KR20090034190A - 기판 세정 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 세정 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 처리조에 공정 온도로 가열된 탈이온수를 공급하여 처리조를 예열하고, 예열된 처리조에 처리액을 공급하여 기판을 세정 처리하는 것을 특징으로 한다. 이러한 특징에 의하면, 기판의 세정 공정 시 처리조로 공급되는 처리액의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
세정, 처리조, 예열

Description

기판 세정 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 세정 처리하는 장치와, 이를 이용한 기판 세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 웨이퍼 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 웨이퍼 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 웨이퍼를 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
반도체 웨이퍼의 세정 공정은 반도체 웨이퍼 상의 오염 물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 화학 용액 처리 공정(약액 처리 공정), 약액 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수로 세척하는 린스 공정, 그리고 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조 공정으로 이루어진다.
현재 반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 가스 상태에서 기판 표면의 오염 물질을 제거하는 건식 세정(Dry Cleaning)과, 약액 중에 웨이퍼를 침적시 켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 습식 세정(Wet Cleaning)으로 크게 나뉜다.
이 중 습식 세정은 기판 표면을 손상 없이 고르고 깨끗하게 세정하기 위하여 주로 사용되고 있는데, 기판의 대구경화 및 칩 사이즈의 감소에 따라 젖은 상태에 의한 배스 시스템(Bath System)을 주로 사용하고 있다.
배스 시스템(Bath System)은, 세정액이 채워진 다수의 처리조와, 기판을 다수의 처리조로 순차적으로 이송시키는 이송장치를 구비하고 있으며, 이송장치를 이용하여 기판을 각 처리조에 순차적으로 로딩(Loading) 및 언로딩(Unloading)하여 일괄 처리 공정으로 세정 공정 및 건조 공정을 진행한다.
본 발명은 기판의 세정 공정 시 처리조로 공급되는 처리액의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있는 기판 세정 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 세정 장치는, 기판 세정 공정이 진행되는 처리조와; 상기 처리조로 탈이온수를 공급하며, 상기 탈이온수를 가열하는 제 1 히터를 가지는 탈이온수 공급 부재와; 상기 처리조로 처리액을 공급하며, 상기 처리액을 가열하는 제 2 히터를 가지는 처리액 공급 부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 세정 장치에 있어서, 상기 처리액 공급 부재는 약액 공급원과; 희석액 공급원과; 상기 약액 공급원과 상기 희석액 공급원으로부터 공급되는 약액과 희석액이 혼합되는 믹싱 탱크와; 상기 믹싱 탱크 내의 약액과 희석액이 혼합된 처리액을 순환시키며, 그리고 공정 진행시 상기 믹싱 탱크로부터 상기 처리조로 상기 처리액을 공급하는 순환 부재;를 더 포함할 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 세정 방법은, 기판을 세정하는 방법에 있어서, 처리조에 가열된 탈이온수를 공급하여 상기 처리조를 예 열하고, 상기 처리조로부터 상기 탈이온수를 배출시킨 후 상기 처리조에 가열된 처리액을 공급하고, 상기 처리조에 기판을 반입하여 상기 기판을 세정 처리하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 세정 방법에 있어서, 상기 탈이온수는 상기 처리조가 기설정된 세정 공정 온도로 예열되도록 세정 공정 온도로 가열된 상태로 상기 처리조에 공급될 수 있다.
기판의 세정 처리 후 기판을 상기 처리조로부터 반출시키고, 상기 처리조에 상기 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수를 공급하여 상기 처리조 내의 상기 처리액을 상기 탈이온수로 치환할 수 있다.
상기 처리액은 믹싱 탱크에서 혼합된 희석액과 약액의 혼합액이며, 상기 처리액은 공정 진행 전에는 상기 믹싱 탱크에 유입/유출되면서 순환되고, 공정 진행시 상기 믹싱 탱크로부터 상기 처리조로 공급될 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 세정 방법은, 기판을 세정하는 방법에 있어서, 처리조에 탈이온수를 공급하여 상기 처리조를 세정 처리하고, 상기 처리조로부터 상기 탈이온수를 배출시킨 후 상기 처리조에 가열된 처리액을 공급하고, 상기 처리조에 기판을 반입하여 상기 기판을 세정 처리하되, 상기 처리조의 세정 처리를 위해 상기 처리조에 공급되는 상기 탈이온수는 가열된 상태로 공급되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 기판의 세정 공정 시 처리조로 공급되는 처리액의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 세정 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 개략적 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 개략적 측단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 세정 설비(10)는 기판 캐리어(미도시)가 로딩 또는 언로딩되는 로딩/언로딩부(100), 기판들의 정렬이 이루어지는 정렬부(200), 기판들의 세정 처리가 이루어지는 세정 처리부(300), 세정 처리부(300)에 기판을 이송하는 기판 이송부(400), 그리고 기판 세정을 위한 세정액의 공급 및 순환과, 전반적인 설비를 제어하는 제어반(Power & Controller Box, 500a)을 갖는 유틸리티부(500)를 포함한다.
로딩/언로딩부(100)에는 복수 개의 기판들이 수용된 기판 캐리어(미도시)가 로딩/언로딩되며, 로딩/언로딩부(100)에는 세정 공정을 진행하기 위해 운반된 캐리 어 또는 다음 공정으로 운반될 캐리어들이 대기 상태로 보관되는 스톡커를 포함하는 통상의 구성과 기능을 갖는다. 정렬부(200)에서는 기판들을 세정 공정에 맞도록 정렬하고, 정렬된 기판들은 기판 이송부(400)에 의해 세정 처리부(300)의 각 처리조(310)들로 순차적으로 이송되어 세정 처리된다.
세정 처리부(300), 기판 이송부(400) 및 유틸리티부(500)는 상층과 하층에 각각 배치된 복층 구조로 이루어질 수 있으며, 그리고 세정 처리부(300)와 유틸리티부(500) 사이에는 기판 세정 설비(10)의 유지 보수 작업을 용이하게 하기 위한 작업 공간(600)이 형성될 수 있다.
유틸리티부(500)는 상부와 하부로 구획되며, 상부에는 전반적인 설비를 제어하는 제어반(500a)이 설치되고, 하부에는 각각의 처리조(310)에 대응되도록 세정액 공급 유닛들(500b,500c)이 설치된다. 약액 공급 유닛들(500b,500c)은 처리조(310)에 기판의 세정 처리를 위한 세정액을 공급하고 순환시킨다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 구비된 처리조 및 약액 공급 유닛의 배관 계통을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 약액 공급 유닛들(500b,500c)은 탈이온수 공급 부재(520), 처리액 공급 부재(540) 및 배수 부재(560)를 포함한다. 탈이온수 공급 부재(520)는 처리조(310)로 탈이온수를 공급하고, 처리액 공급 부재(540)는 처리조(310) 내에 처리액을 공급하며, 배수 부재(560)는 처리조(310) 내의 탈이온수(처리액이 치환된 탈이온수를 포함한다.)를 배출시킨다.
처리조(310)는 기판 표면의 잔류 이물질을 제거하기 위한 세정 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 처리조(310)는 내조(312) 및 외조(314)를 가진다. 내조(312)는 공정 진행시 탈이온수 또는 처리액이 채워지는 공간을 제공하며, 복수 개의 기판(W)들이 충분히 잠길 수 있는 체적을 가진다. 외조(314)는 내조(312)를 감싸도록 설치되고, 내조(312)로부터 오버플로우(Overflow)되는 탈이온수 또는 처리액을 수용한다. 내조(312)의 내측에는 반입되는 기판들을 지지하기 위한 기판 가이드(316)가 제공된다.
