JPH07169750A - プロセスチャンバ電極のためのドーム状拡張部分 - Google Patents
プロセスチャンバ電極のためのドーム状拡張部分Info
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- JPH07169750A JPH07169750A JP6258376A JP25837694A JPH07169750A JP H07169750 A JPH07169750 A JP H07169750A JP 6258376 A JP6258376 A JP 6258376A JP 25837694 A JP25837694 A JP 25837694A JP H07169750 A JPH07169750 A JP H07169750A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32458—Vessel
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、クリーン化にかかる非稼働時間の
不利益も回避又は軽減し、その結果、プロセスの収率に
悪い影響をあたえることなくプロセスのスループットを
改善することを目的とする。 【構成】 ドーム状拡張部分がベルジャ形状のプロセス
チャンバの標準電極の頂面に置かれて、電極とプロセス
チャンバとの間の電気的相互作用を減少させる。その結
果、プロセスチャンバリッドの内側表面上へのポリマー
の堆積を促進する、電極とプロセスチャンバリッドとの
間の不活発なプラズマを減少させる。ポリカーボネート
等のプロセスに不活性な材料で作られたこの拡張部分
は、プロセスチャンバリッドの内側表面の形に適合し且
つプロセスチャンバリッドの内側表面の上部から離れ
た、上側表面を有する。
不利益も回避又は軽減し、その結果、プロセスの収率に
悪い影響をあたえることなくプロセスのスループットを
改善することを目的とする。 【構成】 ドーム状拡張部分がベルジャ形状のプロセス
チャンバの標準電極の頂面に置かれて、電極とプロセス
チャンバとの間の電気的相互作用を減少させる。その結
果、プロセスチャンバリッドの内側表面上へのポリマー
の堆積を促進する、電極とプロセスチャンバリッドとの
間の不活発なプラズマを減少させる。ポリカーボネート
等のプロセスに不活性な材料で作られたこの拡張部分
は、プロセスチャンバリッドの内側表面の形に適合し且
つプロセスチャンバリッドの内側表面の上部から離れ
た、上側表面を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プロセスチャンバ内に
おける半導体ウエハのプラズマ処理に関する。特に、本
発明はプロセスチャンバ内における複数の半導体ウエハ
の同時プラズマ処理中に用いられる、改良された電極に
関する。
おける半導体ウエハのプラズマ処理に関する。特に、本
発明はプロセスチャンバ内における複数の半導体ウエハ
の同時プラズマ処理中に用いられる、改良された電極に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ここでの実施は、プロセスチャンバ内の
半導体ウエハのエッチングであり、このプロセスチャン
バは、しばしばベルジャ(bell jar)形を有するタイプの
ものである。多面の(multifaceted)のウエハホルダがチ
ャンバ内部に置かれ、チャンバと、電極の役割ももつウ
エハホルダとの間にＲＦエネルギの発生源が接続され
て、チャンバ内にプラズマを発生させる。多面電極は、
いくつもの半導体ウエハを同時に異方的にプラズマエッ
チングすることができるという利点をもっており、この
ウエハの枚数は、ウエハの直径やＲＦエネルギーのレベ
ルによるが、典型的には１０〜２４枚である。これは、
例えば、D.Maydanによる米国特許第４，２９８，４４３
号の”High Capacity Etching Appatrtus and Method”
を参照されたい。
半導体ウエハのエッチングであり、このプロセスチャン
バは、しばしばベルジャ(bell jar)形を有するタイプの
ものである。多面の(multifaceted)のウエハホルダがチ
ャンバ内部に置かれ、チャンバと、電極の役割ももつウ
エハホルダとの間にＲＦエネルギの発生源が接続され
て、チャンバ内にプラズマを発生させる。多面電極は、
いくつもの半導体ウエハを同時に異方的にプラズマエッ
チングすることができるという利点をもっており、この
ウエハの枚数は、ウエハの直径やＲＦエネルギーのレベ
ルによるが、典型的には１０〜２４枚である。これは、
例えば、D.Maydanによる米国特許第４，２９８，４４３
号の”High Capacity Etching Appatrtus and Method”
を参照されたい。
【０００３】ベルジャ形のプロセスチャンバ内でのプラ
ズマ処理中に、ベルジャリッドの内側表面上に、求めな
いポリマーの残留物が不可避的に堆積する。時間の経過
につれて、この残留物は、プラズマ処理中においてプロ
セスチャンバリッドと電極との間の電気的相互作用が生
じる位置に蓄積していく。このような残留物の蓄積は、
電極の平面輪郭に対応した特有のパターンの形で現れ
る。ここで用いられているものとしては、この電極は、
小面(facet) をもっており、例えば、電極の小面で画成
された電極輪郭の多角形状をもとにした五面電極(pento
de) 又は六面電極(hexode)と説明される。すなわち、五
面電極は、５つの側面ないしは小面をもつ電極であり、
六面電極は６つの側面ないしは小面をもつ電極である。
従って、５極の形状の電極が用いられた場合は、プロセ
スチャンバリッドの内側表面には五角形のパターンに堆
積し；６極の形状の電極が用いられた場合は、プロセス
チャンバリッドの内側表面には六角形のパターンに堆積
し；以下同様である。
ズマ処理中に、ベルジャリッドの内側表面上に、求めな
いポリマーの残留物が不可避的に堆積する。時間の経過
につれて、この残留物は、プラズマ処理中においてプロ
セスチャンバリッドと電極との間の電気的相互作用が生
じる位置に蓄積していく。このような残留物の蓄積は、
電極の平面輪郭に対応した特有のパターンの形で現れ
る。ここで用いられているものとしては、この電極は、
小面(facet) をもっており、例えば、電極の小面で画成
された電極輪郭の多角形状をもとにした五面電極(pento
de) 又は六面電極(hexode)と説明される。すなわち、五
面電極は、５つの側面ないしは小面をもつ電極であり、
六面電極は６つの側面ないしは小面をもつ電極である。
従って、５極の形状の電極が用いられた場合は、プロセ
スチャンバリッドの内側表面には五角形のパターンに堆
積し；６極の形状の電極が用いられた場合は、プロセス
チャンバリッドの内側表面には六角形のパターンに堆積
