KR20090026046A - 내부 챔버 상의 부산물 막 증착을 제어하기 위한 ｐｅｃｖｄ 시스템에서의 소스 가스 흐름 경로 제어 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전반적으로 챔버 벽들 및 슬릿 밸브 개구로부터 멀리 프로세싱 가스들의 흐름을 유도하는 방법 및 장치를 포함한다. 프로세싱 챔버 내에서 프로세스 가스들의 흐름 경로를 제어함으로써, 챔버 벽들 상부 및 슬릿 밸브 개구들 내부에 원치않는 증착이 감소될 수 있다. 슬릿 밸브 개구들에서의 증착을 감소시킴으로써, 박리가 감소될 수 있다. 챔버 벽들 상에서의 증착을 감소시킴으로써, 챔버 세정 시간 간격이 증가될 수 있다. 따라서, 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱 가스들의 흐름 유도는 기판 수율을 증가시킬 수 있다.

Description

내부 챔버 상의 부산물 막 증착을 제어하기 위한 ＰＥＣＶＤ 시스템에서의 소스 가스 흐름 경로 제어{SOURCE GAS FLOW PATH CONTROL IN PECVD SYSTEM TO CONTROL A BY-PRODUCT FILM DEPOSITION ON INSIDE CHAMBER}
본 발명의 실시예들은 전반적으로 프로세스 챔버 내에서 프로세스 가스들의 흐름을 제어하는 장치에 관한 것이다.
진공에서 기판을 처리할 때, 적절한 프로세싱 압력으로 프로세싱 챔버를 배기시키기 위해 진공 펌프가 사용된다. 이 경우, 진공 펌프는 원하는 프로세싱 압력을 유지하기 위해 프로세싱 챔버 속으로 주입되는 프로세싱 가스들을 지속적으로 배기시킨다. 진공 펌프는 프로세싱 챔버를 통해 진공 펌프로 유도되는 진공 펌프 포트로 프로세싱 가스들을 끌어당긴다.
증착 가스들과 같은 프로세싱 가스들은 프로세싱 챔버로 주입되어, 프로세싱 동안 노출된 챔버 부품들 상에 증착을 유도할 수 있다. 원치않는 챔버 부품들 상의 증착은 프로세싱 동안 부품 손상 또는 기판 오염을 유도할 수 있다. 부품이 손상될 때, 부품은 세정되거나 교체될 필요가 있다. 이러한 경우, 프로세싱 챔버는 부품의 액세스를 위해 중단될 필요가 있고, 이는 기판 수율의 감소를 유도한다.
따라서, 업계에서는 챔버 부품 손상을 감소시키도록 설계된 프로세싱 챔버가 요구된다.
본 발명은 전반적으로 챔버 벽들 및 슬릿 밸브 개구로부터 멀어지게 프로세싱 가스들의 흐름을 유도하는 방법 및 장치를 포함한다. 프로세싱 챔버 내에서 프로세스 가스들의 흐름 경로를 제어함으로써, 챔버 벽들 상에 그리고 슬릿 밸브 개구들 내부에서 원치않는 증착물이 감소될 수 있다. 슬릿 밸브 개구들에서의 증착을 감소시킴으로써, 박리(flaking)가 감소될 수 있다. 챔버 벽들 상에서의 증착을 감소시킴으로써, 챔버 세정 시간 간격을 증가시킬 수 있다. 따라서, 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱 가스들의 흐름의 유도(guiding)는 기판 수율을 증가시킬 수 있다.
일 실시예에서, 장치는 제 1 벽을 관통하는 슬릿 밸브 개구를 갖는 챔버 바디, 챔버 바디의 하나 이상의 벽들과 결합되는 하나 이상의 흐름 유도기들(guiders), 슬릿 밸브 개구 위에서 제 1 측벽과 결합되며 제 1 측벽과 연장되는 하나 이상의 흐름 차단기들, 및 슬릿 밸브 개구를 커버하는 위치와 제 2 위치 사이에서 이동가능한 도어를 포함한다. 하나 이상의 흐름 차단기들은 그를 관통하는 개구를 가지며 슬릿 밸브 개구와 실질적으로 정렬되는 흐름 유도기와 결합된다.
