KR20090067728A - 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- -1 polyparaphenylenevinylene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 6
- 125000005309 thioalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- UGQZLDXDWSPAOM-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,4-f]isoindole-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)NC(=O)C2=CC2=C1C(=O)NC2=O UGQZLDXDWSPAOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 7,18-bis[2,6-di(propan-2-yl)phenyl]-7,18-diazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1(23),2,4,9,11,13,15,20(24),21,25-decaene-6,8,17,19-tetrone Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1N(C(=O)C=1C2=C3C4=CC=1)C(=O)C2=CC=C3C(C=C1)=C2C4=CC=C3C(=O)N(C=4C(=CC=CC=4C(C)C)C(C)C)C(=O)C1=C23 NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004832 voltammetry Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- NQAAVWYIMDCXDL-UHFFFAOYSA-N 2-prop-1-enylthiophene Chemical compound CC=CC1=CC=CS1 NQAAVWYIMDCXDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- HKNRNTYTYUWGLN-UHFFFAOYSA-N dithieno[3,2-a:2',3'-d]thiophene Chemical compound C1=CSC2=C1SC1=C2C=CS1 HKNRNTYTYUWGLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 235000019988 mead Nutrition 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical compound S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
- H10K10/486—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising two or more active layers, e.g. forming pn heterojunctions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/125—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using electrolytic deposition e.g. in-situ electropolymerisation
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
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Abstract
본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이에 전기화학적 코팅법으로 형성된 유기물 완충층이 형성되어 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이의 계면 특성을 향상시키고, 소스/드레인 전극에서 유기 반도체층으로의 캐리어 주입능력을 높여 트랜지스터의 전기적 성능을 향상시킬 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기 박막 트랜지스터, 유기물 완충층, 티오펜계 화합물, 아센-티오펜계 화합물, 전기화학적 코팅
Description
본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이의 계면 특성을 향상시키고, 소스/드레인 전극에서 유기 반도체층으로의 캐리어 주입능력을 높여 트랜지스터의 전기적 성능을 향상시킬 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기물을 반도체 층으로 사용하는 유기 박막 트랜지스터에 관한 연구는 1980년 이후부터 시작되었으며, 최근에는 전 세계적으로 많은 연구가 진행 중에 있다.
상기 유기박막 트랜지스터는 기존의 실리콘 박막 트랜지스터와 비교하여 제작 공정이 간단하고, 비용이 저렴하며 저온 공정이 가능하기에 최근 평판 디스플레이 장치에 있어 요구되는 대형화 및 박형화와 더불어 플랙서블한 특성을 만족시키기는 장점을 가지고 있다.
유기 박막 트랜지스터의 성능은 전계 이동도(field effect mobility), 점멸비(Ion/Ioff ratio), 문턱전압(threshold voltage), 부문턱전압 기울 기(subthreshold slope) 등으로 평가하고 있으며, 실제 실리콘 박막 트랜지스터의 성능에 접근하고 있다.
또한 상기 유기 박막 트랜지스터의 성능은 유기 반도체층의 결정도, 게이트 절연막과 유기 반도체층 계면의 전하 특성, 소스/드레인 전극과 유기 반도체층의 계면의 캐리어 주입능력 등에 좌우된다.
그러나 현재 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이의 에너지 장벽으로 인한 접촉저항의 증가로 캐리어 주입이 어려워 유기 박막 트랜지스터의 특성을 저하시킨다는 문제점이 있어 이를 개선하기 위한 여러 가지 방법이 시도되고 있다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 유기 박막 트랜지스터의 제작 시 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이의 계면 특성 및 유기 반도체와 금속 전극사이의 에너지 장벽을 낮추어 접촉저항을 감소시킬 수 있는 유기물 완충층을 삽입함으로써 캐리어의 주입능력을 높여 트랜지스터의 소자 특성을 향상시킬 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이에 유기물 완충층 삽입 시 전기화학적 코팅방법을 이용하여 소스/드레인 전극층 상부에 동시 코팅하거나, 부분적으로 한쪽 전극인 소스 전극층 상부 또는 드레인 전극층 상부에 선택적으로 코팅할 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
소스 전극 및 드레인 전극;
상기 소스 전극 및 드레인 전극 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층;
상기 소스 전극과 상기 유기 반도체층 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 반도체층 사이에 각각 개재된 유기물 완충층;
상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연된 게이트 전극; 및
상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 제공한다.