し；以下同様である。
【０００４】このような堆積は、チャンバリッドの内側
表面と電極との間の領域が、プラズマが不活発な領域で
あるために生じると考えられ、この不活発な領域とはす
なわち、ガスの循環が悪いためにガス分子の速度が低い
領域である。チャンバには、ガス流入と排気との流路及
びポートが備えられ、通常これらは共にこの領域から比
較的遠く離れているため、チャンバ内の他の区域と比較
して循環を悪くさせている。例えば、排気ポートは通常
リッドとは反対側のプロセスチャンバの端にある。
表面と電極との間の領域が、プラズマが不活発な領域で
あるために生じると考えられ、この不活発な領域とはす
なわち、ガスの循環が悪いためにガス分子の速度が低い
領域である。チャンバには、ガス流入と排気との流路及
びポートが備えられ、通常これらは共にこの領域から比
較的遠く離れているため、チャンバ内の他の区域と比較
して循環を悪くさせている。例えば、排気ポートは通常
リッドとは反対側のプロセスチャンバの端にある。
【０００５】ポリマーの堆積は、種々のプロセスガスが
解離する過程で、恐らくはフォトレジスト由来のエッチ
ングされた金属や炭素との結合により生成し、フォトレ
ジストは、塩素含有エッチャントのためのＡｌ2 Ｃ
ｌ6 、ＡｌＣｌ3 等の炭素マトリクスないしポリマーを
生じたり、弗素含有エッチャントのための物質等を生じ
たりする。このような解離とフォトレジストの分解の生
成物は、チャンバ内の循環が制限された領域に残存する
傾向がある。更に、このポリマーは、チャンバリッドの
内側表面と電極との間の領域のような、チャンバ内部の
冷たい表面に優先的に堆積される。
解離する過程で、恐らくはフォトレジスト由来のエッチ
ングされた金属や炭素との結合により生成し、フォトレ
ジストは、塩素含有エッチャントのためのＡｌ2 Ｃ
ｌ6 、ＡｌＣｌ3 等の炭素マトリクスないしポリマーを
生じたり、弗素含有エッチャントのための物質等を生じ
たりする。このような解離とフォトレジストの分解の生
成物は、チャンバ内の循環が制限された領域に残存する
傾向がある。更に、このポリマーは、チャンバリッドの
内側表面と電極との間の領域のような、チャンバ内部の
冷たい表面に優先的に堆積される。
【０００６】この堆積物はハイドロスコピック(hydrosc
opic) であり、即ち、フレークや微粒子の形でリッド表
面から落ちて、プロセスチャンバ内で処理の最中である
半導体ウエハの表面上に停止したり、チャンバ内部で粒
子残留物を蓄積したりする。従って、通常の操作におい
てプロセスチャンバからこのような堆積物をクリーン化
する必要がある。プロセスチャンバが次の生産を行えな
くなると思われた後に、プロセスチャンバのリッドから
このような堆積物をクリーン化することが、現在甘んじ
て行われている。この操作を行う間隔は、通常チャンバ
の化学的状態や操作条件に関係している。プロセスチャ
ンバのリッドのクリーン化が遅れた場合は、ウエハやプ
ロセスチャンバの汚染は深刻なものとなり、プロセスの
収率に悪影響を与える。
opic) であり、即ち、フレークや微粒子の形でリッド表
面から落ちて、プロセスチャンバ内で処理の最中である
半導体ウエハの表面上に停止したり、チャンバ内部で粒
子残留物を蓄積したりする。従って、通常の操作におい
てプロセスチャンバからこのような堆積物をクリーン化
する必要がある。プロセスチャンバが次の生産を行えな
くなると思われた後に、プロセスチャンバのリッドから
このような堆積物をクリーン化することが、現在甘んじ
て行われている。この操作を行う間隔は、通常チャンバ
の化学的状態や操作条件に関係している。プロセスチャ
ンバのリッドのクリーン化が遅れた場合は、ウエハやプ
ロセスチャンバの汚染は深刻なものとなり、プロセスの
収率に悪影響を与える。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、プロセスチャ
ンバのリッドのクリーン化にかかる非稼働時間の不利益
は大きく、これがプロセスのスループットに悪影響を与
える。プロセスチャンバのリッドのクリーン化を省略で
きるか、または少なくとも延期させることができるので
あれば、このようなクリーン化にかかる非稼働時間の不
利益も回避又は軽減することができ、その結果、プロセ
スの収率に悪い影響をあたえることなくプロセスのスル
ープットを改善することができる。
ンバのリッドのクリーン化にかかる非稼働時間の不利益
は大きく、これがプロセスのスループットに悪影響を与
える。プロセスチャンバのリッドのクリーン化を省略で
きるか、または少なくとも延期させることができるので
あれば、このようなクリーン化にかかる非稼働時間の不
利益も回避又は軽減することができ、その結果、プロセ
スの収率に悪い影響をあたえることなくプロセスのスル
ープットを改善することができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】プロセスチャンバ内にお
いてチャンバリッドの内側表面と電極の上面との間の領
域に絶縁性の障壁(dielectric barrier)が置かれる。こ
の絶縁体は、非多孔質の(imporous)電気エネルギ絶縁体
であって、これは前述の領域からプラズマを移動させて
プロセスチャンバリッドの内側表面へのポリマーの堆積
を取り除く。この絶縁体は、プラズマプロセスチャンバ
内の複数の小面をもつ電極に対して、プロセスに不活性
なドーム状の絶縁体の拡張部分として、簡便に与えられ
る。このドーム状の拡張部分は、ベルジャ形のプロセス
チャンバ内で標準的な電極の上面にキャップのように置
かれており、プロセスチャンバリッドの内側表面のドー
ム形状に適合するような曲線をもち、係る領域を出来る
限り占有する一方で、絶縁体とプロセスチャンバリッド
の内側表面との間に相互作用を生じないような寸法が与
えられている。この発明はプロセスチャンバリッドの内
側表面上へのポリマーの堆積を大きく減少させるため、
予定されるプロセスチャンバのクリーン化の間隔を広く
するすることができ、そのため、プロセスの収率を変え
ることなくプロセスの非稼働時間を減少させる。この発
明を用いた結果生じるプラズマの移動は、より動的なプ
ラズマ、即ち総括ガス分子速度が高められたプラズマを
与え、また、エッチングの均一性を改善する様々な反応
種をより多くプロセスガスが含有して、消費済みのガス
をプロセスチャンバから排出させる良好なガス流れをチ
ャンバ中に与える。
いてチャンバリッドの内側表面と電極の上面との間の領
域に絶縁性の障壁(dielectric barrier)が置かれる。こ
の絶縁体は、非多孔質の(imporous)電気エネルギ絶縁体
であって、これは前述の領域からプラズマを移動させて
プロセスチャンバリッドの内側表面へのポリマーの堆積
を取り除く。この絶縁体は、プラズマプロセスチャンバ
