KR20090032290A - 노이즈를 저감시키기 위한 핑거 타입 포토다이오드 및 그제조방법 - Google Patents

노이즈를 저감시키기 위한 핑거 타입 포토다이오드 및 그제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 쉘로우 도핑층을 형성하여 노이즈를 줄이기 위한 핑거 타입의 포토다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 핑거 타입 포토다이오드는, 상부에 형성되는 층들을 지지하는 하부기판; 상기 하부기판 상에 형성된 에피택셜층; 상기 에피택셜층의 상부 표면에 핑거형상으로 형성된 핑거 도핑층; 및 상기 에피택셜층의 외부로 노출된 상부 표면과 상기 핑거 도핑층의 상부에 얕은 깊이로 형성된 쉘로우 도핑층;을 포함하여, 상기 에피택셜층 및 핑거 도핑층 상부에 발생되는 댕글링 본드를 줄임으로써 노이즈를 줄일 수 있게 됨에 따라 포토다이오드의 광효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
핑거 타입, 포토다이오드, PDIC, OEIC, 블루-레이(Blue ray), 노이즈 감소

Description

노이즈를 저감시키기 위한 핑거 타입 포토다이오드 및 그 제조방법{Photodiode of finger type to reduce noise and Manufacturing mathod thereof}
본 발명은 노이즈를 저감시키기 위한 핑거 타입 포토다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 핑거 타입으로 형성된 핑거 도핑층 및 디플리션 영역 상부에 얕은 깊이를 갖는 쉘로우 도핑층을 형성하여 에피택셜층 상부에 발생되는 댕글링 본드를 줄임으로써 노이즈를 줄일 수 있는 핑거 타입 포토다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 광 픽업은 광 기록매체에 기록된 데이터를 읽거나 광 기록매체에 소정의 데이터를 기록할 수 있는 광 기록 및 재생장치에 사용되는 중요한 구성요소로서, 레이저 광원과 각종 렌즈, 반사 및 투과 요소, 광 검출요소 등을 포함하여 이루어진다.
이때, 광 기록매체로는 CD 및 DVD등이 사용되고 이러한 서로 다른 기록매체 에 정보를 기록하거나 재생하기 위해서는 각 기록매체에 고유한 파장을 갖는 레이저 광을 이용해야 한다. 예를 들면, CD의 경우는 780nm의 파장의 레어저 광을 이용하고 DVD의 경우는 650nm 파장의 레이저 광을 이용하여 정보의 기록 및 재생이 이루어진다.
이에 따라, 최근 여러가지 광 기록매체에 정보를 기록 및 재생시킬 수 있는 복합 광 픽업장치에 대한 개발이 활발하게 이루어져 왔으며, 점차적으로 초 고밀도 데이터 기록 및 재생이 가능한 블루-레이(Blue-ray) 디스크 및 그 드라이버에 대한 연구 개발이 활발히 이루어지고 있다.
이하, 관련도면을 참조하여 종래 기술에 의한 블루-레이 디스크의 정보를 읽을 수 있는 PDIC(Photo Diode Integrated Circuit) 및 OEIC(Opto-Electronic Integrated Circuit)의 셀 구조와 각 셀을 이루는 포토다이오드에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 의한 PDIC의 셀 구조를 나타낸 블럭도이고, 도 2는 종래 기술에 의한 포토다이오드의 단면도이다.
먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, UV(Ultraviolet) 계열의 405nm 파장의 레이저 광을 사용하는 방식의 블루-레이 디스크 플레이어(player) 또는 RW 장치(Read and Write Device)에 사용되는 PDIC 또는 OEIC는 4개의 영역(1, 2, 3, 4)으로 구분되어 이에 인가되는 광을 감지한다.
이때, 상기 구분된 4개의 영역(1, 2, 3, 4) 각각은 이에 인가되는 광을 감지 하여 이를 전기적 신호로 변환함으로써 블루-레이 디스크에 저장된 정보를 읽을 수 있다.
이러한 PDIC 각 셀은 포토다이오드로 이루어지는데, 상기 포토다이오드는, 도 2에 도시한 바와 같이, 하부에는 p 타입의 불순물이 주입된 하부기판(10)과, 상기 하부기판(10) 상에 n 타입의 에피택셜층(20)이 형성되며, 상기 에피택셜층(20) 상부에 N- 불순물이 도핑된 N- 확산층(30)이 형성된다.