또 다른 실시예에서, 장치는 서셉터와 가스 분배 샤워헤드 사이의 프로세싱 영역을 둘러싸는 프로세싱 챔버 벽들로부터 연장되는 다수의 흐름 유도기들을 포함한다. 제 1의 다수의 흐름 유도기들은 그를 관통하는 개구를 가져 기판이 개구를 통과하게 허용한다. 또한, 장치는 제 1 흐름 유도기와 결합되며 프로세싱 영역으로부터 연장된는 하나 이상의 흐름 차단기들 및 개구의 차단 위치로부터 개구의 제 거(clear) 위치로 이동가능한 하나 이상의 도어들을 포함한다. 제 1 흐름 유도기는 하나 이상의 도어들과 프로세싱 영역 사이에 위치된다.
또 다른 실시예에서, 장치는 제 1 측벽을 통해 형성된 개구를 갖는 다수의 측벽들을 가지는 챔버 바디를 포함한다. 또한 장치는 제 1 측벽과 결합된 흐름 유도기를 포함한다. 흐름 유도기는 제 1 측벽에 있는 개구와 실질적으로 정렬되며 그를 관통하는 개구를 포함한다. 또한 장치는 슬릿 밸브 개구 위로 제 1 측벽과 흐름 유도기 사이에 결합되는 흐름 차단기를 포함한다. 흐름 차단기는 슬릿 밸브 개구 보다 큰 길이로 스패닝된다(span). 또한 장치는 흐름 유도기의 외부 표면이 서셉터의 측면과 정렬되도록 챔버 바디에 배치된 서셉터를 포함한다.
본 발명의 앞서 언급된 특징들을 본 발명의 보다 상세한 설명, 상기 간략한 설명을 통해 이해할 수 있도록, 첨부되는 도면에 도시된 몇 가지 실시예를 참조한다. 그러나 첨부되는 도면은 단지 본 발명의 전형적인 실시예만을 나타내는 것으로, 본 발명의 범주를 제한하고자 하는 것은 아니며, 본 발명은 등가적인 다른 실시예를 구현할 수 있다는 것을 주지해야 한다.
발명의 이해를 돕기 위해 도면에서 공통되는 동일한 부재들을 나타내는데 가능한 동일한 참조번호를 사용했다. 일 실시예에 개시된 부재들은 특정한 제한 없이 다른 실시예들에서 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명은 전반적으로 챔버 벽들 및 슬릿 밸브 개구로부터 멀리 프로세싱 가스들의 흐름을 유도하는 방법 및 장치를 포함한다. 프로세싱 챔버 내에서 프로세 스 가스들의 흐름 경로를 제어함으로써, 챔버 벽들 상부 및 슬릿 밸브 개구들 내에서의 원치 않는 증착이 감소될 수 있다. 슬릿 밸브 개구들에서의 증착을 감소시킴으로써, 박리가 감소될 수 있다. 챔버 벽들 상에서의 증착을 감소시킴으로써, 챔버 세정 시간 간격이 증가될 수 있다. 따라서, 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱 가스들의 흐름의 유도는 기판 수율을 증가시킬 수 있다.
본 발명은 캘리포니아 산타클라라의 어플라이드 머티리얼스 인코포레이티드의 자회사인 AKT 아메리카 인코포레이티드로부터 이용가능한 PECVD 챔버와 관련하여 하기에 예시적으로 설명된다. 본 발명은 물리적 기상 증착(PVD) 챔버들을 포함하며 프로세싱 가스들을 이용하는 임의의 챔버에 등가적으로 적용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 또한, 하기에 개시되는 본 발명은 PECVD 챔버들 및 다른 판매자들에 의해 팔리고 있는 다른 챔버들에도 등가적으로 적용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 1은 PECVD 장치(100)의 개략적 단면도이다. 장치(100)는 상부에 기판(106)을 가지는 서셉터(104)를 포함할 수 있다. 기판(106)은 샤워헤드(100)로부터 프로세싱 공간(116)에 걸쳐 배치될 수 있다. 프로세싱 공간(116)은 챔버 벽들(108), 샤워헤드(110), 및 기판(106) 또는 서셉터(104)에 의해 경계설정된다. 프로세싱 가스는 가스 소스로부터 백킹 플레이트(102)를 통해 공급되며, 여기서 프로세싱 가스는 샤워헤드(110)의 후방 표면(118)에 인접한 플레넘(114) 내에서 균일하게 분배될 수 있다. 다음 프로세싱 가스는 샤워헤드(110)의 후방 표면(118)으로부터 전방 표면(120)으로 연장되는 가스 통로들(112)을 통해 이동할 수 있다. 샤 워헤드(110)는 프로세싱 공간(116) 내에서 플라즈마를 점화시키거나 유지하기 위해 사용될 수 있는 전력원과 결합될 수 있다.