또한 본 발명은 소스/드레인 전극과 유기 반도체층 사이에 유기물 완충층을 삽입시켜 제조되는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서,
상기 유기물 완충층은 소스/드레인 전극층 상부, 소스 전극층 상부 또는 드레인 전극층 상부에 전기화학적 코팅방법을 이용하여 선택적으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은
상기 유기 박막 트랜지스터; 및
상기 유기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명은 유기 박막 트랜지스터 제작 시 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이의 계면 특성 및 캐리어의 주입능력을 높여 트랜지스터의 소자 특성을 향상시 킬 수 있다. 또한 본 발명의 유기 박막 트랜지스터는 유기물 완충층 삽입시 전기화학적 코팅방법을 이용하여 소스/드레인 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층 상부에 선택적으로 코팅할 수 있다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 유기 박막 트랜지스터는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층; 상기 소스 전극과 상기 유기 반도체층 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 반도체층 사이에 각각 개재된 유기물 완충층; 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막을 구비할 수 있다.
상기 유기물 완충층은 티오펜계 화합물 또는 아센-티오펜계 화합물로 형성될 수 있다.
상기 티오펜계 화합물은 티오펜, 다이티에노티오(dithieno-thiophene), 프로페닐티오펜(prophenyl-thiophene), 티에노티오펜(thienothiophene) 또는 이들의 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 티오펜계 화합물은 하기 화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 1 내지 4에서,
R2, R3는 각각 독립적으로 하이드록실기, 알킬기, 싸이클로알킬기, 알콕시 기, 싸이클로알콕시기 또는 티오알콜시기(thioalkoxy)이고, 더욱 바람직하게는 하이드록실기, C1-C18의 알킬기, 알콕시기 또는 티오알콕시기이다.
m은 1 내지 6 사이의 정수이다.
[화학식 5]
상기 화학식 5에서,
Ar은 C4-C18의 티에닐기이다.
또한 상기 아센-티오펜계 화합물은 하기 화학식 6 내지 14로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
상기 화학식 6 내지 14에서,
R1은 각각 독립적으로 하이드록실기, 알킬기, 싸이클로알킬기, 알콕시기, 싸이클로알콕시기 또는 티오알콜시기(thioalkoxy)이고, 더욱 바람직하게는 하이드록실기, C1-C18의 알킬기, 알콕시기 또는 티오알콕시기이며, n은 각각 독립적으로 1 또는 2이다.
상기 유기물 완충층은 기존의 스핀코팅, 디핑방법 등이 아닌 전기화학적 코 팅방법에 의해 형성됨으로써 소스/드레인 전극 상부나, 소스 전극, 드레인 전극의 상부에 선택적으로 코팅되어 형성될 수 있다. 종래의 스핀코팅이나 디핑방법이 기판의 전면에 코팅되는 문제를 해결하고 완충층을 필요로 하는 부분에만 우수한 특성을 가지면서 코팅될 수 있도록 한다.
상기 소스/드레인 전극은 금속전극으로 Al, Ag, Mo, Au, Pt, Pd, Ni, Ir, Cr, Ti, MoW, 이들의 합금 중에서 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 소스/드레인 전극은 투명한 재료로도 형성할 수 있으며, 그 예로는 ITO, IZO, ZnO, In2O3 등이 있다.
상기 유기 반도체층은 펜타센, 테트라센, 안트라센, 나프탈렌, 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌, 루브렌, 코로렌, 페릴렌테트라카르복실릭디이미, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드, 폴리티오펜, 폴리-3-헥실티오펜, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리파라페닐렌, 폴리플로렌, 폴리티오펜비닐렌, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체, 나프탈렌의 올리고아센, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜, 프탈로시아닌, 파이로멜리틱 디안하이드라이드, 파이로멜리틱 디이미드, 퍼릴렌테트라카르복실산 디안하이드라이드, 퍼릴렌테트라카르복실산 디이미드, 이들의 유도체 등으로 형성될 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 전기화학적 코팅방법에 의해 유기물 완충층을 형성하는 방법을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 소스/드레인 전극(31, 33, 35, 37)이 형성된 기판(2)을 Ref.전극(1)과 하판전극(3)이 형성되어 있고, 전해질과 용매가 혼합된 혼합용액에 담근다. 상기 전해질로는 TBAB(tetrabutylammonium tetraflluoroborate)가 사용될 수 있으며, 용매로는 MC(methylene chloride)가 사용될 수 있다.
여기에 Epsilon CV(cyclic voltametry) 장비를 이용하여 Ref.전극(1)에 일정 전압을 인가한 상태에서 샘플 기판(2)의 소스/드레인 전극(31, 33, 35, 37)과 하판전극(3) 사이에 전압의 세기를 조절하면서 인가하면 샘플 기판(2)의 소스/드레인 전극(31, 33, 35, 37) 상부에 유기물 완충층(41, 43, 45, 47)이 형성되게 된다. 이때, 유기물 완충층(41, 43, 45, 47)은 샘플기판(2)의 소스/드레인 전극(31, 33, 35, 37)을 동시에 연결하고 하판전극(3) 사이에 전압을 가하면 소스/드레인 전극 상부층에 동시에 형성될수 있고, 샘플 기판(2)의 소스 전극 만을 연결하고 하판전극(3)사이에 전압을 인가하면 소스 전극(31, 35) 상부에만 형성될 수 있으며, 샘플 기판(2)의 드레인 전극을 연결하여 하판전극(3)사이에 전압 인가시 드레인 전극층(33, 37)의 상부에만도 형성될 수 있다.
상기와 같이 형성된 유기물 완충층(41, 43, 45, 47)은 게이트 절연막을 제외하고 소스/드레인 전극(31, 33, 35, 37) 상부에만 형성시킬 수 있으므로 바람직하다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략 적으로 도시하는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판(11) 상에 소스 전극(31) 및 드레인 전극(33)과, 이 소스 전극(31) 및 드레인 전극(33) 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층(51)이 구비된다.
소스 전극(31) 및 드레인 전극(33)은 기판(11) 상에 상기 언급한 바와 같은 도전성 재료로 형성될 수 있으며, 기판(11) 상에 전면에 증착 등을 통해 형성하고 이를 포토리소그래피법 등을 이용하여 패터닝하거나, 마스크를 이용하여 기판의 소정 영역에만 증착할 수도 있다. 특히, 상기 소스 전극(31) 및 드레인 전극(33)은 쉐도우 마스크를 이용하여 열증착하여 형성시키는 것이 좋다.
소스 전극(31) 및 드레인 전극(33) 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층(51)은 소스 전극(31) 및 드레인 전극(33)에 직접 접촉하고 있는 것이 아니라, 소스 전극(31)과 유기 반도체층(51) 사이 및 드레인 전극(33)과 유기 반도체층(51) 사이에 각각 삽입된 유기물 완충층(41, 43)을 통해 소스 전극(31) 및 드레인 전극(33)에 유기적으로 연결된다. 따라서 도 2에 도시된 스태거드형(staggered) 유기 박막 트랜지스터의 경우, 소스 전극(31) 및 드레인 전극(33)을 기판(11) 상에 형성한 후, 소스 전극(31) 및 드레인 전극(33)의 상부에 도 1에 도시한 방법과 같이 유기물 완충층(41, 43)을 형성하고, 140 ℃의 오븐에서 2 시간 동안 건조시킨 후, 여기에 유기 반도체층(51)을 형성한다.
