KR20090027747A - 기판 가열기 조립체 - Google Patents

기판 가열기 조립체 Download PDF

Info

Publication number
KR20090027747A
KR20090027747A KR1020097001819A KR20097001819A KR20090027747A KR 20090027747 A KR20090027747 A KR 20090027747A KR 1020097001819 A KR1020097001819 A KR 1020097001819A KR 20097001819 A KR20097001819 A KR 20097001819A KR 20090027747 A KR20090027747 A KR 20090027747A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heater assembly
processing
wall
deposition
Prior art date
Application number
KR1020097001819A
Other languages
English (en)
Inventor
마크 에이. 포도르
소피아 엠. 베라스테구이
수보 센
비스웨스워렌 시바라마크리쉬난
피터 와이-맨 리
마리오 데이비드 실베티
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20090027747A publication Critical patent/KR20090027747A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Abstract

처리 공정 중에 예정된 표준 직경의 기판을 지지하기 위한 기판 히터 조립체가 제공된다. 일 실시예에서, 기판 히터 조립체는 상면, 하면 및 내장 히터 소자를 갖는 보디를 포함한다. 기판 지지면은 보디의 상면에 형성되며 기판 수납 포켓의 일부분을 형성한다. 환형 벽은 상기 상면에 수직하게 지향되며 기판 두께의 적어도 1/2의 길이를 가진다. 상기 벽은 기판 수납 포켓의 외측 원주위를 한정하며 예정된 기판 직경 보다 0.5 큰 직경 보다 적은 직경을 가진다.
히터, 기판 지지, 환형 벽, 수납 포켓

