CN113130350A - 液体供应单元及用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

液体供应单元及用于处理基板的装置和方法 Download PDF

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Abstract

一种用于处理基板的装置，包括：壳体；支撑单元，其在壳体中支撑基板；喷嘴，其将处理液分配到基板上；和液体供应单元，其将处理液供应至喷嘴。液体供应单元包括：容器，其具有储存处理液的储存空间；液体供应管，处理液通过该液体供应管从容器流至喷嘴；和超声波施加构件，其在处理液被供应至喷嘴之前向处理液施加超声波。超声波施加构件包括：储液器，其具有容纳液体的内部空间；和超声发生器，其向容纳在储液器中的液体施加超声波。液体供应管的一部分浸没在容纳于储液器中的液体中。

Description

液体供应单元及用于处理基板的装置和方法
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及一种液体供应单元以及用于处理基板的装置和方法，并且更具体地，涉及一种用于通过将液体分配到基板上来用液体处理基板的液体供应单元，以及使用该液体供应单元的基板处理装置和方法。
背景技术
执行诸如光刻、沉积、灰化、蚀刻、离子注入等的各种工艺以制造半导体元件。在所述工艺中的一些中，将处理液分配到基板上以在基板上执行液体处理。
在将处理液分配到基板上的过程中，从用于供应处理液的液体供应管、储液器、喷嘴等产生的杂质可被供应至基板。因此，在液体供应管中安装有过滤器以去除杂质。
然而，可以经由过滤器过滤的杂质的尺寸受到限制，因此可能将细小的杂质提供给基板而不会被过滤器过滤。
发明内容
本发明构思的实施方式提供一种用于有效地聚集和去除处理液中的杂质的液体供应单元，以及使用该液体供应单元的基板处理装置和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员从以下描述中将清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：壳体，所述壳体内部具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元在所述壳体中支撑所述基板；喷嘴，所述喷嘴将处理液分配到被支撑在所述支撑单元上的所述基板上；和液体供应单元，所述液体供应单元将所述处理液供应至所述喷嘴。液体供应单元包括：容器，所述容器具有供储存所述处理液的储存空间；液体供应管，所述处理液通过所述液体供应管从所述容器流至所述喷嘴；和超声波施加构件，所述超声波施加构件在所述处理液被供应至所述喷嘴之前向所述处理液施加超声波。超声波施加构件包括：储液器，所述储液器具有供容纳液体的内部空间；和超声发生器，所述超声发生器向容纳在所述储液器中的所述液体施加超声波。所述液体供应管的一部分浸没在容纳于所述储液器中的所述液体中。
根据一个实施方式，在浸没在容纳于所述储液器中的所述液体中的区域中，所述液体供应管的所述部分以之字形设置。
根据一个实施方式，在浸没在容纳于所述储液器中的所述液体中的区域中，所述液体供应管的所述部分以线圈形式设置。
根据一个实施方式，该装置还可以包括过滤器，所述过滤器安装在所述液体供应管中，并从待供应至所述喷嘴的所述处理液中过滤杂质，并且所述超声波施加构件可以设置在所述过滤器的上游。
根据一个实施方式，所述装置还可以包括电磁场发生器，所述电磁场发生器在所述液体供应管中产生电磁场。
根据一个实施方式，所述电磁场发生器可以设置在所述超声发生器的下游。
根据一个实施方式，所述液体供应管的浸没在所述储液器中所容纳的所述液体中的区域可以包括：第一管状部，所述处理液通过所述第一管状部向上流动；第二管状部，所述第二管状部连接至所述第一管状部，并且所述处理液通过所述第二管状部沿与所述第一管状部垂直的方向流动；和第三管状部，所述第三管状部连接至所述第二管状部，并且所述处理液通过所述第三管状部向下流动，并且可以在所述第三管状部上设置电磁场发生器。
根据一个实施方式，所述处理液可以包括化学品或有机溶剂。
根据示例性实施方式，液体供应单元包括：容器，所述容器具有供储存处理液的储存空间；液体供应管，所述处理液通过所述液体供应管从所述容器流至喷嘴，和超声波施加构件，所述超声波施加构件在所述处理液被供应至所述喷嘴之前向所述处理液施加超声波。超声波施加构件包括：储液器，所述储液器具有供容纳液体的内部空间；和超声发生器，所述超声发生器向容纳在所述储液器中的所述液体施加超声波。所述液体供应管的一部分浸没在容纳于所述储液器中的所述液体中。
根据一个实施方式，所述液体供应管的浸没在所述储液器中所容纳的所述液体中的部分以之字形形式设置。
根据一个实施方式，液体供应单元还可以包括过滤器，所述过滤器安装在所述液体供应管中，并从要供应至所述喷嘴的所述处理液中过滤杂质，并且超声波施加构件可以设置在所述过滤器的上游。
根据一个实施方式，所述液体供应单元还可包括电磁场发生器，所述电磁场发生器在所述液体供应管中产生电磁场。
根据一个实施方式，所述处理液可以包括化学品或有机溶剂，所述化学品可以是硫酸、氢氟酸或其混合物，并且所述有机溶剂可以是异丙醇。
根据示例性实施方式，一种用处理液处理基板的方法包括：在将所述处理液分配到所述基板上的同时，聚集并去除所述处理液中的杂质。将供所述处理液流过的液体供应管浸没在容纳于储液器中的液体中，并且对所述液体施加超声波以聚集所述杂质。
根据一个实施方式，可以通过过滤器去除所聚集的杂质。
根据一个实施方式，可以通过向所述处理流体流经的路径提供电磁场来去除所聚集的杂质。
根据一个实施方式，可以在所述液体供应管的向所述处理液施加所述超声波的区域的下游提供所述电磁场。
根据一个实施方式，处理液可以包括化学品或有机溶剂，所述化学品可以是硫酸、氢氟酸或其混合物，并且所述有机溶剂可以是异丙醇。
附图说明
通过以下参考附图的描述，上述及其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则遍及各个附图，相同的附图标记指代相同的部分，并且其中：
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性平面图；
图2是示出图1的液体处理室的一个实施方式的示意图；
图3是示出根据本发明构思的实施方式的液体供应单元的示意图；
图4和图5图示出根据本发明构思的一个实施方式和另一实施方式的超声波施加构件；
图6至图8是依次图示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法。
图9和图10是示出根据本发明构思的其他实施方式的液体供应单元的示意图；和
图11图示出根据本发明构思的另一实施方式的超声波施加构件。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的实施方式。然而，本发明构思可以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本发明构思将是彻底和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本发明构思的范围。在附图中，为了说明清楚，将部件的尺寸夸大。
在该实施方式中，将以用化学品和冲洗溶液处理基板的清洁工艺为例进行描述。然而，不限于此，该实施方式适用于使用处理液处理基板的工艺(例如，蚀刻工艺、灰化工艺、显影工艺等)。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性平面图。参考图1，基板处理装置包括转位模块10和处理模块20。根据一个实施方式，转位模块10和处理模块20沿一个方向设置。在下文中，将设置转位模块10和处理模块20的方向称为第一方向92，将当俯视时垂直于第一方向92的方向称为第二方向94，并将垂直于第一方向92和第二方向94两者的方向称为第三方向96。
转位模块10将基板W从载体80传送到处理模块20，并将在处理模块20中完全处理过的基板W运送到载体80中。转位模块10被设置成使得其长度方向平行于第一方向92。转位模块10具有装载端口12和转位框架14。装载端口12相对于转位框架14位于处理模块20的相反侧。载体80(各自具有容纳在其中的基板W)放置在装载端口12上。装载端口12可以沿着第二方向94设置。
可以使用诸如正面开口标准箱(FOUP)的气密性载体作为载体80。可以通过诸如高架传送机、高架输送机、自动引导载具的传送单元(未示出)或通过操作员将载体80放置在装载端口12上。
在转位架14中设置有转位机械手120。在转位架14中设置有导轨140(其长度方向平行于第二方向94)。转位机械手120可在导轨140上移动。转位机械手120包括供放置基板W的手部122。手部122可前后移动，可绕面对第三方向96的轴线旋转，并可沿第三方向96移动。手部122可沿上/下方向彼此间隔开。手部122可以独立地向前和向后移动。
处理模块20包括缓冲单元200、传送室300和液体处理室400。缓冲单元200提供其中供被载送入处理模块20的基板W和要被从处理模块20载送出来的基板W临时停留的空间。每个液体处理室400通过将液体分配到基板W上来在基板W上执行液体处理。传送室300在缓冲单元200和液体处理室400之间传送基板W。
传送室300可以被设置成使其长度方向平行于第一方向92。缓冲单元200可以被设置在转位模块10和传送室300之间。液体处理室400可以被设置在传送室300的对置侧。液体处理室400和传送室300可以沿着第二方向94设置。缓冲单元200可以位于传送室300的一端。
根据实施方式，在传送室300的对置侧，液体处理室400可以沿着第一方向92和第三方向96以A×B阵列(A和B为1或更大的自然数)布置。
传送室300具有传送机械手320。可以在传送室300中设置导轨340(其长度方向平行于第一方向92)，并且传送机械手320可以沿着导轨340移动。传送机械手320包括供放置基板W的手部322。手部322可向前和向后移动，可绕面对第三方向96的轴线旋转，并且可沿着第三方向96移动。手部322可沿上/下方向彼此间隔开。指针322可以独立地向前和向后移动。
缓冲器单元200包括多个缓冲器220，在缓冲器220中放置基板W。缓冲器220可以沿着第三方向96彼此间隔开。缓冲器单元200的前面和后面是敞开的。前面是面对转位模块10的面，后面是面对传送室300的面。转位机械手120可以通过前面接近缓冲单元200，传送机械手320可以通过背面接近缓冲单元200。
图2是示出图1的液体处理室400的一个实施方式的示意图。参考图2，液体处理室400具有壳体410、杯状部420、支撑单元440、液体分配单元460和升降单元480。
壳体410具有大致长方体的形状。杯状部420、支撑单元440和液体分配单元460设置在壳体410中。
杯状部420具有在顶部敞开的处理空间，并且在处理空间中用液体对基板W进行处理。支撑单元440在处理空间中支撑基板W。液体分配单元460将液体分配到被支撑在支撑单元440上的基板W上。可以将液体依次分配到基板W上。升降单元480调节杯状部420相对于支撑单元440的高度。
根据一个实施方式，杯状部420具有多个回收碗状部422、424和426。回收碗状部422、424和426具有用于回收用于处理基板W的液体的回收空间。回收碗状部422、424和426具有围绕支撑单元440的环形。在液体处理工艺期间通过基板W的旋转而溅射的处理液可以通过相应的回收碗状部422、424和426的入口422a、424a和426a被引入回收空间中。
根据一个实施方式，杯状部420具有第一回收碗状部422、第二回收碗状部424和第三回收碗状部426。第一回收碗状部422被设置为围绕支撑单元440，第二回收碗状部424被设置成围绕第一回收碗状部422，并且第三回收碗状部426被设置成围绕第二回收碗状部424。第二入口424a(通过其将液体引入到第二回收碗状部424中)可以位于比第一入口422a(通过其将液体引入到第一回收碗状部422中)更高的位置，第三入口426a(通过其将液体引入到第三回收碗状部426中)可以位于比第二入口424a更高的位置。
支撑单元440具有支撑板442和驱动轴444。支撑板442的上表面可以具有大致圆形的形状，并且可以具有比基板W大的直径。在支撑板442的中心部分设置支撑销442a，以支撑基板W的后表面。支撑销442a从支撑板442向上突出，以使基板W与支撑板442隔开预定距离。
在支撑板442的边缘部上设置卡盘销442b。卡盘销442b从支撑板442向上突出并支撑基板W的侧部，以防止当旋转时基板W从支撑单元440脱离。驱动轴444由致动器446驱动。驱动轴444连接至支撑板442的后表面的中心，并且使支撑板442绕其中心轴旋转。
升降单元480使杯状部420沿竖直方向移动。杯状部420相对于基板W的高度通过杯状部420的竖直移动而改变。因此，可以根据分配到基板W上的液体的类型而改变用于回收处理液的回收碗状部422、424和426，因此可以分别回收液体。与以上描述不同，杯状部420可以是固定的，并且升降单元480可以沿竖直方向移动支撑单元440。
液体分配单元460将处理液分配到基板W上。液体分配单元460包括臂461和固定地联接到臂461的端部并且将液体分配到基板W上的喷嘴462。
根据一个实施方式，液体分配单元460可以将不同类型的处理液分配到基板W上。处理液可以包括化学品、冲洗溶液和有机溶剂。化学品可包括稀释的硫酸(H2SO4)、磷酸(P2O5)、氢氟酸(HF)和氢氧化铵(NH4OH)。此外，化学品可以是硫酸和氢氟酸的混合物。有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。冲洗溶液可以是去离子水(DIW)。液体供应单元500将处理液供应至液体分配单元460。
在下文中，将参考图3至图5详细描述本发明构思的实施方式。
图3是示出根据本发明构思的实施方式的液体供应单元的示意图。图4和图5图示出根据本发明构思的一个实施方式和另一实施方式的超声波施加构件。
如上所述，由液体分配单元460分配的处理液可以包括化学品、冲洗溶液和有机溶剂。化学品可以包括硫酸、氢氟酸或其混合物。有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。在以下实施方式中，将举例说明的是，将化学品分配到基板W上，并且该化学品包括硫酸、氢氟酸或其混合物。
参考图3，液体供应单元500可以包括处理液供应源510、容器530、液体供应管540、过滤器560和超声波施加构件520。
处理液供应源510将化学品供应至容器530。处理液供应源510、容器530和喷嘴462通过液体供应管540连接，并且在液体供应管540中安装第一阀552、第二阀554和第三阀556。第一阀552、第二阀554和第三阀556可以是开/关阀或流速控制阀。
第一阀552调节从处理液供应源510供应至容器530的化学品的流速。第二阀554调节从容器530供应至过滤器560的化学品的流速。第三阀556调节通过喷嘴462分配到基板W上的化学品的流速。容器530从处理液供应源510接收化学品并储存化学品。容器530中的化学品被供应至喷嘴462。
在一个实施方式中，可以在液体供应管540中安装第二阀554和流量计559。第二阀554可以调节从容器530供应的化学品的流速。第二阀554可以是开/关阀或流速控制阀。流量计559可以直接或间接地测量流过液体供应管540的化学品的流速。
根据一个实施方式，过滤器560设置在超声波施加构件520、第二阀554、泵558和流量计559的下游。因此，当化学品通过第二阀554、泵558或流量计559时产生杂质以及聚集在超声波施加构件520中的杂质可以由过滤器560过滤。
如图4所示，超声波施加构件520包括储液器522和超声发生器524。储液器522具有在其中容纳液体的内部空间。在一个实施方式中，储液器522的内部空间与外部隔绝。因此，可以防止由于储液器522中的液体的蒸发引起的液位的降低。可选择地，储液器522可以被设置为在顶部敞开的形状。在一个实施方式中，容纳在储液器522中的液体是水。液体供应管540的一部分浸入容纳在储液器522的内部空间中容纳的液体中。
超声发生器524向容纳在储液器522中的液体施加超声波。超声波被施加到液体供应管540的内部，液体供应管540的一部分浸没在储液器522中的液体中。在一个实施方式中，在浸没在储液器522中容纳的液体中的区域548中，液体供应管540的一部分以之字形形式设置。
参考图5，超声波施加构件520可以包括电磁场发生器526。在一个实施方式中，液体供应管540的浸没在储液器522中容纳的液体中的区域548包括第一管状部542、第二管状部544和第三管状部546。第一管状部542被设置为使得化学品向上流过第一管状部542。第二管状部544连接至第一管状部542，并且被设置为使得化学品沿垂直于第一管状部542的方向流过第二管状部544。第三管状部546连接至第二管状部544，并且被设置为使得化学品向下流过第三管状部546。在第三管状部546中的一个上设置电磁场发生器526。
在下文中，将参考图6和图7详细描述本发明构思的基板处理方法。首先，将化学品从处理液供应源510供应至液体供应管540。接着，超声发生器524将超声波施加到化学品上。当将超声波施加到化学品上时，如图6所示，在化学品中产生气泡B。在液体供应管540中产生的气泡B在液体供应管540中向上移动。在化学品中产生气泡B之后，气泡B和杂质P彼此碰撞，并且在该过程中，杂质P聚集在气泡B周围。
在一个实施方式中，由硫酸、氢氟酸或其混合物产生的杂质P主要带正电，而气泡B带负电。因此，杂质P聚集在气泡B周围。带正电荷的杂质P聚集在带负电荷的气泡B周围之后，带负电的杂质P也聚集在一起。因此，杂质P聚集到可以被过滤器560过滤的尺寸。
在化学品中产生的一些气泡B在移至液体供应管540的上部之前会破裂。在气泡B破裂的区域周围会产生气泡B的破裂能量。由于此，形成了由于施加到化学品的冲击或化学品的绝热膨胀而使温度局部升高的热点。由于热点的高温高压环境，杂质P主动地聚集在热点周围。因此，杂质P在短时间内聚集。
将聚集的杂质P通过过滤器560去除。在一个实施方式中，在通过过滤器560去除之前，可以通过向化学品流动的路径提供电磁场来去除聚集的杂质P。例如，在第三管状部546中的一个上设置电磁场发生器526。在气泡B主要带负电的情况下，将正电荷施加到电磁场发生器526，并且通过电磁场发生器526捕获气泡B。带正电的杂质P聚集到带负电的杂质P上，并与气泡B一起被电磁场发生器526捕获。
在将化学品分配到基板W上时，可以将电力供应至电磁场发生器526以捕获杂质P，而在不将化学品分配到基板W上时，可以将电磁场发生器526断电。气泡B由于其本性而在液体供应管540中向上移动。气泡B以最低速度在第三管状部546中移动，在第三管状部546中，化学品的流动方向与气泡B的移动方向不同。因此，将电磁场发生器526安装在第三管状部536中的一个上，以便于捕获聚集在气泡B周围的杂质B。
在上述实施方式中，已经描述了电磁场发生器526设置在超声波施加构件520中。然而，在另一个实施方式中，如图9所示，电磁场发生器526可以设置在超声波施加构件520的下游。因此，可以捕获由超声波施加构件520产生的气泡B所聚集的杂质P。
在上述实施方式中，已经描述了本发明构思的液体供应单元500包括电磁场发生器526和过滤器560两者。然而，在另一个实施方式中，如图10所示，液体供应单元可以不包括过滤器560。例如，电磁场发生器526设置在超声发生器524的下游，并捕获由气泡B聚集的杂质P。在将化学品分配到基板W上时，将电力供应至电磁场发生器526以捕获杂质P，并且在不将化学品分配到基板W上时，将电磁场发生器526断电。在将电磁场发生器526断电之后，可以通过执行预分配来去除漂浮在化学品中的杂质P。
在上述实施方式中，已经描述了在浸没在储液器522中容纳的液体中的区域548中，液体供应管540的一部分以之字形形式设置。然而，在另一个实施方式中，如图11所示，液体供应管540的一部分可以线圈形式设置在浸没在储液器522中容纳的液体中的区域548中。
在上述实施方式中，超声发生器524被示出为附接到储液器522的外壁的下部。然而，在另一实施方式中，超声发生器524可以附接到储液器522的外壁的上部或侧部，或者可以设置在储液器522的内部，以向储液器522的内部施加超声波。
在上述实施方式中，已经举例说明了超声波被施加到容纳在储液器522中的液体，并且通过液体被传递到化学品。然而，本发明构思不限于此。根据另一个实施方式的超声波施加构件可以包括具有容纳空间的罐和用于产生超声波的探头。探头可以设置在罐的容纳空间中。可以将化学品供应至罐的容纳空间中。在这种情况下，设置在容纳空间中的探头可以直接向供应至容纳空间中的化学品施加超声波。因此，根据另一个实施方式的超声波施加部件可以进一步提高去除漂浮在化学品中的杂质P的效率。
根据本发明构思，超声波施加构件520设置在过滤器560的上游。因此，在流经液体供应管540的化学品到达过滤器560之前，杂质在化学品中聚集并且尺寸变大。如上所述，化学品中的杂质在过滤器560的前面聚集并由过滤器560过滤。因此，可以减少或省去化学品的循环路径。
根据本发明构思，以之字形形式或线圈形式设置液体供应管540的浸没在容纳于储液器522中的液体中的区域548。因此，可以增加施加超声波的液体供应管540的表面积，因此可以容易地产生气泡B。
根据本发明构思的实施方式，可以有效地聚集和去除处理液中的杂质。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员根据该说明书和附图可以清楚地理解本文未提及的任何其他效果。
以上描述举例说明了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方式，本发明构思可以在各种其他组合、改变和环境中使用。即，在不脱离说明书中公开的发明构思的范围、与书面公开等同的范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对发明构思进行变型或修改。书面实施方式描述了用于实现发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并不旨在将本发明构思限制在所公开的实施方式状态下。另外，应解释为所附权利要求包括其他实施方式。
尽管已经参考示例性实施方式描述了本发明构思，但是对本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，以上实施方式不是限制性的，而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，所述壳体内部具有处理空间；
支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述壳体中支撑所述基板；
喷嘴，所述喷嘴被配置为将处理液分配到被支撑在所述支撑单元上的所述基板上；和
液体供应单元，所述液体供应单元被配置为将所述处理液供应至所述喷嘴，
其中所述液体供应单元包括：
容器，所述容器具有储存所述处理液的储存空间，
液体供应管，所述处理液通过所述液体供应管从所述容器流至所述喷嘴，和
超声波施加构件，所述超声波施加构件被配置为在所述处理液被供应至所述喷嘴之前向所述处理液施加超声波，
其中，所述超声波施加构件包括：
储液器，所述储液器具有容纳液体的内部空间；和
超声发生器，所述超声发生器被配置为向容纳在所述储液器中的所述液体施加超声波，并且
其中，所述液体供应管的一部分浸没在容纳于所述储液器中的所述液体中。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，在浸没在容纳于所述储液器中的所述液体中的区域中，所述液体供应管的所述部分以之字形设置。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，在浸没在容纳于所述储液器中的所述液体中的区域中，所述液体供应管的所述部分以线圈形式设置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，还包括：
过滤器，所述过滤器安装在所述液体供应管中，并被配置为从待供应至所述喷嘴的所述处理液中过滤杂质，
其中，所述超声波施加构件设置在所述过滤器的上游。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，还包括：
电磁场发生器，所述电磁场发生器被配置为在所述液体供应管中产生电磁场。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述电磁场发生器设置在所述超声发生器的下游。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述液体供应管的浸没在所述储液器中所容纳的所述液体中的区域包括：
第一管状部，所述处理液通过所述第一管状部向上流动；
第二管状部，所述第二管状部连接至所述第一管状部，并且所述处理液通过所述第二管状部沿与所述第一管状部垂直的方向流动；和
第三管状部，所述第三管状部连接至所述第二管状部，并且所述处理液通过所述第三管状部向下流动，并且
其中，在所述第三管状部上设置电磁场发生器。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中，所述处理液包括化学品或有机溶剂。
9.一种液体供应单元，包括：
容器，所述容器具有储存处理液的储存空间，
液体供应管，所述处理液通过所述液体供应管从所述容器流至喷嘴，和
超声波施加构件，所述超声波施加构件被配置为在所述处理液被供应至所述喷嘴之前向所述处理液施加超声波，
其中，所述超声波施加构件包括：
储液器，所述储液器具有容纳液体的内部空间；和
超声发生器，所述超声发生器被配置为向容纳在所述储液器中的所述液体施加超声波，并且
其中，所述液体供应管的一部分浸没在容纳于所述储液器中的所述液体中。
10.根据权利要求9所述的液体供应单元，其中，所述液体供应管的浸没在所述储液器中所容纳的所述液体中的部分以之字形设置。
11.根据权利要求9或10所述的液体供应单元，还包括：
过滤器，所述过滤器安装在所述液体供应管中，并被配置为从待供应至所述喷嘴的所述处理液中过滤杂质，
其中，所述超声波施加构件设置在所述过滤器的上游。
12.根据权利要求9或10所述的液体供应单元，还包括：
电磁场发生器，所述电磁场发生器被配置为在所述液体供应管中产生电磁场。
13.根据权利要求9或10所述的液体供应单元，其中，所述处理液包括化学品或有机溶剂，
其中，所述化学品是硫酸、氢氟酸或其混合物，并且
其中，所述有机溶剂是异丙醇。
14.一种用于通过将处理液分配到基板上而用处理液处理基板的方法，所述方法包括：
在将所述处理液分配到所述基板上的同时，聚集并去除所述处理液中的杂质，
其中，将供所述处理液流过的液体供应管浸没在容纳于储液器中的液体中，并且对所述液体施加超声波以聚集所述杂质。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过过滤器将所聚集的杂质去除。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，通过向所述处理流体流经的路径提供电磁场来去除所聚集的杂质。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述液体供应管的向所述处理液施加所述超声波的区域的下游提供所述电磁场。
18.根据权利要求14至17中任一项所述的方法，其中，所述处理液包括化学品或有机溶剂。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述化学品是硫酸、氢氟酸或其混合物。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述有机溶剂是异丙醇。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003093984A (ja) * 2001-06-26 2003-04-02 Alps Electric Co Ltd ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置
KR20090047251A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 세메스 주식회사 약액 공급 장치
US20130161266A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 General Electric Company System and method for treating effluent with microwave generated multi-bubble plasma
CN103447256A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 细美事有限公司 清洁基板的设备和方法
JP2014165349A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3036990B2 (ja) * 1992-08-28 2000-04-24 広島日本電気株式会社 半導体基板洗浄装置
JPH11285673A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20030021581A (ko) 2001-09-06 2003-03-15 씨엘디 주식회사 세정 장치 및 그를 이용한 세정 방법
JP3557197B2 (ja) 2002-05-17 2004-08-25 三洋電機株式会社 コロイド溶液の濾過方法
JP2005079212A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法
KR20080011792A (ko) 2006-07-31 2008-02-11 삼성전자주식회사 반도체 기판 세정 장치 및 방법
JP5023705B2 (ja) 2007-01-10 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体
JP2008300429A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Toshiba Corp 半導体基板洗浄方法、半導体基板洗浄装置、及び液中気泡混合装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003093984A (ja) * 2001-06-26 2003-04-02 Alps Electric Co Ltd ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置
KR20090047251A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 세메스 주식회사 약액 공급 장치
US20130161266A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 General Electric Company System and method for treating effluent with microwave generated multi-bubble plasma
CN103447256A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 细美事有限公司 清洁基板的设备和方法
JP2014165349A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

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