상기 유기 반도체층(51)은 쉐도우 마스크를 이용하여 1×10-7 torr의 진공에 서 기판온도를 80 ℃로 하고 0.2 Å/sec의 속도로 열증착하여 형성할 수 있다.
유기 반도체층(51) 상에는 게이트 절연막(23)이 구비된다. 게이트 절연막(23)은 그 상부에 구비되는 게이트 전극(21)을 소스 전극(31), 드레인 전극(33) 및 유기 반도체층(51)으로부터 절연시키는 것으로, 실리콘 옥사이드, 실리콘나이트라이드, 알루미늄 옥사이드 등의 금속산화물과 같은 무기물을 이용하여 형성될 수도 있고, 폴리비닐페놀, 폴리비닐알코올, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스타이렌, 이들의 유사체인 유기물 게이트 절연층 등과 같은 유기물로도 형성될 수 있다.
상기 게이트 절연막(23) 상에는 Al 등과 같은 도전성 물질로 형성된 게이트 전극(21)이 구비된다. 게이트 전극(21)은 게이트 절연막(23) 상부에 쉐도우 마스크를 이용하여 열증착하여 형성할 수 있다.
도 2에 도시된 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터는 스태거드형 유기 박막 트랜지스터이나, 본 발명이 이에 한정되지 않음은 물론이다.
즉, 도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도로, 도 3에 도시된 바와 같이 소스 전극(35) 및 드레인 전극(37)이 게이트 전극(25)의 상부에 배치되고, 유기 반도체층(53)은 상기 소스 전극(35) 및 드레인 전극(37)의 상부에 배치되며, 상기 소스 전극(35) 및 드레인 전극(37)과 상기 게이트 전극(25) 사이에는 게이트 절연막(37)이 더 구비되는 인버티드 코플래너형(inverted coplanar type) 유기 박막 트랜지스터에도 적용될 수 있다. 이 경우에도, 유기물 완충층(45, 47)은 상기 소스 전극(35) 및 드레인 전극(37)과 유기 반도체층(53) 사이에 구비된다.
상기와 같은 본 발명의 유기 박막 트랜지스터는 유기물 완충층이 삽입되어 유기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이의 계면 특성 및 캐리어의 주입능력을 높여 트랜지스터의 소자 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명은 상기 유기 박막 트랜지스터 및 상기 유기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자를 구비하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.
상기 유기 발광 디스플레이 장치는 능동 구동형(AM: active matrix) 등의 다양한 형태의 것이 적용될 수 있다.
본 발명의 유기 발광 디스플레이 장치는 전술한 실시예들에 따른 유기 박막 트랜지스터들이 구비되도록 함으로써 입력된 영상신호를 정확하게 이미지 구현하는 발광 디스플레이 장치를 제조할 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1
도 2에 도시된 바와 같이 기판(11) 상에 소스/드레인 전극(31, 33)을 쉐도우 마스크를 이용하여 열층착하여 형성시켰다. 이때 전극물질은 Au를 사용하였다.
그리고 상기 소스/드레인 전극(31, 33)이 형성된 샘플 기판(2)을 도 1과 같이 Ref.전극(1)과 하판전극(3)이 형성되어 있고 전해질인 TBAB(tetrabutylammonium tetrafluoroborate)와 용매인 MC(Methylene Chloride) 혼합용액에 담근 후, Epsilon CV(cyclic voltametry) 장비를 이용하여 Ref.전극(1)에 일정 전압을 인가한 상태에서 샘플 기판(2)의 소스/드레인 전극(31, 33)과 하판전극(3) 사이에 전압을 인가하여 샘플 기판(2)의 소스/드레인 전극(31, 33) 상부에만 유기물 완충층(41, 43)을 형성시켰다. 이렇게 형성된 유기물 완충층(41, 43)은 140 ℃의 오븐에서 2 시간 동안 건조시켰다.
그 다음, 상기 형성된 유기물 완충층(41, 43) 상부에 유기 반도체층(51)인 펜타센을 쉐도우 마스크를 이용하여 1×10-7 torr의 진공에서 기판온도를 80 ℃로 하고 0.2 Å/sec의 속도로 열증착하여 형성시켰다.
상기 형성된 유기 반도체층(51) 상부에 실리콘 옥사이드를 사용하여 게이트 절연막(23)을 형성시키고, 상기 게이트 절연막(23) 상부에 쉐도우 마스크를 이용하여 열증착으로 게이트 전극(21)을 형성시켜 스태거드형(staggered) 유기 박막 트랜지스터를 제조하였다. 이때 게이트 전극 물질은 Al을 사용하였다.
실시예 2
도 3에 도시된 바와 같이 기판(13) 상에 쉐도우 마스크를 이용하여 열증착으로 게이트 전극(25)을 형성시켰다. 이때 게이트 전극 물질은 Al을 사용하였다. 그 다음, 상기 게이트 전극(25)에 실리콘 옥사이드를 사용하여 게이트 절연막(27)을 형성시켰다.
상기 게이트 절연막(27)에 소스/드레인 전극(35, 37)을 전극물질로 Au를 사용하여 쉐도우 마스크를 이용하여 열층착하여 형성시켰다.
상기 기판(13) 상에 게이트 전극(25), 게이트 절연막(27) 및 소스/드레인 전극(35, 37)이 형성된 샘플 기판(2)을 도 1에 도시한 바와 같이 Ref.전극(1)과 하판전극(3)이 형성되어 있고 전해질인 TBAB(tetrabutylammonium tetrafluoroborate)와 용매인 MC(Methylene Chloride) 혼합용액에 담군 후, Epsilon CV(cyclic voltametry) 장비를 이용하여 Ref.전극(1)에 일정 전압을 인가한 상태에서 샘플 기판(2)의 소스/드레인 전극(35, 37)과 하판전극(3) 사이에 전압을 인가하여 샘플기판(2)의 게이트 절연막(27)을 제외한 소스/드레인 전극(35, 37) 상부에만 유기물 완충층(45, 47)을 형성시켰다. 이렇게 형성된 유기물 완충층(45, 47)은 140 ℃의 오븐에서 2 시간 정도 건조시켰다.
그 다음, 상기 형성된 유기 완충층(45, 47) 상부에 유기 반도체층(53)인 펜타센을 쉐도우 마스크를 이용하여 1×10-7 torr의 진공에서 기판온도를 80 ℃로 하고 0.2 Å/sec의 속도로 열증착하여 형성시켜 인버티드 코플래너형(inverted coplanar type) 유기 박막 트랜지스터를 제조하였다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 전기화학적 코팅방법에 의해 유기물 완충층을 형성하는 장치 및 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 단면구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 단면구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1: Ref.전극 2: 소스/드레인 전극이 형성된 기판(샘플 기판)
3: 하판전극 11, 13: 기판
21, 25: 게이트 전극 23, 27: 게이트 절연막
31, 35: 소스 전극 33, 37: 드레인 전극
41, 43, 46, 47: 유기물 완충층 51, 53: 유기 반도체층
Claims (9)
- 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층;상기 소스 전극과 상기 유기 반도체층 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 반도체층 사이에 각각 개재된 유기물 완충층;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 유기물 완충층은 티오펜계 화합물 또는 아센-티오펜계 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제2항에 있어서,상기 티오펜계 화합물은 하기 화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터:[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 1 내지 4에서,R2, R3는 각각 독립적으로 하이드록실기, 알킬기, 싸이클로알킬기, 알콕시 기, 싸이클로알콕시기 또는 티오알콜시기(thioalkoxy)이고,m은 1 내지 6 사이의 정수이며,[화학식 5]
상기 화학식 5에서,Ar은 C4-C18의 티에닐기이다. - 제2항에 있어서,상기 아센-티오펜계 화합물은 하기 화학식 6 내지 14로 표시되는 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터:[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
상기 화학식 6 내지 14에서,R1은 각각 독립적으로 하이드록실기, 알킬기, 싸이클로알킬기, 알콕시기, 싸이클로알콕시기 또는 티오알콜시기(thioalkoxy)이고,n은 각각 독립적으로 1 또는 2이다. - 제1항에 있어서,상기 유기물 완충층은 상기 소스/드레인 전극, 상기 소스 전극 또는 상기 드 레인 전극 중 어느 하나에 전기화학적 코팅법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 Al, Ag, Mo, Au, Pt, Pd, Ni, Ir, Cr, Ti, MoW, ITO, IZO, ZnO 및 In2O3로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 성분으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 유기 반도체층은 펜타센, 테트라센, 안트라센, 나프탈렌, 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌, 루브렌, 코로렌, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드, 