
상기 모니터링 셀은 불휘발성 메모리 장치의 전체 메모리 셀 중 프로그램 속도가 측정되는 대상 셀들을 의미한다. 따라서 메모리 셀과 동일한 특성을 갖는다.
전체 메모리 셀들 중 일부의 셀들을 대상으로 하는 것으로, 모니터링 셀을 선택하는 것은 설계자의 의도에 따라 변경가능하다. 즉, 특정 페이지별로 하나 또는 복수의 셀을 선택하여 모니터링 셀을 지정하거나, 각 블록별로 하나 또는 복수의 셀을 선택하여 지정할 수도 있다.
한편, 상기 프로그램 동작은 도 5의 프로그램 시작전압을 기준으로 진행된다. 이후에 프로그램 시작전압에 따라 프로그램된 셀들의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰지 여부를 판단하게 된다.
다음으로, 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도를 측정한다(단계 422).
측정 방법은 다음과 같다. 모니터링 셀이 있는 페이지와 접속된 워드라인에 선정된 독출전압(Vread)을 인가하여 모니터링 셀의 문턱전압이 독출전압 보다 큰지 여부를 판단하게 된다.
모니터링 셀의 문턱전압이 독출전압 보다 큰 경우에는 해당 셀이 턴오프 되어 셀 스트링에 전류 경로가 형성되지 않게 되나, 문턱전압이 독출전압 보다 작은 경우에는 해당 셀이 턴온되어 전류 경로가 형성된다. 따라서, 상기 독출전압을 변경함으로써 모니터링 셀의 프로그램 속도가 특정한 임계값보다 큰지 여부를 알 수 있다.
상기 측정 결과에 따라 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰지 여부를 판단한다(단계 424).
만약, 모니터링 셀의 문턱전압이 제1독출전압 보다 작은 경우에는 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 작은 것으로 보고, 프로그램 전압값 또는 프로그램 펄스폭의 변경 없이 프로그램을 진행한다(단계 460).
독출 전압보다 문턱전압이 더 큰 셀이 있다면, 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 것으로 보고, 프로그램 전압값 또는 프로그램 펄스폭을 변경한다(단계 430~ 454).
상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우, 먼저 직전에 프로그램 전압값의 변경이 있었는지 여부를 확인한다(단계 430).
상기 프로그램 전압값 변경횟수(N)가 0인 경우에는 프로그램 전압값의 변경이 없었던 것으로 보고, 프로그램 전압값을 감소시킨다(단계 432).
바람직하게는, 프로그램 전압값을 스텝전압만큼 감소시킨다.
도 5에 도시된 바와 같이 최초에 설정된 프로그램 시작 전압을 일정량 감소시키게 된다.
그리고, 프로그램 전압값을 변경하였으므로, 프로그램 전압값 변경횟수를 1회 증가시킨다.
다음으로, 상기 변경된 프로그램 전압에 따른 프로그램 동작을 수행하기 전에, 전체 블록에 대하여 소거동작을 실시하고(단계 470), 상기 모니터링 셀의 프로그램 동작을 반복한다(단계 420).
다음으로, 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우로서, 상기 프로그램 전압값 변경이 있었던 경우에는, 프로그램 전압값 변경횟수(N)가 제2 임계값(A) 이상인지 여부를 판단한다(단계 440).
프로그램 전압값 변경횟수(N)가 제2 임계값 이상인 경우에는, 프로그램 전압값의 변경에 의해서도 프로그램 속도가 감소하지 않는 불량 셀인 것으로 판단하여, 해당 셀이 포함된 블록을 배드 블록(bad block)으로 처리하기 위함이다.
따라서, 상기 프로그램 전압값 변경횟수(N)가 제2 임계값(A)이상인 경우에는 프로그램 실패처리 동작을 수행한다(단계 442).
바람직하게는, 상기 프로그램 전압값 변경횟수(N)가 3회 이상인 경우에는 프로그램 실패처리 동작을 수행한다.