内の複数の小面をもつ電極に対して、プロセスに不活性
なドーム状の絶縁体の拡張部分として、簡便に与えられ
る。このドーム状の拡張部分は、ベルジャ形のプロセス
チャンバ内で標準的な電極の上面にキャップのように置
かれており、プロセスチャンバリッドの内側表面のドー
ム形状に適合するような曲線をもち、係る領域を出来る
限り占有する一方で、絶縁体とプロセスチャンバリッド
の内側表面との間に相互作用を生じないような寸法が与
えられている。この発明はプロセスチャンバリッドの内
側表面上へのポリマーの堆積を大きく減少させるため、
予定されるプロセスチャンバのクリーン化の間隔を広く
するすることができ、そのため、プロセスの収率を変え
ることなくプロセスの非稼働時間を減少させる。この発
明を用いた結果生じるプラズマの移動は、より動的なプ
ラズマ、即ち総括ガス分子速度が高められたプラズマを
与え、また、エッチングの均一性を改善する様々な反応
種をより多くプロセスガスが含有して、消費済みのガス
をプロセスチャンバから排出させる良好なガス流れをチ
ャンバ中に与える。
【０００９】
【実施例】ドーム状拡張部分もしくはキャップは、プロ
セスチャンバ内で用いられる標準的な多面電極に装着さ
れ、電極の上面とプロセスチャンバリッドの内側表面と
の間の領域からプラズマを移動させるため、リッドの内
側表面上への求めないポリマーの堆積を減少させる。こ
の方法においては、プロセスチャンバのクリーン化の間
隔を広くすることができるため、プロセスチャンバの非
稼働時間を減少させ且つウエハのスループットを改善す
る。この発明がプロセスチャンバリッドのクリーン化の
間隔を広げ、プロセスの化学状態に依存して従来技術の
装置で処理が可能であったウエハの枚数に較べて、少な
くとも２ないし３倍の枚数を処理することが可能であっ
たことが、実際に見いだされた。しかし、多くの応用例
において、連続したウエハの処理の間隔を更に大きくす
ることが可能となるように、プロセスチャンバリッドの
クリーン化同士の間の実際の時間を大きくすることが出
来ることが予想される。
セスチャンバ内で用いられる標準的な多面電極に装着さ
れ、電極の上面とプロセスチャンバリッドの内側表面と
の間の領域からプラズマを移動させるため、リッドの内
側表面上への求めないポリマーの堆積を減少させる。こ
の方法においては、プロセスチャンバのクリーン化の間
隔を広くすることができるため、プロセスチャンバの非
稼働時間を減少させ且つウエハのスループットを改善す
る。この発明がプロセスチャンバリッドのクリーン化の
間隔を広げ、プロセスの化学状態に依存して従来技術の
装置で処理が可能であったウエハの枚数に較べて、少な
くとも２ないし３倍の枚数を処理することが可能であっ
たことが、実際に見いだされた。しかし、多くの応用例
において、連続したウエハの処理の間隔を更に大きくす
ることが可能となるように、プロセスチャンバリッドの
クリーン化同士の間の実際の時間を大きくすることが出
来ることが予想される。
【００１０】ドーム状拡張部分は絶縁体を具備し、この
絶縁体がもとはプラズマに占有されているはずの空間を
占めることによりチャンバのドームの領域内において電
子が容易に輸送されることを妨げ、ドーム状拡張部分に
占められている空間をもとは占有しているはずの化学種
が係る領域内へ輸送されることを減少させる。このドー
ム状拡張部分自身にはおそらく、このような求めない堆
積物が蓄積することはなく、その理由は、ガス分子速度
の最も高い領域に位置しているこの拡張部分の下側表面
は、通常チャンバの他の領域よりも温度が高いからであ
る。リッドの開閉を機械的に妨害せずに、プロセスチャ
ンバリッドの内側表面とドーム状拡張部分の上側表面と
の間の領域からできるだけプラズマを排除するように、
ドーム状拡張部分の上側表面は与えられ、従って、この
上側表面は感知される程度のポリマーの堆積物すら受容
しない。更に、このドーム状拡張部分は平坦で多孔質プ
ラスチック材料でできているため、ドーム状拡張部分の
表面上に生成した堆積物はこの表面から全く剥離しない
だろう。従って、このドーム状拡張部分もプロセスチャ
ンバの内側表面に較べてクリーン化が大変容易である。
絶縁体がもとはプラズマに占有されているはずの空間を
占めることによりチャンバのドームの領域内において電
子が容易に輸送されることを妨げ、ドーム状拡張部分に
占められている空間をもとは占有しているはずの化学種
が係る領域内へ輸送されることを減少させる。このドー
ム状拡張部分自身にはおそらく、このような求めない堆
積物が蓄積することはなく、その理由は、ガス分子速度
の最も高い領域に位置しているこの拡張部分の下側表面
は、通常チャンバの他の領域よりも温度が高いからであ
る。リッドの開閉を機械的に妨害せずに、プロセスチャ
ンバリッドの内側表面とドーム状拡張部分の上側表面と
の間の領域からできるだけプラズマを排除するように、
ドーム状拡張部分の上側表面は与えられ、従って、この
上側表面は感知される程度のポリマーの堆積物すら受容
しない。更に、このドーム状拡張部分は平坦で多孔質プ
ラスチック材料でできているため、ドーム状拡張部分の
表面上に生成した堆積物はこの表面から全く剥離しない
だろう。従って、このドーム状拡張部分もプロセスチャ
ンバの内側表面に較べてクリーン化が大変容易である。
【００１１】図１には代表的なベル形状であるプロセス
チャンバ１０の斜視図が示される。プロセスチャンバ１
０は、ベース１３によって支持され、処理環境の下側の
部分をなすチャンバ１２を包含する。リッド１１は、処
理環境の上側の部分をなし、ヒンジ１４によってチャン
バ１２に付けられている。リッドはチャンバと電気的に
接続されており、リッドとチャンバとは電極を備え、こ
の電極は好適な具体例ではアノードである。ヒンジ１４
は、リッドの所望の上昇降下が可能なように配置されて
いる。リッド１１が降下した場合には、プロセスチャン
バは従来技術の手段（図示されず）によりシールされ
て、チャンバ１２とリッド１１とにより画成されたクロ
ーズドな環境内でウエハの処理を進めることが可能とな
る。
チャンバ１０の斜視図が示される。プロセスチャンバ１
０は、ベース１３によって支持され、処理環境の下側の
部分をなすチャンバ１２を包含する。リッド１１は、処
理環境の上側の部分をなし、ヒンジ１４によってチャン
バ１２に付けられている。リッドはチャンバと電気的に
接続されており、リッドとチャンバとは電極を備え、こ
の電極は好適な具体例ではアノードである。ヒンジ１４
は、リッドの所望の上昇降下が可能なように配置されて
いる。リッド１１が降下した場合には、プロセスチャン
バは従来技術の手段（図示されず）によりシールされ
て、チャンバ１２とリッド１１とにより画成されたクロ
ーズドな環境内でウエハの処理を進めることが可能とな
る。
【００１２】電極２０は、複数の表面あるいは小面２３
を有し、リッド１１が上昇した時にできる開口１５を通
してプロセスチャンバ内に配置される。この電極はカソ
ードとして作用し、各表面２３は複数のウエハサイト２
１を具備して、ウエハ処理中は半導体ウエハ２２を支持
し保持する。この発明の好適な具体例においては、電極
２０は六面電極、即ち６つの等しく平坦な面あるいは小
面を有しているが、本発明の実施に用いられる電極は、
その小面の数がいくつでもよく、同様にただ１つのウエ
ハサイト及び／又は表面を有する電極であってもよい。
この図において、ドーム状拡張部分ないしキャップ３０
は電極２０と片方の端で装着されてウエハ支持表面に対
して横側になり、ウエハと直接面するチャンバ表面と全
てのウエハとの間に絶縁体が位置しないようにウエハか
ら離される。
を有し、リッド１１が上昇した時にできる開口１５を通
してプロセスチャンバ内に配置される。この電極はカソ
ードとして作用し、各表面２３は複数のウエハサイト２
１を具備して、ウエハ処理中は半導体ウエハ２２を支持
し保持する。この発明の好適な具体例においては、電極
２０は六面電極、即ち６つの等しく平坦な面あるいは小
面を有しているが、本発明の実施に用いられる電極は、
その小面の数がいくつでもよく、同様にただ１つのウエ
ハサイト及び／又は表面を有する電極であってもよい。
この図において、ドーム状拡張部分ないしキャップ３０
は電極２０と片方の端で装着されてウエハ支持表面に対
して横側になり、ウエハと直接面するチャンバ表面と全
てのウエハとの間に絶縁体が位置しないようにウエハか
ら離される。
【００１３】図２には、ドーム状拡張部分３０がこの発
明に従って取り付けられている標準的な六面電極２０の
斜視図が示される。この拡張部分の上側部分３２は、プ
ロセスチャンバリッド１１の上側のドーム状部分の内側
表面１９の曲線ないしドームと合うように輪郭が与えら
れる。例えば、リッドの内側表面の実際の形状は、リッ
ドの半径ｒの関数、リッドのドーム部分の高さｈの関
数、あるいはリッド内側表面のリッド中心点からエッジ
までの曲率ないし傾斜の関数であってもよい。
明に従って取り付けられている標準的な六面電極２０の
斜視図が示される。この拡張部分の上側部分３２は、プ
ロセスチャンバリッド１１の上側のドーム状部分の内側
表面１９の曲線ないしドームと合うように輪郭が与えら
れる。例えば、リッドの内側表面の実際の形状は、リッ
ドの半径ｒの関数、リッドのドーム部分の高さｈの関
数、あるいはリッド内側表面のリッド中心点からエッジ
までの曲率ないし傾斜の関数であってもよい。
【００１４】プロセスチャンバリッドの内側表面１９と
拡張部分３０の曲線ないしドーム部分３２との間に一定
のギャップが存在することが有用であると考えられる。
上側表面ないし部分３２の実際の曲面は、プロセスチャ
ンバリッド１１の内側表面１９の曲面と一致するべきで
あろう。従って、それぞれの表面に対して別々の半径を
与えて、２つの表面間に一定の最小限度のギャップを維
持することが望ましい。それぞれの曲率は、表面の半径
ｒの関数、高さｈの関数、あるいは中心点からエッジま
での曲率ないし傾斜の関数として、周知の方法で計算さ
れてもよい。
拡張部分３０の曲線ないしドーム部分３２との間に一定
のギャップが存在することが有用であると考えられる。
上側表面ないし部分３２の実際の曲面は、プロセスチャ
ンバリッド１１の内側表面１９の曲面と一致するべきで
あろう。従って、それぞれの表面に対して別々の半径を
与えて、２つの表面間に一定の最小限度のギャップを維
持することが望ましい。それぞれの曲率は、表面の半径
ｒの関数、高さｈの関数、あるいは中心点からエッジま
での曲率ないし傾斜の関数として、周知の方法で計算さ
れてもよい。
【００１５】拡張部分３０をプロセスチャンバに組込む
ためには、拡張部分を電極２０に直接置かれる（つま
り、ここで用いられる別称「キャップ」は拡張部分を表
している）。ベルジャのリッドが閉じられている場合
は、拡張部分のドーム表面の曲率はベルジャのリッドの
内側表面の曲率と適合する。本発明の好適な具体例にお
いては、拡張部分は、この拡張部分の上面とプロセスチ
ャンバリッドの内側表面との間に約２．２２ｃｍ（０．
８７５インチ）のギャップを与えるような寸法であるこ
とが重要である。このギャップは、必要に応じてアプリ
ケーションの間で変えてもよいが、ギャップが小さすぎ
た場合は、リッドが閉じられた時に拡張部分がリッド表
面と接触しないように、プロセスチャンバリッドと拡張
部分との間に充分なクリアランスを設けることが困難に
なるだろう。本発明の適切な操作及びチャンバリッドの
開閉時に機械的な障害を防止するために、拡張部分はリ
ッド表面と接触しないことが好ましいが、理想的には、
リッドの内側表面と電極との間の全部分が絶縁体で占有
されれば望ましい。
ためには、拡張部分を電極２０に直接置かれる（つま
り、ここで用いられる別称「キャップ」は拡張部分を表
している）。ベルジャのリッドが閉じられている場合
は、拡張部分のドーム表面の曲率はベルジャのリッドの
内側表面の曲率と適合する。本発明の好適な具体例にお
いては、拡張部分は、この拡張部分の上面とプロセスチ
ャンバリッドの内側表面との間に約２．２２ｃｍ（０．
８７５インチ）のギャップを与えるような寸法であるこ
とが重要である。このギャップは、必要に応じてアプリ
ケーションの間で変えてもよいが、ギャップが小さすぎ
た場合は、リッドが閉じられた時に拡張部分がリッド表
面と接触しないように、プロセスチャンバリッドと拡張
部分との間に充分なクリアランスを設けることが困難に
なるだろう。本発明の適切な操作及びチャンバリッドの
開閉時に機械的な障害を防止するために、拡張部分はリ
ッド表面と接触しないことが好ましいが、理想的には、
リッドの内側表面と電極との間の全部分が絶縁体で占有
されれば望ましい。
【００１６】拡張部分とプロセスチャンバリッドの内側
表面との間のギャップが大きすぎた場合は、電極の上面
とリッドの内側表面との間の領域から移動されるプラズ
マの量は、リッド表面上への求めないポリマーの堆積を
防止するに充分ではなくなる。従って、ポリマーの蓄積
は充分に減少されず、この拡張部分の有効性を低くす
る。
表面との間のギャップが大きすぎた場合は、電極の上面
とリッドの内側表面との間の領域から移動されるプラズ
マの量は、リッド表面上への求めないポリマーの堆積を
防止するに充分ではなくなる。従って、ポリマーの蓄積
は充分に減少されず、この拡張部分の有効性を低くす
る。
【００１７】図３（ａ）は、本発明の好適な具体例に従
った拡張部分の上面図である。図示されている拡張部分
は、六面電極に用いられるものであり、従って６つの小
面３１を有している。拡張部分は中心線３６に対して対
称であることが、この図から理解される。拡張部分の実
際の対称性は、この発明が適用される電極に関して決ま
る。
った拡張部分の上面図である。図示されている拡張部分
は、六面電極に用いられるものであり、従って６つの小
面３１を有している。拡張部分は中心線３６に対して対
称であることが、この図から理解される。拡張部分の実
際の対称性は、この発明が適用される電極に関して決ま
る。
【００１８】拡張部分の寸法は、拡張部分が取り付けら
れる電極の外寸によって決まる。拡張部分は、電極にあ
る程度ぴたりと合うように、加工の間に寸法が与えられ
る。プロセスチャンバがある決まったガスを供給しこれ
を循環して排気させることを備えている必要があるた
め、拡張部分は、プロセスチャンバ内において拡張部分
と電極との間の空間に対してガスを流入及び流出させる
ことを可能にするべきであり、即ち、拡張部分は呼吸を
して拡張部分と電極との間の領域のガス圧力をプロセス
チャンバのガス圧力と均等化するべきであろう。そのよ
うでなければ、拡張部分と電極との間の領域にトラップ
されたガスは、膨張してチャンバリッドの中で拡張部分
を持ち上げ、チャンバ内のプロセスを壊してしまうだろ
う。また、このようなガスはトラップされた微粒子や実
質的な漏出の原因となり、即ち、このようなガスをガス
抜きすることにより、漏出検出器に関してガス洩れの指
示を与える。これは、このようなガス抜きによって、チ
ャンバ内のガス圧力が不安定になる状況を与え、これが
チャンバの漏出と同じことであるからである。
れる電極の外寸によって決まる。拡張部分は、電極にあ
る程度ぴたりと合うように、加工の間に寸法が与えられ
る。プロセスチャンバがある決まったガスを供給しこれ
を循環して排気させることを備えている必要があるた
め、拡張部分は、プロセスチャンバ内において拡張部分
と電極との間の空間に対してガスを流入及び流出させる
ことを可能にするべきであり、即ち、拡張部分は呼吸を
して拡張部分と電極との間の領域のガス圧力をプロセス
チャンバのガス圧力と均等化するべきであろう。そのよ
うでなければ、拡張部分と電極との間の領域にトラップ
されたガスは、膨張してチャンバリッドの中で拡張部分
を持ち上げ、チャンバ内のプロセスを壊してしまうだろ
う。また、このようなガスはトラップされた微粒子や実
質的な漏出の原因となり、即ち、このようなガスをガス
抜きすることにより、漏出検出器に関してガス洩れの指
示を与える。これは、このようなガス抜きによって、チ
ャンバ内のガス圧力が不安定になる状況を与え、これが
チャンバの漏出と同じことであるからである。
【００１９】図３（ｂ）は、本発明の好適な具体例の拡
張部分において、図３（ａ）の３ｂ−３ｂ線に沿った断
面図である。拡張部分の内側部分３３には凹みが付けら
れていることが、この図から理解されよう。プロセスに
よっては、拡張部分を挿入することによって、チャンバ
を校正し直す必要が生じるほどプラズマの全体積を大き
く変えてしまうことがある。しかし、拡張部分なしでチ
ャンバを操作することに較べれば、このような凹みによ
り、プラズマの移動に対して再校正の必要をなくすに充
分な程度の埋め合せが可能である。拡張部分を使用する
ことにより生じる変化にはさほど敏感ではない他のプロ
セスも見い出されるだろう。従ってこの場合、拡張部分
に凹みをつける必要はほとんど見られないであろう。あ
らゆる場合において、本発明は既存のプロセスチャンバ
に改善を施すことを意図しているため、この拡張部分を
使用することにより生じるであろう体積の移動を埋め合
せるために、非常に敏感なプロセスに対しての重要な処
理パラメータを計算し直す余計な時間を使うことは、望
ましくない。従って、拡張部分は凹んだ内側部分を具備
して、チャンバ内に拡張部分を置くことに付随した体積
移動の量を最小にすることが好ましい。
張部分において、図３（ａ）の３ｂ−３ｂ線に沿った断
面図である。拡張部分の内側部分３３には凹みが付けら
れていることが、この図から理解されよう。プロセスに
よっては、拡張部分を挿入することによって、チャンバ
を校正し直す必要が生じるほどプラズマの全体積を大き
く変えてしまうことがある。しかし、拡張部分なしでチ
ャンバを操作することに較べれば、このような凹みによ
り、プラズマの移動に対して再校正の必要をなくすに充
分な程度の埋め合せが可能である。拡張部分を使用する
ことにより生じる変化にはさほど敏感ではない他のプロ
セスも見い出されるだろう。従ってこの場合、拡張部分
に凹みをつける必要はほとんど見られないであろう。あ
らゆる場合において、本発明は既存のプロセスチャンバ
に改善を施すことを意図しているため、この拡張部分を
使用することにより生じるであろう体積の移動を埋め合
せるために、非常に敏感なプロセスに対しての重要な処
理パラメータを計算し直す余計な時間を使うことは、望
ましくない。従って、拡張部分は凹んだ内側部分を具備
して、チャンバ内に拡張部分を置くことに付随した体積
移動の量を最小にすることが好ましい。
【００２０】また、拡張部分は電極上に緩やかに着座な
いし静止していることが好ましい。本発明の好適な具体
例においては、レッジ(ledge) ３４はこの目的のために
具備される。上述の理由から、拡張部分がぴたりと装着
されて電極の上面と拡張部分との間の領域によって画成
される凹んだ内部の体積をシールすることは、しないほ
うがよい。更に、拡張部分の内縁部３５は、電極の外径
よりも充分大きく拡張部分が電極に対して直ちに着脱可
能なような直径をもつべきである。
いし静止していることが好ましい。本発明の好適な具体
例においては、レッジ(ledge) ３４はこの目的のために
具備される。上述の理由から、拡張部分がぴたりと装着
されて電極の上面と拡張部分との間の領域によって画成
される凹んだ内部の体積をシールすることは、しないほ
うがよい。更に、拡張部分の内縁部３５は、電極の外径
よりも充分大きく拡張部分が電極に対して直ちに着脱可
能なような直径をもつべきである。
【００２１】拡張部分のエッジ３５（図３（ｂ））が電
極から突き出る大きさは、本発明の好適な具体例の実施
に関しては特に重要な寸法とは考えられない。この突き
出た部分は、拡張部分を決まった位置に保持するに充分
あればよいが、電極の小面のウエハホルダに対して、ユ
ーザーが半導体ウエハを搬入搬出する可能性を妨げなけ
ない程度に長くてはならない。
極から突き出る大きさは、本発明の好適な具体例の実施
に関しては特に重要な寸法とは考えられない。この突き
出た部分は、拡張部分を決まった位置に保持するに充分
あればよいが、電極の小面のウエハホルダに対して、ユ
ーザーが半導体ウエハを搬入搬出する可能性を妨げなけ
ない程度に長くてはならない。
【００２２】図４は、ベル形のプロセスチャンバの側面
図であり、本発明の第２の具体例に従ってドーム状拡張
部分に取り付けられた標準的な六面電極を包含してい
る。図４の具体例においては、ドーム状拡張部分４０は