Description

기판 가열기 조립체 {SUBSTRATE HEATER ASSEMBLY}
본 발명은 일반적으로 반도체 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 반도체 기판 처리 시스템에서 기판을 지지 및 가열하기 위한 장치에 관한 것이다.
기판 처리공정의 정확한 재현은 집적 회로의 제조시 생산성을 개선하기 위한 중요한 요소이다. 다양한 공정 변수의 정밀한 제어는 기판 전체에 대한 일정한 결과를 달성할 뿐만 아니라 그 결과를 기판에서 다른 기판으로 재현시키는데 필요하다. 특히, 증착 재료 층의 균일성은 양호한 제조 효율을 달성하기 위한 요건들 중의 하나이다.
화학 기상 증착(CVD) 처리 챔버에서, 기판은 통상적으로 처리 공정 중에 가열된 기판 지지대 위에서 증착된다. 기판 지지대는 일반적으로 기판의 온도를 제어하기 위한 내장식 전기 가열 소자를 포함한다. 기판 지지대는 추가로, 기판 지지대와 기판 사이에서 열의 전달을 촉진시키는 가스(예를 들어, 헬륨(He), 아르곤(Ar) 등등)용 채널 및 홈을 포함한다. 또한, 기판 가열기 조립체도 다양한 플라즈마 강화 공정 중에 RF 바이어스를 기판에 인가하기 위한 내장 RF 전극을 포함한 다.
증착 공정(예를 들어, 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 CVD(PECVD), 등등) 중에, 기판의 중앙 및 주변 영역은 다른 처리 조건에 노출된다. 처리 조건의 상이함은 일반적으로 증착 층의 균일성을 악화시키는 결과를 초래한다. 예를 들어, 종래의 가열식 기판 지지대에서 처리된 기판은 종종, 기판 에지의 직상으로 증착시켜서, 기판 중앙에 증착된 재료에 비해서 기판 에지 근처에서 증착된 층이 더 두꺼워지게 된다. 증착 층의 불균일성은 수율과 증착 공정의 생산성뿐만 아니라 집적 회로의 전체 성능을 제한하게 된다. 또한, 기판의 에지를 따라 증착된 재료는 로봇 이송 기구 상에 기판을 정확하게 위치시키는데에 있어서 문제점을 유발할 수 있다. 기판이 로봇 이송 기구 상의 예정된 위치에 유지되지 못하면, 기판은 이송 중에 손상되거나 떨어질 수 있으며, 또한 처리 장비 내에 놓일 때 오정렬되어 열악한 처리 결과를 초래할 수 있다.
기판 가열기 조립체 분야에 있어서는 기판 처리 시스템에서 집적 회로를 조립하는 동안에 기판 에지를 따라 재료가 증착되지 않고 기판 상에 균일한 재료 층의 증착을 촉진시킬 필요성이 있다.
처리 공정 중에 예정된 표준 직경의 기판을 지지하기 위한 기판 가열기 조립체가 제공된다. 일 실시예에서, 기판 가열기 조립체는 상면, 하면 및 내장된 가열 소자를 갖춘 보디를 포함한다. 기판 지지면은 보디의 상면에 형성되며 기판 수납 포켓의 일부분을 형성한다. 환형 벽은 상면에 수직하게 지향되며 기판 두께의 적어도 1/2의 길이를 가진다. 상기 벽은 기판 수납 포켓의 외측 원주위를 한정하고 있으며 예정된 기판 직경 보다 약 0.5 ㎜ 적은 직경을 가진다.
본 발명의 유리한 특징으로서 히터 조립체의 보디에 일체로 형성함으로써, 부품수를 감소시키고 히터 조립체의 비용도 감소시키는 동시에 챔버 대 챔버 처리 균일성을 개선한다.
본 발명은 기판 처리 시스템의 처리 챔버(예를 들어, CVD 챔버, PECVD 챔버, 등등) 내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지대의 기판 가열기 조립체에 관한 것이다. 본 발명의 기판 가열기 조립체는 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼 등등) 전체 에 걸쳐서, 또한 처리될 일군의 기판에 대해 적은 두께 분균일성을 필요로 하는 재료 층의 증착을 용이하게 하는데 사용될 수 있다. 여기서, CVD 또는 PECVD 챔버(또는 처리로)는 CVD 챔버(또는 처리로)로서 지칭된다.
본 발명과 관련하여 사용될 수 있는 CVD 처리로의 예는 (미국 캘리포니아 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티리얼스로부터 상업화된)프로듀서(등록상표) 처리로 또는 DXZ(등록상표) 처리로이다. 그러나, 다른 CVD 처리로 및/또는 처리 챔버들도 본 발명을 실시하는데 사용될 수 있음을 주목해야 한다. 프로듀서(등록상표) 처리로 또는 DXZ(등록상표) 처리로는 1999년 1월 5일자로 특허 허여된 미국 특허 제 5,855,681호 및 2002년 4월 2일자로 특허 허여된 미국 특허 제 6,364,954호에 각각 설명되어 있으며, 이들 특허는 본 출원인에게 일반 양도되어 본 출원에 참조되었다. 프로듀서(등록상표) 처리로는 두 개로 나누어진 처리 영역을 갖는 CVD 챔버를 포함하며, 이들 처리 영역 각각은 얇은 재료 층을 증착하는데 사용될 수 있다. 소음 특징을 갖는 예시적인 프로듀서(등록상표) 처리로가 이후에 간략히 설명된다.
도 1에는 예시적인 프로듀서(등록상표) 처리로의 하나의 처리 영역이 처리 챔버(102)로서 도시되어 있다. 도 1은 예시적인 목적으로 간략화되어 있으며 축척대로 도시되어 있지 않다.
처리로(100)는 처리 챔버(102) 및 제어기(110)를 포함한다. 처리 챔버(102)는 일반적으로 리드 조립체(118)를 갖춘 보디(벽), 기판 지지대(126), 진공 펌프(104), 및 CVD 공정 중에 벽(130)의 내면을 보호하는데 사용되는 차폐물(114)을 포함한다. 상기 벽(130)은 전도체 잴(예를 들어, 알루미늄, 스테인레스 스틸, 등등)으로 제조되며 처리 챔버(102)의 접지 터미널(176)에 연결된다.
일 실시예에서, 리드 조립체(118)는 포트(164)를 경유하여 가스 패널(108)에 연결되며, 완충판(146), 샤워헤드(120) 및 절연판(174)을 포함한다. 완충판(146)은 플레넘(184) 내의 각각의 처리 가스들의 혼합을 용이하게 한다. 샤워헤드(120)는 지지대(126) 위에 위치하며 처리 가스 혼합물(142)을 처리 챔버(102)의 반응 공간(144) 내측으로 분사시킨다. 샤워헤드(120)도 다양한 가스가 다양한 유속으로 처리 챔버(102)로부터 방출되도록 상이한 영역을 포함할 수 있다.
지지대(126)는 기판 가열기 조립체(148), 기저판(152), 및 후면 조립체(154)를 포함한다. 후면 조립체(154)는 기판 바이어스 전원(122), 제어식 히터 동력 공급원(138), 및 후면 가스(예를 들어, 헬륨) 공급원 뿐만 아니라 리프트 핀 기구(156)에 연결된다. 기판 처리 중에, 지지대(126)는 기판(112)을 지지하며 기판의 바이스 및 온도를 제어한다. 기판(112)은 일반적으로 표준화된 반도체 웨이퍼, 예를 들어 200 또는 300 ㎜ 웨이퍼이다.
기판 가열기 조립체(148)는 가열기 부재의 오목부(기판 포켓)(150) 내에 배열되는 환형 링(134) 및 보디(가열기 부재;132)를 포함한다. 가열기 부재(132)는 복수의 내장 가열 소자(158), 온도 센서(예를 들어, 열전쌍;160), 및 복수의 RF 전극(162)을 더 포함한다. 내장 가열 소자(158)는 가열기 동력 공급원(138)에 연결된다. 온도 센서(160)는 종래의 방법으로 가열기 부재(132)의 온도를 모니터링한다. 측정된 온도는 히터 동력 공급원(138)의 출력을 조절하도록 피이드백 루프에 서 사용된다. 내장 RF 전극(162)은 전원(122)을 기판(112)에 연결할 뿐만 아니라 반응 공간(144) 내의 처리 가스 혼합물(142)의 플라즈마(140)에도 연결된다.
기판(12)의 온도는 가열기 부재(132)의 온도를 안정화함으로써 제어된다. 일실시예에서, 가스 공급원(136)으로부터의 헬륨 가스는 가스 도관(166)을 통해서, 기판(112) 아래의 가열기 부재(132) 내에 형성된 (이후의 도 2a에 파선으로 도시된)홈(또는, 이와는 달리 포지티브 딤플)으로 공급된다. 헬륨 가스는 히터 부재(132)와 기판(112) 사이의 열전달을 제공하여 기판의 균일한 가열을 용이하게 한다. 이러한 가열 제어 방법에 의해서, 기판은 약 200 내지 800℃의 온도로 유지될 수 있다.
전원(122)은 일반적으로 RF 발생기(124) 및 동조 네트웍(128)을 포함한다. 상기 발생기(124)는 일반적으로 약 50 ㎑ 내지 13.6 ㎒ 범위의 주파수에서 5000 W까지의 연속 또는 펄스 전력을 생성할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 발생기(124)는 펄스 DC 전력 발생기일 수 있다.
진공 펌프(104)는 챔버(102) 내부의 소정의 가스압을 유지할 뿐만 아니라 CVD 공정의 부산물과 후처리 가스를 챔버로부터 배출한다. 처리 챔버(102) 내부의 가스압은 압력 센서(116)를 사용하여 모니터링되며 측정된 압력은 처리 챔버 내의 가스압을 제어하는 피이드백 루프에서 사용될 수 있다.
일실시예에서, 샤워헤드(120)가 RF 발생기(170) 및 동조 네트웍(172)을 포함하는 전력원(106)에 연결된다. RF 발생기(170)는 통상적으로 약 50 ㎑ 내지 13.6 에서 500 내지 3000 와트 범위의 전력을 생성할 수 있다. 샤워헤드(120) 및 기판 지지대(126)는 함께 한 쌍의 이격된 전극을 형성한다. 전력원(106)에서 상기 전극으로 RF 전력을 인가할 때, 반응 공간(144) 내의 처리 가스 혼합물(142)은 플라즈마(140)로 점화될 수 있다.
리프트 핀 기구(156)는 기판(112)을 기판 히터 조립체(148)의 기판 포켓(150)으로 하강시키거나 기판을 기판 히터 조립체로 상승시키는데 사용된다. 히터 부재(132)는 리트프 핀 기구(156)의 리프트 핀을 위한 복수의 개구(232; 도 2a에 도시)를 포함한다.
처리 챔버(102)은 내부 검사, 처리 공정 제어, CVD 공정의 종료 시점 검출 등등을 수행하는 종래의 시스템도 포함한다. 그러한 시스템은 지원 시스템(168)으로서 도 1에 도시되어 있다.
제어기(110)는 중앙 처리유닛(178;CPU), 메모리(180), 및 지원 회로(182)를 포함한다. CPU(178)는 공업용으로 사용될 수 있는 임의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서일 수 있다. 소프트웨어 루틴은 RAM, 읽기 전용 메모리, 플로피 또는 하드 디스크 드라이브나 다른 형태의 디지탈 저장장치와 같은 메모리(180)에 저장된다. 지원 회로(182)는 종래의 방식대로 CPU(178)에 연결되며 캐쉬, 클록 회로, 입/출력 서브시스템, 동력 공급원 등을 포함할 수 있다.
CPU(178)에 의해 실행될 때, 소프트웨어 루틴은 처리로(100)를 제어하는 전용 컴퓨터 프로세서(110;제어기)로 CPU를 변환시킴으로써 본 발명에 따라서 처리 공정이 수행된다. 소프트웨어 루틴은 반응로(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 제어기(도시않음)에 의해 저장 및/또는 실행된다.
도 2a 및 도 2b는 각각, 도 1의 기판 히터 조립체(148)를 도시하는 개략적인 횡단면도 및 평면도이다. 일실시예에서, 가열 부재(132) 및 환형 링(134)은 질화 알루미늄(AlN), 산화 알루미늄(Al2O3) 등과 같은 세라믹 재료로 형성된다. 환형 링(134)은 약 0.5 내지 2.5 mm의 깊이(204)를 갖는 기판 포켓(150) 내부의 중앙에 배열되어 중력에 의해 유지된다.
환형 링(134)은 링의 플랜지(226)와 가열 부재(132)의 벽(210) 사이에 있는 방사상 간극(202)이 최소값, 예를 들어 약 0.2 mm 미만의 값을 가질 수 있는 크기이다. 링(134)의 내측 에지(208)와 중앙에 위치된 기판(112)의 에지 사이에 형성되는 방사상 간극(212)은 0.5 mm 미만이며, 일실시예에서 약 0.1 내지 0.5 mm 범위이다. 지지대의 상면(240)에 대한 기판의 오목한 방향을 따른 방사상 간극(212)의 최소 거리로 인해 처리 공정 중에 기판(112)의 에지 상에 재료가 증착되는 것을 실질적으로 감소시킬 수 있다. 기판(112)에 대한 벽의 상대 높이와 포켓(150) 벽(210)의 밀착 구성은 플라즈마 영역이 기판(112)의 에지로부터 멀어지는(예를 들어 중앙쪽으로) 것을 방해함으로써, 기판 에지 상에 증착되는 것을 감소 및/또는 제거할 수 있다. 또한, 전술한 벽의 구성으로 인해 기판 에지에서의 반응 가스 및/또는 증기 흐름을 방해하여 가스의 일부 영역에서 반응물을 고갈시킴으로써 기판 에지 상에 증착되는 것을 감소 및/또는 제거할 수 있다. 게다가, 전술한 벽의 구성으로 인해 기판 에지에서의 온도를 교란시켜 증착율이 국부적으로 감소시킴으로써, 추가로 기판 에지 상에 증착되는 것을 감소 및/또는 제거시킨다.
환형 링(134)의 높이(220)는 일반적으로 0.7 내지 7 mm 범위이다. 환형 링(134)의 폭(206)은 높이(220) 대 폭(206)의 비율이 약 0.05 : 1 내지 0.5 : 1이 되도록 선택된다. 환형 링의 내측 에지(208)는 벽(214)과 경사면(218)을 포함한다. 벽(214)은 기판 포켓(150)의 표면(216)에 실질적으로 직각으로 배열된다. 상기 벽(214)은 기판 두께의 적어도 약 1/2만큼 수직 방향으로 연장하도록 구성된다. 일 실시예에서, 벽(214)은 약 0.3 내지 3 mm 범위의 높이(222)를 갖는 반면에, 경사면(218)은 기판으로부터 외측 상방향으로 약 10 내지 40도 각도(224)로 테이퍼질 수 있다.
도 3a 내지 도 7a 및 도 3b 내지 도 7b는 환형 링(134)의 다른 실시예를 도시하는 개략적인 사시도 및 횡단면도이다. 도 3b 내지 도 7b의 횡단면도는 각각, 사시도인 도 3a 내지 도 3a의 중심선을 따라 취한 도면이다. 도 3a 내지 도 7a 및 도 3b 내지 도 7b의 도면은 설명의 목적으로 단순화한 것이며 축척대로 도시한 것이 아니다.
도 3a 및 도 3b는 연속적인 립(302)을 갖는 환형 링(134)을 도시한다. 작동시, 립(302)은 리프트 핀이 후퇴하고 기판이 포켓 내측으로 하강할 때 기판(112)을 기판 포켓(150)으로 안내한다. 립(302)은 일반적으로 약 0.5 내지 5 mm의 높이(304)를 갖는 반면에, 립의 높이(304) 대 폭(306)의 비율은 약 0.3 : 1 내지 3 : 1이다.
도 4a 및 도 4b는 복수(예를 들어 3 내지 12)의 돌기(402)를 갖춘 환형 링(134)을 도시한다. 각각의 돌기(402)는 약 0.5 내지 5 mm의 높이(404)를 갖는 반면에, 돌기의 높이(404) 대 폭(406)의 비율은 약 0.3 : 1 내지 3 : 1이다. (도 3a 및 도 3b를 참조하여 전술한 바와 같이)립(302)과 유사하게, 돌기(402)도 리프트 핀이 후퇴하고 기판이 포켓 내측으로 하강할 때 기판(112)을 기판 포켓(150) 내측으로 안내하는데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 돌기는 예를 들어, 연속적인 립(302)으로부터 인접 돌기들 사이에 배열된 립의 일부분을 제거함으로써 제조될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 복수(예를 들어, 3 내지 12)의 원주위 슬롯(510)을 갖는 환형 링(134)을 도시한다. 일반적으로, 슬롯(510)은 기판 바이어스 전원(122) 및 플라즈마(140)에 의해 생성되는 RF 에너지의 커플링을 개선하는데 사용된다. 일 실시예에서, 각각의 슬롯(510)은 각각, 약 50 내지 200 mm 및 8 내지 12 mm의 길이(512)와 폭(514)을 가진다. 일반적으로, 상기 슬롯은 환형 링(134)의 플랜지(226) 주위에 서로로부터 실질적으로 동일한 간격으로 배열된다.
도 6a 및 도 6b는 연속 립(302)과 복수(예를 들어, 3 내지 12)의 슬롯(510)을 갖는 환형 링(134)을 도시한다. 대응되게, 도 7a 및 도 7b는 복수의 돌기(402)와 복수의 슬롯(510)을 갖는 환형 링(134)을 도시한다. 전술한 도 5a 및 도 5b와 유사하게, 슬롯(510)은 RF 기판 바이어스 전원(122)과 플라즈마(140) 사이의 커플링을 개선하는데 사용된다.
예시적인 일 실시예에서, 환형 링(134)을 갖춘 기판 가열기 조립체(148)는 카본 도프된 실리콘 산화물 층의 증착 중에 프로듀서(등록 상표) 처리로의 처리 챔버(102)에 사용될 수 있다. 카본 도프된 실리콘 산화물은 낮은 유전체 상수(예를 들어, 저-k 재료)를 갖는 유전체 재료이며, 이들 재료는 미국 캘리포니아 산타클라라 소재의 어플라이드 머티리얼스에 의해 제조되는 블랙 다이아몬드(등록 상표) 또는 블랙 다이아몬드 Ⅱ(등록 상표)라는 상표명으로 시판되고 있다.
이러한 예시적인 실시예에서, 상기 블랙 다이아몬드 층은 400 내지 3000 sccm 유속의 트리메틸실란(SiC3H10) 및 50 내지 1000 sccm 유속의 산소(O2)(즉, SiC3H10 : O2의 유동비가 1 : 2.5 내지 60 : 1)를 제공하고, 200 내지 1500 와트 범위의 캐소드 바이어스 전력을 인가하고, 그리고 처리 챔버 내의 압력 2 내지 10 mTorr에서 250 내지 400℃ 범위로 웨이퍼 온도를 유지함으로써, 프로듀서 처리로에서 200 mm 실리콘 웨이퍼에 증착되었다. 예시적인 증착 공정에서, SiC3H10 은 1700 sccm의 유속으로, O2는 750 sccm의 유속으로(즉, SiC3H10 : O2의 유동비가 2.27 : 1) 제공되고, 바이어스 전력이 1100 와트로 인가되고, 4 mTorr의 압력에서 웨이퍼가 335℃로 유지되었다.
벽(210)을 기판의 에지에 근접시킴과 동시에 벽(210)의 수직 높이(220)에 의해 기판 에지가 증착되는 것을 방지하면서 기판 전체에 걸쳐 균일한 증착을 개선시킨다. 이러한 실시예에서, 환형 링(134)은 높이(220), 폭(206), 벽 높이(222), 및 각도(224)가 각각, 약 1.5 mm, 13.5 mm, 0.4 mm, 및 30도이다. 링은 약 0.14 mm 의 간극(212)과 약 0.14 mm 의 간극(202)으로 기판 포켓(150) 주위에 배열되었다. 이러한 링을 사용하여, 증착된 블랙 다이아몬드 층의 두께 불균일성이 대략 2.5 내지 2.6% 감소되었을 뿐만 아니라 기판 대 기판의 두께 불균일성에 대한 편차도 약 2% 미만이었다. 게다가, 처리될 기판 에지와 환형 링(134) 사이의 작은 거리로 인해 기판 포켓(150)의 표면과 기판의 경사진 에지가 원하지 않게 증착되는 것이 방지될 뿐만 아니라 기판의 경사진 에지의 상부 부근의 증착 두께를 감소시킨다. 일 실시예에서, 도 7a에 도시한 바와 같이 구성된 링을 사용하여 처리된 기판의 경사진 에지 전체에 대해 도 10의 그래프(1004)에 도시한 블랙 다이아몬드 증착 분포는 종래의 방식대로 처리된 기판에 대해 그래프(1002)에 도시한 증착 분포 보다 실질적으로 적다.
본 발명의 다른 실시예에서, 링은 가열 부재와 단일 구성 요소로서 일체로 형성될 수 있다. 기판 지지 조립체의 보디에 일체로 형성된 링은 증착 공정을 개선하는 동시에, 부품의 수를 감소시키는 반면에 챔버 대 챔버의 처리 균일성을 증가시키므로 경제적이다.
도 8은 기판 가열기 조립체(800)의 다른 실시예를 도시하는 단면도이다. 기판 가열기 조립체(800)는 보디(804)에 내장된 적어도 하나의 가열 소자(802)를 포함한다. 보디(804) 및 가열 소자(802)는 전술한 대로 형성되거나 조립될 수 있다. 보디(804)는 상면(806) 및 하면(808)을 포함한다. 하면(808)은 통상적으로 스템(810)에 의해 처리 챔버(도시않음)에 연결된다.
보디(804)의 상면(806)은 기판 수납 포켓의 일부분을 형성하는 기판 지지면(816)을 포함한다. 수납 포켓(812)은 포켓(812)의 기판 지지면(816)으로부터 상방향으로 연장하는 벽(214)과 외측으로 확대되는 경사면(818)에 의해 한정된다. 벽(214)은 기판 포켓(812)의 지지면(216)에 실질적으로 직각으로 배열되며 경사 면(818)과 만나기 이전의 기판 두께에 적어도 1/2만큼 수직 방향으로 연장하도록 구성된다. 벽(214)의 직경은 기판(112)과 벽(214) 사이의 간극(820)이 약 0.5 mm 보다 적게 형성되도록 구성되며, 일 실시예에서 상기 직경은 처리 공정 중에 기판 에지에의 증착을 최소 및/또는 제거하기 위해서 약 0.1 내지 0.5 mm 범위이다. 상기 벽(214)과 경사면(818)은 전술한 다양한 실시예의 벽과 경사면에 대해 설명한 대로 구성될 수 있다.
경사면(818)은 일반적으로 벽(214) 위로 수납 포켓(812)을 에워싸고 있다. 도 9a 및 도 9b에 도시한 일 실시예에서, 상면(806) 위로 연장하는 경사면(818)의 일부분은 도 3a 및 도 3b에 도시한 링(134)의 립(302)과 유사하게, 연속적인 립(902)의 내면을 형성할 수 있다. 도 9c 및 도 9d에 도시한 다른 실시예에서 도 4a 및 도 4b에 도시한 링(134)의 돌기(402)와 유사하게, 돌기(914)의 내면을 형성하도록 상면(806) 위로 연장하는 부분(912) 및 상기 상면(806)에서 종결되는 부분(910)을 갖는 경사면(818)은 불규칙적이다.
이와 같이, 기판 에지에 따른 증착을 제한하면서 증착 균일성을 개선하는 히터 조립체가 제공된다. 일 실시예에서, 본 발명의 유리한 특징으로서 히터 조립체의 보디에 일체로 형성함으로써, 부품수를 감소시키고 히터 조립체의 비용도 감소시키는 동시에 챔버 대 챔버 처리 균일성을 개선한다.
전술한 설명들은 본 발명의 예시적인 실시예에 해당하므로, 본 발명의 기본 범주로부터 벗어남이 없는 본 발명의 다른 추가의 실시예들이 있을 수 있다고 이해 해야 하며, 본 발명의 범주는 이후의 청구범위에 의해 결정된다.
본 발명의 사상은 첨부 도면과 관련하여 설명하는 다음의 설명들을 고려할 때 용이하게 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 가열기 조립체를 갖춘 기판 지지대를 포함하는 예시적인 가공 처리로의 개략도이며,
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 기판 가열기 조립체의 개략적인 평면도이며,
도 3a 내지 도 7b는 도 1의 기판 가열기 조립체의 환형 링의 다른 실시예를 도시하는 개략적인 사시도 및 단면도이며,
도 8은 기판 가열기 조립체의 다른 실시예이며,
도 9a 내지 도 도 9d는 도 8의 기판 가열기 조립체의 변형예를 도시하는 사시도 및 부분 단면도이며,
도 10은 본 발명 링 및 종래의 링을 사용하여 처리된 기판에 대한 증착 분포도를 나타내는 그래프이다.
이해를 쉽게 하기 위해, 가능한 한 도면에서 공통인 동일한 구성요소를 나타내기 위해 동일한 도면 부호가 사용되었다.
그러나, 첨부 도면들은 단지 설명을 위한 본 발명의 예시적인 실시예이기 때문에 본 발명의 사상을 제한하려는 의도가 아니며 다른 동등한 효과를 갖는 실시예들이 있을 수 있다고 인정해야 한다.

Claims (1)

  1. 기판을 지지하기 위한 기판 히터 조립체로서,
    내부에 형성된 가열 소자 및 가열 동력 공급원을 포함하는 보디,
    상기 보디 내에 설치된 온도 센서,
    상기 보디의 상면 상의 기판 지지면, 및
    상기 상면 상에 위치한 환형벽
    을 포함하고, 상기 벽은 상기 기판의 외경을 한정하는 기판 히터 조립체.
KR1020097001819A 2003-10-10 2004-10-04 기판 가열기 조립체 KR20090027747A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/684,054 2003-10-10
US10/684,054 US7024105B2 (en) 2003-10-10 2003-10-10 Substrate heater assembly

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067009105A Division KR100896362B1 (ko) 2003-10-10 2004-10-04 기판 가열기 조립체

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090027747A true KR20090027747A (ko) 2009-03-17

Family

ID=34422902

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067009105A KR100896362B1 (ko) 2003-10-10 2004-10-04 기판 가열기 조립체
KR1020097001819A KR20090027747A (ko) 2003-10-10 2004-10-04 기판 가열기 조립체

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067009105A KR100896362B1 (ko) 2003-10-10 2004-10-04 기판 가열기 조립체

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7024105B2 (ko)
EP (1) EP1680529A2 (ko)
JP (1) JP2007513255A (ko)
KR (2) KR100896362B1 (ko)
CN (1) CN1867694B (ko)
TW (1) TWI353004B (ko)
WO (1) WO2005038081A2 (ko)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200508413A (en) * 2003-08-06 2005-03-01 Ulvac Inc Device and method for manufacturing thin films
US8536492B2 (en) * 2003-10-27 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources
US7127367B2 (en) * 2003-10-27 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Tailored temperature uniformity
US20080090309A1 (en) * 2003-10-27 2008-04-17 Ranish Joseph M Controlled annealing method
US20050196971A1 (en) * 2004-03-05 2005-09-08 Applied Materials, Inc. Hardware development to reduce bevel deposition
US20050217569A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-06 Nirmal Ramaswamy Methods of depositing an elemental silicon-comprising material over a semiconductor substrate and methods of cleaning an internal wall of a chamber
US20050217585A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-06 Blomiley Eric R Substrate susceptor for receiving a substrate to be deposited upon
US20050223985A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Blomiley Eric R Deposition apparatuses, methods of assessing the temperature of semiconductor wafer substrates within deposition apparatuses, and methods for deposition of epitaxial semiconductive material
US20050223993A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Blomiley Eric R Deposition apparatuses; methods for assessing alignments of substrates within deposition apparatuses; and methods for assessing thicknesses of deposited layers within deposition apparatuses
JP4934595B2 (ja) * 2005-01-18 2012-05-16 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 薄膜成長用反応装置
US20070031609A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Ajay Kumar Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same
US7829471B2 (en) * 2005-07-29 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask
US7375038B2 (en) * 2005-09-28 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hard mask suitable for photomask fabrication
JP5044931B2 (ja) * 2005-10-31 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置及び基板処理装置
US20080011426A1 (en) * 2006-01-30 2008-01-17 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with inductively coupled source power applicator and a high temperature heated workpiece support
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US20080197125A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Applied Materials, Inc. Substrate heating method and apparatus
JP6097471B2 (ja) * 2007-04-27 2017-03-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 環状のバッフル
US8052419B1 (en) * 2007-11-08 2011-11-08 Novellus Systems, Inc. Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation
US8999106B2 (en) * 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber
KR101405346B1 (ko) * 2008-01-04 2014-06-12 삼성디스플레이 주식회사 기판 지지대, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 정렬방법
TWI472882B (zh) * 2008-05-06 2015-02-11 Novellus Systems Inc 光阻剝離方法及設備
US8111978B2 (en) * 2008-07-11 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with shower head
JP5292963B2 (ja) * 2008-07-16 2013-09-18 株式会社デンソー 成膜装置およびそれを用いた製造方法
JP5092975B2 (ja) * 2008-07-31 2012-12-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
WO2011082020A2 (en) 2009-12-31 2011-07-07 Applied Materials, Inc. Shadow ring for modifying wafer edge and bevel deposition
JP5604907B2 (ja) * 2010-02-25 2014-10-15 信越半導体株式会社 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
US20110297088A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 Texas Instruments Incorporated Thin edge carrier ring
US20120196242A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater and rapid temperature change
US9905443B2 (en) * 2011-03-11 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same
US8371567B2 (en) 2011-04-13 2013-02-12 Novellus Systems, Inc. Pedestal covers
US20130000848A1 (en) * 2011-07-01 2013-01-03 Novellus Systems Inc. Pedestal with edge gas deflector for edge profile control
US10242890B2 (en) * 2011-08-08 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater
US9666414B2 (en) * 2011-10-27 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Process chamber for etching low k and other dielectric films
CN103094155A (zh) * 2011-11-07 2013-05-08 无锡华润上华科技有限公司 一种半导体器件加工设备
KR20140119726A (ko) 2012-01-06 2014-10-10 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 적응형 열 교환 방법 및 균일한 열 교환을 위한 시스템
US20130272928A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 Devi Shanker Misra Apparatus for the deposition of diamonds by microwave plasma chemical vapour deposition process and substrate stage used therein
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
EP2964864A4 (en) * 2013-03-07 2016-08-24 Eric Farntrog MULTIFUNCTIONAL RETRACTABLE WINDSHIELD
JP2014216605A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 住友電気工業株式会社 半導体基板の製造方法および製造装置
CN105074869A (zh) * 2013-06-26 2015-11-18 应用材料公司 在icp等离子体处理腔室中用于高产出、衬底极端边缘缺陷减少的单环设计
WO2015116245A1 (en) * 2014-01-30 2015-08-06 Applied Materials, Inc. Gas confiner assembly for eliminating shadow frame
US10903055B2 (en) * 2015-04-17 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Edge ring for bevel polymer reduction
CN104835763B (zh) * 2015-04-27 2018-08-14 沈阳拓荆科技有限公司 一种花瓣形表面结构的可控温加热盘
USD819580S1 (en) * 2016-04-01 2018-06-05 Veeco Instruments, Inc. Self-centering wafer carrier for chemical vapor deposition
KR102102320B1 (ko) * 2016-06-28 2020-04-22 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법
US10347547B2 (en) 2016-08-09 2019-07-09 Lam Research Corporation Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US11702748B2 (en) * 2017-03-03 2023-07-18 Lam Research Corporation Wafer level uniformity control in remote plasma film deposition
CN111142590B (zh) * 2018-11-02 2021-08-13 北京北方华创微电子装备有限公司 温度控制系统及方法
US11682574B2 (en) * 2018-12-03 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck design with improved chucking and arcing performance
JP2022523630A (ja) * 2019-01-15 2022-04-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板処理チャンバ用ペデスタル
US20210047730A1 (en) * 2019-08-13 2021-02-18 Applied Materials, Inc. Chamber configurations for controlled deposition
US11610792B2 (en) * 2019-08-16 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Heated substrate support with thermal baffles
US20210249232A1 (en) * 2020-02-10 2021-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method for etching

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444217A (en) 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5695568A (en) 1993-04-05 1997-12-09 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
US6033480A (en) * 1994-02-23 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer edge deposition elimination
JP4108119B2 (ja) * 1994-02-23 2008-06-25 アプライド マテリアルズ， インコーポレイテッド 改良型化学気相堆積チャンバ
US5846332A (en) * 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US5848889A (en) 1996-07-24 1998-12-15 Applied Materials Inc. Semiconductor wafer support with graded thermal mass
US5920797A (en) 1996-12-03 1999-07-06 Applied Materials, Inc. Method for gaseous substrate support
US6133152A (en) 1997-05-16 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Co-rotating edge ring extension for use in a semiconductor processing chamber
US6280183B1 (en) 1998-04-01 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Substrate support for a thermal processing chamber
KR100292410B1 (ko) 1998-09-23 2001-06-01 윤종용 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버
US6176198B1 (en) 1998-11-02 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for depositing low K dielectric materials
US6159299A (en) 1999-02-09 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Wafer pedestal with a purge ring
JP2000323487A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Tokyo Electron Ltd 枚葉式熱処理装置
US6344105B1 (en) 1999-06-30 2002-02-05 Lam Research Corporation Techniques for improving etch rate uniformity
JP2001018145A (ja) * 1999-07-07 2001-01-23 Makino Milling Mach Co Ltd 工作機械のイケール
KR100315088B1 (ko) 1999-09-29 2001-11-24 윤종용 포커스 링을 갖는 반도체 웨이퍼 제조 장치
US6589352B1 (en) * 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
JP4419237B2 (ja) 1999-12-22 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び被処理体の処理方法
US6383931B1 (en) 2000-02-11 2002-05-07 Lam Research Corporation Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch
US6350320B1 (en) 2000-02-22 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Heater for processing chamber
KR100384060B1 (ko) 2000-12-04 2003-05-14 삼성전자주식회사 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체
US6344631B1 (en) 2001-05-11 2002-02-05 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly and processing apparatus
JP2002371361A (ja) * 2001-06-18 2002-12-26 Japan Pionics Co Ltd 気相成長装置及び気相成長方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI353004B (en) 2011-11-21
JP2007513255A (ja) 2007-05-24
WO2005038081A3 (en) 2005-08-18
WO2005038081A2 (en) 2005-04-28
CN1867694B (zh) 2010-05-12
KR100896362B1 (ko) 2009-05-08
CN1867694A (zh) 2006-11-22
US7024105B2 (en) 2006-04-04
EP1680529A2 (en) 2006-07-19
KR20060122841A (ko) 2006-11-30
US20050078953A1 (en) 2005-04-14
TW200518170A (en) 2005-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100896362B1 (ko) 기판 가열기 조립체
KR102556016B1 (ko) 플라즈마 프로세싱을 위한 가변하는 두께를 갖는 상부 전극
EP1154040B1 (en) Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes
JP4511722B2 (ja) 化学気相堆積用リアクタ
US6364949B1 (en) 300 mm CVD chamber design for metal-organic thin film deposition
US6270859B2 (en) Plasma treatment of titanium nitride formed by chemical vapor deposition
US6051286A (en) High temperature, high deposition rate process and apparatus for depositing titanium layers
US8108981B2 (en) Method of making an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing
US6085690A (en) Chemical vapor deposition apparatus
US7848076B2 (en) Method and apparatus for providing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing
US5983906A (en) Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment
US5993916A (en) Method for substrate processing with improved throughput and yield
US9218997B2 (en) Electrostatic chuck having reduced arcing
US6063441A (en) Processing chamber and method for confining plasma
JP2003524703A (ja) 高温度化学気相成長チャンバー
US20090034149A1 (en) Method for refurbishing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing
KR19980033001A (ko) 화학 증착 플라즈마 반응기에서의 면판 열 초크
JP2013526778A (ja) 限定プロセス容積ｐｅｃｖｄチャンバ
KR20010080441A (ko) Ｃｖｄ 프로세싱 챔버에 대한 가스 분배 시스템
JP2004285479A (ja) ガスおよびｒｆ（無線周波数）出力を反応室に供給するための積重ねられたシャワヘッド組立体
KR102502273B1 (ko) 리모트 플라즈마 막 증착시 웨이퍼 레벨 균일도 제어
JP2019504473A (ja) 融合されたカバーリング
US20150322571A1 (en) Substrate processing apparatus
KR20030074721A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid