KR20090047251A - 약액 공급 장치 - Google Patents

약액 공급 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090047251A
KR20090047251A KR1020070113311A KR20070113311A KR20090047251A KR 20090047251 A KR20090047251 A KR 20090047251A KR 1020070113311 A KR1020070113311 A KR 1020070113311A KR 20070113311 A KR20070113311 A KR 20070113311A KR 20090047251 A KR20090047251 A KR 20090047251A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical liquid
nozzle
heating tube
temperature
microwave
Prior art date
Application number
KR1020070113311A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100938235B1 (ko
Inventor
박근영
김시은
최기훈
최중봉
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070113311A priority Critical patent/KR100938235B1/ko
Publication of KR20090047251A publication Critical patent/KR20090047251A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100938235B1 publication Critical patent/KR100938235B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Abstract

노즐로 유입되는 약액의 온도를 실시간으로 조절할 수 있는 약액 공급 장치가 제공된다. 약액 공급 장치는 약액을 분사하는 노즐과, 약액을 노즐로 공급하는 약액 공급관과, 약액 공급관에 연결되어, 약액에 마이크로 웨이브를 조사하여 약액의 온도를 조절하는 마이크로 웨이브 히터로서, 챔버, 챔버 내부에 위치하는 가열관, 및 챔버 내부에 위치하며 가열관에 마이크로 웨이브를 조사하는 마이크로 웨이브 조사구를 포함하는 마이크로 웨이브 히터를 포함한다.
약액 공급 장치, 마이크로 웨이브 히터, 온도 센서

Description

약액 공급 장치{Apparatus for supplying chemicals}
본 발명은 약액 공급 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 노즐로 유입되는 약액의 온도를 실시간으로 조절할 수 있는 약액 공급 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 가공 공정에는 감광액 도포 공정(Photoresist Coating), 현상 공정(Develop), 식각 공정(Etching), 화학기상증착 공정(Chemical Vapor Deposition), 애싱 공정(Ashing) 등이 있으며, 각각의 여러 단계의 공정을 수행하는 과정에서 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위한 공정으로 약액(Chemical) 또는 순수(Deionized Water)를 이용한 세정 공정(Wet Cleaning)이 있다.
이러한 감광액의 도포, 현상, 세정 공정 등에서는 액체 상태의 약액을 기판 위로 분사시켜 공정이 이루어진다. 예를 들어, 일반적인 매엽식 세정 장치의 경우, 한 장의 기판을 처리할 수 있는 기판척(Wafer chuck)에 기판을 고정시킨 후 모터에 의해 기판을 회전시키면서, 기판의 상부에서 분사 노즐을 통해 약액을 분사하고, 기판의 회전력에 의해 약액이 기판의 전면으로 퍼지게 된다.
일반적으로 기판을 처리하는 공정에서는 기판에 분사되는 약액의 온도가 공 정에 매우 큰 영향을 주게 된다. 약액의 변화는 화학적으로 반응 시간을 변화시키는 등 공정에 편차를 주게 되어 약액의 온도를 조절하는 것은 매우 중요하다.
혼합기를 통과하여 미리 조절된 용액은 용액 공급관을 통과하면서, 용액의 온도가 변하게 됨에 따라 약액이 노즐로 분사되기 전에 실시간을 최적화된 온드를 유지시키는 장치가 필요하다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 노즐로 유입되는 약액의 온도를 실시간으로 조절할 수 있는 약액 공급 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급 장치는 약액을 분사하는 노즐과, 상기 약액을 상기 노즐로 공급하는 약액 공급관과, 상기 약액 공급관에 연결되어, 상기 약액에 마이크로 웨이브를 조사하여 상기 약액의 온도를 조절하는 마이크로 웨이브 히터로서, 챔버, 상기 챔버 내부에 위치하는 가열관, 및 상기 챔버 내부에 위치하며 상기 가열관에 마이크로 웨이브를 조사하는 마이크로 웨이브 조사구를 포함하는 마이크로 웨이브 히터를 포함한다.
상술한 바와 같은 본 발명에 실시예들에 따른 약액 공급 장치는 약액이 기판에 분사되기 직전에 약액의 온도를 실시간으로 조절되어, 항상 필요한 온도의 약액 을 기판에 분사할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급 장치에 관하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1의 약액 공급 장치에 포함되는 마이크로 웨이브 히터의 절개 사시도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급 장치(10)는 제1 약액 유입관(110) 및 제2 약액 유입관(120)을 통하여 각각 약액을 공급 받아 혼합기(200)를 통하여 혼합한 후, 제1 내지 제3 공급관(310, 320, 330)을 통하여 노즐(610, 620)로 공급하는 역할을 하며, 노즐(610, 620)에 공급되는 약액의 온도를 조절하기 위한 마이크로 웨이브 히터(400)를 포함한다.
구체적으로, 제1 약액 유입관(110) 및 제2 약액 유입관(120)은 각각 서로 다른 약액을 혼합기(200)로 공급하는 역할을 하며, 제1 공급관(310)을 통하여 혼합 기(200)와 연결된다. 이러한 제1 약액 유입관(110) 및 제2 약액 유입관(120)에는 각각 제1 유입 밸브(115) 및 제2 유입 밸브(125)가 연결되어 있다. 제1 유입 밸브(115) 및 제2 유입 밸브(125)는 제1 약액 유입관(110) 및 제2 약액 유입관(120)의 유량을 조절하여, 약액의 농도를 조절하게 된다.
한편, 제1 약액 유입관(110) 및 제2 약액 유입관(120)에는 제1 유량계(117) 및 제2 유량계(127)가 연결되어 있어, 제1 약액 유입관(110) 및 제2 약액 유입관(120) 내부로 흐르는 약액의 양을 조절하게 된다.
혼합기(200)는 제1 공급관(310)을 통하여 유입되는 약액을 균일하게 혼합하는 역할을 하며, 제1 공급관(310) 및 제2 공급관(320) 사이에 위치한다. 이러한 혼합기(200)는 인라인(inline) 혼합기로서 약액이 혼합기(200) 내의 관로를 흐르면서 와류를 일으키게 되어, 자체 와류를 통해 균일하게 혼합된다. 따라서, 약액이 혼합기(200)에서 유출될 때에는 균일하게 혼합된 약액의 형태로 유츨된다.
다만, 혼합기(200)는 반드시 이에 한정될 것은 아니고, 저장 탱크와 순환 장치를 갖는 형태 등 다양한 방식으로 형성될 수 있다.
혼합기(200)의 유출구에는 제2 공급관(320)이 연결된다. 제2 공급관(320)은 혼합된 약액을 마이크로 웨이브 히터(400)로 공급한다. 이러한 제2 공급관(320)에는 약액 공급 밸브(340)와 제3 유량계(350)가 연결될 수 있다. 제3 유량계(350)를 통하여 마이크로 웨이브 히터(400)로 유입되는 약액의 양을 측정하고, 약액 공급 밸브(340)를 이용하여 마이크로 웨이브 히터(400)로 유입되는 약액을 조절한다.
마이크로 웨이브 히터(400)는 제2 공급관(320) 및 제3 공급관(330)에 연결되 어, 제1 노즐(610) 및 제2 노즐(620)로 공급되는 약액의 온도를 조절하는 역할을 한다. 이러한 마이크로 웨이브 히터(400)는 챔버(410), 마이크로 웨이브 조사구(420), 가열관(430), 순환관(440), 순환 밸브(450) 및 온도 센서(460)를 포함한다.
챔버(410) 내부에 마이크로 웨이브 조사구(420) 및 가열관(430)이 위치한다. 챔버(410)는 마이크로 웨이브가 용이하게 반사될 수 있는 물질이 도포되며, 마이크로 웨이브 조사구(420)는 챔버(410) 내부의 상부에 위치할 수 있다. 마이크로 웨이브 조사구(420)는 약액 분자에 에너지를 가하여 약액의 온도를 증가시키는 마이크로 웨이브를 조사하는 역할을 한다. 챔버(410) 내부에 마이크로 웨이브를 반사시킬 수 있는 물질이 도포되어 있으므로 마이크로 웨이브 조사구(420)의 위치가 반드시 챔버(410) 상부에 위치하지 않을 수 있다.
한편, 가열관(430)은 내부에 약액이 유동하는 관으로서, 마이크로 웨이브의 조사면적을 늘리기 위하여 코일 형상으로 감긴 코일형 가열관으로 형성할 수 있다. 이러한 가열관(430)은 마이크로 웨이브가 반사되지 않고 쉽게 투과할 수 있는 플라스틱 또는 세라믹 재질 등으로 형성되는 것이 바람직하다.
순환관(440)은 가열관(430)의 양단에 연결되어 가열관(430)을 통하여 유출되는 약액을 가열관(430)의 유입단으로 다시 순환시키는 역할을 한다. 가열관(430)의 유출단에는 온도 센서(460)가 부착되어 있어, 가열관(430)을 통해 유출되는 약액의 온도를 실시간으로 검출할 수 있다. 따라서, 약액의 온도가 낮은 경우 다시 가열관(430)의 유입단으로 약액을 순환시킨 후, 마이크로 웨이브의 조사량을 조절하여 온도를 재조정하게 된다. 이와 같은 일련의 프로세스는 온도 센서(460) 및 순환 밸브(450)와 연결된 제어부(700)에 의해 자동으로 제어될 수 있다. 제어부(700)는 온도 센서(460)로 검출된 온도에 따라 순환 밸브(450)를 조절하여 적절한 온도의 약액을 제1 노즐(610) 및 제2 노즐(620)로 공급하도록 한다.
순환관(440)에는 순환 밸브(450)가 연결되어, 온도 센서(460)에서 검출된 결과에 따라 순환되는 약액의 양을 조절하게 된다. 이와 같이, 마이크로 웨이브 히터(400)에서 약액을 순환시킴으로써, 항상 제1 노즐(610) 및 제2 노즐(620)을 통하여 일정한 온도의 약액을 배출할 수 있다.
마이크로 웨이브 히터(400)를 통하여 온도가 조절된 약액은 제2 공급관(320)을 통하여 제1 노즐(610) 및 제2 노즐(620)로 공급된다. 한편, 제3 공급관(330)에는 제1 노즐(610) 및 제2 노즐(620)로 분사되는 약액을 조절하기 위한 제1 노즐 밸브(360)와 제2 노즐 밸브(365)가 연결되어 있다.
제1 노즐(610) 및 제2 노즐(620)은 제1 스핀 헤드(515) 및 제2 스핀 헤드(525)의 상부에 위치하여, 기판에 약액을 분사하는 역할을 한다. 제1 노즐(610) 및 제2 노즐(620)을 통하여 분사된 약액은 기판의 회전에 의해 원심력을 받게 되어, 기판을 처리한 후 기판을 이탈하게 된다. 이러한 기판은 제1 보울(510) 및 제2 보울(520) 내부의 회전하는 제1 스핀 헤드(515) 및 제2 스핀 헤드(525)에 안착되어 회전하게 된다.
제1 보울(510) 및 제2 보울(520)은 다중의 벽을 포함하는 용기로서, 내부에 기판이 안착되어 기판을 회전시키는 제1 스핀 헤드(515) 및 제2 스핀 헤드(525)를 각각 포함한다. 제1 보울(510) 및 제2 보울(520)의 다중 벽에는 다수의 배수구를 포함하여, 약액의 종류에 따라 서로 다른 약액을 배출하는 통로로 사용된다.
이하, 도 1 및 도 3을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 약액 공급 장치에 관하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 약액 공급 장치에 포함되는 마이크로 웨이브 히터의 절개 사시도이다. 설명의 편의상 상기 일 실시예의 도면에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 동일 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 약액 공급 장치는 지그재그 형태로 구부러진 관으로 형성된 가열관(430')을 포함하는 마이크로 웨이브 히터(400')을 포함한다. 챔버(410) 상부에 위치하는 마이크로 웨이브 조사구(420)로부터 조사되는 마이크로 웨이브가 효과적으로 전달되도록 수평 방향으로 접촉 면적을 증가시킨 지그재그형으로 굽은 가열관(430')을 포함한다. 이와 같은 가열관(430')은 상술한 바와 같이 마이크로 웨이브가 투과될 수 있는 플라스틱 또는 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1의 약액 공급 장치에 포함되는 마이크로 웨이브 히터의 절개 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 약액 공급 장치에 포함되는 마이크로 웨이브 히터의 절개 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 약액 공급 장치 110: 제1 약액 유입관
115: 제1 유입 밸브 117: 제1 유량계
120: 제2 약액 유입관 125: 제2 유입 밸브
127: 제2 유량계 200: 혼합기
310: 제1 공급관 320: 제2 공급관
330: 제3 공급관 340: 약액 공급 밸브
350: 제3 유량계 360: 제1 노즐 밸브
365: 제2 노즐 밸브 400, 400': 마이크로 웨이브 히터
410: 챔버 420: 마이크로 웨이브 조사구
430, 430': 가열관 440: 순환관
450: 순환 밸브 460: 온도 센서
510: 제1 보울 515: 제1 스핀 헤드
520: 제2 보울 525: 제2 스핀 헤드
610: 제1 노즐 620: 제2 노즐

