JP2007095741A - 受光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 短波長側、例えば405nmにおいても高い受光感度が得られる受光素子を提供する。
【解決手段】 受光部17において、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cをn型エピタキシャル層3の内部に形成し、n型エピタキシャル層3の表面からp型埋め込み拡散層20a,20b,20cの表面d12までの距離を1〜10μmの範囲内とし、このp型埋め込み拡散層20a,20b,20cの厚さt11を0.1〜2μmの範囲内とする。
【選択図】 図6
【解決手段】 受光部17において、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cをn型エピタキシャル層3の内部に形成し、n型エピタキシャル層3の表面からp型埋め込み拡散層20a,20b,20cの表面d12までの距離を1〜10μmの範囲内とし、このp型埋め込み拡散層20a,20b,20cの厚さt11を0.1〜2μmの範囲内とする。
【選択図】 図6
Description
本発明は、BD(Blu-ray Disk),DVD(Digital Versatile Disk),CD(Compact Disk)等の光ディスクを記録/再生する光ディスク装置に用いられる受光素子に係り、特に短波長光に対して高い感度を有し高速応答が可能な受光素子に関するものである。
受光素子の従来例として、特許文献1に記載されている受光素子がある。
この特許文献1によれば、半導体基板の表面を含む表面近傍にp型拡散層を形成し、このp型拡散層のドーパント濃度を部分的に低くすることによって、少数キャリアの再結合を防ぐことができるため、受光素子の周波数特性が劣化することなく、短波長から長波長までの受光感度が向上するとしている。
特開平9−237912号公報
この特許文献1によれば、半導体基板の表面を含む表面近傍にp型拡散層を形成し、このp型拡散層のドーパント濃度を部分的に低くすることによって、少数キャリアの再結合を防ぐことができるため、受光素子の周波数特性が劣化することなく、短波長から長波長までの受光感度が向上するとしている。
しかしながら、特許文献1に記載されている受光素子は、光が吸収され光電変換される半導体基板の表面近傍部である受光部に高濃度の拡散層が存在するため、この高濃度の拡散層中で少数キャリアの再結合が発生し、これにより受光感度が低下することが問題となっている。
特に、近年、光ディスクはCDからDVD、DVDからBDへと移行し、それに伴って、用いられるレーザ光の波長も780nmから650nm、650nmから405nmへと短波長化している。
そして、このレーザ波長が短波長であるほど、そのレーザ光は、受光素子のより表面に近い領域で吸収されるため、特許文献1に記載されている受光素子では、受光波長が短波長であるほど、その受光感度は低下する。
また、受光感度の低下を防止するために高濃度の拡散層の範囲を縮小すると、受光部の内部抵抗が増加するため、高速応答性が悪化してしまう。
特に、近年、光ディスクはCDからDVD、DVDからBDへと移行し、それに伴って、用いられるレーザ光の波長も780nmから650nm、650nmから405nmへと短波長化している。
そして、このレーザ波長が短波長であるほど、そのレーザ光は、受光素子のより表面に近い領域で吸収されるため、特許文献1に記載されている受光素子では、受光波長が短波長であるほど、その受光感度は低下する。
また、受光感度の低下を防止するために高濃度の拡散層の範囲を縮小すると、受光部の内部抵抗が増加するため、高速応答性が悪化してしまう。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、短波長側、例えば405nmにおいても高い受光感度が得られる受光素子を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本願発明は次の手段を有する。
1)所定のドーパント濃度を有する第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板(1)上に積層され、前記所定のドーパント濃度よりも低いドーパント濃度を有すると共に、その表面に受光領域(17)を有する第1導電型のエピタキシャル層(3)と、前記受光領域(17)における前記エピタキシャル層(3)の内部に形成され、所定の厚さ(t11)を有する第2導電型の拡散層(20a,20b,20c)と、を有し、前記受光領域(17)において、前記エピタキシャル層(3)の表面から前記拡散層(20a,20b,20c)の表面までの距離(d12)を1〜10μmの範囲内とし、前記拡散層(20a,20b,20c)の前記所定の厚さ(t11)を0.1〜2μmの範囲内とすることを特徴とする受光素子(50)である。
