KR20090025664A - 갭 필 능력이 개선된 반도체 미세 갭 필용 유기실란계중합체 및 이를 이용한 반도체 미세 갭 필용 조성물 - Google Patents

갭 필 능력이 개선된 반도체 미세 갭 필용 유기실란계중합체 및 이를 이용한 반도체 미세 갭 필용 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 갭 필(gap-fill) 능력이 우수한 반도체 미세 갭 필용 유기실란계 중합체 및 이를 포함하는 조성물에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여 직경이 70　nm 이하이며, 높이/직경으로 나타나는 아스팩트비가 1 이상인 홀을 갖는 반도체 기판에 일반적인 스핀코팅 방법으로 공기 보이드(void) 등의 결함　없이 완전한 갭 필이 넓은 분자량 범위에서 가능하며, 베이킹(baking)에 의한 경화 후에 불산 수용액 처리에 의해서 홀 내부에서 잔유물 없이 깨끗이 제거될 수 있으며, 보관안정성이 우수한　조성물을 제공한다.
　　　　　
갭 필(gap-fill), 유기실란, 스핀코팅, 불산, 보관안정성

Description

갭 필 능력이 개선된 반도체 미세 갭 필용 유기실란계 중합체 및 이를 이용한 반도체 미세 갭 필용 조성물 {Organosilane Polymer With Improved Gap-Filling Property for Semiconductor Device and Coating Compositions using thereof}
본　발명은 갭 필 능력이 탁월한 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 이를 이용한 조성물에 관한 것이다.
　
　본 발명의 반도체 미세 갭 필용 코팅 조성물은 아래의 특성을 갖는 것이 중요하다. 즉, (1) 일반적인 스핀코팅에 의해 높이/직경으로 나타나는 아스팩트비가 1 이상이며 직경이 70 nm 이하인 홀을 완전히 충진 가능하며 기판을 일정한 두께로 평탄화 할 수 있을 것, (2) 홀 중에 충전된 상기 막에 공기 보이드나 틈이 존재하지 않을 것, (3) 기판상의 홀의 조밀 여부와 상관없이 코팅 후 막의 두께가 일정할 것, (4) 상기의 평탄화된 막은 열 경화 후　불산 수용액 처리에 의하여 홀 내부에 잔유물이 전혀 남지 않고 원하는 속도로 제거가　가능할 것,　(5) 보관안정성이 좋을 것 등 다섯 가지　특징을 만족하여야 한다.
상기 특성 중에서도 반도체 미세 갭 필에서 가장 기본적인 성질인 갭 필 능력은 조성물 내에 존재하는 중합체의 분자량에 크게 의존한다. 일반적으로 갭 필은 중합체의 분자량이 작을수록 유리해지는 경향을 나타내기 때문에, 갭 필이 완벽하게 이루어질 수 있는 분자량이 크면 클수록 반도체 미세 갭 필용 중합체 또는 조성물의 갭 필 능력은 우수하다고 할 수 있다.
　
종래에는 반도체 미세 갭 필을 위하여 탄소계열의 중합체를 사용하였으나 반도체 디바이스(device)의 미세화가 진행되면서 홀의 사이즈가 70 nm 이하로 작아지게 되었는데 기존의 탄소계열 중합체를 사용할 경우 탄소계열 중합체를 제거하는 마지막 애싱(ashing) 단계에서 홀 내부의 표면이 거칠어져 후속공정인 유전물질의 도포가 어려워지는 단점을 가지게 되었다. 따라서, 애싱 단계를 생략하여 공정설비 단가를 낮추는 한편, 홀 패턴의 옥사이드를 제거하기 위한 불산 수용액에 의한 습식 에칭 단계에서 반도체 미세 갭 필 물질을 동시에 효과적으로 제거할 수 있는 새로운 유기실란계 중합체 및 이를 이용한 조성물이 요구되어 졌다. 또한, 보다 작은 홀에서 갭 필 능력이 탁월한 중합체 또는 조성물에 대한 요구는, 반도체 미세화의 급격한 진전에 따라 시급한 실정이며 앞으로도 계속 진행될 것이다.