다음으로, 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우로서 상기 프로그램 전압값 변경이 있었으나, 그 변경횟수가 제2 임계값(A)보다 작은 경우에는 프로그램 펄스폭 변경 횟수(M)가 제3 임계값(B)보다 큰지 여부를 판단한다(단계 450).
이는 프로그램 전압값을 변경하여 모니터링 셀을 프로그램하고 그 속도를 측정한 결과, 프로그램 속도가 여전히 제1 임계값보다 큰 경우, 프로그램 펄스폭을 감소시켜 프로그램 속도를 더욱 정밀하게 변경시키고자 함이다.
판단 결과, 상기 프로그램 펄스폭 변경 횟수(M)가 제3 임계값(B)보다 작은 경우에는 프로그램 펄스폭을 감소시킨다(단계 452).
도 5에 도시된 바와 같이, 프로그램 전압값이 감소된 상황에서도 프로그램 속도가 임계값보다 큰 경우에는 프로그램 펄스폭을 감소시켜 인가한다.
한편, 프로그램 펄스폭의 변경이 있었으므로, 프로그램 펄스폭 변경횟수(M)를 1회 증가시킨다.
다음으로, 상기 변경된 프로그램 전압에 따른 프로그램 동작을 수행하기 전에, 전체 블록에 대하여 소거동작을 실시하고(단계 470), 상기 모니터링 셀의 프로그램 동작을 반복한다(단계 420).
다음으로, 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우로서, 상기 펄스 폭의 변경 횟수(M)가 제3 임계값(B) 보다 큰 경우에는 프로그램 전 압값을 변경한다(단계 454). 프로그램 펄스폭을 감소시킬 수 있는 양에는 한계가 있으므로, 프로그램 펄스 폭을 무한정 감소시킬 수는 없다. 따라서, 프로그램 펄스폭의 변경에 의해서도 프로그램 속도가 제1 임계값보다 높은 경우에는, 프로그램 전압값의 변경에 의해서 프로그램 속도를 감소시킨다.
바람직하게는, 상기 프로그램 펄스폭의 변경횟수(M)가 3회인 경우에는 프로그램 전압값을 변경하도록 한다.
한편, 프로그램 전압값의 변경이 있었으므로, 프로그램 전압값 변경횟수(M)를 1 증가시킨다.
그리고, 프로그램 펄스폭의 변경횟수(M)가 제3 임계값에 도달하였으므로, 0으로 다시 초기화시킨다.
다음으로, 상기 변경된 프로그램 전압에 따른 프로그램 동작을 수행하기 전에, 전체 블록에 대하여 소거동작을 실시하고(단계 470), 상기 모니터링 셀의 프로그램 동작을 반복한다(단계 420).
도 5를 참조하여, 전체 동작을 다시 한번 살펴보기로 한다.
먼저 모니터링 셀에 대하여 변경되지 않은 프로그램 전압에 따라 프로그램을 진행한다.
프로그램 결과 프로그램 속도가 제1 임계값을 넘는 경우 프로그램 전압값을 감소시켜 프로그램을 하고 다시 프로그램 속도를 측정한다.
프로그램 전압값의 변경에도 불구하고, 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우에는, 프로그램 펄스폭을 감소시켜 프로그램을 하고 다시 프로그램 속도를 측정한다.
바람직하게는, 이와 같은 프로그램 펄스 폭 변경을 3회 정도 하도록 한다.
프로그램 펄스 폭의 변경을 3회한 후에도 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우에는 다시 프로그램 전압값을 변경한다(미도시 됨).
이와 같이 본 발명에서는 프로그램 속도의 감소를 위해 프로그램 전압값을 변경하거나 프로그램 펄스폭을 변경한다.
다만, 프로그램 전압값의 감소에 따른 프로그램 속도의 감소 폭이 프로그램 펄스폭의 감소에 따른 프로그램 속도의 감소 폭보다 크기 때문에, 보다 정밀한 프로그램 속도의 제어를 위하여, 프로그램 전압값 변경과 프로그램 펄스폭 변경을 적절히 조합하여 프로그램 속도를 제어하도록 한다.