이러한 구조로 이루어진 종래의 포토다이오드는 외부로부터 입사되는 광이 디플리션 영역인 에피택셜층(20)에 도달하여 상기 에피택셜층(20) 내에 존재하는 전자에 의해 상기 입사된 광을 전기적 신호로 변환하게 된다.
그러나, 입사광의 파장이 780nm 또는 650nm에서 점차적으로 짧아지는 블루-레이 방식을 이용함에 따라 입사광의 침투깊이가 점차 짧아져 상기 N- 확산층(30)에 차단되어 디플리션 영역인 에피택셜층(20)까지 도달하지 못하게 됨으로써 포토다이오드의 광효율이 저하되는 문제점이 있었다.
이를 해결하기 위하여 상기 N- 확산층(30)의 구조를 핑거 타입으로 변경하였는데 이는 핑거 타입 포토다이오드의 단면도 및 평면도를 나타낸 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 에피택셜층(20) 상에 손가락 형태인 핑거 타입으로 N- 확산층(30)을 형성함으로써 외부로부터 입사되는 광을 상기 N- 확산층(30)이 형성되지 않은 에피택셜층(20)의 상부표면부에 도달하도록 함에 따라 상기 입사된 405nm의 파장을 갖는 광을 효과적으로 전기적 신호로 변환시킬 수 있었다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술에 의한 핑거 타입의 포토다이오드는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래 기술에 의한 핑거 타입의 포토다이오드는, 상기 에피택셜층(20)을 평탄화시키기 위한 공정에 의해 상기 에피택셜층(20)과 N- 확산층(30)의 외부로 노출된 상부표면인 'A' 영역과 'B' 영역에 완전한 공유결합이 이루어지지 않은 댕글링 본드(Dangling Bond)가 발생하게 된다.
이때, 405nm의 단파장을 갖는 광이 입사될 경우 상기 입사되는 광은 상기 포토다이오드의 에피택셜층(20) 상부표면까지 도달하게 되어 전기적 신호로 변환되는데, 상기 입사된 광이 모두 전기적 신호로 변환되는 것이 아니라 상기 에피택셜층(20) 상부 'B' 영역에 발생된 댕글링 본드에 의해 방해를 받게 됨에 따라 노이즈가 발생하게 된다.
또한, 상기 에피택셜층(20) 상부만이 아니라 상기 핑거 타입의 N- 확산층(30)의 상부표면인 'A' 영역에도 상기 댕글링 본드가 발생하게 되고 이에 의해 노이즈가 발생하게 된다.
이에 따라, 상기 핑거 타입의 포토다이오드는 405nm의 단파장을 갖는 블루-레이 광이 입사될 경우 상기 에피택셜층(20) 및 N- 확산층(30)의 상부표면인 'A' 및 'B' 영역에서 상기 댕글링 본드에 의해 모두 전기적 신호로 변환되지 않고 노이즈가 발생됨에 따라 광효율이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 핑거 타입의 핑거 도핑층 및 디플리션 영역인 에피택셜층 상부에 얕은 깊이를 갖는 쉘로우 도핑층을 형성하여 상기 에피택셜층 상부에 발생되는 댕글링 본드를 줄임으로써 노이즈를 줄일 수 있는 핑거 타입의 포토다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 핑거 타입의 포토다이오드는, 상부에 형성되는 층들을 지지하는 하부기판; 상기 하부기판 상에 형성된 에피택셜층; 상기 에피택셜층의 상부 표면에 핑거형상으로 형성된 핑거 도핑층; 및 상기 에피택셜층의 외부로 노출된 상부 표면과 상기 핑거 도핑층의 상부에 얕은 깊이로 형성된 쉘로우 도핑층;을 포함하여, 상기 에피택셜층 및 핑거 도핑층 상부에 발생되는 댕글링 본드를 줄임으로써 노이즈를 줄일 수 있게 됨에 따라 포토다이오드의 광효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이때, 상기 핑거 도핑층과 쉘로우 도핑층은 도핑된 상태가 서로 반대의 타입인 것을 특징으로 하며, 상기 하부기판과 에피택셜층 사이에 형성된 PBL층을 더 포함하고, 상기 쉘로우 도핑층 상부에 형성된 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
특히, 상기 쉘로우 도핑층은 0.03㎛ 내지 0.10㎛ 범위의 두께로 형성되어 외부로부터 입사되는 입사광을 디플리션 영역인 에피택셜층에 도달하도록 함으로써 광효율을 향상시킬 수 있다.