또한 그러한 갭 필 능력에 대한 마진(margin)은 갭 필이 완전히 이루어질 수 있는 중합체의 분자량 범위에 크게 의존하므로, 상기의 조건을 만족하는 새로운 중합체의 발견은 매우 중요하다고 할 수 있다.
본 발명은 갭 필 능력이 우수하고, 베이킹에 의한 경화 후에 불산 수용액 처리에 의해서 홀 내부에서 쉽게 제거될 수 있는 새로운 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 이를 포함하는 조성물을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 　
　
본 발명에서는 (1)하기 화학식 1로 표시되는 화합물; (2)하기 화학식 2로　표시되는 화합물; 및 (3)하기 화학식 3로　표시되는 화합물과　하기 화학식 4로 표시되는 화합물로　이루어진 군으로부터 선택되어지는 1 이상의 화합물로부터 생성되는 가수분해물들의 축중합체를 포함하는　반도체 미세 갭 필용 중합체를　제공한다.
　
[화학식 1]
[RO]3Si-[CH2]n-Si[OR]3
( n: 0~2, R: 탄소수 1~6의 알킬기)
[화학식 2]
[RO]3Si-[CH2]nX
(X:　탄소수 6~12의 아릴기, n: 0~2, R: 탄소수 1~6의 알킬기)
[화학식 3]
[RO]3Si-CH3
(R: 탄소수 1~6의 알킬기)
[화학식 4]
[RO]3Si-H
(R: 탄소수 1~6의 알킬기)
　
　또한, 본 발명의 다른 측면은 반도체 미세 갭 필용 조성물에 관한 것으로, 상기　반도체 미세 갭 필용 중합체 및 용매를 포함하는　것을 특징으로 한다.
　
그리고, 상기 조성물은 가교제 및 산촉매를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 조성물은 안정제　및 계면활성제 중 어느 하나 이상을 추가로 더 포함할 수 있다.
　
　본 발명의 반도체용 갭 필용 조성물은 아스팩트비가 1 이상인 홀을 갖는 반도체 기판에 대해 스핀코팅 방법으로 완전한 갭 필(gap-fill)이 가능하고, 베이킹(baking)에 의한 경화 후에 불산 수용액 처리에 의해서 홀 내부에서 잔유물 없이 깨끗이 제거될 수 있으며, 보관안정성이 우수하다. 따라서, 본 발명의 반도체용 갭 필용 조성물은 반도체 디바이스의 제조용으로서 매우 적합하다.
　
　본 발명의 　반도체 미세 갭 필용 중합체는 (1)하기 화학식 1로 표시되는 화합물; (2)하기 화학식 2로　표시되는 화합물; 및 (3)하기 화학식 3로　표시되는 화합물과　하기 화학식 4로 표시되는 화합물로　이루어진 군으로부터 선택되어지는 1 이상의 화합물로부터 생성되는 가수분해물들의 축중합체를 포함한다.
　
[화학식 1]
[RO]3Si-[CH2]n-Si[OR]3
(n: 0~2, R: 탄소수 1~6의 알킬기)
[화학식 2]
[RO]3Si-[CH2]nX
(X: 탄소수 6~12의 아릴기, n: 0~2, R: 탄소수 1~6의 알킬기)
[화학식 3]
[RO]3Si-CH3
(R: 탄소수 1~6의 알킬기)
[화학식 4]
[RO]3Si-H
(R: 탄소수 1~6의 알킬기)
　
상기 축중합체의 일실시예로는 하기 화학식 5로 나타내어지는 화합물일 수 있다.
Figure 112007064977633-PAT00001
　본 발명의 일 실시예의 축중합체는　화학식 1, 2　및 3으로　표시되는 화합물의 합을　100중량부라 할때 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 내지 90중량부, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 　5 내지 90중량부 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 5 내지 90중량부의 혼합물을 5 내지 900중량부의 용매 하에서 반응시켜 생성된 가수분해물들의 축합반응물일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예의 축중합체는 화학식 1, 2, 3 및 4로　표시되는 화합물의 합을　100중량부라 할　때 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 내지 85중량부, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 　5 내지 85중량부, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 5 내지 85중량부 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물 5 내지 85중량부의 혼합물을 5 내지 900중량부의 용매 하에서 반응시켜 생성된 가수분해물들의 축합반응물일 수 있다.
　
상기 화학식 1 화합물의 조성이 증가함에 따라서 최종 가수분해물 또는 축합반응물의 친수성을 높일 수 있으며 패턴이 형성된 기판이 친수성을 띨수록 유리하게 그 함량을 증가시킴으로써 갭 필 능력을 상승시킬 수 있다.
상기 화학식 2　화합물이 포함하는 아릴그룹은 그 함량을 조절함에 따라 건식 에칭이 필요할 경우 그 에칭속도를 제어할 수 있으며, 아릴그룹의 함량이 증가함에 따라 건식 에칭 속도가 감소하는 경향을 부여할 수 있다. 또한, 화학식2 화합물의 함량을 증가시킬 경우 가수분해 및 축합반응시 반응콘트롤을 용이하게 하여 겔화를 방지하는데 기여하고 코팅성이 양호해진다.
상기 화학식 3　또는 화학식 4 화합물의 조성이 증가함에 따라　상대적으로 실리콘(Si) 함량을 높일 수 있다. 실리콘 함량을 조절함에 따라 불산수용액에 대한 습식에칭속도를 조절할 수 있다. 예를 들면 실리콘 함량이 증가함에 따라 습식에칭속도가 증가하는 경향을 나타낸다.
　
상기 반도체 미세 갭 필용 중합체는 1,000~100,000의 중량평균 분자량을 가지는 것을 특징으로 한다.　보다 바람직하게는　1,000~30,000의 중량평균 분자량을 가지며, 이는 이전에 보고된 바 없는 매우 넓은 범위의 분자량 분포로서 우수한 갭 필 능력을 가지는 것을 특징으로 한다.
　
또한, 본 발명의 다른 측면은 반도체 미세 갭 필용　조성물에 관한 것으로, 상기 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 용매를 포함한다.
본 발명의 반도체 미세 갭 필용　조성물에서 상기 반도체 미세 갭필용 중합체가 전체 조성물에 대해 1~50 중량부인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 1~30중량부를 포함한다.
　
상기 조성물에서 용매는 단독 또는 　2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 적어도 하나는 고비등 용매를 사용한다. 고비등 용매는 보이드(void)를 방지하며, 필름을 저속도 건조화 함으로써 평탄성을 향상시킨다.
본 발명에서 상기 용매로는 알콜, 에스테르, 에테르, 사이클릭 케톤류로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기용매를 사용하는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸-3-에톡시 프로피오네이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜디메틸에테르아세테이트, 1-메톡시-2-프로판올, 에틸 락테이트, 시클로펜타논, 히드록시초산에틸 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 　상기 용매의 양은 코팅 두께를 얻기 위해 반응에 사용되는 반도체 미세 갭 필용 중합체 100 중량부 당 100 내지 3,000 중량부를 사용하는 것이 바람직하다.　또한 상기 반도체 미세 갭 필용 중합체의 용해도를 향상시키기 위하여 알콜류를 첨가할 수 있다.
　
본 발명의 반도체 미세 갭 필용　조성물은 상술한 바와 같이 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 용매를 포함한 경우,　조성물 코팅 후 베이킹에 의해 중합체 내의 가교결합이 일어남으로써 경화될 수 있다.
한편, 본 발명의 반도체 미세 갭 필용　조성물은 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 용매 외에 가교제 및 산촉매를 추가로 포함할 수 있다. 이때, 추가의 가교제에 의해 경화가 촉진된다.
상기 가교제는 멜라민계, 치환요소계, 에폭시기를 함유한 폴리머계 및 이들로부터 유도된 화합물인 것을 특징으로 한다.　반도체 미세 갭 필용 조성물 중 상기 가교제는 반도체 미세 갭 필용 중합체 100 중량부 당 0.1 내지 30 중량부 포함되는 것을 특징으로 한다.
　
상기 산촉매는 무기산(mineral acid), 술폰산(sulfonic acid), 옥살산(oxalic acid), 말레산(maleic acid), 핵사믹시클로헥실술폰산(hexamic cyclohexylsulfonic acid), 프탈산(phthalic acid) 중 선택된 어느 하나 이상의 산인 것을 특징으로 한다.반도체 미세 갭 필용 조성물 중 상기 산촉매는 반도체 미세 갭 필용 중합체 100 중량부 당 0.01 내지 10 중량부 포함되는 것을 특징으로 한다.
　
또한　본 발명은 상기 산촉매　또는 자연경화에 의하여　보관안정성이 저해될 수 있는 가능성을 방지하기 위하여　가교제 및 산촉매가 포함되어 있거나 포함되어 있지 아니한 각각의 반도체 미세 갭 필용 조성물에 추가로 안정제를　첨가할 수도 있다.　상기 안정제로는 유기 또는 무기 무수물이 사용될 수 있으며 반도체 미세 갭 필용 중합체 100중량부 당 0.01 내지 10 중량부 포함되는 것을 특징으로 한다.
　
한편, 본 발명의 반도체 미세 갭 필용 조성물에서는 반도체 미세 갭 필용 중합체　및 용매에 부가적으로 분산성, 막 두께 균일성 및 반도체 미세 갭 필 특성을 향상시키기 위하여 계면활성제를 추가할 수 있다. 또한, 상기 가교제　및　산촉매가 추가된 조성물에도 동일한 효과를 얻기 위하여 계면활성제를 추가할 수 있다.　계면활성제로는, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌블럭코폴리머류, 솔비탄모노라우레이트, 솔비탄모노팔미테이트, 솔비탄모노스테아레이트, 솔비탄모노올레이에트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리올레이에이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌솔비탄지방산 에스테르 등의 노니온계 계면활성제, 에프톱EF301, EF303, EF352((주)토켐프로덕츠 제조), 메가팩F171, F173(다이닛폰잉크(주) 제조), 프로라드FC430, FC431(스미토모쓰리엠(주) 제조), 아사히가드AG710, 샤프론S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(아사히가라스(주) 제조) 등의 불소계 계면활성제, 오르가노실록산폴리머KP341(신에쯔카가쿠고교(주) 제조) 등과 기타 실리콘계 계면활성제를　들 수 있다. 이들 계면활성제는 본 발명 조성물의 전 고체분　합계량 100 중량부 당 0.001~5 중량부의 비율로 첨가하는 것이 바람직하다. 이들 계면활성제는 단독으로 첨가해도 되고, 또한 2종 이상의 조합으로 첨가할 수도　있다.
　
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것이므로 본 발명의 보호범위를　제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
　
[실시예　1]
기계교반기, 냉각관, 적가 깔대기, 질소가스 도입관을 구비한 3 L의 4구 플라스크에 비스트리에톡시실릴에탄(bis(triethoxysilyl)ethane) 488 g과 메틸트리메톡시실란(methyltrimethoxysilane) 150 g과 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane) 55 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트　1617 g과 에탄올 234 g에 용해시킨 후 1000 ppm 질산 수용액 156 g을 용액에 첨가하였다. 그 후, 50도에서 1시간 반응시킨 후, 음압을 가하여 생성된 메탄올(methanol)을 제거하였다. 50도로 반응온도를 유지하면서 반응을 15일　동안 진행시킨 후,　반응을 종결하여　중량평균분자량이 약 15,000인 중합체 A를　얻었다.　얻어진 중합체 A 10 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트　100 g에 넣어 충분히 교반하여 희석시킴으로써 반도체용 미세 갭 필 조성물 용액을 제조하였다.　
　
[실시예 2]
실시예 1에서 만들어진 중합체 A　10 g을　프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트　100　g에　넣어 충분히 교반하여 희석용액을 만들었다.　이 희석용액에 멜라민계 수지 (Cymel 303LF, 美 Cytec社 제품)　1 g과 피리디늄 p-톨루엔술포네이트(pyridinium p-toluenesulfonate) 0.1 g을 넣어　반도체용 미세 갭 필 조성물 용액을 제조하였다.
　
[비교예 1]
기계교반기, 냉각관, 적가 깔대기, 질소가스 도입관을 구비한 3 L의 4구 플라스크에 메틸트리메톡시실란(methyltrimethoxysilane) 780 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트　1820　g에 용해시킨 후 1000 ppm 질산 수용액 216 g을 용액에 첨가하였다. 그후, 50도에서 1시간 반응시킨 후, 음압을 가하여 생성된 메탄올(methanol)을 제거하였다. 80도로 반응온도를 유지하면서, 반응을 15일　동안 진행시켰다. 반응을 종결하고, 헥산(hexane)을 가하여 침전으로 떨어진 폴리머를 걸러내어 중량평균분자량이 약 15,000인　중합체 B를　얻었다.　얻어진 중합체 B　10 g을　프로필렌글리콜프로필에테르　100　g에　넣어 충분히 교반하여 반도체용 미세 갭 필 조성물 용액을 제조하였다.
　
[비교예 2]
중량평균분자량이 약 15,000인　페놀-노볼락 수지 10 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트　100　g에 넣어 충분히 교반하여 반도체용 미세 갭 필 조성물 용액을 제조하였다.
　
상기한 각 실시예 및 비교예의 반도체용 미세 갭 필 조성물 용액에 대해서, 아래의 방법에 의해, 갭 필　특성, 불산 수용액에 의한 제거성능, 보관안정성(분자량 변화, 코팅두께　변화)을 시험하고 그 결과를 표 1에 표시하였다.
　
(1) 갭 필 특성
직경 68　nm이고, 높이가 1600 nm인 홀을 갖는 실리콘 패턴 웨이퍼에 동일한 도포 조건에서 스핀 코팅하고 240　℃에서 50초간 베이크하여 경화시킨 후, 웨이퍼의 단면을 주사전자현미경으로 관찰하였다. 홀에 채워진 상기 조성물이 보이드 등의 결함 없이 완전히　충진 되었는지 확인하였다.　보이드가 전혀 관찰되지 않은 경우를 매우 양호, 보이드로 판단하기 힘들거나 극소의 보이드가 관찰되었을 경우를 보통, 다수의 보이드가 관찰되었을 경우를 불량으로 판단하였다.
　
(2) 불산 수용액에 의한 제거성능
직경 68　nm이고, 높이가 1600 nm인 홀을 갖는 실리콘 패턴 웨이퍼에 동일한 도포 조건에서 스핀 코팅하고 240　℃에서 50초간 베이크하여 경화시킨 후, 6.6% 불산수용액 (암모늄플로라이드 버퍼용액)에 30분간 담궜다가 증류수로 세척하고 충분히 건조시켰다. 그 후, 웨이퍼의 단면을 주사전자현미경으로 관찰하였으며, 홀에 채워진 상기 조성물이 잔류하는지를 확인하였다. 이때 불산 수용액 농도는 6.6%이 고, 온도는 23.0℃이었다.
　
(3) 보관안정성 (분자량　변화)
상기 조성물을 제조 한 후 40 ℃에서 30일간 보존한 시료를 준비하여 각각의 분자량을　측정하고 상기 조성물을 제조 직후에 측정한 분자량과　비교하여, 분자량의 차이가 5% 이내인 경우를 양호, 5%를 초과했을 경우를 불량으로 평가하였다.
　
(4) 보관안정성 (막두께　변화)
상기 조성물을 제조 한 후 40 ℃에서 30일간 보존한 시료를 준비하고, 각각 8인치 실리콘웨이퍼에 동일한 도포조건에서 스핀 코팅하고 240 ℃에서 50초간 베이크하여 도포막을 　형성시켰다. 각각의 막두께를 측정하고 상기 조성물을 제조 직 후에 측정한 막두께와 비교하여, 막두께의 차이가 5% 이내인 경우를 양호, 5%를 초과했을 경우를 불량으로 평가하였다.
　 갭 필 특성 불산 수용액에 의한 제거성능 보관안정성
분자량　변화 막두께　변화
실시예 1 매우 양호 양호 양호 양호
실시예 2 매우 양호 양호 양호 양호
비교예 1 보통 양호 양호 양호
비교예 2 불량 불량 양호 양호
상기 표로부터, 본 발명의 반도체용 갭 필용 조성물 용액은 직경이 70　nm 이하이며, 높이/직경으로 나타나는 아스팩트비가 1 이상인 홀을 갖는 반도체 기판에 스핀코팅 방법으로 공기 보이드 등의 결함없이 갭 필(gap-fill)이 가능했다. 또한, 베이킹(baking)에 의한 경화 후에 불산 수용액 처리에 의해서 홀 내부에서 잔유물 없이 깨끗이 제거될 수 있었으며, 보관안정성이 우수하였다.
　

Claims (17)

  1. (1)하기 화학식 1로 표시되는 화합물; (2)하기 화학식 2로　표시되는 화합물; 및
    (3)하기 화학식 3로　표시되는 화합물과　하기 화학식 4로 표시되는 화합물로　이루어진 군으로부터 선택되어지는 1 이상의 화합물로부터 생성되는 가수분해물들의 축중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭필용　중합체 .
    　
    [화학식 1]
    [RO]3Si-[CH2]n-Si[OR]3
    (n: 0~2, R: 탄소수 1~6의 알킬기)
    　
    [화학식 2]
    [RO]3Si-[CH2]nX
    (X: 탄소수 6~12의 아릴기, n: 0~2, R: 탄소수 1~6의 알킬기)
    　
    [화학식 3]
    [RO]3Si-CH3
    (R: 탄소수 1~6의 알킬기)
    　
    [화학식 4]
    [RO]3Si-H
    (R: 탄소수 1~6의 알킬기)
    　
  2. 제 1항에 있어서, 상기 축중합체는 하기 화학식 5로 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭필용　중합체.
    Figure 112007064977633-PAT00002
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 축중합체는 화학식 1, 2 및 3으로　표시되는 화합물의 합을　100중량부라 할때 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 내지 90중량부, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 　5 내지 90중량부 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 5 내지 90중량부의 혼합물을 5 내지 900중량부의 용매 하에서 반응시켜 생성된 가수분해물들의 축중합체인　것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 중합체.
    　
  4. 제 1　항에 있어서, 상기 축중합체는 화학식 1, 2, 3 및 4로　표시되는 화합물의 합을　100중량부라 할때 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 내지 85중량부, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 　5 내지 85중량부, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 5 내지 85중량부 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물 5 내지 85중량부의 혼합물을 5 내지 900중량부의 용매 하에서 반응시켜 생성된 가수분해물들의 축중합체인　것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 중합체.
    　
  5. 제 1항에 있어서, 상기 축중합체는 1,000~100,000의 중량평균 분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 중합체.
    　
  6. 제 1항 기재의 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
    　
  7. 제 6항에　있어서, 상기 반도체 미세 갭 필용　조성물에서 반도체 미세 갭필용 중합체가 전체 조성물에 대해 1~50 중량부 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.　　
    　
  8. 제 6항에 있어서, 가교제 및 산촉매를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
    　
  9. 제 8항에 있어서, 상기 가교제는 멜라민계, 치환요소계, 에폭시기를 함유한 폴리머계 및　이들로부터 유도된 화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 가교제는 상기 반도체 미세 갭 필용 중합체 100 중량부 당 0.1 내지 30 중량부 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
    　
  11. 제 8항에 있어서, 상기 산촉매는 무기산(mineral acid), 술폰산(sulfonic acid), 옥살산(oxalic acid), 말레산(maleic acid), 핵사믹시클로헥실술폰산(hexamic cyclohexylsulfonic acid), 및 프탈산(phthalic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
    　
  12. 제 8항에 있어서, 상기 산촉매는 상기 반도체 미세 갭 필용 중합체 100 중량부 당 0.01 내지 10 중량부 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
    　
  13. 제 6항　또는 제8항에 있어서, 유기 또는 무기 무수물　중에서 선택된 어느 하나 이상의 안정제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
    　
  14. 제 13항에 있어서, 상기 안정제는 상기 반도체 미세 갭 필용 중합체 100 중량부 당 0.01 내지 10 중량부 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
    　
  15. 제 6항에 있어서, 상기 유기용매는 알콜, 에스테르, 에테르, 및 사이클릭 케톤류로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
    　
  16. 제 6항에 있어서, 상기 유기 용매는 상기 반도체 미세 갭 필용 중합체 100 중량부 당 100 내지 3,000 중량부 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
    　
  17. 제 6항　또는 제8항에 있어서, 추가로 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 미세 갭 필용 조성물.
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