1)所定のドーパント濃度を有する第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板(1)上に積層され、前記所定のドーパント濃度よりも低いドーパント濃度を有すると共に、その表面に受光領域(17)を有する第1導電型のエピタキシャル層(3)と、前記受光領域(17)における前記エピタキシャル層(3)の内部に形成され、所定の厚さ(t11)を有する第2導電型の拡散層(20a,20b,20c)と、を有し、前記受光領域(17)において、前記エピタキシャル層(3)の表面から前記拡散層(20a,20b,20c)の表面までの距離(d12)を1〜10μmの範囲内とし、前記拡散層(20a,20b,20c)の前記所定の厚さ(t11)を0.1〜2μmの範囲内とすることを特徴とする受光素子(50)である。
本発明によれば、受光部において、第1導電型のエピタキシャル層の表面から第2導電型の拡散層の表面までの距離を1〜10μmの範囲内とし、この拡散層の厚さを0.1〜2μmの範囲内としたので、短波長側、例えば405nmにおいても高い受光感度が得られるという効果を奏する。
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図1〜図7を用いて説明する。
図1〜図6は、本発明の受光素子の実施例における第1工程〜第6工程を説明するための模式的断面図である。各図と各工程とはそれぞれ対応している。
図1〜図6中の各(a)は、それぞれ上面図である。図1〜3、図5、及び図6中の各(b)は、各(a)のA−B部における模式的断面図である。図4中の(b)及び図6中の(c)は、各(a)のC−D部における模式的断面図である。
図1〜図6は、本発明の受光素子の実施例における第1工程〜第6工程を説明するための模式的断面図である。各図と各工程とはそれぞれ対応している。
図1〜図6中の各(a)は、それぞれ上面図である。図1〜3、図5、及び図6中の各(b)は、各(a)のA−B部における模式的断面図である。図4中の(b)及び図6中の(c)は、各(a)のC−D部における模式的断面図である。
ところで、後述する所定の工程を経た半導体基板1は、受光素子50がマトリクス状に複数形成されており、この半導体基板1を所定の間隔で分断することによって、単体の受光素子50を得るが、図1〜図6では、説明をわかりやすくするために、工程の始めから、単体の受光素子50の構造を示すこととした。
また、実施例として、1つの受光部17を有する受光素子50を例に挙げて、以下に説明する。
また、実施例として、1つの受光部17を有する受光素子50を例に挙げて、以下に説明する。
(実施例)
<第1工程>[図1参照]
半導体基板1である、高濃度n+型Si(シリコン)基板上には、n型エピタキシャル層3が積層されている。ここで、高濃度とは、1E18cm−3以上の濃度をいう。また、n型エピタキシャル層3のドーパント濃度を、半導体基板1のドーパント濃度よりも低くなるようにする。
そして、このn型エピタキシャル層3を熱酸化処理することにより、n型エピタキシャル層3の表面及びその表面近傍部を酸化させて酸化層4にする。
実施例では、n型エピタキシャル層3の比抵抗を約40Ω・cmとし、厚さを約10μmとした。また、酸化層3の厚さは約0.1μmである。
この酸化層4は、n型エピタキシャル層3の表面に異物などが付着することを防止すると共に、後述するイオン注入工程においてドーパントの注入深さを均一に精度良くするために設けられる。
<第1工程>[図1参照]
半導体基板1である、高濃度n+型Si(シリコン)基板上には、n型エピタキシャル層3が積層されている。ここで、高濃度とは、1E18cm−3以上の濃度をいう。また、n型エピタキシャル層3のドーパント濃度を、半導体基板1のドーパント濃度よりも低くなるようにする。
そして、このn型エピタキシャル層3を熱酸化処理することにより、n型エピタキシャル層3の表面及びその表面近傍部を酸化させて酸化層4にする。
実施例では、n型エピタキシャル層3の比抵抗を約40Ω・cmとし、厚さを約10μmとした。また、酸化層3の厚さは約0.1μmである。
この酸化層4は、n型エピタキシャル層3の表面に異物などが付着することを防止すると共に、後述するイオン注入工程においてドーパントの注入深さを均一に精度良くするために設けられる。
<第2工程>[図2参照]
酸化層4の表面に、フォトリソ法により、所定のレジストパターン6を形成する。
次に、酸化層4の上方からn型エピタキシャル層3に向かってイオン注入を行って、略櫛状に配置されてなる第1のp型注入層7a,7b,7cを形成する。
この第1のp型注入層7a,7b,7cは、厚さ方向において、その中心からn型エピタキシャル層3の表面までの距離d1が約0.53μmであり、その厚さt1が約0.36μmである。換言すれば、第1のp型注入層7a,7b,7cは、n型エピタキシャル層2の表面からその厚さ方向において、0.35〜0.71μmの範囲に形成されている。
実施例では、この第1のp型注入層7a,7b,7cを形成するためのイオン注入条件として、ドーパントをボロン(B)とし、加速電圧を200keV、ドーズ量を1E14atoms/cm2とした。
酸化層4の表面に、フォトリソ法により、所定のレジストパターン6を形成する。
次に、酸化層4の上方からn型エピタキシャル層3に向かってイオン注入を行って、略櫛状に配置されてなる第1のp型注入層7a,7b,7cを形成する。
この第1のp型注入層7a,7b,7cは、厚さ方向において、その中心からn型エピタキシャル層3の表面までの距離d1が約0.53μmであり、その厚さt1が約0.36μmである。換言すれば、第1のp型注入層7a,7b,7cは、n型エピタキシャル層2の表面からその厚さ方向において、0.35〜0.71μmの範囲に形成されている。
実施例では、この第1のp型注入層7a,7b,7cを形成するためのイオン注入条件として、ドーパントをボロン(B)とし、加速電圧を200keV、ドーズ量を1E14atoms/cm2とした。
<第3工程>[図3参照]
レジストパターン6を除去した後、酸化層4の表面に、フォトリソ法により、所定のレジストパターン9を形成する。
次に、酸化層4の上方からn型エピタキシャル層3に向かってイオン注入を行って、第2のp型注入層10を形成する。
この第2のp型注入層10は、n型エピタキシャル層3の表面のごく近傍部に形成されている。
実施例では、この第2のp型注入層10を形成するためのイオン注入条件として、ドーパントをフッ化ホウ素(BF2)とし、加速電圧を50keV、ドーズ量を2E15atoms/cm2とした。
レジストパターン6を除去した後、酸化層4の表面に、フォトリソ法により、所定のレジストパターン9を形成する。
次に、酸化層4の上方からn型エピタキシャル層3に向かってイオン注入を行って、第2のp型注入層10を形成する。
この第2のp型注入層10は、n型エピタキシャル層3の表面のごく近傍部に形成されている。
実施例では、この第2のp型注入層10を形成するためのイオン注入条件として、ドーパントをフッ化ホウ素(BF2)とし、加速電圧を50keV、ドーズ量を2E15atoms/cm2とした。
<第4工程>[図4参照]
レジストパターン9を除去した後、酸化層4の表面に、フォトリソ法により、所定のレジストパターン13を形成する。
次に、酸化層4の上方からn型エピタキシャル層3に向かってイオン注入を行って、n型注入層14を形成する。
このn型注入層14は、n型エピタキシャル層2の表面のごく近傍部に形成されている。
実施例では、このn型注入層14を形成するためのイオン注入条件として、ドーパントをヒ素(As)とし、加速電圧を50keV、ドーズ量を2E15atoms/cm2とした。
レジストパターン9を除去した後、酸化層4の表面に、フォトリソ法により、所定のレジストパターン13を形成する。
次に、酸化層4の上方からn型エピタキシャル層3に向かってイオン注入を行って、n型注入層14を形成する。
このn型注入層14は、n型エピタキシャル層2の表面のごく近傍部に形成されている。
実施例では、このn型注入層14を形成するためのイオン注入条件として、ドーパントをヒ素(As)とし、加速電圧を50keV、ドーズ量を2E15atoms/cm2とした。
<第5工程>[図5参照]
レジストパターン13を除去する。
次に、受光部17となる所定の領域において、この領域に対応する酸化層4をエッチング除去した後、この領域にAR(Anti Reflection)膜(反射防止膜ともいう)18を、例えば真空成膜法により形成する。真空成膜法とは、CVD(Chemical Vapor Deposition)法やプラズマCVD法などを示す。
実施例では、このAR膜18をSiO2(酸化シリコン)膜とSiN(窒化シリコン)膜との多層膜として形成した。
レジストパターン13を除去する。
次に、受光部17となる所定の領域において、この領域に対応する酸化層4をエッチング除去した後、この領域にAR(Anti Reflection)膜(反射防止膜ともいう)18を、例えば真空成膜法により形成する。真空成膜法とは、CVD(Chemical Vapor Deposition)法やプラズマCVD法などを示す。
実施例では、このAR膜18をSiO2(酸化シリコン)膜とSiN(窒化シリコン)膜との多層膜として形成した。
<第6工程>[図6参照]
上述のAR膜18が形成された半導体基板1を所定の温度に加熱することによって、第1のp型注入層7a,7b,7c中のドーパントが拡散して、第1のp型注入層7a,7b,7cはp型埋め込み拡散層(p型埋め込み電極という場合もある)20a,20b,20cとなる。(図6(a),(b)参照)
また、この加熱によって、第2のp型注入層10中のドーパントが拡散して、第2のp型注入層10はp型表面拡散層(p型表面電極という場合もある)21となる。(図6(a),(b)参照)
また、この加熱によって、n型注入層14中のドーパントが拡散して、n型注入層14はn型表面拡散層(n型表面電極という場合もある)22となる。(図6(a),(c)参照)
この加熱によってp型埋め込み拡散層20a,20b,20cとp型表面拡散層21とが接続されるように、加熱条件を設定する。
実施例では、この加熱条件として、加熱温度及び加熱時間を、約900℃及び約30分とした。
上述のAR膜18が形成された半導体基板1を所定の温度に加熱することによって、第1のp型注入層7a,7b,7c中のドーパントが拡散して、第1のp型注入層7a,7b,7cはp型埋め込み拡散層(p型埋め込み電極という場合もある)20a,20b,20cとなる。(図6(a),(b)参照)
また、この加熱によって、第2のp型注入層10中のドーパントが拡散して、第2のp型注入層10はp型表面拡散層(p型表面電極という場合もある)21となる。(図6(a),(b)参照)
また、この加熱によって、n型注入層14中のドーパントが拡散して、n型注入層14はn型表面拡散層(n型表面電極という場合もある)22となる。(図6(a),(c)参照)
この加熱によってp型埋め込み拡散層20a,20b,20cとp型表面拡散層21とが接続されるように、加熱条件を設定する。
実施例では、この加熱条件として、加熱温度及び加熱時間を、約900℃及び約30分とした。
実施例では、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cの厚さt11は約0.77μmであり、n型エピタキシャル層3の表面からp型埋め込み拡散層20a,20b,20cの表面までの距離d12は約0.15μmである。このp型埋め込み拡散層20a,20b,20cのドーパント濃度は約1E18cm−3である。
また、n型表面拡散層22は、その厚さt13が約0.2μmであり、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向に約0.2μmまでの範囲に形成されている。
そして、この加熱条件により、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cとp型表面拡散層21とが接続されていることを確認した。
また、n型表面拡散層22は、その厚さt13が約0.2μmであり、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向に約0.2μmまでの範囲に形成されている。
そして、この加熱条件により、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cとp型表面拡散層21とが接続されていることを確認した。
次に、この半導体基板に所定の配線形成を行った後に、この半導体基板を所定の間隔で分断することによって、複数の受光素子50を得る。
ここで、発明者は、受光素子の受光部に照射されるレーザ光の波長(受光波長ともいう)と、この受光部において光電変換される深さ(厚さ)方向の範囲との関係について着目した。
そして、発明者が鋭意実験した結果、波長が短波長であるレーザ光ほど、受光素子のより表面に近い範囲で吸収されることを見出した。
そこで、レーザ光の波長と、受光部において光電変換される領域の深さ(厚さ)との関係について、図7を用いて説明する。図7は、レーザ光の波長(受光波長)と、受光部において光電変換される領域の深さ(厚さ)との関係を説明するための模式的断面図である。
ここでは、レーザ光の波長が、BD(Blu-ray Disk)、DVD(Digital Versatile Disk)、及びCD(Compact Disk)に対応した波長である、405nm、650nm、及び780nmの3つの波長に対して光電変換される領域の深さ(厚さ)について、説明する。
そして、発明者が鋭意実験した結果、波長が短波長であるレーザ光ほど、受光素子のより表面に近い範囲で吸収されることを見出した。
そこで、レーザ光の波長と、受光部において光電変換される領域の深さ(厚さ)との関係について、図7を用いて説明する。図7は、レーザ光の波長(受光波長)と、受光部において光電変換される領域の深さ(厚さ)との関係を説明するための模式的断面図である。
ここでは、レーザ光の波長が、BD(Blu-ray Disk)、DVD(Digital Versatile Disk)、及びCD(Compact Disk)に対応した波長である、405nm、650nm、及び780nmの3つの波長に対して光電変換される領域の深さ(厚さ)について、説明する。
まず、レーザ光の波長がこの3つの波長の中で最も短波長である405nmの場合について説明する。
図7(a)に示すように、受光部17において、AR膜18の上方からn型エピタキシャル層3に向かって、波長が405nmであるレーザ光L1を照射する。
このとき、レーザ光L1は、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向に距離dxまでの領域P1で吸収され、光電変換される。発明者は、鋭意実験した結果、レーザ波長が405nmである場合、この光電変換領域P1の厚さに相当する距離dxは0.1μmであることを見出した。
図7(a)に示すように、受光部17において、AR膜18の上方からn型エピタキシャル層3に向かって、波長が405nmであるレーザ光L1を照射する。
このとき、レーザ光L1は、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向に距離dxまでの領域P1で吸収され、光電変換される。発明者は、鋭意実験した結果、レーザ波長が405nmである場合、この光電変換領域P1の厚さに相当する距離dxは0.1μmであることを見出した。
また、この光電変換により生じた電気を効率よく取り出すためには、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cをこの光電変換領域P1の近傍に設けることが好ましい。しかし、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cの一部が光電変換領域P1に接して形成されると、このp型埋め込み拡散層20a,20b,20cと接している部分の光電変換領域P1で少数キャリアの再結合が発生するため、受光感度が低下するという問題がある。
従って、このp型埋め込み拡散層20a,20b,20cを、光電変換領域P1に接することなく、かつ、その近傍に設けることが望ましい。
光電変換領域P1は、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向に0.1μm(dx=0.1μm)までの範囲に形成されている。
また、n型エピタキシャル層3の表面からp型埋め込み拡散層20a,20b,20cの表面までの距離が10μmを越えると、光電変換により生じた電気を効率よく取り出すことが困難になる。
よって、n型エピタキシャル層3の表面からp型埋め込み拡散層20a,20b,20cの表面までの距離を0.1〜10μmの範囲内に設定することが望ましい。
そこで、実施例では、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cを、光電変換領域P1の近傍であり、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向において0.15〜0.92μmの範囲に形成した。
光電変換領域P1は、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向に0.1μm(dx=0.1μm)までの範囲に形成されている。
また、n型エピタキシャル層3の表面からp型埋め込み拡散層20a,20b,20cの表面までの距離が10μmを越えると、光電変換により生じた電気を効率よく取り出すことが困難になる。
よって、n型エピタキシャル層3の表面からp型埋め込み拡散層20a,20b,20cの表面までの距離を0.1〜10μmの範囲内に設定することが望ましい。
そこで、実施例では、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cを、光電変換領域P1の近傍であり、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向において0.15〜0.92μmの範囲に形成した。
次に、レーザ波長が650nm及び780nmの場合について説明する。
図7(b)に示すように、受光部17において、AR膜18の上方からn型エピタキシャル層3に向かって、波長が650nmまたは780nmであるレーザ光L2またはL3が照射される。
このとき、レーザ光L2またはL3は、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向に距離dyまたはdzまでの領域P2またはP3で吸収され、光電変換される。発明者は、鋭意実験した結果、レーザ光の波長が650nmまたは780nmである場合、この光電変換領域P2またはP3の厚さに相当する距離dyまたはdzは、4μmまたは10μmであることを見出した。
図7(b)に示すように、受光部17において、AR膜18の上方からn型エピタキシャル層3に向かって、波長が650nmまたは780nmであるレーザ光L2またはL3が照射される。
このとき、レーザ光L2またはL3は、n型エピタキシャル層3の表面からその厚さ方向に距離dyまたはdzまでの領域P2またはP3で吸収され、光電変換される。発明者は、鋭意実験した結果、レーザ光の波長が650nmまたは780nmである場合、この光電変換領域P2またはP3の厚さに相当する距離dyまたはdzは、4μmまたは10μmであることを見出した。
