KR20090041970A - 탄화규소 다공체의 제조방법 및 그로부터 제조된 탄화규소다공체 - Google Patents
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Abstract
탄화규소 다공체의 제조방법 및 그로부터 제조된 탄화규소 다공체가 개시된다.
본 발명에 따르는 탄화규소 다공체의 제조방법은 탄화규소(SiC) 분말을 동결매체에 첨가한 후 볼밀(ball milling)을 통하여 균일하게 분산시키는 슬러리 제조단계(S1단계), 상기 슬러리를 주형에 부은 후 동결시키는 단계(S2단계), 상기 동결매체를 제거하여 다공성의 성형체를 형성하는 단계(S3단계) 및 상기 성형체를 열처리하여 소결하는 단계(S4단계)를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 이를 통하여 제조공정을 간략하게 하여 공정효율을 향상시키고, 낮은 온도에서 탄화규소 다공체를 제조할 수 있어 공정안정성이 우수한 탄화규소 다공체를 제조할 수 있다.
탄화규소, 다공체, 나노와이어(Nanowire), 세라믹 전구체
Description
본 발명은 탄화규소 다공체의 제조방법 및 그로부터 제조된 탄화규소 다공체에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 제조공정을 간략하게 하여 공정효율을 향상시키고, 낮은 온도에서 탄화규소 다공체를 제조할 수 있어 공정안정성이 우수한 탄화규소 다공체의 제조방법 및 그로부터 제조된 탄화규소 다공체에 관한 것이다.
일반적으로 탄화규소 다공체는 고온 및 화학 안정성 및 높은 기계적 물성으로 인해 다양한 목적으로 사용되어져 왔는데, 예를 들어 분진 여과용 필터나 촉매 지지체(Catalyst Support) 등이 있다. 종래에 자동차 매연 제거를 위한 필터 등은 기본적으로 다공성 모재에 존재하는 복수개의 기공(porosity)에 코팅층을 형성시킨 구조를 포함하여 구성되어 있다. 이러한 구조를 갖는 필터의 제조를 위해서 다공성 모재(Preform)의 복수개의 기공 내부벽에 반응가스를 침착(Infiltration)시켜 탄화규소 코팅층을 형성시키는 화학기상침착(Chemical Vapor Infiltration)법이 주로 사용되고 있다.
상기 화학기상침착법은 필터로 사용되는 다공성 모재가 가혹한 공정조건, 고 온 혹은 고압의 조건에서 기계적, 열적, 화학적으로 손상되어 그 특성과 기능이 상실되는 것을 방지한다는 장점을 갖고 있다. 상기 화학기상침착법 중에서도 등온·등압 화학기상침착법(ICVI)법은 한 반응로 내에서 복잡한 형상의 제품을 여러 종류로 대량 생산할 수 있기 때문에 상업적으로 널리 이용되고 있다.
그러나, 상기 화학기상침착법을 이용하여 다공성 모재에 코팅층을 형성하게 되면, 다공성 모재가 가지고 있던 내부 기공은 다공성 모재 내벽에 증착된 탄화규소 코팅층으로 인해 내부 기공의 크기가 줄어들게 된다. 또한, 표면 증착속도가 상대적으로 빠르기 때문에 표면 기공이 먼저 막혀 내부로의 반응가스의 유입을 차단하여 다공성 모재 내부에 탄화규소의 침착이 원활하기 않아 균일한 막증착을 방해하게 된다. 따라서, 막힌 기공을 열어주기 위해 공정 중간단계에서 표면연마 등의
방법을 사용함으로써 공정횟수의 증가와 공정시간의 증가를 가져오는 공정효율을 저감시키는 문제점이 있었다.
한편, 기존의 또 다른 제조방법들은 입자가 큰 탄화규소와 기공원을 혼합 후 열처리를 통해 기공원을 제거하거나, 스폰지 형상을 모방하거나 압출을 통하여 제조하는 것이다. 그러나, 이와 같은 제조방법은 대부분 2000도 내외의 높은 열처리 온도를 필수적으로 요하게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명이 해결하고자하는 첫번째 기술적 과제는 제조공정을 간략하게 하여 공정효율을 향상시키고, 낮은 온도에서 탄화규소 다공체를 제조할 수 있어 공정안정성이 우수한 탄화규소 다공체의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자하는 두번째 기술적 과제는 제조공정을 간략하게 하여 공정효율을 향상시키고, 낮은 온도에서 탄화규소 다공체를 제조할 수 있어 공정안정성이 우수한 탄화규소 다공체를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 첫번째 기술적 과제를 해결하기 위하여,
탄화규소(SiC) 분말을 동결매체에 첨가한 후 볼밀(ball milling)을 통하여 균일하게 분산시키는 슬러리 제조단계(S1단계)와, 상기 슬러리를 주형에 부은 후 동결시키는 단계(S2단계)와, 상기 동결매체를 제거하여 다공성의 성형체를 형성하는 단계(S3단계) 및 상기 성형체를 열처리하여 소결하는 단계(S4단계)를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 슬러리는 세라믹전구체 또는 금속을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 금속은 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 동결매체의 제거는 경우는 통상의 상온(room temperature) 환경에서 또는 상기 동결매체의 어는점(freezing point)이하의 온도 환경에서 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 슬러리는 분산제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 분산제는 올리고머폴리에스터(oligomeric polyester) 또는 지방산 아민유도체일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 동결매체는 물, 캠핀(C10H16), 헥산(hexane), 시클로헥산(cyclohexane), 크실렌(xylene) 및 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 세라믹전구체는 상기 동결매체에 대하여 5 내지 50 부피%일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 금속은 상기 슬러리에 대하여 0.1 내지 5중량%일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 세라믹전구체는 상기 탄화규소에 대하여 0.1 내지 30중량%일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 세라믹전구체는 폴리카보실란(polycarbosilane), 폴리실록세인(polysiloxane) 및 폴리실라제인(polysilazane)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 S3단계에는 상기 동결매체를 얼 게(freezing)한 후 이를 증발시키는 동결건조단계(S31단계)를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 탄화규소 다공체의 제조방법에 의하여 제조된 탄화규소 다공체를 제공한다.
아울러, 본 발명은 상기 두번째 기술적 과제를 해결하기 위하여,
탄화규소 몸체와, 상기 탄화규소 몸체에 형성되어 있는 복수개의 기공과, 상기 탄화규소 몸체 및 상기 기공 내벽에서 성장한 복수개의 나노와이어를 포함하는 탄화규소 다공체를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 나노와이어는 탄화규소, 질화규소 및 실리카로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 복수개의 나노와이어는 동시에 형성되는 것일 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.
그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
본 발명에 따르는 탄화규소 다공체의 제조방법은 탄화규소(SiC) 분말을 동결매체에 첨가한 후 볼밀(ball milling)을 통하여 균일하게 분산시키는 슬러리 제조단계(S1단계)와, 상기 슬러리를 주형에 부은 후 동결시키는 단계(S2단계)와, 상기 동결매체를 제거하여 다공성의 성형체를 형성하는 단계(S3단계) 및 상기 성형체를 열처리하여 소결하는 단계(S4단계)를 포함하는 하는 특징이 있다.
먼저, 상기 S1단계를 보면, 탄화규소(SiC) 분말이 분산되어 있는 동결매체를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계로서, 상기 슬러리는 상기 탄화규소를 분산시키는 기능을 수행하는데, 분산시키는 동결매체는 용매이고 또한, 상기 동결매체는 탄화규소 분말을 분산시킬 수 있는 한 특별하게 한정하여 사용할 것은 아니나, 물, 캠핀(C10H16), 헥산(hexane), 시클로헥산(cyclohexane), 크실렌(xylene) 및 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
또한, 상기 동결매체에 탄화규소 분말이 균일하게 분산될 수 있도록 분산제를 사용할 수도 있다. 상기 분산제 역시 탄화규소 분말이 균일하게 분산될 수 있는 한, 특별하게 한정하여 사용할 것은 아니다. 그러나, 상기 동결매체 내에서 탄화규소 분말의 우수한 분산효과를 주는 올리고머 폴리에스터(oligomeric polyester) 또는 지방산 아민유도체 등을 사용할 수 있다. 조금 더 구체적으로는 올리고머 폴리에스터로서 KD4(Hypermer; UniQuema)나 지방산 아민유도체로서 Perfad 9100(UniAema, Everburg, Belgium)를 사용할 수 있다.
아울러, 상기 슬러리는 세라믹전구체 및 금속을 더 구비할 수 있는데, 상기 세라믹전구체는 상기 탄화규소 분말과 결합하여 탄화규소 다공체의 강도를 향상시킬 수 있으며, 이후 공정에서 열처리단계를 거치며 열분해되어 산화규소(SiO)와 일산화탄소(CO)기체를 공급하여 탄화규소 나노와이어(nanowire)를 성장시키는데 이용되어, 상기 탄화규소 다공체의 강도 및 표면적 증가에 기여하게 된다. 이러한 세라 믹전구체는 상기 탄화규소 다공체에 결합하여 강도를 향상시키고, 표면적을 증가시킬 수 있는 한 특별히 한정하여 사용할 것은 아니나, 폴리카보실란(polycarbosilane), 폴리실록세인(polysiloxane) 및 폴리실라제인(polysilazane)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
또한, 상기 세라믹전구체는 상기 동결매체에 대하여 5 내지 50 부피%를 이용할 수 있는데, 만일 5부피% 미만이면, 후공정에서 소결을 거친 다공성 탄화규소라 하더라도 기계적 물성이 강도면에서 저감되어서 실제로 활용하기 어려운 면이 있고, 반면에 50부피%를 초과하면, 다공성 탄화규소의 성형단계에서 동결매체와 세라믹분말의 상분리가 일어나기 어려워 후공정의 소결에서 다공체(porous body)가 아닌 치밀체가 될 우려가 있다.
아울러, 상기 세라믹전구체는 상기 탄화규소에 대하여 0.1 내지 30중량%를 사용할 수 있으며, 만일 0.1중량% 미만이면, 탄화규소 분말에 대한 결합력을 충분하게 부여하기 어렵고, 반면에 30중량%를 초과하면, 탄화규소 분말을 너무 두껍게 도포하는 현상이 발생되어 후의 탄화규소 다공체 표면에 나노와이어의 성장을 방해할 수 있다.
한편, 상기 금속은 이후 공정에서 상기 탄화규소 다공체의 표면으로 노출되어 상기 산화규소(SiO)와 일산화탄소(CO)기체를 표면에 적층하며 탄화규소 나노와이어를 성장시키는 시드(seed)로 이용된다. 상기 금속은 상기 시드의 역할을 수행할 수 있는 범위에서 특별하게 제한하여 사용할 것은 아니나, 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
또한, 상기 금속은 상기 슬러리에 대하여 0.1 내지 5중량%을 사용할 수 있는데, 만일 0.1중량% 미만이면, 다공체 전체에 걸쳐 균일하게 분포되어 형성되어야 하는 나노와이어의 개체수가 부족하게 될 수 있으며, 반면에 5중량%를 초과하면, 부족된 경우와는 반대로 과한 개체수가 발생되어 이를 조절하기 어려운 문제가 있을 수 있다.
다음으로, S2단계를 보면, 상기 교반된 슬러리를 주형에 부은 후 동결시키는 단계로서, 다양한 형태의 몰드(mold)에 주입하여 원하는 형상을 얻을 수 있으며, 동결시키는 온도 조건을 달리 하여 동결상에서 후의 탄화규소 다공체의 기공간 거리가되는 수지상 간격을 조절할 수 있다.
다음으로, S3단계를 보면, 상기 동결매체를 제거하여 성형체를 형성하는 단계인데, 상기 동결매체를 제거하는 방법은 특별하게 한정할 것은 아니나, 상기 동결매체가 상온(room temperature)에서 자연적으로 증발하며 제거되는 것이 제조원가나 공정효율면에서 매우 바람직하다.
또한, 상기 동결매체를 얼게(freezing)한 후 이를 동결시킨 고체상태에서 증발하게 하여 제거할 수 있다. 상기 고체상태는 상기 슬러리를 어는점(freezing point)이하로 하는 경우에 동결매체가 증발할 수 있으며, 이런 경우가 동결매체의 어는점이 상온 근처인 경우라면 사용되는 동결매체가 상온에서 제거될 수 있어서 과도한 에너지의 투하가 필요없게 되어 공정상 에너지 이익을 얻을 수 있는 장점이 생긴다.
마지막으로, S4단계는 상기 동결매체가 제거된 성형체를 열처리하며 소결하 는 단계인데, 열처리를 통하여 세라믹전구체는 탄화규소 분말 사이에서 결합매체의 역할을 하여 탄화규소의 결합력을 증가시키고, 세라믹전구체는 열분해되어서 산화규소와 일산화탄소를 공급하며 상기 탄화규소상 존재하는 금속을 시드로 하여 나노와이어로 적층된다.
또한, 상기 열처리는 폭넓은 온도에서 행해질 수 있는데, 바람직하게는 900℃ 내지 2000℃에서 수행될 수 있는데, 만일 열처리온도가 900℃ 미만이면, 소결되기 어려워 산업계에서 실제적용에 필요한 시방규격(specification)상 강도(intensity)를 충족하지 못함과 아울러 세라믹전구체로부터 기상(vapor phase)공급이 원활하지 아니하여 나노와이어 성장이 어려울 수 있고, 반명에 2000℃를 초과하면, 종래 기술의 문제와 같이 에너지 비효율적인 공정이 될 수 있다.
한편, 본 발명에 따르는 탄화규소 다공체는 상술한 바와 같은 제조방법에 의하여 제조되는 특징이 있다.
더 상세하게 보면, 상기 탄화규소 다공체는 탄화규소 몸체와, 상기 탄화규소 몸체에 형성되어 있는 복수개의 기공과, 상기 탄화규소 몸체 및 상기 기공 내벽에서 성장한 복수개의 나노와이어를 포함하는 탄화규소 다공체이다.
이를 도면을 통하여 더 상술한다. 도 1은 본 발명에 따르는 탄화규소 다공체를 모식적으로 나타낸 그림이다. 도 1을 참조하면, 탄화규소 몸체(일부도시), 상기 탄화규소 몸체를 구성하는 탄화규소 입자(100), 상기 탄화규소 입자(100)들을 강하게 결합시켜주고 있는 세라믹전구체(110) 그리고 나노와이어(200), 상기 나노와이어(200)의 성장에 시드(seed) 역할을 하는 금속(300)을 보여주고 있는데, 상기 탄 화규소 몸체 및 복수개의 기공은 일부로서만 도시되어 있어서 명확하게 표현되고 있지는 않으나, 후에 볼 도 3을 참조하면 이는 충분하게 이해될 수 있다.
상기 금속은 900℃ 이상의 고온 환경에서 액상으로 변이하며 주변에서 공급되는 산화규소(SiO) 기체와 일산화탄소(CO)기체를 흡수하게 되고, 이들이 액상 내에서 과포화되면 고체상의 탄화규소(SiC)가 성장하게 된다.
한편, 상기 나노와이어는 탄화규소, 질화규소 및 실리카로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있으며, 이러한 나노와이어는 동시에 형성된다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 제조공정을 간략하게 하여 공정효율을 향상시키고, 낮은 온도에서 탄화규소 다공체를 제조할 수 있어 공정안정성이 우수한 효과를 가진다.
실시예 1
먼저, 동결매체로서 캠핀(C10H16) 10g을 준비하여 여기에 철(Fe)을 불순물로서 약 500ppm 정도 함유하는 탄화규소(SiC) 분말(UF grade, lbiden Co.Ltd., Tokyo, Japan)4.1g, 세라믹전구체로서 폴리카보실란 0.2g, 그리고 균일한 분산을 위하여 분산제로서 Hypermer KD4 0.12g을 준비하여 이를 60 ml 폴리에틸렌 병에 주입한 후, 60℃에서 200 rpm 조건으로 24시간 동안 웜-볼밀(warm - ball milling)을 통하여 균일한 슬러리로 교반하였다. 다음으로, 상기 슬러리를 내경 12.5 mm, 높이 30 mm인 폴리에틸렌 몰드에 투입하여 3℃의 온도에서 동결시키고, 이를 -58℃, 5 mmHg의 주위환경 공정조건에서 동결건조를 시행하여 캠핀을 제거하여 다공성의 성형체를 수득하였다. 다음으로, 아르곤(Ar)을 100㏄/min 유량으로 공급하며 열처리온도 1400℃에서 1시간 열처리를 시행하여 상기 성형체를 소결하여 탄화규소 다공체를 제조하였다. 이 때 승온속도는 300℃에서 700℃ 범위는 세라믹전구체의 열분해를 고려하여 분당 0.3℃로 승온하였고, 나머지 범위에서는 3℃의 승온속도를 유지하였다.
실시예 2
세라믹전구체로서 폴리카보실란 0.41g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 탄화규소 다공체를 제조하였다.
실시예 3
세라믹전구체로서 폴리카보실란 0.82g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 탄화규소 다공체를 제조하였다.
비교예 1
세라믹전구체를 사용하지 아니한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 탄화규소 다공체를 제조하였다.
실험예
탄화규소 다공체의 결정화 확인
X선회절분석(XRD)기를 이용하여 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에 의하여 제조된 탄화규소 다공체를 측정하여, 이를 도 2에 나타내었다. 도 2를 참조하면, 그래 프상 면지수 111, 200, 220, 311은 β-탄화규소에 해당하는 것으로 탄화규소 다공체가 결정화되어 있음을 알 수 있다.
탄화규소 다공체의 표면 확인
주사전자현미경(SEM)을 이용하여 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에 의하여 제조된 탄화규소 다공체의 표면을 촬영하였다. 도 3은 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에 의하여 제조된 탄화규소 다공체를 절개하여 그 면을 촬영한 주사전자현미경사진이다. 도 3을 참조하면, 비교예 1의 경우에는 기공만이 형성되어 있는 형상인 반면에 실시예 1 내지 3의 탄화규소 다공체의 경우는 복수개의 나노와이어가 형성되어 있음을 볼 수 있다. 또한, 세라믹전구체의 양이 증가할수록 나노와이어가 충분하게 성장하는 경향도 알 수 있다.
강도측정
지름이 약 12㎜, 높이 약 15㎜인 봉상의 시편에 대하여 인스트론 5565(Instron 5565,Instron Corp. Canton, MA) 설비를 이용하여 5㎜/min의 프레임 하강 속도로 압축강도를 측정하였다.
도 4를 참조하면, 도 4는 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에 의하여 제조된 탄화규소 다공체의 강도(intensity)를 측정하여 그 결과를 나타낸 그래프인데, 비교예 1의 경우에는 강도를 거의 갖지 못함을 알 수 있다. 이에 반해 실시예 1 내지 3 의 경우는 동결매체가 첨가되어 매우 우수한 강도를 나타냄을 확인할 수 있다. 한편, 기공율을 살펴보면, 비교예 1은 나노와이어가 형성되지 아니하여 기공율이 87%정도를 보이는 반면, 실시예 1 내지 3의 경우에는 86%에서 72%정도를 나타내는데 이는 나노와이어가 성장하여 탄화규소 다공체의 표면에 공간을 메우기때문이다.
도 1은 본 발명에 따르는 탄화규소 다공체를 모식적으로 나타낸 그림이다.
도 2는 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에 의하여 제조된 탄화규소 다공체에 대한 X선회절분석그래프이다.
도 3은 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에 의하여 제조된 탄화규소 다공체를 절개하여 그 면을 촬영한 주사전자현미경사진(SEM)이다.
도 4는 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에 의하여 제조된 탄화규소 다공체의 강도(intensity)를 측정하여 그 결과를 나타낸 그래프이다.
Claims (16)
- 탄화규소(SiC) 분말을 동결매체에 첨가한 후 볼밀(ball milling)을 통하여 균일하게 분산시키는 슬러리 제조단계(S1단계);상기 슬러리를 주형에 부은 후 동결시키는 단계(S2단계);상기 동결매체를 제거하여 다공성의 성형체를 형성하는 단계(S3단계); 및상기 성형체를 열처리하여 소결하는 단계(S4단계);를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 슬러리는 세라믹전구체 또는 금속을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 금속은 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 동결매체의 제거는 경우는 통상의 상온(room temperature) 환경에서 또는 상기 동결매체의 어는점(freezing point)이하의 온도 환경에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 슬러리는 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 5항에 있어서,상기 분산제는 올리고머폴리에스터(oligomeric polyester) 또는 지방산 아민유도체인 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 동결매체는 물, 캠핀(C10H16), 헥산(hexane), 시클로헥산(cyclohexane), 크실렌(xylene) 및 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran)으로 이루어진 군에서 선 택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 세라믹전구체는 상기 동결매체에 대하여 5 내지 50 부피%인 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속은 상기 슬러리에 대하여 0.1 내지 5중량%인 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 세라믹전구체는 상기 탄화규소에 대하여 0.1 내지 30중량%인 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 세라믹전구체는 폴리카보실란(polycarbosilane), 폴리실록세 인(polysiloxane) 및 폴리실라제인(polysilazane)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 S3단계에는 상기 동결매체를 얼게(freezing)한 후 이를 증발시키는 동결건조단계(S31단계)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 탄화규소 다공체의 제조방법에 의하여 제조된 탄화규소 다공체.
- 탄화규소 몸체;상기 탄화규소 몸체에 형성되어 있는 복수개의 기공;상기 탄화규소 몸체 및 상기 기공 내벽에서 성장한 복수개의 나노와이어;를 포함하는 탄화규소 다공체.
- 제 14 항에 있어서,상기 나노와이어는 탄화규소, 질화규소 및 실리카로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 탄화규소 다공체.
- 제 14 항에 있어서,상기 복수개의 나노와이어는 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 탄화수소 다공체.
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