일단, 프로세싱 공간(116)에서, 프로세싱 가스 및 플라즈마는 분산되며 프로세싱 챔버의 노출된 모든 표면들과 접촉하게 된다. 진공 펌프는 화살표 "A"로 표시된 것처럼 서셉터(104) 아래로 플라즈마 및 프로세싱 가스를 끌어당긴다. 부가적으로, 플라즈마는 화살표 "B"로 표시된 슬릿 밸브(122) 부근으로 유인되어 슬릿 밸브(122) 상에서 증착될 수 있다. 슬릿 밸브(122) 상에 증착된 물질은 기판(106)을 삽입 및 제거하는 동안 슬릿 밸브(122)의 개방 및 폐쇄로 인해 박리될 수 있다. 부가적으로, 물질은 진공 펌프 속으로 그리고 서셉터(104) 아래의 챔버 영역에 증착될 수 있어 진공 펌프 및 장치(100) 사이의 다양한 접속부들 및 진공 펌프의 수명에 영향을 미칠 수 있다.
프로세싱 가스는 기판(106) 부근 영역에 부적절하게 포함되어, 프로세싱 챔버 전반에 분산될 수 있다. 프로세싱 가스는 프로세싱 챔버의 크기로 인해, 기판(106) 양단에 불균일하게 분포될 수 있어 기판(106)의 불균일한 프로세싱을 유도할 수 있다.
원치 않는 증착을 감소시키고 기판에 대한 프로세싱 가스의 보다 균일한 분배를 보장하기 위해, 하나 이상의 흐름 차단기들(blockers) 및/또는 하나 이상의 흐름 유도기들(guiders)이 사용될 수 있다. 도 2a는 하나 이상의 흐름 차단기들(228) 및 하나 이상의 흐름 유도기들(224)을 이용하는 본 발명의 일 실시예를 따르는 PECVD 장치(200)의 개략적 단면도이다. 흐름 유도기들(224)은 하나 이상의 마운트들(mounts)(236)에 의해 챔버 벽들(208)에 장착되며 서셉터(204)와 샤워헤드(210) 사이에 배치될 수 있다. 서셉터(204)는 그 상부에 기판(206)이 배치된 상승 위치로 나타낸다.
흐름 유도기들(224)은 인접한 흐름 유도기들(224) 사이에 갭을 가질 수 있다. 프로세스 가스 및 소정의 경우 플라즈마는 진공이 유인되고 유지됨에 따라 갭들을 통해 흐를 수 있다. 흐름 유도기들(224)은 프로세싱 동안 애노드로서 작용하도록 접지될 수 있다. 일 실시예에서, 샤워헤드(210)를 통해 진입하는 프로세싱 가스가 프로세싱 영역 내에서 실질적으로 집중되어 챔버 벽들(208) 및 증착을 원치않는 다른 영역으로 분산될 수 있는 플라즈마 및 프로세싱 가스의 양이 최소화될 수 있도록, 흐름 유도기들(224)의 높이는 기판(206)과 샤워헤드(210)의 바닥 표면 사이의 간격 보다 클 수 있다. 부가적으로, 흐름 유도기들(224)의 외부 에지는 실질적으로 서셉터(204)의 외부 에지와 함께 정렬되어 흐름 유도기들(224)의 외부 표면 및 서셉터(204)의 외부 에지는 실질적으로 동일한 수직 평면에 놓이게 된다. 또 다른 실시예에서, 흐름 유도기들(224)의 높이는 샤워헤드(210)의 바닥 표면과 기판(206) 사이의 간격과 실질적으로 동일할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 흐름 유도기들(224)의 높이는 샤워헤드(210)의 바닥 표면과 기판(206) 사이의 간격 보다 작을 수 있다.
실질적으로 챔버내에서 플라즈마 및 프로세스 가스의 흐름은 흐름 유도기(224)에 의해 측면들 상에서 경계설정된 프로세싱 영역 내에서 한정될 수 있다. 기판(206), 흐름 제어기들(224), 및 샤워헤드(210) 사이에서 가능한 많은 프로세싱 가스를 한정함으로써, 플라즈마 균일성은 증가하고 기판상에서 기판 기저(basis)로 일정한 증착이 이루어질 수 있다. 부가적으로, 흐름 유도기들(224)이 접지될 수 있기 때문에, 서셉터(204) 아래로 다가가는 플라즈마의 양이 감소될 수 있다. 화살표 "D"로 표시된 것처럼 서셉터(204)와 흐름 제어기들(224) 간의 간격은 이를 통해 프로세싱 가스가 유인되기에는 충분할 수 있으나, 갭을 통과할 수 있는 임의의 플라즈마가 접지되어 서셉터(204) 아래로 흐르기 이전에 진화되도록 하기에는 족히 작다. 진공 펌프는 흐름 유도기들(224) 사이의 갭들 및 화살표 "C"로 표시된 것처럼 흐름 유도기들(224)과 서셉터(204) 사이의 간격을 통해 프로세싱 가스를 유인할 수 있다. 흐름 유도기들(224)은 서셉터(204)로부터 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 흐름 유도기들(224)은 선택 위치에서 서셉터(204)와 결합되어 프로세싱 가스가 프로세싱 영역을 통해 흐름 유도기들(224)과 서셉터(204) 사이로 유인되게 한다. 흐름 유도기들(224)은 기판(206)이 화살표 "E"로 표시된 것처럼 프로세싱 위치에 있을 때, 기판(206)으로부터 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 서셉터(204)와 흐름 유도기들(224) 사이의 간격은 기판(206)이 프로세싱 위치에 있을 때 기판(206)과 흐름 유도기들(224) 사이의 간격과 실질적으로 동일하다.
하나 이상의 흐름 차단기들(228)은 슬릿 밸브 개구(222) 및, 슬릿 밸브 개구(222)로 흘러 슬릿 밸브 또는 슬릿 밸브 개구(222)로 유도되는 터널(238) 상에 증착될 수 있는 플라즈마 및 프로세싱 가스의 양을 감소시키기 위해 슬릿 밸브 개구(222)와 인접해 있는 흐름 유도기(224) 사이의 공간 위쪽에 배치될 수 있다. 하나 이상의 흐름 차단기들(228)은 터널(238)의 개구의 관련(relative) 상부와 샤워 헤드(228)의 바닥부 사이에 배치될 수 있다. 특히, 장치가 PECVD 장치가 아닌 경우, 하나 이상의 흐름 차단기들(228)이 터널(238)의 관련 상부와 프로세싱 챔버의 상부 또는 리드 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, PVD 챔버에서, 하나 이상의 흐름 차단기들(228)은 슬릿 밸브(222)으로 유도되는 개구의 관련 상부와 타겟 사이에 배치될 수 있다. 흐름 차단기들(228)은 개구(222)의 관련 상부로부터 슬릿 밸브 개구(222)로 진입할 수 있는 플라즈마 및 프로세싱 가스의 양을 감소시킬 수 있다. 일 실시예에서, 흐름 차단기들(228)은 슬릿 밸브 개구(222)를 가지는 측벽의 전체 길이에 대해 연장된다. 또 다른 실시예에서, 흐름 차단기(228)는 슬릿 밸브 개구(222)의 전체 길이 이상, 그러나 측벽의 전체 길이 미만으로 연장된다. 또 다른 실시예에서, 흐름 차단기들은 슬릿 밸브 개구(222)의 에지에 해당하는 위치들에서 수직으로 하향 연장되어, 적어도 슬릿 밸브 개구(222)의 길이 및 적어도 슬릿 밸브 개구(222)의 높이에 스패닝되는(span) 반전된 "U"자 형상 흐름 차단기가 형성된다. 프로세싱 가스 및 플라즈마가 반전된 "U"자 형상 흐름 차단기 아래에서 위로 덜 흐르게 됨에 따라 슬릿 밸브 터널(238)과 슬릿 밸브 개구(222) 아래에 있는 흐름 유도기(224) 사이의 영역은 개방이 유지될 수 있다.
기판이 장치(200)로 진입 및 배출될 수 있도록, 슬릿 밸브 개구(222)와 인접하게 배치된 흐름 유도기(224)는 개구(232)(도 2d 참조)를 가질 수 있다. 흐름 유도기(224)에서의 개구(232)는 슬릿 밸브 개구(222) 상에 프로세싱 가스 및 플라즈마가 증착되게 허용할 수 있다. 슬릿 밸브 개구(222)에 도달할 수 있는 프로세싱 가스 및 플라즈마의 양을 감소시키기 위해, 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어는 슬 릿 밸브 개구(222)로 유도되는 개구 및 개구(232)를 가지는 흐름 차단기(224) 사이에 배치될 수 있다. 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어는 기판(206)이 프로세싱 챔버내에 배치되고 서셉터(204)가 프로세싱 위치로 상승될 때마다 상승된 위치(도 2a에 도시됨)에 있을 수 있다. 유사하게, 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어는 서셉터(204)가 하강 위치에 있을 때 프로세싱 챔버로부터 기판(206)의 삽입 및 제거가 허용되도록 하강될 수 있다.
도 2b는 서셉터(204) 및 슬릿 밸브 라이너(226)가 하강된 도 2a의 PECVD 장치(200)의 개략적 단면도이다. 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어 및 서셉터(204)는 서셉터(204)와 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어의 상승 및 하강을 제어하는 액추에이터(230)와 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어 및 서셉터(204)는 동시적으로 상승 및 하강할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어 및 서셉터(204)는 독립적으로 상승 및 하강할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어 및 서셉터(204)는 서로 결합될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어 및 서셉터(204)는 개별 액추에이터(230)에 각각 결합될 수 있다.
도 2c는 도 2a의 PECVD 장치(200)의 개략적 상부도이다. 장치(200)는 각각의 벽(208)과 결합된 흐름 유도기(224)를 갖는 다수의 챔버 벽들(208)을 포함한다. 하나 이상의 마운트들(236)은 흐름 유도기들(224)과 챔버 벽들(208)을 결합시킬 수 있다. 흐름 유도기들(224)은 챔버 벽들(208)과 서셉터(204) 사이에 배치될 수 있다. 부가적으로, 하나 이상의 흐름 차단기(228)는 슬릿 밸브(222)에 인접한 흐름 유도기(224)와 챔버 벽(208) 사이에 배치될 수 있다. 하나 이상의 추가적인 흐름 차단기들(228)은 그 내부에 슬릿 밸브(222)가 배치된 벽(208)에 인접한 벽들(208)과 결합될 수 있다.
흐름 차단기들(228)은 슬릿 밸브 개구(222)를 향하는 플라즈마 및 프로세싱 가스의 흐름이 방해되도록 챔버내에 배치될 수 있다. 흐름 차단기(228)는 슬릿 밸브 개구(222)에 상응하는 챔버 벽(208)과 슬릿 밸브 개구(222)에 상응하는 흐름 유도기(224) 사이에서 흐를 수 있는 프로세싱 가스 및 플라즈마의 양을 감소시킬 수 있다. 흐름 차단기(228)는 슬릿 밸브 개구(222)에 도달할 수 있는 프로세싱 가스 및 플라즈마의 양을 감소시키는 것을 보조하기 위해 슬릿 밸브 개구(222)를 갖는 벽(208)에 대해 인접한 벽들(208) 상에 배치된다. 따라서, 흐름 차단기(228)는 배기 및 프로세싱 동안 슬릿 밸브 개구(222) 부근으로 프로세싱 가스 및 플라즈마의 흐름을 지향시킨다. 일 실시예에서, 하나 이상의 흐름 차단기들(228)은 측벽의 길이에 스패닝되는 단일 부품을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 흐름 차단기들(228)은 다수의 부품들을 포함한다.
도 2d는 도 2a의 흐름 유도기(224) 및 흐름 차단기(228)의 개략도이다. 도 2d는 챔버 벽(208) 및 흐름 유도기(224)와 결합된 흐름 차단기(228)를 나타낸다. 흐름 유도기(224)는 흐름 차단기의 폭과 실질적으로 동일한 간격만큼 슬릿 밸브 개구(222)로부터 이격된다. 슬릿 밸브 개구(222) 및 슬릿 밸브에 도달하는 프로세싱 가스 및 플라즈마의 양을 감소시키기 위해, 슬릿 밸브 라이너(226) 또는 도어가 챔버 벽(208)과 흐름 유도기(224) 사이의 위치로 상승되어 슬릿 밸브(222)에 대한 흐 름 유도기(224)의 개구(232)와 개구(234) 사이의 경로 시선이 존재하지 않는다. 흐름 유도기(224)의 개구(232)와 슬릿 밸브 개구(222) 사이의 시선 경로를 차단함으로써, 프로세싱 가스 및 플라즈마가 포선형 경로로 흐를 수 있어, 슬릿 밸브 개구(222) 또는 챔버 벽(208)에 도달하지 않을 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 흐름 유도기(302)의 개략도이다. 도 3b는 도 3a의 흐름 유도기(302)를 가지는 장치(300)의 개략도이다. 흐름 유도기(302)는 하나 이상의 개구들(306)을 가질 수 있다. 개구들(306)은 마운팅들(mountings)(310)과의 결합을 위해 또는 프로세싱 영역과 진공 펌프와의 결합을 위해 사용될 수 있다. 도 3b에서 볼 수 있듯이, 갭은 서셉터(304)와 흐름 유도기들(302) 사이에 제공될 수 있다. 부가적으로, 슬릿 밸브에 인접하게 배치된 흐름 유도기(302)는 기판의 삽입 및 제거를 허용하는 개구(308)를 가질 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 밸브 개구(408)를 차단하는 도어 어셈블리(400)의 부분 단면도이다. 도어(412)는 측벽(402)과 흐름 유도기(404) 사이에 배치되며 화살표 "F"로 표시된 것처럼 제어기(414)에 의해 수직으로 작동할 수 있다. 도어(412)는 슬릿 밸브 개구(408)를 차단하도록 이동할 수 있다. 도어(412)는 도어(412)가 프로세스 동안 흐름 차단기(406)에 인접해 있고 흐름 유도기(404)의 개구(410)로부터 교차하도록(accross) 수직으로 작동할 수 있다. 일 실시예에서, 흐름 차단기(406)는 제공되지 않는다.
도 4b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 슬릿 밸브 개구(424)를 차단하는 도어 어셈블리(420)의 부분 단면도이다. 도어(426)는 도어(426)가 벽(422)의 슬릿 밸브 개구(424)의 정면에서 (제어기(428)에 의해 제어됨에 따라) 피봇되도록 허용하는 힌지(hinge) 어셈블리(430)와 결합될 수 있다. 도어(426)는 슬릿 밸브 개구(424) 아래 위치에서 벽(422)과 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 흐름 차단기(432)는 제공되지 않는다.
도 4c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 벽(442)의 슬릿 밸브 개구(450)을 차단하는 도어 어셈블리(440)의 부분 단면도이다. 도어(448)는 슬릿 밸브 개구(446) 아래에 배치되는 힌지 어셈블리(450) 및 벽(442)에 결합된다. 도어(448)는 제어기(452)에 의해 제어될 때 힌지 어셈블리(450) 부근에서 피봇될 수 있다. 일 실시예에서, 흐름 차단기(444)는 제공되지 않는다.
흐름 유도기들 및 흐름 차단기들은 종래의 결합 수단에 의해 서로 그리고 챔버 벽과 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 흐름 유도기들과 흐름 차단기들은 알루미늄을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 흐름 유도기들고 흐름 차단기들은 양극산화된 알루미늄을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 흐름 유도기들 및 흐름 차단기들은 스테인레스 스틸을 포함한다. 일 실시예에서, 흐름 차단기들은 물질의 단일 부품을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 슬릿 밸브에 인접한 흐름 차단기들 및 흐름 유도기들은 물질의 단일 부품을 포함할 수 있다.
흐름 유도기들, 흐름 차단기들, 및 슬릿 밸브 라이너들을 이용함으로써, 챔버 벽들 및 슬릿 밸브 상의 원치않는 증착이 감소될 수 있다. 원치않는 증착이 감소됨으로써, 프로세싱 챔버들은 세정이 덜 요구되어, 중단시간이 감소된다. 프로세싱 챔버 중단시간을 감소시킴으로써 기판 수율이 증가될 수 있다.
지금까지는 본 발명의 실시예에 대해 설명하였으나, 본 발명의 다른 추가의 실시예들은 첨부되는 청구항들에 의해 한정되는 본 발명의 기본 사상 및 범주를 이탈하지 않고 고안될 수 있다.
도 1은 플라즈마 강화 화학적 기상 증착(PECVD) 장치의 개략적 단면도.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 PECVD 장치의 개략적 단면도.
도 2b는 서셉터와 슬릿 밸브 라이너가 하강된 도 2a의 PECVD 장치의 개략적 단면도.
도 2c는 도 2a의 PECVD 장치의 개략적 상부도.
도 2d는 도 2a의 흐름 유도기와 흐름 차단기의 개략도.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 흐름 유도기의 개략도.
도 3b는 도 3a의 흐름 유도기를 가지는 장치의 개략도.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 밸브 개구를 차단하는 도어 어셈블리의 부분 단면도.
도 4b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 슬릿 밸브 개구를 차단하는 도어 어셈블리의 부분 단면도.
도 4c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 슬릿 밸브 개구를 차단하는 도어 어셈블리의 부분 단면도.

Claims (15)

  1. 제 1 측벽을 관통하는 슬릿 밸브 개구를 가지는 챔버 바디;
    상기 챔버 바디의 하나 이상의 측벽들과 결합되는 하나 이상의 흐름 유도기들;
    상기 슬릿 밸브 개구 위에서 상기 제 1 측벽과 결합되며 상기 제 2 측벽으로부터 연장되는 하나 이상의 흐름 차단기들 - 상기 하나 이상의 흐름 차단기들은 그를 관통하는 개구를 가지며 상기 슬릿 밸브 개구와 실질적으로 정렬되는 흐름 유도기와 결합됨 - ; 및
    상기 슬릿 밸브 개구를 커버하는 위치와 제 2 위치 사이에서 이동가능한 도어
    를 포함하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도어는 상기 제 1 측벽과 피봇가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 도어는 수직 평면으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 흐름 차단기들은 상기 슬릿 밸브 개구 전체에 대해 연장되는 길이에 스패닝되는(span) 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    인접한 측벽들 상에 있는 상기 흐름 유도기들은 이격되는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 서셉터와 기판 분배 샤워헤드 사이의 프로세싱 영역을 둘러싸도록 프로세싱 챔버 벽들로부터 연장되는 다수의 흐름 유도기들 - 제 1의 상기 다수의 흐름 유도기들은 상기 다수의 흐름 유도기들을 관통하는 개구를 가져 기판이 이를 통과하도록 허용함 - ;
    상기 제 1 흐름 유도기와 결합되며 상기 프로세싱 영역으로부터 멀리 연장되는 하나 이상의 흐름 차단기들; 및
    상기 개구 차단 위치에서 상기 개구 제거 위치로 이동가능한 하나 이상의 도어들 - 상기 제 1 흐름 유도기는 상기 하나 이상의 도어들과 상기 프로세싱 영역 사이에 배치됨 -
    을 포함하는, 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 도어는 상기 제 1 측벽과 피봇가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 도어는 수직 평면에서 이동가능한 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 흐름 차단기들은 전체 개구에 대해 연장되는 길이에 스패닝되는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 1 측벽을 통해 형성된 개구를 가지는 다수의 측벽들을 포함하는 챔버 바디;
    상기 제 1 측벽과 결합되는 흐름 유도기 - 상기 흐름 유도기는 상기 흐름 유도기를 관통하는 개구를 가지며 상기 제 1 측벽의 개구와 실질적으로 정렬됨 - ;
    상기 슬릿 밸브 개구 위에서 상기 제 1 측벽과 상기 흐름 유도기 사이에서 결합되는 흐름 차단기 - 상기 흐름 차단기는 상기 슬릿 밸브 개구 보다 큰 길이로 걸쳐있음 -; 및
    상기 흐름 유도기의 외부 표면이 상기 서셉터의 측면과 정렬되도록 상기 챔버 바디에 배치되는 서셉터
    를 포함하는, 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 챔버 바디의 다수의 측벽들과 결합되는 다수의 흐름 유도기들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 14 항에 있어서,
    인접한 측벽들 상의 상기 흐름 유도기들은 이격되는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 챔버 바디 내에 배치되며 상기 슬릿 밸브 개구를 차단하는 위치와 상기 슬릿 밸브 개구가 제거되는 위치 사이에서 이동가능한 도어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 도어는 상기 제 1 측벽과 피봇가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 도어는 수직 평면으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 장치.
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