Claims (5)

  1. 약액을 분사하는 노즐;
    상기 약액을 상기 노즐로 공급하는 약액 공급관; 및
    상기 약액 공급관에 연결되어, 상기 약액에 마이크로 웨이브를 조사하여 상기 약액의 온도를 조절하는 마이크로 웨이브 히터로서,
    챔버, 상기 챔버 내부에 위치하는 가열관, 및 상기 챔버 내부에 위치하며 상기 가열관에 마이크로 웨이브를 조사하는 마이크로 웨이브 조사구를 포함하는 마이크로 웨이브 히터를 포함하는 약액 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로 웨이브 히터는 상기 가열관을 통과한 상기 약액의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 포함하는 약액 공급 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 마이크로 웨이브 히터는 일단이 상기 가열관의 유출구에 연결되고 타단이 상기 가열관의 유입구에 연결되어, 상기 약액의 온도에 따라 상기 유출구로 유출되는 상기 약액을 상기 유입구로 순환시키는 순환관을 더 포함하는 약액 공급 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 약액 공급 장치는 상기 마이크로 웨이브의 조사량을 조절하며, 상기 순환관을 통하여 순환되는 상기 약액의 순환량을 조절하는 제어부를 더 포함하는 약액 공급 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가열관은 코일 모양으로 감긴 코일형 또는 지그재그 형태로 굽은 형상인 약액 공급 장치.
KR1020070113311A 2007-11-07 2007-11-07 약액 공급 장치 KR100938235B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070113311A KR100938235B1 (ko) 2007-11-07 2007-11-07 약액 공급 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070113311A KR100938235B1 (ko) 2007-11-07 2007-11-07 약액 공급 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090047251A true KR20090047251A (ko) 2009-05-12
KR100938235B1 KR100938235B1 (ko) 2010-01-22

Family

ID=40856767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070113311A KR100938235B1 (ko) 2007-11-07 2007-11-07 약액 공급 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100938235B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017146499A1 (ko) * 2016-02-24 2017-08-31 인제대학교 산학협력단 마이크로웨이브를 이용한 나노 구조체 형성 장치
KR20200077245A (ko) * 2018-12-20 2020-06-30 주식회사 케이씨텍 세정액 공급 장치 및 세정 노즐
CN112151413A (zh) * 2019-06-27 2020-12-29 细美事有限公司 液体供应单元和基板处理装置
US20210202274A1 (en) * 2019-12-31 2021-07-01 Semes Co., Ltd. Liquid supply unit, and apparatus and method for processing substrate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6365251A (ja) * 1986-09-04 1988-03-23 Tokyo Materiarusu:Kk 液体加熱方法
KR100611060B1 (ko) * 2004-12-07 2006-08-09 삼성전자주식회사 기판 상으로 용액을 공급하기 위한 장치
KR100822421B1 (ko) * 2005-08-08 2008-04-15 세이코 엡슨 가부시키가이샤 제막 장치, 제막 방법, 패터닝 방법, 광학 장치의 제조방법, 및 전자 장치의 제조 방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017146499A1 (ko) * 2016-02-24 2017-08-31 인제대학교 산학협력단 마이크로웨이브를 이용한 나노 구조체 형성 장치
KR20200077245A (ko) * 2018-12-20 2020-06-30 주식회사 케이씨텍 세정액 공급 장치 및 세정 노즐
CN112151413A (zh) * 2019-06-27 2020-12-29 细美事有限公司 液体供应单元和基板处理装置
KR20210002180A (ko) * 2019-06-27 2021-01-07 세메스 주식회사 액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2021007148A (ja) * 2019-06-27 2021-01-21 セメス カンパニー，リミテッド 液供給ユニット、基板処理装置
TWI800738B (zh) * 2019-06-27 2023-05-01 南韓商細美事有限公司 液體供應單元和基板處理裝置
US11794219B2 (en) 2019-06-27 2023-10-24 Semes Co., Ltd. Liquid supply unit and substrate treating apparatus and method
US20210202274A1 (en) * 2019-12-31 2021-07-01 Semes Co., Ltd. Liquid supply unit, and apparatus and method for processing substrate
CN113130350A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 细美事有限公司 液体供应单元及用于处理基板的装置和方法
US11869778B2 (en) 2019-12-31 2024-01-09 Semes Co., Ltd. Liquid supply unit, and apparatus and method for processing substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR100938235B1 (ko) 2010-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9460944B2 (en) Substrate treating apparatus and method of treating substrate
KR101867250B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4762835B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体
KR100654698B1 (ko) 기판의 처리방법 및 그 장치
US9466513B2 (en) Treatment liquid supply apparatus and substrate treatment apparatus including the same
TWI525685B (zh) 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體
KR100938235B1 (ko) 약액 공급 장치
TWI451524B (zh) A substrate processing apparatus and a substrate processing method
CN105895561B (zh) 基板处理装置
US6918406B2 (en) Chemical supply apparatus
KR100872870B1 (ko) 순환 노즐 및 그를 포함하는 약액 공급 장치
KR20170027127A (ko) 약액 공급 장치 및 이를 구비하는 반도체 처리 장치
JP2003197597A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101685159B1 (ko) 웨이퍼 세정액 공급장치
JP3979595B2 (ja) 処理液供給ノズル及び処理液供給装置、並びにノズルの洗浄方法
JP7419219B2 (ja) 洗浄薬液供給装置および洗浄薬液供給方法
KR20110080343A (ko) 고온의 약액을 공급하는 장치
KR20080060786A (ko) 냉각유닛 및 상기 냉각유닛을 구비하는 기판 처리 장치
JP6375160B2 (ja) 基板処理方法
JP3625766B2 (ja) 基板表面処理装置および基板表面処理方法
JP2003092279A (ja) 高圧処理装置
JPH0945656A (ja) 半導体製造装置
WO2020153168A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20080058699A (ko) 약액 공급부재 상기 약액 공급부재를 구비하는 기판 처리장치
JP2004207515A (ja) レジスト除去装置及びレジスト除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130109

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140107

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150108

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee