KR20090048114A - 플라즈마 에칭 챔버 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 에칭 챔버에 관한 것으로서, 웨이퍼의 가장자리로 반응가스를 유도하는 가스 분배판; 상기 가스 분배판에 이격 배치되는 플레이트; 및 상기 가스 분배판과 플레이트의 서로 대향하는 면 중 적어도 어느 일면에 돌출되어 상기 웨이퍼의 가장자리로 진행하는 반응가스의 압력을 균일하게 하는 완충부를 포함하는 플라즈마 에칭 챔버를 제공한다.
플라즈마, 에칭, 웨이퍼, 완충부

Description

플라즈마 에칭 챔버{PLASMA ETCHING CHAMBER}
본 발명은 플라즈마 에칭 챔버에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마 건식 에칭된 웨이퍼의 가장자리 끝에 남는 막질 및 그 주변에 퇴적되는 파티클을 플라즈마로 에칭하여 제거할 수 있는 플라즈마 에칭 챔버에 관한 것이다.
통상 웨이퍼를 제조함에 있어서, 패턴으로 적층되는 막질은 웨이퍼의 전체면에 걸쳐 가장자리 끝까지 형성된다. 여기서, 웨이퍼의 상면 전체를 플라즈마로 에칭하는 건식 세정공정 중에 발생하는 부산물은 완전하게 배기되지 않고, 웨이퍼의 가장자리부에서 상면과 측면 및 밑면에 걸쳐 파티클로서 퇴적되어 남게 된다.
이렇게 웨이퍼의 가장자리 부분에 집중하여 남겨지는 막질과 파티클은 제거되지 않으면, 얻고자 하는 반도체 칩에 심각한 손상을 불러 일으키는 요인으로 작용한다.
상기와 같이 웨이퍼의 가장자리에 잔존하는 막질과 파티클을 제거하기 위한 플라즈마 에칭 챔버가 개시되고 있다. 도 5는 종래 플라즈마 에칭 챔버의 부분 단 면도이다.
도 5를 참고하면, 종래의 플라즈마 에칭 챔버는 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 척(10)과, 웨이퍼 척(10)의 외측에 설치되는 링상의 하부 전극(11)과, 하부 전극(11)에 대향 배치되는 상부 전극(12) 및 상부 전극(12)의 내측에 배치되는 플레이트(13)를 포함한다.
또한, 플레이트(13)의 하부에는 가스 분배판(14)이 설치되어 반응 가스를 웨이퍼의 가장자리 측으로 안내하며, 플레이트(13)의 상부에는 승강 로드(15)가 설치되어 플레이트(13)의 상하 운동을 가능하게 한다.
상기와 같은 구조의 플라즈마 에칭 챔버에서, 상부 전극(12)과 하부 전극(11) 및 웨이퍼 척(10)에 전원을 인가하면, 상부 전극(12)과 하부 전극(11) 사이로 공급된 반응가스에 의해 플라즈마가 발생하며, 이 플라즈마는 웨이퍼의 가장자리에 축적된 파티클 또는 막질을 제거한다.
그런데, 상기와 같은 종래 플라즈마 에칭 챔버는 절연 패널(13)과 가스 분배판(14) 사이의 간격으로 공급된 반응 가스를 웨이퍼의 가장자리로 유도하는 과정에서, 웨이퍼 가장자리에서의 반응 가스의 압력이 균일하지 않은 문제점이 있었다.
즉, 웨이퍼의 가장자리에서의 반응 가스의 압력이 위치마다 상이하여 플라즈마에 의한 웨이퍼 가장자리의 식각율에 차이가 발생하여, 웨이퍼의 위치마다 파티클 또는 막질의 제거량이 달라지는 문제점이 있었다.