도 1은 불휘발성 메모리 장치의 프로그램에 따른 문턱전압의 분포를 도시한 도면이다.
도 2는 불휘발성 메모리 장치의 ISPP 프로그램 방법시에 인가되는 전압을 도시한 도면이다
도 3은 프로그램 시작 전압과 프로그램 시간과의 상관 관계를 도시한 그래프이다.
도 4는 본원 발명의 일 실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법을 도시한 순서도이다.
도 5는 본원 발명의 일 실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 동작시에 인가되는 프로그램 전압을 도시한 도면이다.

Claims (8)

  1. 모니터링 셀들에 대하여 제1 전압값과 제1 펄스폭을 갖는 프로그램 전압을 인가하여 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    특정 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 전압값을 감소시킨 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 펄스폭을 감소시킨 제2 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 각 측정 결과 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작은 경우 해당 프로그램 전압을 시작전압으로 하여 전체 셀을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 전압값과 제1 펄스폭을 갖는 프로그램 전압을 인가하여 프로그램 속도를 측정하는 단계는
    상기 제1 전압값과 제1 펄스폭을 갖는 프로그램 전압에 따라 프로그램 동작을 수행하는 단계와,
    상기 모니터링 셀들의 문턱전압이 특정 전압이상으로 프로그램되었는지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그 램 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계는
    모니터링 셀에 대하여 소거동작을 수행하는 단계와,
    상기 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압에 따라 프로그램 동작을 수행하는 단계와,
    상기 모니터링 셀들의 문턱전압이 특정 전압이상으로 프로그램되었는지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계는
    모니터링 셀에 대하여 소거동작을 수행하는 단계와,
    상기 제2 펄스폭을 갖는 프로그램 전압에 따라 프로그램 동작을 수행하는 단계와,
    상기 모니터링 셀들의 문턱전압이 특정 전압이상으로 프로그램되었는지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
  5. 모니터링 셀들에 대하여 제1 전압값과 제1 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    특정 모니터링 셀의 프로그램 속도가 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 전압값을 감소시킨 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 측정결과 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작아질 때까지 상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 1회 이상 N회까지 수행하는 단계와,
    상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 N회 수행한 시점에서의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제2 전압값을 감소시킨 제3 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 각 측정 결과 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작은 경우 해당 프로그램 전압에 따라 전체 셀을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제3 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계를 수행한 후
    상기 제3 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속 도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작아질 때까지 상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 1회 이상 N회까지 수행하는 단계와,
    상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 N회 수행한 시점에서의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제3 전압값을 감소시킨 제4 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 제4 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 해당 모니터링 셀이 포함된 블록에 대하여 프로그램 실패처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제3 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계를 수행한 후
    상기 제3 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작아질 때까지 상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 1회 이상 N회까지 수행하는 단계와,
    상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 N회 수행한 시점에서의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제3 전압값을 감소시킨 제4 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 제4 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작아질 때까지 상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 1회 이상 N회까지 수행하는 단계와,
    상기 제1 펄스폭을 일정량씩 감소시킨 프로그램 전압에 따른 프로그램 속도를 측정하는 단계를 N회 수행한 시점에서의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 해당 모니터링 셀이 포함된 블록에 대하여 프로그램 실패처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
  8. 모니터링 셀들에 대하여 제1 전압값과 제1 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    특정 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 펄스폭을 감소시킨 제2 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 제2 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제2 펄스폭을 감소시킨 제3 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 제3 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제3 펄스폭을 감소시킨 제4 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 제4 펄스폭을 갖는 프로그램 전압 인가시의 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우 상기 제1 전압값을 감소시킨 제2 전압값을 갖는 프로그램 전압 인가시의 프로그램 속도를 측정하는 단계와,
    상기 각 측정 결과 상기 모니터링 셀의 프로그램 속도가 상기 제1 임계값보다 작은 경우 해당 프로그램 전압에 따라 전체 셀을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
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