폴리티오펜, 폴리-3-헥실티오펜, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리파라페닐렌, 폴리플로렌, 폴리티오펜비닐렌, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체, 나프탈렌의 올리고아센, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜, 프탈로시아닌, 파이로멜리틱 디안하이드라이드, 파이로멜리틱 디이미드, 퍼릴렌테트라카르복실산 디안하이드라이드, 퍼릴렌테트라카르복실산 디이미드 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 성분으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 소스/드레인 전극과 유기 반도체층 사이에 유기물 완충층을 삽입시켜 제조되는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서,상기 유기물 완충층은 소스/드레인 전극층 상부, 소스 전극층 상부 또는 드레인 전극층 상부에 전기화학적 코팅방법을 이용하여 선택적으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 유기 박막 트랜지스터; 및상기 유기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070135486A KR101455600B1 (ko) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| TW097149387A TWI450429B (zh) | 2007-12-21 | 2008-12-18 | 有機薄膜電晶體及其製造方法 |
| PCT/KR2008/007536 WO2009082129A2 (en) | 2007-12-21 | 2008-12-19 | Organic thin film transistor and method for preparing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070135486A KR101455600B1 (ko) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090067728A true KR20090067728A (ko) | 2009-06-25 |
| KR101455600B1 KR101455600B1 (ko) | 2014-11-03 |
Family
ID=40801671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070135486A KR101455600B1 (ko) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101455600B1 (ko) |
| TW (1) | TWI450429B (ko) |
| WO (1) | WO2009082129A2 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2874187B1 (en) * | 2013-11-15 | 2020-01-01 | Evonik Operations GmbH | Low contact resistance thin film transistor |
| TWI647870B (zh) * | 2017-11-29 | 2019-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 有機薄膜電晶體及畫素結構 |
| CN112820779B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-12-16 | 上海应用技术大学 | 一种薄膜晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101007813B1 (ko) * | 2003-11-24 | 2011-01-14 | 삼성전자주식회사 | 완충층을 포함하는 유기박막 트랜지스터 |
| JP5109223B2 (ja) * | 2004-08-04 | 2012-12-26 | ソニー株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
| KR100730157B1 (ko) * | 2005-11-03 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광디스플레이 장치 |
| JP2007109876A (ja) | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2007115986A (ja) | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Sharp Corp | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-12-21 KR KR1020070135486A patent/KR101455600B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-12-18 TW TW097149387A patent/TWI450429B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-12-19 WO PCT/KR2008/007536 patent/WO2009082129A2/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101455600B1 (ko) | 2014-11-03 |
| TWI450429B (zh) | 2014-08-21 |
| WO2009082129A3 (en) | 2009-09-11 |
| TW200941784A (en) | 2009-10-01 |
| WO2009082129A2 (en) | 2009-07-02 |
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