또한, 종래 플라즈마 에칭 챔버는 플라즈마에 의해 가스 분배판(14)의 가장자리가 오염되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 가장자리로 유도되는 반응가스의 압력을 위치마다 균일하게 유지할 수 있으며, 플라즈마에 의한 가스 분배판의 오염을 최소화할 수 있는 플라즈마 에칭 챔버를 제공함에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버는 웨이퍼의 가장자리로 반응가스를 유도하는 가스 분배판; 상기 가스 분배판에 이격 배치되는 플레이트; 및 상기 가스 분배판과 상기 플레이트의 서로 대향하는 면 중 적어도 어느 일면에 돌출되어 상기 웨이퍼의 가장자리로 진행하는 반응가스의 압력을 균일하게 하는 완충부를 포함한다.
또한, 상기 플라즈마 에칭 챔버는 상기 웨이퍼를 사이에 두고 상기 웨이퍼의 가장자리에 서로 대응하여 배치된 상부 전극과 하부 전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 완충부는 상기 가스 분배판과 상기 플레이트에 교대로 형성될 수 있다.
또한, 상기 완충부는 상기 가스 분배판 또는 상기 플레이트의 가장자리에 형성될 수 있으며, 이때, 상기 완충부는 링 형상일 수 있다.
또한, 상기 가스 분배판과 상기 플레이트는 스페이서에 의해 소정 간격을 유 지할 수 있으며, 상기 간격은 1 mm일 수 있다.
또한, 상기 완충부의 높이는 0.6 mm일 수 있다.
또한, 상기 가스 분배판은 그 가장자리의 하부면과 측면을 덮는 실드 링을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 실드 링의 폭은 상기 가스 분배판의 반경의 20% 내지 25% 범위 내에 있을 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버는 하부면에 오목 홈을 형성하는 가스 분배판; 상기 가스 분배판의 오목 홈 내측에 이격 배치되어 상기 오목 홈으로 공급되는 불활성 가스를 안내하는 배플; 및 상기 가스 분배판과 배플의 서로 대향하는 면 중 적어도 일면에 돌출되어 불활성 가스의 압력을 균일하게 하는 완충부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버는 상기 웨이퍼의 가장자리로 반응가스를 유도하는 가스 분배판; 및 상기 가스 분배판의 가장자리에 설치되어 상기 가스 분배판의 오염을 방지하는 실드 링을 포함하며, 상기 실드 링의 폭은 상기 가스 분배판의 반경의 15% 내지 40% 범위 내에 있을 수 있다.
또한, 상기 실드 링의 표면은 이트륨으로 코팅될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버는 가스 분배판 또는 플레이트에 완충부를 구비함으로써, 웨이퍼의 가장자리에 축적된 막질 또는 파티클을 균일하게 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버는 최적의 실드 링 폭을 가짐으로써, 가스 분배판과 실드 링 사이로 침입하는 부산물의 양을 감소시키고, 가스 분배판의 오염을 감소시켜 가스 분배판의 교체 비용을 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버의 부분 단면도이고, 도 2는 승강 로드가 하강한 후의 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버의 부분 단면도이고, 도 3은 도 2의 A부분을 확대한 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분배판의 개략적인 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버(100)는 외부와 격리된 공간을 제공하는 챔버 벽(20)과, 챔버 벽(20)의 상부를 관통하여 액추에이터(미도시)에 의해 작동되는 승강 로드(21) 및 승강 로드(21)의 하단에 형성되는 플레이트를 포함한다. 플레이트는 상부 플레이트(22)와 하부 플레이트(23)를 포함한다.
상부 플레이트(22)의 밑면에는 하부 플레이트(23)가 설치되고, 하부 플레이트(23)의 가장자리에는 링 형상의 상부 전극(24)이 배치된다. 상부 전극(24)은 제1 볼트(241)에 의해 상부 플레이트(22)에 장착된다.
상부 및 하부 플레이트(22, 23)의 하부에는 소정 간격을 두고 배치되는 가스 분배판(Gas Distribution Plate, 25)이 설치된다. 가스 분배판(25)은 하부 플레이트(23)와 가스 분배판(25) 사이의 간격에 공급되는 반응 가스를 웨이퍼의 가장자리로 유도하는 기능을 한다. 가스 분배판(25)은 산화 알루미나(Al2O3)와 같은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 하부 플레이트(23)는 선택적으로 설치될 수 있으며, 하부 플레이트(23)가 없는 경우 가스 분배판(25)은 상부 플레이트(22)에 직접 고정 설치될 수 있다. 또한, 상부 플레이트(22)가 하부 플레이트에 대응하는 만큼 하향으로 돌출된 경우, 가스 분배판(25)은 상기 상부 플레이트(22)의 돌출부에 고정 설치될 수 있다. 요컨대, 하부 플레이트(23)가 없는 경우, 상부 플레이트(22)는 제거된 하부 플레이트 만큼 하향으로 돌출되거나, 돌출되지 않을 수 있다.
가스 분배판(25)의 하부면 중심에는 오목 홈(251)이 형성되고, 이 오목 홈(251) 내측에는 배플(baffle, 26)이 설치된다. 배플(26)은 웨이퍼의 중앙으로 공급되는 불활성 가스(예를 들면, 질소 가스)를 분산시키는 기능을 한다. 상기 배플(26)은 선택적으로 설치될 수 있다.
가스 분배판(25)의 가장자리 하부면과 측면에는 실드 링(27)이 설치되어 웨이퍼의 에칭시 생성될 수 있는 폴리머와 같은 부산물을 흡착한다. 실드 링(27)은 가스 분배판(25)에 제2 볼트(252)로 고정되며, 가스 분배판(25)과 서로 다른 유전율을 갖도록 형성될 수 있다. 일례로, 실드 링(27)은 유전율 11의 이트륨 소결체 로 이루어질 수 있고, 가스 분배판(25)은 유전율 8.4의 산화 알루미나로 이루어질 수 있다. 상기와 같은 유전율의 차이로 인하여 실제 플라즈마의 방전에 의해 불필요한 부분에 쌓이는 전하의 양이 줄어들게 된다.
그리고, 실드 링(27)의 폭(L1)은 가스 분배판(25)의 반경(L2)의 15% 내지 40% 범위로 형성하는 것이 바람직하다. 실드 링(27)의 폭(L1)이 15% 미만이 되면, 고밀도의 플라즈마 형성시 가스 분배판(25)을 커버하지 못할 뿐만 아니라 식각 부산물들이 가스 분배판(25)과 실드 링(27) 사이의 틈으로 유입되는 문제점이 있고, 실드 링(27)의 폭(L1)이 40%를 초과하면 불필요한 부분까지 가스 분배판(25)을 커버하고 제작 비용을 증가시키는 문제점이 있다.
일례로, 가스 분배판(25)의 반경(L2)은 290 mm 내지 300 mm 범위 내에 형성될 수 있으며, 실드 링(27)의 폭(L1)은 45 내지 116 mm 범위 내에 형성될 수 있다.
또한, 가스 분배판(25)과 실드 링(27)의 표면에는 이트륨이 코팅될 수 있다. 이트륨은 폴리머 흡착성이 양호하면서 내화학성이 뛰어난 물성이 있으므로 세정중에 화학적 변화를 일으키지 않으면서 파티클을 흡착 제거해 주는 작용을 한다.
그리고, 상부 전극(24)의 하부에는 링 형상의 하부 전극(28)이 소정 간격을 두고 대향 배치된다. 하부 전극(28)의 내측에는 절연 링(30)을 사이에 두고 웨이퍼 척(32)이 위치하며, 이 웨이퍼 척(32)은 그 상면에 놓이는 웨이퍼를 진공 흡착하면서 통상의 플라즈마 발진기(도시 생략)와 전기적으로 접속되어서 고주파를 인가받는다.
이때, 상부 전극(24)과 하부 전극(28)의 외경은 동일하게 형성하는 것이 바 람직하다. 이는 생성되는 플라즈마의 모양을 완전한 대칭으로 형성함으로써, 낮은 용량의 플라즈마 발진기로도 가동될 수 있도록 하기 위함이다.