ドーム内面１９の傾斜に対応した傾斜を有するドーム部
分４２を包含する。しかし、ドーム状拡張部分は、電極
２０の上方の全部分が絶縁体で占められるように絶縁体
を大きくする半径を有している。従って、ドーム状拡張
部分は、チャンバ内部壁４１との接点にほぼ達するまで
伸びた外側エッジ４３を有する。
図であり、本発明の第２の具体例に従ってドーム状拡張
部分に取り付けられた標準的な六面電極を包含してい
る。図４の具体例においては、ドーム状拡張部分４０は
ドーム内面１９の傾斜に対応した傾斜を有するドーム部
分４２を包含する。しかし、ドーム状拡張部分は、電極
２０の上方の全部分が絶縁体で占められるように絶縁体
を大きくする半径を有している。従って、ドーム状拡張
部分は、チャンバ内部壁４１との接点にほぼ達するまで
伸びた外側エッジ４３を有する。
【００２３】この発明の双方の具体例において、設置し
たときに堅く安定なように、拡張部分は充分な厚さをも
っているべきである。拡張部分は、プロセスチャンバ内
のプラズマ環境への暴露が繰り返し且つ長時間にわたっ
て行われても耐性をもつように、充分に厚いことが好ま
しい。
たときに堅く安定なように、拡張部分は充分な厚さをも
っているべきである。拡張部分は、プロセスチャンバ内
のプラズマ環境への暴露が繰り返し且つ長時間にわたっ
て行われても耐性をもつように、充分に厚いことが好ま
しい。
【００２４】拡張部分ないしキャップを作るための好ま
しい材料はポリカーボネートであり、例えばゼネラルエ
レクトリック社により製造されるＬｅｘａｎ １０１等
である。Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 やＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のプロ
セス化学種その他を単独あるいは組合わせで用いる腐食
性の反応物やプラズマへの暴露をプラズマプロセスの一
部として含んだ、プロセスチャンバ内の厳しい環境への
暴露を繰り返し且つ長時間にわたって行われても、この
材料は耐性をもつことが見出されてている。
しい材料はポリカーボネートであり、例えばゼネラルエ
レクトリック社により製造されるＬｅｘａｎ １０１等
である。Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 やＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のプロ
セス化学種その他を単独あるいは組合わせで用いる腐食
性の反応物やプラズマへの暴露をプラズマプロセスの一
部として含んだ、プロセスチャンバ内の厳しい環境への
暴露を繰り返し且つ長時間にわたって行われても、この
材料は耐性をもつことが見出されてている。
【００２５】また、拡張部分はポリカーボネート以外の
材料を用いて作られてもよい。この材料を選択する際
は、絶縁体であるように選ぶ必要がある。この材料も同
様に、プラズマ処理中のプロセスチャンバ内の環境に較
べて高い誘電係数を示す必要がある一方、プロセスチャ
ンバ内の厳しい環境への暴露を繰り返し且つ長時間にわ
たって行われても耐えられる必要がある。この拡張部分
は、既存の機械加工技術を用いた精密なプログラム化ミ
ルで形状を作る機械加工をされてもよく、また、キャス
ト法やモールド法で作られてもよい。
材料を用いて作られてもよい。この材料を選択する際
は、絶縁体であるように選ぶ必要がある。この材料も同
様に、プラズマ処理中のプロセスチャンバ内の環境に較
べて高い誘電係数を示す必要がある一方、プロセスチャ
ンバ内の厳しい環境への暴露を繰り返し且つ長時間にわ
たって行われても耐えられる必要がある。この拡張部分
は、既存の機械加工技術を用いた精密なプログラム化ミ
ルで形状を作る機械加工をされてもよく、また、キャス
ト法やモールド法で作られてもよい。
【００２６】拡張部分は、プロセスチャンバ内のプラズ
マ条件下に繰り返し暴露される結果、ゆっくりと消耗す
るため、拡張部分を形成する材料は、この消耗中に中立
たるべきであり、即ち、拡張部分は、プロセスチャンバ
内において行われるプロセスに対して有害であってはな
らない。このプラズマ処理に関する消耗の間、拡張部分
は（いかなる）微粒子発生物質を少しも発生するべきで
はない。更に、拡張部分は、プロセスチャンバ内で行わ
れるプロセスを汚染することになる金属成分を含まない
純粋な材料で形成されるべきである。従って、この材料
は、チャンバ内で処理されることになるウエハを破壊す
る汚染物を含まないべきであり、例えば、この材料は鉄
等の重金属、ナトリウム、カリウムを含まないべきであ
り、また、この材料は、ウエハにおいてエッチングされ
るデバイスを破壊する自由移動イオンを生じないべきで
ある。
マ条件下に繰り返し暴露される結果、ゆっくりと消耗す
るため、拡張部分を形成する材料は、この消耗中に中立
たるべきであり、即ち、拡張部分は、プロセスチャンバ
内において行われるプロセスに対して有害であってはな
らない。このプラズマ処理に関する消耗の間、拡張部分
は（いかなる）微粒子発生物質を少しも発生するべきで
はない。更に、拡張部分は、プロセスチャンバ内で行わ
れるプロセスを汚染することになる金属成分を含まない
純粋な材料で形成されるべきである。従って、この材料
は、チャンバ内で処理されることになるウエハを破壊す
る汚染物を含まないべきであり、例えば、この材料は鉄
等の重金属、ナトリウム、カリウムを含まないべきであ
り、また、この材料は、ウエハにおいてエッチングされ
るデバイスを破壊する自由移動イオンを生じないべきで
ある。
【００２７】ここに好適な具体例を参照して本発明を説
明してきたが、本発明の思想及び範囲から外れることな
く、ここに開示された事項を他の応用に置き換えてもよ
いことは、当業者には直ちに理解されよう。例えば、ヒ
ンジでつながれた上部と下部とを含んだ特定のベルジャ
配置をもつプロセスチャンバが示されているが、本発明
に関してはあらゆるプロセスチャンバを使用してもよ
い。例えば、上部と下部とがねじ止めされたプロセスチ
ャンバ等である。また、プロセスチャンバはここに示さ
れた模範のプロセスチャンバとは異なるように、大きさ
及び／又は形状を与えられてもよい。例えば、プロセス
チャンバリッドは、プロセスチャンバの最上面え固定さ
れてもよく；リッド全てとチャンバとがチャンバのベー
ス部分と固定されるように、リッドがチャンバ内に含ま
れていてもよい。更に、本発明の実施には、あらゆるタ
イプの多面電極が用いられてもよい。
明してきたが、本発明の思想及び範囲から外れることな
く、ここに開示された事項を他の応用に置き換えてもよ
いことは、当業者には直ちに理解されよう。例えば、ヒ
ンジでつながれた上部と下部とを含んだ特定のベルジャ
配置をもつプロセスチャンバが示されているが、本発明
に関してはあらゆるプロセスチャンバを使用してもよ
い。例えば、上部と下部とがねじ止めされたプロセスチ
ャンバ等である。また、プロセスチャンバはここに示さ
れた模範のプロセスチャンバとは異なるように、大きさ
及び／又は形状を与えられてもよい。例えば、プロセス
チャンバリッドは、プロセスチャンバの最上面え固定さ
れてもよく；リッド全てとチャンバとがチャンバのベー
ス部分と固定されるように、リッドがチャンバ内に含ま
れていてもよい。更に、本発明の実施には、あらゆるタ
イプの多面電極が用いられてもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の拡
張部分を用いることにより、プロセスチャンバのリッド
のクリーン化を省略できるか、または少なくとも延期さ
せることができる。従って、プロセスチャンバリッドの
クリーン化にかかる非稼働時間の不利益も回避又は軽減
することができ、その結果、プロセスの収率に悪い影響
をあたえることなくプロセスのスループットを改善する
ことができる。
張部分を用いることにより、プロセスチャンバのリッド
のクリーン化を省略できるか、または少なくとも延期さ
せることができる。従って、プロセスチャンバリッドの
クリーン化にかかる非稼働時間の不利益も回避又は軽減
することができ、その結果、プロセスの収率に悪い影響
をあたえることなくプロセスのスループットを改善する
ことができる。
【図１】ベル型のプロセスチャンバの側面図であり、こ
のチャンバは本発明に従ってドーム状拡張部分を固定し
た標準六面電極を含んでいる。
のチャンバは本発明に従ってドーム状拡張部分を固定し
た標準六面電極を含んでいる。
【図２】本発明に従いドーム状拡張部分を固定した標準
六面電極のふ観図である。
六面電極のふ観図である。
【図３】（ａ）は本発明に従ったドーム状電極拡張部分
の上面図である。（ｂ）は本発明に従ったドーム状電極
拡張部分の図３（ａ）における線３ｂ−３ｂに沿った断
面図である。
の上面図である。（ｂ）は本発明に従ったドーム状電極
拡張部分の図３（ａ）における線３ｂ−３ｂに沿った断
面図である。
【図４】ベル型のプロセスチャンバの側面図であり、こ
のチャンバは本発明の第２の具体例に従ってドーム状拡
張部分を固定した標準六面電極を含んでいる。
のチャンバは本発明の第２の具体例に従ってドーム状拡
張部分を固定した標準六面電極を含んでいる。
１０…プロセスチャンバ、１１…リッド、１２…チャン
バ、１３…ベース、１４…ヒンジ、１５…開口、１９…
内側表面、２０…電極、２１…ウエハサイト、２…半導
体ウエハ、２３…表面、３０…ドーム状拡張部分、３１
…小面、３２…上側部分、３３…内側部分、３４…レッ
ジ、３５…内縁部、３６…中心線、４０…ドーム状拡張
部分、４１…チャンバ内部壁、４２…ドーム部分、４３
…外側エッジ。
バ、１３…ベース、１４…ヒンジ、１５…開口、１９…
内側表面、２０…電極、２１…ウエハサイト、２…半導
体ウエハ、２３…表面、３０…ドーム状拡張部分、３１
…小面、３２…上側部分、３３…内側部分、３４…レッ
ジ、３５…内縁部、３６…中心線、４０…ドーム状拡張
部分、４１…チャンバ内部壁、４２…ドーム部分、４３
…外側エッジ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョセフ カヴァ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95118， サン ノゼ， グラシアー ド ライヴ 1422 (72)発明者 グレッグ ブラックバーン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95124， サン ノゼ， フォックスワー シー アヴェニュー 1878 (72)発明者 リチャード マクガヴァーン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95124， サン ノゼ， ドライ クリー ク ロード 1902
Claims (21)
- 【請求項１】 多面電極を内部に包含するプロセスチャ
ンバにおいて、プラズマ処理の間におけるプロセスチャ
ンバリッドの湾曲した内側表面上へのポリマーの堆積を
減少させる装置であって、 前記電極の頂上に位置し湾曲した上面を有する電極の拡
張部分であって、前記拡張部分が前記電極の頂部と前記
プロセスチャンバリッドの湾曲した内側表面との間の領
域に絶縁性を与える電極の拡張部分を備えるポリマー堆
積減少装置。 - 【請求項２】 前記拡張部分の湾曲した上面が、該プロ
セスチャンバリッドの湾曲した内側表面と適合する請求
項１に記載のポリマー堆積減少装置。 - 【請求項３】 前記拡張部分がその周囲部で前記電極と
接触し、且つ前記電極が前記周囲部の内側に凹みがつけ
られる請求項１に記載のポリマー堆積減少装置。 - 【請求項４】 前記拡張部分が、前記拡張部分の外周の
周囲に伸びる連続した下方向リムを有し、前記拡張部分
を前記電極の頂部の適所にゆるやかに係合し且つ支持し
て前記リムの内側表面が配置される請求項１に記載のポ
リマー堆積減少装置。 - 【請求項５】 前記拡張部分が前記電極の頂部に置かれ
たときに、前記拡張部分が前記電極の頂部と内部拡張部
分表面との間の、前記プロセスチャンバにより画成され
た内部量に連絡する凹んだ内部領域を画成して、前記拡
張部分がプロセスチャンバリッドの湾曲した内側表面と
該電極の頂部との間の領域に絶縁性を与える請求項１に
記載のポリマー堆積減少装置。 - 【請求項６】 前記拡張部分の絶縁性が、該プロセスチ
ャンバ環境の絶縁性よりも高い請求項１に記載のポリマ
ー堆積減少装置。 - 【請求項７】 前記拡張部分がポリカーボネート材料で
作られる請求項１に記載のポリマー堆積減少装置。 - 【請求項８】 前記拡張部分が、金属成分を有しないプ
ロセス中立材料で作られる請求項１に記載のポリマー堆
積減少装置。 - 【請求項９】 前記プロセスチャンバリッドが閉められ
且つ前記プロセスチャンバがシールされた際に、前記拡
張部分が前記プロセスチャンバリッドの湾曲した内側表
面と接触しない請求項１に記載のポリマー堆積減少装
置。 - 【請求項１０】 前記プロセスチャンバリッドが閉めら
れ且つ前記プロセスチャンバがシールされた際に、前記
拡張部分と前記プロセスチャンバリッドの湾曲した内側
表面との間に、前記プロセスチャンバリッドが前記拡張
部分と接触せずに閉め得るに充分広く且つ前記拡張部分
が前記電極の頂部と該プロセスチャンバリッドの湾曲し
た内側表面との間の領域からプラズマを移動させ得るに
充分狭い、不変のギャップが提供される請求項１に記載
のポリマー堆積減少装置。 - 【請求項１１】 内部において、処理されるべきウエハ
が電極の上に置かれるプラズマ処理チャンバにおいて、
ポリマーの堆積を減少させる装置であって、前記ウエハ
と間隔を置く場所で、前記電極及び近隣のプロセスチャ
ンバ内側表面と接触する絶縁体を備えるポリマー堆積減
少装置。 - 【請求項１２】 前記絶縁体が、前記近隣のチャンバ内
側表面と接近して距離をおく請求項１１に記載のポリマ
ー堆積減少装置。 - 【請求項１３】 前記近隣のチャンバ内側表面と面する
前記絶縁体が、前記近隣のチャンバ内側表面と一定不変
に距離をおく請求項１１に記載のポリマー堆積減少装
置。 - 【請求項１４】 前記電極が略平坦な複数の面を備え、
前記ウエハが前記処理チャンバの壁面と面する関係をも
って前記面上に保持されて、前記絶縁体が前記処理チャ
ンバ内で前記電極と前記チャンバの壁面との間であって
前記ウエハの場所から離れた場所に位置する請求項１１
に記載のポリマー堆積減少装置。 - 【請求項１５】 前記絶縁体の場所が、ウエハを保持す
る前記面の場所に対して横方向である請求項１４に記載
のポリマー堆積減少装置。 - 【請求項１６】 前記拡張部分が、金属成分を有しない
プロセス中立材料で作られる請求項１１に記載のポリマ
ー堆積減少装置。 - 【請求項１７】 前記拡張部分がポリカーボネート材料
で作られる請求項１６に記載のポリマー堆積減少装置。 - 【請求項１８】 前記拡張部分が、該チャンバ内部表面
と接触する位置までほぼ伸びる外側エッジを有する請求
項１７に記載のポリマー堆積減少装置。 - 【請求項１９】 保持に適合する電極又は多くの処理さ
れるべきウエハが内部に位置するウエハプラズマ処理チ
ャンバの上へのポリマーの堆積を防止するプロセスであ
って、 絶縁体を、ウエハとこれに対面する前記チャンバの表面
との間には置かずに、多面電極と近隣プロセスチャンバ
との間の領域内に置くステップを含むポリマー堆積防止
プロセス。 - 【請求項２０】 前記電極にはウエハを保持するに適し
た複数の面が具備され、前記領域は前記チャンバの内部
表面と前記ウエハ保持面を含まない前記電極の部分との
間にある請求項１９に記載のポリマー堆積防止プロセ
ス。 - 【請求項２１】 前記絶縁体は前記電極の拡張部分であ
り、前記絶縁体は湾曲した上面を有し、前記湾曲した上
面は前記近隣プロセスチャンバの曲率と適合する請求項
１９に記載のポリマー堆積防止プロセス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/141,456 US5480052A (en) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | Domed extension for process chamber electrode |
| US08/141456 | 1993-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169750A true JPH07169750A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=22495777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6258376A Withdrawn JPH07169750A (ja) | 1993-10-22 | 1994-10-24 | プロセスチャンバ電極のためのドーム状拡張部分 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5480052A (ja) |
| JP (1) | JPH07169750A (ja) |
| KR (1) | KR950012623A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6095083A (en) * | 1991-06-27 | 2000-08-01 | Applied Materiels, Inc. | Vacuum processing chamber having multi-mode access |
| US6245189B1 (en) | 1994-12-05 | 2001-06-12 | Nordson Corporation | High Throughput plasma treatment system |
| JPH11140648A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-25 | Tokyo Electron Ltd | プロセスチャンバ装置及び処理装置 |
| US6972071B1 (en) | 1999-07-13 | 2005-12-06 | Nordson Corporation | High-speed symmetrical plasma treatment system |
| JP4937474B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2012-05-23 | ノードソン コーポレーション | 高速対称プラズマ処理システム |
| US6368676B1 (en) * | 1999-07-20 | 2002-04-09 | Diversified Technologies, Inc. | Method of coating an article |
| US6709522B1 (en) | 2000-07-11 | 2004-03-23 | Nordson Corporation | Material handling system and methods for a multichamber plasma treatment system |
| US6841033B2 (en) * | 2001-03-21 | 2005-01-11 | Nordson Corporation | Material handling system and method for a multi-workpiece plasma treatment system |
| KR20020085003A (ko) * | 2001-05-03 | 2002-11-16 | 이태호 | 게르마늄으로 숙성 시킨 자라 엑기스 제조 방법. |
| KR20020085161A (ko) * | 2001-05-07 | 2002-11-16 | 이태호 | 게르마늄으로 숙성시킨 자라 분말 제조 방법. |
| KR102111653B1 (ko) | 2019-02-26 | 2020-05-15 | 주식회사 네이처바이오 | 동결 건조 자라를 이용한 자라유 및 자라분말의 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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