実施例では、この光電変換領域P2またはP3に、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cの一部が存在するため、p型埋め込み拡散層20a,20b,20c内で少数キャリアの再結合が発生するが、発明者は、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cの厚さt11を2μm以下にすることによって、受光素子50の受光感度が低下しないことを見出した。
受光感度が低下しない理由として、受光部17において、p型埋め込み拡散層20a,20b,20cの厚さt11に対して、光電変換領域P2またはP3の厚さ(距離dyまたはdzに相当する)が十分に厚いので、少数キャリアの再結合の発生が少なかったものと考えられる。
よって、受光部において、p型埋め込み拡散層をn型エピタキシャル層の内部に形成し、n型エピタキシャル層の表面からp型埋め込み拡散層の表面までの距離を1〜10μmの範囲内とし、このp型埋め込み拡散層の厚さを0.1〜2μmの範囲内とすることにより、レーザ波長(受光波長)が、BD(Blu-ray Disk)、DVD(Digital Versatile Disk)、及びCD(Compact Disk)に対応した波長である、405nm、650nm、及び780nmの3つのいずれの波長に対しても、高い受光感度を得ることができる。
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
例えば、実施例では、1つの受光部を有する受光素子について説明したが、これに限定されるものではなく、複数の受光部を有する受光素子や、この複数の受光部と各受光部を制御する制御部を有する受光素子であっても構わない。
また、実施例では、p型埋め込み拡散層を櫛状に配置するように形成したが、これに限定されるものではなく、受光部に対応する範囲と略同面積のp型埋め込み拡散層を形成しても良い。但し、p型埋め込み拡散層を櫛状に配置させる方がより高速応答性に優れるため、実施例のように櫛状に配置することが望ましい。
また、実施例では、半導体基板1、エピタキシャル層3、注入層14、及び表面拡散層22をn型とし、注入層7a,7b,7c,10、埋め込み拡散層20a,20b,20c、及び表面拡散層21をp型としたが、これに限定されるものではなく、n型とp型とをそれぞれ逆になるように半導体基板及び各層を形成しても良い。また、n型及びp型の一方を第1導電型、他方を第2導電型という場合がある。
1 半導体基板、 3 n型エピタキシャル層、 4 酸化層、 6,9,13 レジストパターン、 7a,7b,7c,10 p型注入層、 14 n型注入層、 17 受光部、 18 AR膜、 20a,20b,20c p型埋め込み拡散層(電極)、 21 p型表面拡散層(電極)、 22 n型表面拡散層(電極)、 50 受光素子、 d1,d12,dx,dy,dz 距離、 t1,t11,t13 厚さ、 L1,L2,L3 レーザ光、 P1,P2,P3 光電変換領域
Claims (1)
- 所定のドーパント濃度を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に積層され、前記所定のドーパント濃度よりも低いドーパント濃度を有すると共に、その表面に受光領域を有する第1導電型のエピタキシャル層と、
前記受光領域における前記エピタキシャル層の内部に形成され、所定の厚さを有する第2導電型の拡散層と、
を有し、
前記受光領域において、前記エピタキシャル層の表面から前記拡散層の表面までの距離を1〜10μmの範囲内とし、前記拡散層の前記所定の厚さを0.1〜2μmの範囲内とすることを特徴とする受光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005279483A JP2007095741A (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005279483A JP2007095741A (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 受光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007095741A true JP2007095741A (ja) | 2007-04-12 |
Family
ID=37981119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005279483A Pending JP2007095741A (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007095741A (ja) |
-
2005
- 2005-09-27 JP JP2005279483A patent/JP2007095741A/ja active Pending
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