탈이온수 공급 부재(520)는 처리조(310) 내에 탈이온수를 공급한다. 처리조(310)에 공급되는 탈이온수는 처리조(310) 내부를 외부와 격리시켜 파티클이 처리조(310)로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 처리조(310) 내부를 세정할 수도 있다. 탈이온수 공급 부재(520)는 탈이온수 공급원(522)과, 탈이온수 공급원(522)으로부터 처리조(310)로 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급 라인(524)을 가진다. 탈이온수 공급 라인(524) 상에는 탈이온수를 가열하는 제 1 히터(526)와, 탈이온수의 공급 유량을 조절하는 밸브(528)가 설치된다. 제 1 히터(526)는 처리조(310)로 공급되는 탈이온수를 기설정된 세정 공정 온도로 가열한다. 제 1 히터(526)에 의해 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수가 처리조(310)로 공급되면, 처리조(310)가 기판의 세정 처리 이전에 세정 공정 온도로 예열될 수 있다. 그리고, 밸브(528)에는 바이패스(Bypass) 라인(529)이 연결된다. 바이패스 라인(529)은 처리조(310)의 용량에 해당하는 탈이온수가 처리조(310)에 채워진 후, 탈이온수를 처 리조(310)로부터 오버플로우(Overflow)시키기 위해 사용된다.
처리액 공급 부재(540)는 믹싱 탱크(541), 약액 공급원(542), 희석액 공급원(544) 및 순환 부재(550)를 포함한다. 믹싱 탱크(541)는 약액과 희석액을 혼합한다. 믹싱 탱크(541)에는 약액 공급원(542)으로부터 약액을 전달하는 약액 공급 라인(543)과, 희석액 공급원(544)으로부터 희석액을 전달하는 희석액 공급 라인(545)이 연결된다. 약액 공급 라인(543) 상에는 약액의 공급 유량을 조절하는 밸브(543a)가 설치되고, 희석액 공급 라인(545) 상에는 희석액의 공급 유량을 조절하는 밸브(545a)가 설치된다. 약액으로는 세정 처리하고자 하는 기판상에 형성된 막질에 따라 다양한 종류의 약액이 사용될 수 있으며, 희석액으로는 탈이온수(DeIonized Water, DIW)가 사용될 수 있다. 통상적으로 희석액이 먼저 믹싱 탱크(541)에 공급되고, 믹싱 탱브(541) 내의 희석액은 후술할 순환 부재(550)에 의해 순환된다. 이후 약액이 믹싱 탱크(541)로 공급되며, 약액은 믹싱 탱크(541) 내에서 희석액과 혼합 희석되고, 순환 부재(550)에 의해 순환된다.
믹싱 탱크(541)에는 순환 부재(550)가 연결된다. 순환 부재(550)는 믹싱 탱크(541) 내부의 희석액 또는 약액과 희석액이 혼합 희석된 처리액을 순환시킨다. 순환 부재(550)는 믹싱 탱크에 희석액 또는 처리액을 유출입시키는 순환 라인(551)을 가진다. 순환 라인(551)의 일단은 믹싱 탱크(541)의 하부에 연결되고, 타단은 믹싱 탱크(541)의 상부에 연결될 수 있다. 순환 라인(551) 상에는 펌프(552), 제 2 히터(553), 필터(554), 그리고 농도계(555)가 설치된다. 펌프(552)는 순환 라 인(551)에 유동 압력을 제공하고, 제 2 히터(553)는 순환 라인(551)을 따라 순환되는 희석액 또는 처리액을 기설정된 세정 공정 온도로 가열한다. 필터(554)는 순환 라인(551)을 따라 흐르는 희석액 또는 처리액 내에 잔류하는 파티클과 같은 오염 물질들을 여과시킨다. 농도계(555)는 순환 라인(551)을 따라 이동하는 처리액의 농도를 측정한다.
상기와 같은 구성을 가지는 순환 부재(550)에 의해 믹싱 탱크(541) 내의 처리액이 순환된다. 처리액은 순환 부재(550)에 의해 일정 시간 동안 순환되며, 처리될 기판들이 처리조(310)로 반입되기 전에 처리조(310)로 공급된다. 이때, 처리조(310) 내의 탈이온수는 후술할 배수 부재(560)에 의해 배수되며, 탈이온수의 배수가 완료된 이후에 처리액이 처리조(310)로 공급된다. 처리액은 순환 부재(550)의 순환 라인(551)으로부터 분기된 처리액 공급 라인(546)을 통해 처리조(310)로 공급된다. 처리조(310)가 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수에 의해 공정 온도로 예열된 상태에서, 세정 공정 온도로 가열된 처리액이 처리조(310)로 공급되기 때문에, 처리조(310)로 공급된 처리액의 온도는 일정하게 유지될 수 있다.
배수 부재(560)는 처리조(310) 내의 탈이온수(처리액이 희석된 탈이온수를 포함한다.)를 배수하기 위한 것으로, 배수통(562)과 배수 라인(564)을 가진다. 배수 라인(564)은 처리조(310)의 하부에 연결되어 처리조(310) 내의 탈이온수를 배수통(562)으로 배수시키고, 배수통(562)은 오염된 탈이온수를 수용한다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치를 이용하여 기판을 세정 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다. 도 4는 본 발명에 따른 기판 세정 방법의 공정 흐름도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 먼저 탈이온수 공급 부재(520)의 탈이온수 공급 라인(524)을 통해 처리조(310)로 탈이온수가 공급된다. 탈이온수는 제 1 히터(526)에 의해 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 상태로 공급된다. 여기서, 기설정된 세정 공정 온도라 함은 탈이온수에 후속하여 처리조(310)로 공급되는 처리액의 온도와 동일한 온도이다. 탈이온수가 탈이온수 공급 라인(524)을 통해 처리조(310)의 용량에 대응하도록 처리조(310)에 채워지고, 이후에는 처리조(310)로부터 오버플로우(Overflow)되도록 바이패스 라인(529)을 통해 소량씩 탈이온수가 공급된다. 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수가 처리조(310)로 공급되면, 처리조(310)는 탈이온수에 의해 세정 공정 온도로 예열된다. 그리고, 처리조(310)에 공급된 탈이온수는 처리조(310)의 예열 이외에도 처리조(310) 내부를 외부와 격리시켜 파티클이 처리조(310)로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 처리조(310) 내부를 세정할 수도 있다.
이러한 상태에서, 제어부(미도시)로부터 기판의 투입 신호가 전달되면, 배수 부재(560)는 처리조(310) 내의 탈이온수를 배수시키며, 처리액 공급 부재(540)로부터 처리조(310)로 처리액이 공급된다. 처리액은 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 상태로 처리조(310)에 공급된다. 처리조(310)가 탈이온수에 의해 세정 공정 온도로 예열된 상태에서 처리액이 처리조(310)로 공급되기 때문에, 처리조(310)와 그 내부 에 공급된 처리액 사이에는 온도 구배가 발생하지 않는다. 이로 인해 처리조(310) 내의 처리액의 온도가 세정 공정 온도로 균일하게 유지될 수 있다.
처리조(310)로 공급되는 처리액은 믹싱 탱크(541)에서 혼합된 희석액과 약액의 혼합액이다. 희석액이 먼저 믹싱 탱크(541)로 공급된 상태에서 순환 부재(550)의 펌프(552)에 의해 희석액이 순환되고, 희석액은 순환되는 동안 제 2 히터(553)에 의해 가열된다. 이러한 상태에서 제어부(미도시)로부터 기판 투입 신호가 전달되기 전에 약액이 믹싱 탱크(541)로 공급되고, 희석액과 혼합 희석된다. 혼합 희석된 처리액은 순환 라인(551)을 따라 믹싱 탱크(541)로 유출입되면서 순환되고, 순환되는 동안 순환 라인(551) 상에 설치된 농도계(555)에 의해 농도가 측정된다. 처리액의 농도가 설정 값의 오차 범위 이내에 들면 처리액은 처리조(310)로 공급되고, 처리액의 농도가 설정 값의 오차 범위를 벗어나면 처리액은 탱크(미도시)로 배수된다.
이와 같이, 처리액은 공정 진행을 위해 처리조(310)로 공급되기 전에는 믹싱 탱크(541)에 유입/유출되면서 순환되고, 공정 진행시 믹싱 탱크(541)로부터 처리조(310)로 공급된다. 처리조(310)에 처리액이 공급된 상태에서, 처리조(310)로 기판을 반입하여 처리액에 의해 기판을 세정 처리한다. 기판의 세정 처리 후 기판은 반출되고, 처리액이 채워진 처리조(310)로 다시 탈이온수를 공급한다. 기판의 세정 처리 후 처리조(310)로 공급되는 탈이온수는 처리조(310) 내의 처리액을 충분히 묽게 희석하고, 최종적으로 처리조(310) 내의 처리액을 탈이온수로 치환한다. 이후 탈이온수를 배수시키고, 처리조(310)로 처리액을 다시 공급하여 기판을 세정 처리 한다. 이상에서 설명한 바와 같은 과정을 반복적으로 진행하면서 기판의 세정 처리 공정을 진행한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 개략적 평면도,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 개략적 측단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 구비된 처리조 및 약액 공급 유닛의 배관 계통을 개략적으로 보여주는 도면,
도 4는 본 발명에 따른 기판 세정 방법의 공정 흐름도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 로딩/언로딩부 200 : 정렬부
300 : 세정 처리부 310 : 처리조
400 : 기판 이송부 500 : 유틸리티부
520 : 탈이온수 공급 부재 526 : 제 1 히터
540 : 처리액 공급 부재 550 : 순환 부재
553 : 제 2 히터 560 : 배수 부재

Claims (7)

  1. 기판 세정 공정이 진행되는 처리조와;
    상기 처리조로 탈이온수를 공급하며, 상기 탈이온수를 가열하는 제 1 히터를 가지는 탈이온수 공급 부재와;
    상기 처리조로 처리액을 공급하며, 상기 처리액을 가열하는 제 2 히터를 가지는 처리액 공급 부재;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  2. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리액 공급 부재는,
    약액 공급원과;
    희석액 공급원과;
    상기 약액 공급원과 상기 희석액 공급원으로부터 공급되는 약액과 희석액이 혼합되는 믹싱 탱크와;
    상기 믹싱 탱크 내의 약액과 희석액이 혼합된 처리액을 순환시키며, 그리고 공정 진행시 상기 믹싱 탱크로부터 상기 처리조로 상기 처리액을 공급하는 순환 부재;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  3. 기판을 세정하는 방법에 있어서,
    처리조에 가열된 탈이온수를 공급하여 상기 처리조를 예열하고,
    상기 처리조로부터 상기 탈이온수를 배출시킨 후 상기 처리조에 가열된 처리액을 공급하고,
    상기 처리조에 기판을 반입하여 상기 기판을 세정 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 탈이온수는 상기 처리조가 기설정된 세정 공정 온도로 예열되도록 세정 공정 온도로 가열된 상태로 상기 처리조에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    기판의 세정 처리 후 기판을 상기 처리조로부터 반출시키고,
    상기 처리조에 상기 기설정된 세정 공정 온도로 가열된 탈이온수를 공급하여 상기 처리조 내의 상기 처리액을 상기 탈이온수로 치환하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  6. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 처리액은 믹싱 탱크에서 혼합된 희석액과 약액의 혼합액이며,
    상기 처리액은 공정 진행 전에는 상기 믹싱 탱크에 유입/유출되면서 순환되고, 공정 진행시 상기 믹싱 탱크로부터 상기 처리조로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  7. 기판을 세정하는 방법에 있어서,
    처리조에 탈이온수를 공급하여 상기 처리조를 세정 처리하고,
    상기 처리조로부터 상기 탈이온수를 배출시킨 후 상기 처리조에 가열된 처리액을 공급하고,
    상기 처리조에 기판을 반입하여 상기 기판을 세정 처리하되,
    상기 처리조의 세정 처리를 위해 상기 처리조에 공급되는 상기 탈이온수는 가열된 상태로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
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