또한, 상기 웨이퍼 척(32)은 그 하측에 놓이는 절연층(34)를 통하여 하부 전극(28)과 완전하게 절연된다.
도 3을 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버(100)는 반응 가스가 공급되는 하부 플레이트(23)와 가스 분배판(25) 사이의 간극에 완충부(36)를 포함한다. 완충부(36)는 하부 플레이트(23)와 가스 분배판(25) 중 적어도 어느 일면에 간격보다 낮은 높이(H)로 돌출 형성된다. 일례로, 가스 분배판(25)과 하부 플레이트(23)의 간격은 1 mm일 수 있으며, 이때, 완충부(36)의 높이는 0.6 mm로 형성하는 것이 바람직하다.
완충부(36)은 반응 가스의 진행을 블럭킹(blocking)하여 웨이퍼 가장자리에서의 반응 가스의 압력을 균일하게 맞추는 기능을 한다. 완충부(36)는 반응 가스의 진행 방향(화살표 참조)을 따라 하부 플레이트(23)와 가스 분배판(25)에 교대로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 반응 가스의 진행 경로를 더욱 길게하여 반응 가스의 간격 내 머무르는 시간을 길게할 수 있기 때문이다. 완충부(36)의 개수는 반응 가스의 압력에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 완충부(36)는 가스 분배판(25)의 가장자리에 링 형상으로 돌출 형성될 수 있다. 한편, 가스 분배판(25)의 상부면에는 하부 플레이트(23)와의 간격을 형성하기 위한 스페이서(37)가 소정 간격으로 복수 개로 형성된다. 이때, 완충부(36)는 스페이서(37)의 높이 보다 작게 형성된다. 상기에서 완 충부(36)는 링 형상으로 형성되었으나, 그 형상은 한정되지 않으며, 사각형 등 다양하게 변형될 수 있다.
상기와 같은 구성을 가지는 플라즈마 에칭 챔버(100)의 작동을 살펴보면, 가스 분배판(25)을 통하여 공급되는 불활성 가스는 배플(26)에 의해 분산되어 웨이퍼의 내측은 비방전 영역이 형성된다. 이와 동시에 하부 플레이트(23)와 가스 분배판(25)으로 공급되는 반응 가스는 웨이퍼의 가장자리로 이동하여, 상부 전극(24)과 하부 전극(28)에 각각 인가된 전압에 의해 플라즈마를 생성한다. 이와 같이 생성된 플라즈마는 웨이퍼의 가장자리 상면에서 밑면에 걸친 부분으로 퇴적된 파티클을 식각한다.
상기와 같은 과정에서, 완충부(36)는 반응 가스의 진행을 억제하여 웨이퍼 가장자리에서의 반응 가스의 압력을 위치별로 균일하게 유지하도록 함으로써, 플라즈마는 균일하게 생성되고, 그에 따라 웨이퍼에 대한 파티클의 식각율도 위치별로 동일해진다. 또한, 실드 링(27)은 최적의 폭을 유지함으로써, 플라즈마로부터 발생하는 가스 분배판(25)의 오염을 효과적으로 방지한다.
한편, 상기에서는 반응가스의 압력을 균일하게 하기 위해, 가스 분배판(25)과 하부 플레이트(23)에 완충부(36)를 형성하였다. 상기와 동일한 방식으로, 오목 홈(251)으로 공급되는 불활성 가스의 압력을 균일하게 하기 위해서, 오목 홈(251)과 배플(26)의 서로 대향하는 일면 중 적어도 일면에 상기와 같은 완충부를 형성할 수도 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버의 부분 단면도이다.
도 2는 승강 로드가 하강한 후의 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 챔버의 부분 단면도이다.
도 3은 도 1의 A부분을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분배판의 개략적인 평면도이다.
도 5는 종래 플라즈마 에칭 챔버의 부분 단면도이다.

Claims (13)

  1. 웨이퍼의 가장자리를 에칭하는 플라즈마 에칭 챔버로서,
    상기 웨이퍼의 가장자리로 반응가스를 유도하는 가스 분배판;
    상기 가스 분배판에 이격 배치되는 플레이트; 및
    상기 가스 분배판과 상기 플레이트의 서로 대향하는 면 중 적어도 어느 일면에 돌출되는 완충부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 사이에 두고 상기 웨이퍼의 가장자리에 서로 대응하여 배치된 상부 전극과 하부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 완충부는 상기 가스 분배판과 상기 플레이트에 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 완충부는 상기 가스 분배판 또는 상기 플레이트의 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 완충부는 링 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가스 분배판과 상기 플레이트는 스페이서에 의해 소정 간격을 유지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 간격은 1 mm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 완충부의 높이는 0.6 mm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스 분배판은 그 가장자리의 하부면과 측면을 덮는 실드 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 실드 링의 폭은 상기 가스 분배판의 반경의 15% 내지 40% 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  11. 웨이퍼의 가장자리를 에칭하는 플라즈마 에칭 챔버로서,
    하부면에 오목 홈을 형성하는 가스 분배판;
    상기 가스 분배판의 오목 홈 내측에 이격 배치되어 상기 오목 홈으로 공급되는 불활성 가스를 안내하는 배플; 및
    상기 가스 분배판과 배플의 서로 대향하는 면 중 적어도 일면에 돌출되는 완충부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  12. 웨이퍼의 가장자리를 에칭하는 플라즈마 에칭 챔버로서,
    상기 웨이퍼의 가장자리로 반응가스를 유도하는 가스 분배판; 및
    상기 가스 분배판의 가장자리에 설치되어 상기 가스 분배판의 오염을 방지하는 실드 링을 포함하며,
    상기 실드 링의 폭은 상기 가스 분배판의 반경의 15% 내지 40% 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 실드 링의 표면은 이트륨으로 코팅된 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
KR1020070114335A 2007-11-09 2007-11-09 플라즈마 에칭 챔버 KR101380861B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160055991A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 (주)코미코 플라즈마 처리 장치용 내부재 및 이의 제조 방법
KR20160055989A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 (주)코미코 플라즈마 처리 장치용 내부재 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014018480A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 Applied Materials, Inc Process gas flow guides for large area plasma enhanced chemical vapor deposition systems and methods
US20170002465A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Lam Research Corporation Separation of Plasma Suppression and Wafer Edge to Improve Edge Film Thickness Uniformity

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5221556A (en) * 1987-06-24 1993-06-22 Epsilon Technology, Inc. Gas injectors for reaction chambers in CVD systems
JPH07142449A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Kawasaki Steel Corp プラズマエッチング装置
JPH10335306A (ja) * 1997-05-29 1998-12-18 Sony Corp 半導体エッチング装置
JP2000208483A (ja) * 1999-01-08 2000-07-28 Mitsubishi Electric Corp ウェハ処理装置及びウェハ処理方法
JP2002198356A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3946640B2 (ja) * 2001-01-22 2007-07-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
WO2002101116A1 (en) * 2001-06-07 2002-12-19 Tokyo Electron Limited Method of and apparatus for tailoring an etch profile
KR100464857B1 (ko) * 2002-08-26 2005-01-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지 식각장치
WO2004100247A1 (ja) * 2003-05-12 2004-11-18 Sosul Co., Ltd. プラズマエッチングチャンバーと、これを用いたプラズマエッチングシステム
KR20060060997A (ko) * 2004-12-01 2006-06-07 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지 식각 장치
JP4654738B2 (ja) * 2005-04-05 2011-03-23 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
KR100747735B1 (ko) * 2005-05-13 2007-08-09 주식회사 테스 반도체 제조 장치
US7909960B2 (en) * 2005-09-27 2011-03-22 Lam Research Corporation Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer
KR101249247B1 (ko) * 2005-12-21 2013-04-01 참엔지니어링(주) 플라즈마 에칭 챔버

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160055991A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 (주)코미코 플라즈마 처리 장치용 내부재 및 이의 제조 방법
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