아울러, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 핑거 타입의 포토다이오드 제조방법은, 하부기판을 준비하는 단계; 상기 하부기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계; 상기 에피택셜층의 상부에 불순물을 주입하여 핑거 형상의 핑거 도핑층을 형성하는 단계; 및 상기 핑거 도핑층 전면에 불순물을 주입하여 얕은 깊이를 갖는 쉘로우 도핑층을 형성하는 단계;를 포함한다.
이때, 상기 쉘로우 도핑층은 상기 핑거 도핑층과 서로 반대 타입의 불순물을 주입하는 것을 특징으로 하고, 상기 하부기판 상에 PBL층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 쉘로우 도핑층 상부에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 쉘로우 도핑층은 0.03㎛ 내지 0.10㎛ 범위의 두께로 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 핑거 타입의 포토다이오드 및 그 제조방법은, 핑거 타입의 핑거 도핑층 및 디플리션 영역인 에피택셜층 상부에 얕은 깊이를 가지며 상기 핑거 도핑층과 반대되는 타입의 불순물이 도핑된 쉘로우 도핑층을 형성하여 상기 에피택셜층 및 핑거 도핑층 상부에 발생되는 댕글링 본드를 줄임으로써 노이즈를 줄일 수 있게 됨에 따라 포토다이오드의 광효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 핑거 타입의 포토다이오드 및 그 제조방법의 구체적인 구조와 방법 및 그 효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
핑거 타입의 포토다이오드
이하, 관련도면을 참조하여 본 발명에 따른 핑거 타입의 포토다이오드에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 핑거 타입 포토다이오드를 개략적으로 나타낸 단면도 및 평면도이다.
우선, 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 핑거 타입의 포토다이오드는, 상부에 형성되는 층들을 지지하기 위한 하부기판(210), 상기 하부기판(210) 상에 형성된 에피택셜층(220), 상기 에픽택셜층(220)의 상부 표면에 소정 깊이를 가지며 핑거형상으로 형성된 핑거 도핑층(230) 및 상기 에피택셜층(220)의 외부로 노출된 상부 표면과 상기 핑거 도핑층(230)의 상부에 얕은 깊이로 도핑된 쉘로우 도핑층(240)으로 이루어진다.
이때, 상기 하부기판(210)은 실리콘 등으로 이루어진 반도체 기판에 고농도의 P+ 형 불순물이 도핑되어 형성되고, 상기 하부기판(210) 상에 형성된 에피택셜층(220)은 N- epi 성장되어 형성되며 상기 에피택셜층(220) 상에 비소(As) 등과 같 이 N+ 타입의 불순물을 도핑시켜 형성된다.
특히, 상기 에피택셜층(220) 상에 형성된 핑거 도핑층(230)은 상기 에피택셜층(220) 상부 전면에 형성되는 것이 아니라, 포토다이오드의 평면도를 나타낸 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 에피택셜층(220)의 상부 표면층에 핑거 형상의 패턴을 가지고 형성되어 외부로부터 입사되는 광이 상기 핑거 도핑층(230)에 의해 흡수되는 것을 방지할 수 있게 됨에 따라 광효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 핑거 타입의 포토다이오드는 종래 문제가 되던 에피택셜층(220)의 디플리션 영역인 'B' 영역 및 핑거 도핑층(230)의 상부표면인 'A' 영역에서 댕글링 본드에 의해 발생되던 노이즈를 방지하기 위하여, 상기 핑거 도핑층(230)이 형성된 에피택셜층(220)의 상부에 쉘로우 도핑층(240)을 형성한다.
이때, 상기 쉘로우 도핑층(240)은 상기 핑거 도핑층(230)에 도핑된 불순물과 반대되는 타입의 불순물을 상기 핑거 도핑층(230)이 형성된 에피택셜층(220) 상부에 주입하여 형성한다. 즉, 상기 핑거 도핑층(230)에 도핑된 불순물은 N+ 형의 불순물이므로 붕소(B) 등과 같이 P+ 형의 불순물을 주입하여 쉘로우 도핑층(240)을 형성한다.
또한, 상기 쉘로우 도핑층(240)은 외부로부터 405nm의 단파장을 갖는 입사광이 상기 에피택셜층(220)까지 도달할 수 있도록 0.03㎛ 내지 0.1㎛ 범위의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 405nm의 단자장을 갖는 입사광은 상기 에피택셜층(220)의 침투깊이가 약 0.14㎛이므로 상기 쉘로우 도핑층(240)을 0.03㎛ 이하의 두께로 형성할 경우 상기 에피택셜층(220)의 상부 영역인 'B' 영역과 핑거 도 핑층(230)의 상부 영역인 'A' 영역에 발생되는 댕글링 본드를 제거하기 어려우며, 상기 쉘로우 도핑층(240)을 0.1㎛ 이상의 두께로 형성할 경우 상기 입사광이 상기 쉘로우 도핑층(240)을 통과하여 에피택셜층(220) 및 핑거 도핑층(230)에 도달하지 못하게 됨으로써 광효율이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 상기 쉘로우 도핑층(240)은 0.03㎛ 내지 0.1㎛ 범위의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이에 따라, 본 발명에 따른 핑거 타입의 포토다이오드는 상기 에피택셜층(220) 및 핑거 도핑층(230) 상부 전면에 형성된 쉘로우 도핑층(240)은 상기 에피택셜층(220) 및 핑거 도핑층(230)의 평탄화 공정에 의해 발생되던 댕글링 본드와 결합하게 되어 이를 제거함으로써 상기 에피택셜층(220) 및 핑거 도핑층(230) 상부 'A', 'B' 영역에서 발생되던 노이즈를 줄일 수 있게 됨으로써 입사광에 대한 광효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
그리고, 상기 하부기판(210)과 상기 에피택셜층(220) 사이에 필드 산화막인 PBL층(Poly Buffered LOCOS)을 더 형성할 수 있다.
또한, 상기 쉘로우 도핑층(240) 상에 반사방지막(Antireflective Coating: 250)을 더 형성하여 외부로부터 입사되는 입사광이 상기 포토다이오드에 의해 반사되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
핑거 타입 포토다이오드의 제조방법
이하, 관련도면을 참조하여 핑거 타입 포토다이오듸 제조방법에 대하여 보다 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 핑거 타입 포토다이오드의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 핑거 타입 포토다이오드의 제조방법은, 후술하는 공정에 의해 상부에 형성되는 층들을 지지하기 위한 하부기판(210)을 준비한다. 이때, 상기 하부기판(210)에 붕소(B) 등과 같은 P+ 형의 불순물을 주입하여 P+ 타입으로 형성한다.
상기 하부기판(210)에 P+ 형의 불순물을 주입한 후, 도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 하부기판(210) 상에 에피택셜층(220)을 형성하고 이를 평탄화공정을 진행시킴으로써 고른면을 갖도록 형성한다. 이때, 상기 에피택셜층(220)의 형성방법은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 증착방법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 에피택셜층(220)을 형성한 다음, 도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 에피택셜층(220) 상부에 소정 두께의 감광막(221)을 도포한다. 그리고, 상기 도포된 감광막(221)에 노광 및 현상 공정을 진행하여 핑거 도핑층 형성 영역의 감광막(221)을 제거한 후, 상기 감광막(221)을 마스크로 하여 비소(As) 등의 N+ 형 불순물을 주입한다. 한편, 상기 하부기판(210) 상에 상기 에피택셜층(220)을 형성하기 전에 필드 산화막인 PBL층(211)을 형성할 수 있다.
상기 에피택셜층(220) 상에 불순물을 주입함으로써 도 7d에 도시한 바와 같이 상기 에피택셜층(220) 상부 표면에 소정 두께를 갖는 핑거 형상의 핑거 도핑층(230)을 형성한 후, 상기 감광막(221)을 제거한다.
그런 다음, 상기 핑거 도핑층(230)이 형성된 에피택셜층(220) 상에 P+ 형 불순물을 주입하여 얕은 깊이를 갖는 쉘로우 도핑층(240)을 형성한다. 이때, 상기 쉘로우 도핑층(240)을 형성하는 이유는, 상기 외부로 노출된 에피택셜층(220)의 상부 영역과 핑거 도핑층(230)의 상부 영역에 상기 평탄화 공정에 의해 발생되는 댕글링 본드와 결합시켜 이를 제거하기 위함이다. 따라서, 상기 쉘로우 도핑층(240)은 상기 에픽택셜층(220)의 상부 영역과 핑거 도핑층(230)의 상부 영역의 댕글링 본드를 제거함으로써 종래 상기 댕글링 본드에 의해 발생되던 노이즈를 줄임으로써 포토다이오드의 광효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
특히, 상기 쉘로우 도핑층(240)은 외부로부터 405nm의 단파장을 갖는 입사광이 상기 에피택셜층(220)까지 도달할 수 있도록 0.03㎛ 내지 0.1㎛ 범위의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 405nm의 단파장을 갖는 입사광은 상기 에피택셜층(220)의 침투깊이가 약 0.14㎛이므로 상기 쉘로우 도핑층(240)을 0.03㎛ 이하의 두께로 형성할 경우 상기 에피택셜층(220)의 상부 영역과 핑거 도핑층(230)의 상부 영역에 발생되는 댕글링 본드를 제거하기 어려우며, 상기 쉘로우 도핑층(240)을 0.1㎛ 이상의 두께로 형성할 경우 상기 입사광이 상기 쉘로우 도핑층(240)을 통과하여 에피택셜층(220) 및 핑거 도핑층(230)에 도달하지 못하게 됨으로써 광효율이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 상기 쉘로우 도핑층(240)은 0.03㎛ 내지 0.1㎛ 범위의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 쉘로우 도핑층(240)을 형성한 다음, 상기 포토다이오드로 입사되는 광이 이에 의해 반사되는 것을 방지하기 위하여, 도 7e에 도시한 바와 같이, 반 사방지막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
그리고, 도 8에 도시한 바와 같이, 상기 하부기판(210) 상에 필드 산화막인 PBL층(211)을 더 형성하여 핑거 타입의 포토다이오드를 제조할 수 있으며, 본 발명에 따른 핑거 타입 포토다이오드의 실시예를 나타낸 단면도인 도 9에 도시한 바와 같이, 상기 포토다이오드의 타입을 서로 반대 타입으로 하여 핑거 타입의 포토다이오드를 제조할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 종래 기술에 의한 PDIC의 셀 구조를 나타낸 블럭도.
도 2는 종래 기술에 의한 포토다이오드의 단면도.
도 3은 종래 기술에 의한 핑거 타입 포토다이오드의 단면도.
도 4는 도 3의 핑커 타입 포토다이오드의 평면도.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 핑거 타입 포토다이오드의 단면도 및 평면도.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 핑거 타입 포토다이오드의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 핑거 타입 포토다이오드의 실시예를 나타낸 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
210 : 하부기판 211 : PBL층
220 : 에피택셜층 221 : 감광막
230 : 핑거 도핑층 240 : 쉘로우 도핑층
250 : 반사방지막

Claims (10)

  1. 상부에 형성되는 층들을 지지하는 하부기판;
    상기 하부기판 상에 형성된 에피택셜층;
    상기 에피택셜층의 상부 표면에 핑거형상으로 형성된 핑거 도핑층; 및
    상기 에피택셜층의 외부로 노출된 상부 표면과 상기 핑거 도핑층의 상부에 얕은 깊이로 형성된 쉘로우 도핑층;
    을 포함하는 핑거 타입 포토다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 핑거 도핑층과 쉘로우 도핑층은 도핑된 상태가 서로 반대의 타입인 것을 특징으로 하는 핑거 타입 포토다이오드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하부기판과 에피택셜층 사이에 형성된 PBL층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 핑거 타입 포토다이오드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 쉘로우 도핑층 상부에 형성된 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 핑거 타입 포토다이오드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 쉘로우 도핑층은 0.03㎛ 내지 0.10㎛ 범위의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 핑거 타입 포토다이오드.
  6. 하부기판을 준비하는 단계;
    상기 하부기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계;
    상기 에피택셜층의 상부에 불순물을 주입하여 핑거 형상의 핑거 도핑층을 형성하는 단계; 및
    상기 핑거 도핑층 전면에 불순물을 주입하여 얕은 깊이를 갖는 쉘로우 도핑층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 핑거 타입 포토다이오드 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 쉘로우 도핑층은 상기 핑거 도핑층과 서로 반대 타입의 불순물을 주입하는 것을 특징으로 하는 핑거 타입 포토다이오드 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 하부기판 상에 PBL층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 핑거 타입 포토다이오드 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 쉘로우 도핑층 상부에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 핑거 타입 포토다이오드 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 쉘로우 도핑층은 0.03㎛ 내지 0.10㎛ 범위의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 핑거 타입 포토다이오드 제조방법.
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