KR20090023117A - 액정 장치, 액정 장치의 구동 방법, 액정 장치 구동용 집적회로 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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카즈마 키타다니
다이스케 사토
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

초기 시퀀스(sequence)를 실행함으로써 액정의 액정 분자의 배향 상태를 스플레이(splay) 배향으로부터 벤드(bend) 배향으로 전이(transition)시켜 표시 또는 광변조를 행하는 액정 장치로서, 초기 시퀀스는, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스와, 벤드 전이 확대 시퀀스를 포함하고, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서는, 화소 전극과 주사선과의 사이의 전위차에 의해 횡전계를 발생시킴과 함께, 바람직하게는, 화소 전극과 대향 전극과의 사이의 전위차를 없애 종전계(vertical electric field)가 생기지 않도록 하고, 횡전계(horizontal electric field)만을 이용하여 벤드 전이 핵을 형성하고, 그리고, 벤드 전이 확대 시퀀스에서는, 화소 전극과 대향 전극과의 사이의 전위차에 의해 종전계를 발생시켜, 종전계에 의해 벤드 전이를 확대한다.
스플레이 배향, 벤드 배향, 횡전계, 종전계

Description

액정 장치, 액정 장치의 구동 방법, 액정 장치 구동용 집적 회로 장치 및 전자 기기{LIQUID CRYSTAL DEVICE, DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DEVICE, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS}
본원에는, 2007년 08월 31일에 출원된 일본특허출원 제2007－226376호 및 2007년 09월 19일에 출원된 일본특허출원 제2007－242288호의 내용이 포함된다.
본 발명은, 액정 장치(예를 들면, OCB 액정을 사용한 액정 장치), 액정 장치의 구동 방법, 액정 장치 구동용 집적 회로 장치 및 전자 기기 등에 관한 것이다.
액정 텔레비전이나 액정 프로젝터로 대표되는 액정 장치의 분야에서는, 정지화면은 물론 동영상의 화질 향상이 요구되고 있고, 액정 장치의 응답 속도를 높게 하는 것이 불가결하다. 최근에는, 응답 속도가 빠른 OCB(Optical　Compensated　Bend) 액정 장치가 주목받고 있다.
OCB 액정을 이용한 액정 장치(이하, OCB 액정 장치라고 함)는, 초기 상태와 표시 동작 상태에서 액정 분자의 배향이 변화하도록 되어 있다. 초기 상태에서는 액정 분자의 배향이 2매의 기판간에 스플레이(splay) 형상으로 열리도록 규제되고 (스플레이 배향), 표시 동작 상태에서는 액정 분자의 배향이 2매의 기판간에 활 모양으로 구부러지도록 규제된다(벤드(bend) 배향).
OCB 액정 장치로 화상 표시나 광변조를 행하는 경우에는, 벤드 배향 상태에서 구동 전압을 인가한다. 벤드 배향 상태에서는, 전압을 인가했을 때에 액정 분자의 배향이 전환되는 시간이 TN 모드나 STN 모드의 경우에 비하여 짧아져, 액정층의 광투과율을 단시간에 변화시킬 수 있어, 고속 응답이 가능해진다.
OCB 액정은, 전압이 인가되어 있지 않은 상태에서는, 스플레이 배향 상태로서, 예를 들면 고전압을 인가함으로써 벤드 배향 상태가 된다. OCB 액정 표시 장치로, 표시 동작시에는, 액정 분자를 벤드 배향으로 할 필요가 있고, 액정 분자의 배향을 스플레이 상태로부터 벤드 배향 상태로 변화시키기 위해서는, 초기 시퀀스(sequence)를 실행할 필요가 있다.
초기 시퀀스에는, 벤드 전이(transition) 핵 형성 시퀀스와 벤드 전이 확대 시퀀스가 포함된다. 즉, 우선, 벤드 전이를 위한 핵(벤드 전이 핵)을 형성하고(벤드 전이 핵 형성), 다음으로, 그 전이를 주위로 전파시킨다(벤드 전이 확대).
이 초기 시퀀스가 완전히 행해지지 않으면, 표시 불량의 원인이 된다. OCB 액정 장치의 초기 시퀀스의 일 예는, 예를 들면, 일본공개특허공보 제2001－83479호에 기재되어 있다.
OCB 액정 장치의 초기 시퀀스(벤드 전이 핵 형성 시퀀스 및 벤드 전이 확대 시퀀스)를 실행하는 경우, 일반적으로는, 고전압의 인가나, 복잡한 구동 시퀀스가 필요하다.
따라서, 액정 드라이버로서 고내압 소자(high-voltage device)가 필요하게 되어, 드라이버 IC의 제조를 할 때에, 점유 면적이 증대하여, 제조 프로세스가 복잡화되고, 고비용이 되는 것은 부정할 수 없다.
또한, 초기 시퀀스가 복잡화되면, 전원을 투입하고 나서 표시 가능 상태로 이행할 때까지의 시간이 길어지고, 또한, 액정 드라이버의 제어도 복잡화된다.
OCB 액정 장치의 편리성을 향상시키는 관점에서는, 벤드 전이 핵 형성 및 벤드 전이 확대의 일련의 처리를 통하여, 무리가 없는 합리적인 방법의 실현이 요구된다.
특히, 초기 시퀀스시에 있어서, 특별한 고전압을 이용할 필요가 없게 되면, 액정 드라이버의 부담을 현격히 줄일 수 있다.
또한, OCB 액정 장치의 통상 동작시의 구동 형태와 동일한 구동 형태(통상 동작시의 구동을 답습한, 특별한 고전압이나 복잡한 처리를 수반하지 않는 구동 방식)를 채용할 수 있으면, 구동 방식의 일관성을 담보할 수 있고, 액정 드라이버의 부담을 경감할 수 있어, 비용 삭감이 가능하다. 또한, 초기 시퀀스를 위해 통상 동작시와는 전혀 다른 특별한 처리를 행할 필요가 없어져, OCB 액정 장치의 사용 편의도 향상한다.
또한, 전술의 일본공개특허공보 제2001－83479호에서는, 횡전계(horizontal electric field)를 이용하여 전이 핵을 효율적으로 형성하는 기술이 개시되어 있지만, 벤드 전이 핵을 형성한 후, 어떻게, 무리 없이 전이를 확대하는 것인가에 대한 언급은 없다.
본 발명은 이러한 고찰에 기초하여 이루어진 것이다. 본 발명의 몇 가지의 형태에 의하면, 예를 들면, OCB 액정 장치의 초기 시퀀스를, 과대한 고전압을 이용하지 않고 실현할 수 있다. 또한, 예를 들면, 통상 동작시와 동일한 순차 구동(예를 들면, 선(線) 순차 구동이나 복수개 순차 구동)을 이용하여 실현할 수 있다. 또한, 예를 들면, 액정 구동 회로가 간소화되어, OCB 액정 장치의 저비용화를 달성할 수 있다.
(1) 본 발명의 일 실시 형태는, 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판에 협지(sandwich)되는 액정을 갖고, 초기 시퀀스를 실행함으로써 상기 액정의 액정 분자의 배향 상태를 스플레이 배향으로부터 벤드 배향으로 전이시켜 표시 또는 광변조를 행하는 액정 장치로서, 상기 제1 기판 상에 형성되는, 서로 교차하는 복수의 주사선 및 복수의 데이터선과, 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 각각의 교점에 형성되는 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자에 접속되는 화소 전극 및 상기 화소 전극의 전압을 일시적으로 유지하기 위한 유지 용량을 포함하는 화소 회로와, 상기 제2 기판 상에, 상기 화소 전극과 대향하 여 형성되는 대향 전극과, 상기 주사선, 상기 데이터선 및 상기 대향 전극을 구동하는 드라이버와, 상기 표시 또는 광변조를 위한 화상 신호 및 제어 신호를, 상기 드라이버에 공급하는 제어부를 포함하고, 상기 초기 시퀀스는, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스와, 벤드 전이 확대 시퀀스를 포함하고, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는, 상기 주사선 및 상기 데이터선의 각각에 다른 전압을 부여하고, 상기 화소 회로에 있어서의 상기 스위칭 소자를 온(ON) 상태로 함과 함께, 상기 화소 전극과 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해 횡전계를 발생시키고, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스 실행시에는, 상기 데이터선 및 상기 대향 전극의 각각에 다른 전압을 부여하고, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이의 전위차에 의해 종전계(vertical electric field)를 발생시키는 액정 장치에 관계한다.
본 실시 형태에 의하면, 주사선과 화소 전극과의 사이의 횡전계에 의해 벤드 전이 핵을 형성하고, 종전계에 의해 벤드 전이를 확대하는 신규 초기 시퀀스(전이 시퀀스)를 실행하는 액정 장치가 실현된다. OCB 액정에, 국소적인 강한 횡전계를 인가함으로써 디스클리네이션(disclination)(액정 분자의 배향이 불연속이 되는 결함 영역: 디스클리네이션 라인이라고 함)이 발생하여, 그 디스클리네이션이 벤드 전이 핵이 된다. 또한, 벤드 전이 핵 형성 후에, OCB 액정의 전(全) 화소에 대하여 강한 종전계를 부여함으로써, 벤드 전이 핵의 확대가 개시된다. 벤드 전이 핵 형성 및 벤드 전이 확대의 각 시퀀스는, 주사선, 데이터선 및 대향 전극의 각각에 인가하는 전압의 레벨 및 전압 인가 타이밍을 제어한다는, 일반적인 액정 구동 방식에 의해 실현할 수 있어, 초기 시퀀스를 위해 특별한 회로를 형성할 필요는 없 다. 따라서, 액정 드라이버를 간소화할 수 있어, 액정 장치의 저비용화가 달성된다.
(2) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는, 상기 주사선에, 상기 화소 회로에 있어서의 상기 스위칭 소자를 온 상태로 하기 위한 전압을 부여하고, 상기 데이터선에, 상기 주사선의 상기 전압과는 다른 전압을 부여하고, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스 실행시에는, 상기 데이터선 및 상기 대향 전극의 각각에 다른 전압을 부여하는 액정 장치에 관계한다.
벤드 전이 핵 형성 시퀀스시에는, 주사선에, 화소 회로의 스위칭 소자를 온(on) 하는 전압(즉 선택 전압)을 부여하고, 데이터선에는, 상기의 전압(즉 선택 전압)과는 다른 전압을 부여하고, 이에 따라, 선택(액티브) 상태의 주사선과, 화소 전극과의 사이에 전위차를 생기게 하고, 이에 따라 횡전계를 생기게 하는 점을 명확화한 것이다. 또한, 벤드 전이 확대 시퀀스시에는, 화소 전극과 대향 전극의 전압을 다르게 하고(예를 들면, 데이터선을 경유하여 각 화소에, 대향 전극의 전압과는 다른 전압을 기입), 전 화소에 종전계를 인가하는 점을 명확화한 것이다.
(3) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는, 상기 화소 전극과 비(非)선택의 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해 횡전계를 발생시키는 액정 장치에 관계한다.
본 실시 형태에 의하면, 비선택의 주사선과 화소 전극과의 사이의 전위차에 의해 횡전계를 생기게 하여, 그 횡전계를 이용하여 벤드 전이 핵을 형성함과 함께, 화소 전극과 대향 전극과의 사이의 종전계에 의해 벤드 전이를 확대하는 신규 초기 시퀀스(전이 시퀀스)를 실행하는 액정 장치가 실현된다. 특히, 벤드 전이 핵 형성시에 있어서, 비선택의 주사선과 화소 전극간의 횡전계를 이용함으로써, 액정에 부여하는 에너지의 총량을 무리 없이 증대시킬 수 있다. 즉, 주사선의 비선택 기간은 선택 기간보다도 길기 때문에, 비선택의 주사선과 화소 전극간의 횡전계를 이용하면, 횡전계를, 액정에 길게 인가할 수 있다. 따라서, 벤드 전이 핵의 형성을 빠르게 할 수 있다.
(4) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는, 상기 화소 전극과 선택되어 있는 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해서도 횡전계를 발생시키는 액정 장치에 관계한다.
본 실시 형태에서는, 비선택의 주사선(비액티브 레벨의 주사선)뿐만 아니라, 선택되어 있는 주사선(액티브 레벨의 주사선)에 의해서도 횡전계를 발생시킨다. 따라서, 주사선(X)의 비선택시, 선택시를 불문하고, 상시(연속적으로), 액정에 횡전계가 인가되게 되어, 벤드 전이 핵 형성의, 보다 효율적인 형성이 가능해진다.
(5) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 화소 전극과 상기 비선택의 주사선과의 사이의 전위차는, 상기 화소 전극과 상기 선택되어 있는 주사선과의 사이의 전위차보다도 큰 액정 장치에 관계한다. 　
본 실시 형태에서는, 비선택의 주사선과 화소 전극과의 사이의 전위차는, 선택되어 있는 주사선과 화소 전극과의 사이의 전위차보다도 크게 설정된다. 이에 따라, 큰 전위차에 의한 강한 횡전계를, 주사선의 비선택 기간 중, 액정에 인가할 수 있어, 확실하며 조기의 벤드 전이 핵 형성을 실현할 수 있다. 　
(6) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 액정은, OCB(Optical　Compensated　Bend) 액정인 액정 장치에 관계한다.
OCB 액정을 이용한 OCB 액정 장치는, 응답 속도가 빠르다는 특징을 갖는다. OCB 액정 장치에 본 발명을 적용함으로써, 초기 시퀀스를 위해 통상 동작시와는 전혀 다른 특별한 처리를 행할 필요가 없어진다. 따라서, OCB 액정 장치의 회로 구성의 간소화 및, OCB 액정 장치의 소형화가 실현된다.
(7) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에 있어서, 상기 데이터선 및 상기 대향 전극의 각각에 동일한 전압을 부여하여, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 종전계가 발생하지 않도록 하는 액정 장치에 관계한다.
벤드 전이 핵 형성을 위해서는, 주사선과 화소 전극과의 사이에 전위차를 부여하여 국소적인 강한 횡전계를 발생시킬 필요가 있다. 이때, 바람직하게는, 화소 전극과 대향 전극과의 사이의 전위를 없애 종전계는 0으로 하는 것이 좋다. 즉, 여분의 종전계를 발생시키면, 그 분만큼, 횡전계의 발생을 위해 사용할 수 있는 에너지가 감소해 버린다. 또한, 종전계가 벤드 전이 핵 형성에, 어떠한 악영향을 줄 가능성도 부정할 수 없다. 따라서, 횡전계에 의한 벤드 전이 핵 형성시에는, 종전계를 0으로 하고, 가능한 한 높은 전계를 국소적으로 발생시키는 것에 집중하는 것이 바람직하다. 단, 본 발명은, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 실제로는, 어떠한 구동 상의 이유에 의해, 약간의 종전계가 발생하는 것도 있을 수 있다. 또한, 디바이스의 단차에 의해 주사선과 화소 전극이 대 략 수평으로 위치하지 않을 때, 주사선과 화소 전극간에 전위차를 부여하면, 필연적으로 종전계 성분이 발생한다. 이를 없애기 위해, 의도적으로 역방향의 종전하를 생기게 한다는 경우도 생각할 수 있다. 이러한 경우도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 단, 횡전계 발생시에 있어서, 동시에 종전계가 생기는 경우가 있다고 해도, 어디까지나 국소적인 횡전계가 주이며, 종전계 강도가 횡전계 강도를 상회하는 일은 없다.
(8) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는, 상기 화소 전극의 각각 및 상기 주사선의 각각에, 소정의 전위를 기준으로 하여 극성이 다른 전압을 인가하는 액정 장치에 관계한다.
예를 들면, 화소 전극에 플러스의 제1 전압(0V를 기준으로 하여 플러스의 전압)을 인가하고, 주사선에는 마이너스의 제2 전압(0V를 기준으로 하여 마이너스의 전압)을 인가한다. 제1 전압 및 제2 전압의 절대치는 그만큼 크지 않아도, 전위 극성이 다른 점으로부터, 전위차는, 제1 전압과 제2 전압의 합의 전압으로 된다. 따라서 전위차를 무리 없이 확대할 수 있다. 따라서, 특별한 고전압을 발생시키지 않아도, 벤드 전이 핵 형성에 필요한 강한 횡전계를 무리 없이 생기게 할 수 있다.
(9) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 초기 시퀀스 실행시에 있어서, 상기 주사선을 순차 구동하는 액정 장치에 관계한다.
통상 동작시와 동일한 순차 구동 방식에 의해 초기 시퀀스를 실현하는 것이다. 초기 시퀀스시에 있어서도, 통상 동작시의 구동을 답습한, 특별한 고전압이나 복잡한 처리를 수반하지 않는 구동 방식을 이용하기 때문에, 구동 방식의 일관성을 유지할 수 있다. 따라서, 액정 드라이버의 부담을 경감할 수 있어, 비용 삭감이 가능해진다. 또한, 초기 시퀀스를 위해 통상 동작시와는 전혀 다른 특별한 처리를 행할 필요가 없어져, OCB 액정 장치의 사용 편의도 향상한다.
(10) 본 발명의 다른 실시 형태는, 순차 구동 방식으로서, 1개의 주사선을 순서대로 구동하는 선 순차 구동 방식, 동시에 선택되는 복수개의 주사선을 단위로 하여, 순서대로 상기 주사선을 구동하는 복수개 순차 구동 방식, 전부(全部)의 주사선을 동시에 구동하는 면 순차 구동 방식 중 어느 하나의 방식을 채용하는 액정 장치에 관계한다.
선 순차 구동 방식은, 액정 구동에 일반적으로 사용되는 구동 방식이다. 선 순차 구동 방식을, 초기 시퀀스에 있어서의 구동 방식으로 채용하는 경우, 통상 동작시와 초기 시퀀스시의 구동 방식이 동일하게 되어, 구동 방식의 일관성을 유지할 수 있다.
또한, 통상 동작시에 있어서 복수개 순차 구동이 가능한 경우, 초기 시퀀스에 있어서도 복수개 순차 구동을 채용할 수 있다. 이 경우, 통상 동작시와 초기 시퀀스시의 구동 방식의 일관성을 유지할 수 있다. 또한, 고속의 구동이 가능하다.
또한, 통상 동작시에 있어서 면 순차 구동이 가능한 경우, 초기 시퀀스에 있어서도 면 순차 구동을 채용할 수 있다. 이 경우, 통상 동작시와 초기 시퀀스시의 구동 방식의 일관성을 유지할 수 있다. 또한, 고속의 구동이 가능하다.
(11) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스를, 복수 의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행하는 액정 장치에 관계한다.
벤드 전이 핵 형성 시퀀스를 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행함으로써, 각 화소에 소정 전압을 소정 시간 이상, 인가할 수 있어, 벤드 전이 핵 형성을 확실히 실현시킬 수 있다.
(12) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스를, 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행하는 액정 장치에 관계한다.
벤드 전이 확대 시퀀스를 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행함으로써, 각 화소에 소정 전압을 소정 시간 이상, 인가할 수 있어, 벤드 전이 확대를 확실히 실현시킬 수 있다.
(13) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스를, 소정의 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행함과 함께, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스를, 소정의 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행하고, 그리고, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간을, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간보다도 길게 설정하는 액정 장치에 관계한다.
각 화소에 소정 전압을 소정 시간 이상, 인가함으로써, 벤드 전이 핵 형성 및 확대를 확실히 실현시킬 수 있다. 또한, 벤드 전이 확대에는, 보다 많은 에너지 공급이 필요하기 때문에, 벤드 전이 확대 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간을, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간보다도 길게 설정한다.
(14) 본 발명의 다른 실시 형태는, 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판에 협지되는 액정과, 상기 제1 기판 상에 형성되는, 서로 교차하는 복수의 주사선 및 복수의 데이터선과, 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 각각의 교점에 형성되는 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자에 접속되는 화소 전극 및 상기 화소 전극의 전압을 일시적으로 유지하기 위한 유지 용량을 포함하는 화소 회로와, 상기 제2 기판 상에, 상기 화소 전극과 대향하여 형성되는 대향 전극을 갖고, 초기 시퀀스를 실행함으로써 상기 액정의 액정 분자의 배향 상태를 스플레이 배향으로부터 벤드 배향으로 전이시켜 표시 또는 광변조를 행하는 액정 장치의 구동 방법으로서, 상기 초기 시퀀스는, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스와, 벤드 전이 확대 시퀀스를 포함하고, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서는, 상기 화소 전극과 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해 횡전계를 발생시켜, 상기 횡전계를 이용하여 벤드 전이 핵을 형성하고, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스에서는, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이의 전위차에 의해 종전계를 발생시켜, 상기 종전계에 의해 벤드 전이를 확대하는 액정 장치의 구동 방법에 관계한다.
본 실시 형태에 의하면, 주사선과 화소 전극과의 사이의 횡전계에 의해 벤드 전이 핵을 형성하고, 종전계에 의해 벤드 전이를 확대하는 신규 초기 시퀀스(전이 시퀀스)를 포함하는 액정 장치의 구동 방법이 실현된다.
(15) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서는, 상기 주사선에, 제1 극성의 제1 전압을 부여함으로써 상기 스위칭 소자를 온 시킴과 함께, 상기 데이터선에, 상기 제1 극성과는 반대의 극성인 제2 극성의 제2 전압을 부여하고, 이에 따라, 상기 화소 전극과 상기 주사선과의 사이에, 상기 제1 전압과 상기 제2 전압의 차에 상당하는 전위차를 생기게 하여 횡전계를 발생시키고, 그리고, 상기 대향 전극에, 상기 제2 극성의 제2 전압을 부여하고, 이에 따라, 상기 대향 전극과 상기 화소 전극과의 사이의 전위차를 없애 종전계가 생기지 않도록 하고, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스에서는, 상기 데이터선 및 상기 대향 전극의 각각에 다른 전압을 부여하고, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이의 전위차에 의해 종전계를 발생시키는 액정 장치의 구동 방법에 관계한다.
본 실시 형태에 의하면, 주사선과 화소 전극과의 사이의 횡전계에 의해 벤드 전이 핵을 형성하고, 종전계에 의해 벤드 전이를 확대함과 함께, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스시에는, 대향 전극과 상기 화소 전극과의 사이의 전위차를 없애 종전계가 생기지 않도록 하는, 신규 초기 시퀀스(전이 시퀀스)를 포함하는 액정 장치의 구동 방법이 실현된다.
(16) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서는, 상기 화소 전극과 비선택의 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해 횡전계를 발생시켜, 상기 횡전계를 이용하여 벤드 전이 핵을 형성하는 액정 장치의 구동 방법에 관계한다.
이에 따라, 비선택 상태의 주사선과 화소 전극과의 사이의 횡전계를 이용하여 벤드 전이 핵을 형성하고, 화소 전극과 대향 전극간의 종전계에 의해 벤드 전이를 확대하는, 신규 초기 시퀀스(전이 시퀀스)를 포함하는 액정 장치의 구동 방법이 실현된다.
(17) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서는, 상기 화소 전극과 선택되어 있는 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해서도 횡전 계를 발생시킴과 함께, 상기 화소 전극과 상기 비선택의 주사선과의 사이의 전위차는, 상기 화소 전극과 상기 선택되어 있는 주사선과의 사이의 전위차보다도 크게 하고, 그리고, 상기 화소 전극 및 상기 비선택의 주사선의 각각에는, 소정 전위를 기준으로 하여 극성이 다른 전압을 인가하고, 그리고, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 종전계가 발생하지 않도록 하는 액정 장치의 구동 방법에 관계한다.
본 실시 형태에 의하면, 주사선의 비선택 기간뿐만 아니라 선택 기간에 있어서도 횡전계를 액정에 인가할 수 있고(즉, 연속한 전압 인가가 가능하고), 그리고, 긴 비선택 기간에 있어서는, 보다 강한 횡전계를 인가할 수 있고, 또한, 비선택 기간에 있어서의 강한 횡전계는, 비선택의 주사선과 화소 전극에 극성이 다른 전압을 인가함으로써 무리 없이 실현할 수 있고, 따라서, 매우 효율적인 벤드 전이 핵 형성이 가능하다. 또한, 벤드 전이 핵 형성시에 있어서, 종전계를 생기게 하지 않도록 하기 위해, 강한 횡전계만에 의해, 효율적으로 벤드 전이 핵을 형성할 수 있다.
(18) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 초기 시퀀스에서는, 상기 주사선을 순차 구동함과 함께, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스를, 소정의 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행함과 함께, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스를, 소정의 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행하고, 그리고, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간을, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간보다도 길게 설정하는 액정 장치의 구동 방법에 관계한다.
순차 구동의 채용에 의해, 통상 동작시와 초기 시퀀스시에 있어서의 구동 방 식의 일관성을 유지할 수 있다. 초기 시퀀스를 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복함으로써, 각 화소에 소정 전압을 소정 시간 이상, 인가할 수 있고, 이에 따라, 벤드 전이 핵 형성 및 확대를 확실히 실현시킬 수 있다. 또한, 벤드 전이 확대에는, 보다 많은 에너지 공급이 필요하기 때문에, 벤드 전이 확대 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간을, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간보다도 길게 설정한다.
(19) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 주사선, 상기 데이터선 및 상기 대향 전극을 구동하는 드라이버와, 상기 표시 또는 광변조를 위한 화상 신호 및 제어 신호를, 상기 드라이버에 공급하는 제어부를 갖는, 상기 어느 하나에 기재된 액정 장치의 구동 방법을 실행하는 액정 장치 구동용 집적 회로 장치에 관계한다.
이에 따라, 특별한 고내압을 필요로 하지 않고, 간소화된 회로 구성을 갖고, 그리고 저비용의 OCB 액정 구동용 IC가 실현된다.
(20) 본 발명의 다른 실시 형태는, 상기 어느 하나에 기재된 액정 장치를 갖는 전자 기기에 관계한다.
상기 어느 하나에 기재된 액정 장치는, 간소화된 구성을 갖고, OCB 액정의 초기 전이를 무리 없이, 효율적으로 실현될 수 있다. 따라서, 상기 어느 하나에 기재된 액정 장치를 탑재하는 전자 기기도, 소형이며 저비용이라는 이점을 누릴 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
(제1 실시 형태)
다음으로, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 본 실시 형태는, 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당히 한정하는 것이 아니고, 본 실시 형태에서 설명되는 구성의 모든 것이, 본 발명의 해결 수단으로서 필수라고는 할 수 없다.
이하, 본 발명에 따른 액정 장치의 제1 실시 형태에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에서는, 박막 트랜지스터(Thin　Film　Transistor, 이하 TFT라고 생략함)를 스위칭 소자로서 이용한 TFT 액티브 매트릭스 방식의 OCB 액정 장치의 예를 들어 설명한다.
(OCB 액정 장치의 초기 시퀀스의 개요)
우선, OCB 액정 장치의 동작의 개요를 설명한다. 도1 은, OCB 액정 장치에 있어서의 전원 투입시부터 화소 표시까지의 시퀀스의 개요를 나타내는 도면이다.
도시하는 바와 같이, 전원 투입시에는, 어레이 기판(1) 상에 적층된 배향막(2)과, 대향 기판(3)과 적층하여 형성된 배향막(4)과의 사이에 개재하는 액정층을 구성하는 액정 분자(51)의 배향이 스플레이 배향 상태(상태 S10)로 되어 있다.
그리고, 전원 투입을 행한 후, 초기 시퀀스(SA)가 실행된다. 즉, 우선, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스(SA1)에 있어서 벤드 전이 핵을 형성하고, 벤드 전이 확대 시퀀스(SA2)에 있어서, 벤드 전이 핵 형성 스텝 SA1에서 형성된 벤드 전이 핵을 확대시킨다. 액정 장치의 액정 분자(51)가 모두 벤드 배향 상태(상태 S20)가 되고, 이에 따라, 화상 표시(또는 화상 데이터에 따른 광변조)가 가능해진다.
즉, 전극간의 전압을 Voff와 Von와의 사이에서 전환함으로써, 예를 들면 화이트 표시 및 블랙 표시가 행해진다.
다음으로, 본 발명의 OCB 액정 장치에 있어서의 초기 시퀀스(SA)에 대하여 구체적으로 설명한다. 도2A∼도2D 는, 본 발명의 OCB 액정 장치의 일 예에 있어서의 초기 시퀀스에서의 액정 분자의 배향 상태를 나타내는 도면이다.
OCB 액정 장치에서는, 전원 투입시, 즉, 그 초기 상태에 있어서는, 도2A 에 나타내는 바와 같이 액정 분자의 배향이 스플레이 배향 상태로 되어 있고, 표시 동작시에는 도2D 에 나타내는 바와 같이 액정 분자의 배향이 벤드 배향 상태로 되어 있다.
이하에 도2A 내지 도2D 에 이르는 과정에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서는, 벤드 배향으로의 전이 경과를 알기 쉽게 하기 위해 액정 분자의 배향 상태를 간략하여 도시하고 있다.
도시되는 바와 같이, 초기 시퀀스(SA)에는, 횡전계에 의한 벤드 전이 핵 형성 시퀀스(SA1)와, 종전계에 의한 벤드 전이 확대 시퀀스(SA2)가 포함된다.
OCB 액정 장치에 있어서는, 화소 전극과 대향 전극과의 사이, 화소 전극과 주사선과의 사이에 각각 전압이 인가되지 않는 상태(또는 비선택 전압 인가시)에서는, 도2A 에 나타내는 바와 같이 액정 분자(51)는 스플레이 배향 상태(상태 S10)로 되어 있다.
그리고, 전원이 투입되면, 화소 전극과 주사선의 전위가 다르기 때문에, 화소 전극과 이에 대향하는 주사선(선택되어 있는 주사선 및 비선택 상태의 주사선의 쌍방을 포함함)과의 사이에 횡전계가 생기게 된다. 이때, 화소 전극과 대향 전극의 전위가 동일하게 되도록 하여 종전계는 발생시키지 않도록 하는 것이 바람직하다. 단, 이에 한정되는 것은 아니다.
따라서, 도2B 에 나타내는 바와 같이, 횡전계에 의해 배향 불량에 기인하는 디스클리네이션 라인(액정 분자의 배향이 불연속하게 되는 결함 영역)이 발생한다. 즉, 액정 분자(51)의 일부의 액정 분자(NB)가 도2B 에 나타내는 바와 같이 NB가 벤드 전이 핵이 되고, 액정 분자가 벤드 전이 핵 형성 상태(상태 SC1)가 된다.
다음으로, 화소 전극과 대향 전극과의 사이에 전위차를 생기게 함으로써, 화소 전극과 대향 전극과의 사이에 종전계가 발생한다. 이에 따라, 횡전계의 영향을 받아 배향한 액정 분자(NB)를 벤드 전이 핵으로 하고, 그들의 액정 분자(NB)의 주위에 벤드 배향이 전파함으로써, 도2C 에 나타내는 바와 같이, 액정 분자가 벤드 전이 확대 상태(상태 SC2)가 된다.
그리고, 이 벤드 전이 확대가 진행하고, 모든 액정 소자(51)에 전파함으로써, 도2D 에 나타내는 바와 같이, 액정 분자가 벤드 배향 상태(상태 S20)가 된다.
이와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 초기 시퀀스(SA)에 있어서, 전압 인가시에 있어서의, 주사선과 화소 전극 사이에 생기는 횡전계에 의해 벤드 전이 핵을 발생시키고(벤드 전이 핵 형성 시퀀스(SA1)), 이어서, 화소 전극과 대향 전극과의 사이에 생기는 종전계에 의해 상기 벤드 전이 핵을 확대시킴(벤드 전이 확대 시퀀스(SA2))으로써, 화상 표시 영역 전체가 벤드 배향을 유지한 상태로 화상 표시를 행하도록 하고 있다.
다음으로, 본 발명의 OCB 액정 장치에 있어서의 초기 시퀀스의 개요에 대하여 설명한다. 도3 은, 본 발명의 OCB 액정 장치의 일 예에 있어서의 초기 시퀀스의 개요를 설명하기 위한 도면이다. 우선, 전원을 온(on) 한다(스텝 SP). 이에 따라 본 발명의 OCB 액정 장치는 초기 시퀀스(SA)를 실행한다.
초기 시퀀스(SA)로서는, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스(SA1)와 벤드 전이 확대 시퀀스(SA2)가 있다.
벤드 전이 핵 형성 시퀀스(SA1)에 있어서는, 주사선과 화소 전극간의 횡전계를 생기게 한다(F1). 선택 상태의 주사선을 이용할 수도 있고, 비선택 상태의 주사선을 이용할 수도 있다. 특히, 비선택의 주사선과 화소 전극과의 사이의 전위차에 의한 횡전계를 적극적으로 이용하는 경우, 액정에, 강한 횡전계를, 보다 장기간에 걸쳐 무리 없이 인가할 수 있다.
또한, 비선택 상태의 주사선을 이용하여 횡전계를 발생시키고, 그리고, 선택 상태의 주사선을 이용하여 횡전계를 생기게 하면, 액정에 연속적으로 횡전계를 인가할 수 있어, 보다 효율적인 벤드 전이 핵 형성이 가능하다.
횡전계를 생기게 하는 경우, 바람직하게는, 화소 전극과 대향 전극의 사이에는 종전계를 생기게 하지 않도록 한다(F2). 즉, 벤드 전이 핵 형성을 위해서는, 주사선과 화소 전극과의 사이에 전위차를 부여하여 국소적인 강한 횡전계를 발생시킬 필요가 있지만, 이때, 여분의 종전계를 발생시키면, 그 분만큼, 횡전계의 발생을 위해 사용할 수 있는 에너지가 감소해 버린다. 또한, 종전계가 벤드 전이 핵 형성에, 어떠한 악영향을 줄 가능성도 부정할 수 없다. 　
따라서, 횡전계에 의한 벤드 전이 핵 형성시에는, 종전계를 0으로 하고, 가능한 한 높은 전계를 국소적으로 발생시키는 것에 집중하는 것이 바람직하다.
단, 본 발명이, 이 점에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 실제로는, 어떠한 구동 상의 이유에 의해, 약간의 종전계가 발생하는 일도 있을 수 있다. 또한, 디바이스의 단차에 의해 주사선과 화소 전극이 대략 수평으로 위치하지 않을 때, 주사선과 화소 전극간에 전위차를 부여하면, 필연적으로 종전계 성분이 발생한다. 이를 없애기 위해, 의도적으로 역방향의 종전하를 생기게 한다는 경우도 생각할 수 있다. 이러한 경우도, 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 단, 횡전계 발생시에 있어서, 동시에 종전계가 생기는 경우가 있다고 해도, 어디까지나 국소적인 횡전계가 주이며, 종전계 강도가 횡전계 강도를 상회하는 일은 없다.
또한, 바람직하게는 데이터의 기입에 대해서는 순차 구동을 행한다(F3). 이때, 선 순차, 복수개 선 순차, 면 순차의 각 구동 방식을 채용할 수 있다.
선 순차 구동 방식은, 1개의 주사선에 접속된 각 화소 회로에 대하여 순서대로 화상 데이터의 기입을 행하는 구동 방식이다.
복수 순차 방식은, 복수개의 주사선을 동시에 액티브하게 하고, 그들의 복수개의 주사선에 접속되는 화소 회로에 대하여 동시에 화상 데이터 기입을 행하여, 이 동작을 순서대로 행하는 구동 방식이다. n개의 주사선을 동시에 구동하는 방식을 취하면, 화상 데이터의 기입 속도는 n배가 된다. 따라서, 1 프레임 기간이 고정되어 있다고 하면, 각 화소에 전압을 인가하는 시간을 n배로 할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, 면 순차 방식은, 전 주사선을 동시에 액티브하게 하고, 일괄하여 화상 데이터 기입을 행하는 방식이다. 일반적인 구동 방식이라고는 할 수 없지만, 예를 들면, 액정 장치의 검사를 위해 면 순차 구동이 가능해지고 있는 경우가 있고, 이 경우에는, 초기 시퀀스시에 면 순차 구동을 활용할 수 있다.
또한, 주사선과 화소 전극간의 횡전계를 발생시킬 때에, 주사선과 화소 전극의 각각에게 주는 전압의 극성을 다르게 함으로써, 전위차를 확대하는 것이 바람직하다(F4). 예를 들면, 화소 전극에 플러스의 제1 전압을 인가하고, 주사선에는 마이너스의 제2 전압을 인가한다. 제1 전압 및 제2 전압의 절대치는 그만큼 크지 않아도, 전위 극성이 다른 점으로부터, 전위차는, 제1 전압과 제2 전압의 합으로 확대된다. 따라서, 특별한 고전압을 발생시키지 않아도, 벤드 전이 핵 형성에 필요한 강한 횡전계를 무리 없이 생기게 할 수 있다.
또한, 전술의 동작을 복수 프레임에 걸쳐, 동일한 구동을 반복하는 것이 바람직하다(F6). 이때의 반복 기간(Tcf)은, 예를 들면, 100ms로 할 수 있다.
또한, 주사선과 화소 전극이 서로 근접하는 레이아웃으로 하여, 단면 구조상, 대략 수평 위치가 되도록 단차를 조정하는 것이 바람직하다(F5). 이 경우, 강한 횡전계를 용이하게 발생하는 것이 가능해진다.
다음으로, 벤드 전이 확대 시퀀스(SA2)가 행해진다. 이에 따라, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스(SA1)에 의해 형성된 벤드 전이 핵은 주변에까지 재빠르게 확대된다.
벤드 전이 확대 시퀀스(SA2)에 있어서는, 우선, 화소 전극과 대향 전극과의 사이에 전위차를 생기게 하고, 화소 전극과 대향 전극과의 사이에 종전계를 발생시킨다(F10). 그리고, 바람직하게는, 순차 구동을 행한다(F11).
이때, 데이터의 기입에 대해서는, 선 순차, 복수개 순차, 면 순차는 불문하고, 어느 순차 구동도 선택할 수 있다. 그리고, 바람직하게는, 복수의 프레임 기간에 걸쳐, 동일한 구동을 반복한다(F12). 이때, 반복 기간(Ten)은, 전술의 벤드 전이 핵 형성 시퀀스(SA1)에 있어서의 조작(F6)의 반복 기간(Tcf)보다도 크게 하고, 예를 들면, 500ms로 할 수 있다.
이상의 조작에 의해, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스(SA1)에 있어서 발생한 벤드 전이 핵의 확대를 촉진시키는 벤드 전이 확대 시퀀스(SA2)가 행해지고, 이후, 화상 표시 시퀀스(SB)로 이행한다.
(액정 장치의 구성예)
도4 는, 본 발명의 액정 장치의 구성예를 나타내는 도면이다. 도시되는 바와 같이, OCB 액정 장치(502)는, 전자 기기(예를 들면 휴대 단말)(500)에 탑재되어 있다.
액정 장치(502)는, 백 라이트(530)와, 제어부(540)와, 전원 회로(550)와, 주사선 드라이버(560)와, 데이터선 드라이버(570)와, 코먼 드라이버(common driver; 580)와, 화소 어레이(화상 표시부)(590)를 갖는다. 화소 어레이(590)는, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소(G)를 포함한다. 각 화소(G)는, 주사선(X1∼X6)의 각각과, 데이터선(Y1∼Y6)의 각각에 의해 선택된다.
주사선 드라이버(560)는, 각 주사선(X1∼X6)을 구동한다. 주사선의 구동 방 식으로서는, 예를 들면, 선 순차 구동 방식을 채용할 수 있고, 복수개 선 순차 구동 방식이나 면 순차 구동 방식을 채용할 수도 있다. 또한, 데이터선 드라이버(570)는, 각 데이터선(Y1∼Y6)을 구동한다. 코먼 드라이버(580)는, 코먼선(common line; Lcom)의 전위를 주기적으로 변화시킨다. 전원 회로(550)는, 주사선 드라이버(560), 데이터선 드라이버(570), 코먼 드라이버(580)의 각각에, 전원 전압(각종의 전압)을 공급한다.
제어부(540)는, 액정 장치의 동작을 통괄적으로 제어한다. 제어부(540)는, 타이밍 제어 회로(542)와, 화상 처리 회로(544)를 갖는다.
전자 기기에 탑재되는 전원 스위치(510)는, 전자 기기(500)의 전원의 온/오프를 전환하는 스위치이다. 또한, 전자 기기에 탑재되는 메인 제어 회로(520)는, 영상 신호와 전원 스위치(510)로부터의 출력을 받아, 화상 처리 회로(544)에 클록 신호(clk), 화상 데이터(data), 전원 온/오프 상태 등의 정보를 갖는 스테이터스 신호(Status)의 각각을 송출한다. 스테이터스 신호(Status)는 데이터선 드라이버에도 공급된다. 따라서, 데이터선 드라이버(570)는, 전원 스위치(510)의 상태를 인식할 수 있다.
화상 처리 회로(544)는 입력된 화상 데이터에 대하여 화상 처리를 시행한다. 또한, 타이밍 제어 회로(542)는, Y 데이터 신호(Ydata), Y 클록 신호(Yclk), X 데이터 신호(Xdata) 및 X 클록 신호(Xclk)를 출력한다.
전원이 투입되면, 전원 회로(550)도 온 하고, 주사선 드라이버(560), 데이터선 드라이버(570), 코먼 드라이버(580)가 온 되고, 각 블록으로 소정의 전압을 공 급한다. 이에 따라, 초기 시퀀스(SA)가 실행된다. 이어서, 화상 표시 시퀀스(SB)를 행함으로써, 화소 어레이(화상 표시부)(590)에 화상이 표시된다.
(액정 구동용 IC의 구성예)
도5 는, 액정 구동용 IC의 구성예를 나타내는 도면이다. 액정 구동용 IC(650)는, 도4 의 액정 장치(502) 내에 탑재된다. 액정 구동용 IC(650)는, 전원 회로(652)와, 정보 기억용 메모리로서의 RAM(654)과, 메인 제어 회로(520)로부터의 신호를 받는 제어부(653)와, 주사선 드라이버(651)와, 데이터선 드라이버(656)와, 코먼 드라이버(655)를 구비한다.
제어부(653)는 게이트 어레이(gate array)(GA)로서, 화상 데이터를 데이터선 드라이버(656)에 공급하고, 또한, 각 드라이버(651, 656, 655)에 제어 신호를 부여하여 각 드라이버의 동작을 제어한다.
(액정 구동용 IC에 있어서의 사용 전압에 대하여)
도5 에 나타나는 바와 같이, 각 주사선에 공급되는 전압은, 예를 들면, -5V∼11V이고, 각 데이터선에 공급되는 전압은 -5V∼7V 정도이고, 코먼선에 공급하는 전압은 -5V∼7V 정도이다. 즉, 최대로 11V 정도의 전압을 다룰 수 있으면 좋고, 특별한 고전압은 불필요하며, IC의 실현이 용이함과 함께, 액정 구동용 IC의 저비용화에 유리하다.
(횡전계에 의한 벤드 전이 핵 형성을 실현하기 위한 화소 구성예)
도6 은, 본 발명의 액정 장치의 화소부의 구성예를 나타내는 도면이다. 도시되는 바와 같이, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소에는, 화소 전극(9)이 각 각 형성되어 있다. 또한, 그 화소 전극(9)의 측방에는, 당해 화소 전극(9)으로의 통전 제어를 행하는 스위칭 소자인 TFT 소자(M)가 형성되어 있다. TFT 소자(M)의 소스에는, 데이터선(Y1∼Y4)이 전기적으로 접속되어 있다. 각 데이터선(Y1∼Yn)에는 화상 신호가 공급된다. 또한 화상 신호는, 각 데이터선(Y1∼Yn)에 대하여 이 순서대로 선 순차로 공급해도 좋고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(Y1∼Yn)에 대하여 그룹마다 공급해도 좋다.
TFT 소자(M)의 게이트에는, 주사선(X1∼X3)이 전기적으로 접속되어 있다. 주사선(X1∼X3)에는, 소정의 타이밍에서 펄스적으로 주사 신호가 공급된다. 또한, 주사 신호는, 각 주사선(X1∼X3)에 대하여 이 순서대로 선 순차로 인가된다. 또한, TFT 소자(M)의 드레인에는, 화소 전극(9)이 전기적으로 접속되어 있다. 이 TFT 소자(M), 유지 용량(C), 화소 전극(9)에 의해 화소 회로(G1a∼G1n, G2a∼G2n, Gna∼Gnn)가 구성되어 있다. 그리고, 주사선(X1∼X3)으로부터 공급된 주사 신호에 의해, 스위칭 소자인 TFT 소자(M)를 일정 기간만큼 온 상태로 하면, 데이터선(Y1∼Yn)으로부터 공급된 화상 신호가, 각 화소의 액정에 소정의 타이밍으로 기입된다.
액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호는, 화소 전극(9)과 후술하는 대향 전극과의 사이에 형성되는 액정 용량으로 일정 기간 유지된다. 또한, 유지된 화상 신호가 리크(leak)하는 것을 방지하기 위해, 화소 전극(9)과 용량선(LR1∼LR3)과의 사이에 유지 용량(C)이 형성되고, 액정 용량과 병렬로 접속되어 있다. 이와 같이, 액정에 전압이 인가되면, 그 전압 레벨에 의해 액정 분자의 벤드 배향 상태가 변화한다. 이에 따라, 액정에 입사한 빛이 변조되어 계조 표시가 가능해진다.
초기 시퀀스(SA)를 위한 전압 인가를 행할 때에도, 화상 표시 동작의 경우와 동일하게, 데이터선에 초기 시퀀스용 신호를 공급하고, 주사선에 주사 신호를 공급하여 표시 영역 내의 복수의 화소를 구동한다.
초기 시퀀스에 있어서의 벤드 전이 핵 형성을 위한 강한 횡전계는, 주사선과 화소 전극을 근접하여 배치함으로써 실현된다. 이하, 주사선과 화소 전극을 매우 근접하여 배치한 디바이스 구조의 예에 대하여 설명한다.
(근접하여 배치된 주사선 및 화소 전극 부근의 단면 구조예)
도7 은, 근접하여 배치된 주사선 및 화소 전극 부근의 디바이스의 단면 구조예를 나타내는 도면이다. 도7 에 있어서, TFT 영역(Z1)은, 화소 트랜지스터가 형성되는 영역이고, 유지 용량 영역(Z2)은, 유지 용량(C)이 형성되는 영역이고, 주사선 영역(Z3)은, 주사선(X1)이 형성되는 영역이다.
도7 에 나타나는 액정 디바이스는, 어레이 기판과, 컬러 필터 기판(CF 기판)과, 기판간에 봉입된(filled) OCB 액정(716)에 의해 구성된다.
어레이 기판은, 유리 기판(700) 상에 형성된 절연막(702)과, 폴리 실리콘 등으로 이루어지는 도전막(소스·드레인 영역)(704)과, 절연막(706)과, 제1 메탈 배선층(710)과, 층간 절연막(708)과, 제2 메탈 배선층(주사선)(712)과, 층간 절연막(714)과, ITO(인듐 주석 산화물) 등의 투명 도전 재료로 이루어지는 화소 전극(715)과, 화소 전극(715)을 갖는다.
또한, 컬러 필터 기판(CF 기판)은, ITO막(718)과, 오버 코트층(720)과, 컬러 필터층(722)과, 블랙 매트릭스층(724)을 갖는다.
여기서, 유지 용량 영역(Z2)과 주사선 영역(Z3)과의 사이의 영역에 주목한다. 도시되는 바와 같이, 화소 전극(715)과, 주사선 영역(Z3)에 있어서의 제2 메탈 배선층(712)은, 대략 동일한 높이 위치에 있어서 상호의 거리가 매우 짧아지도록 배치되어 있다.
따라서, 화소 전극(715)의 단부(J1)와, 제2 메탈 배선층(712)의 단부(J2)와의 벤드 전이 핵 형성을 위한 강한 횡전계(EH)를 효율적으로 발생시킬 수 있다. 또한, 화소 전극(715)과 ITO막(대향 전극)(718)간에 전위차를 생기게 하면, 벤드 전이 확대에 필요한 종전계(EV)를 발생시킬 수 있다.
(횡전계를 이용한 벤드 전이 핵 형성을 위한 구동 방식의 구체예)
도8∼도13 을 이용하여, 횡전계를 이용한 벤드 전이 핵 형성을 위한 구동 방식의 구체예에 대하여 설명한다.
도8 은 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에 있어서의 구체적인 구동 방식의 일 예를 설명하기 위한 도면이다. 여기에서는, m행 n열의 매트릭스 형상으로 배치된 화소를, 선 순차 구동하는 경우를 상정한다. 또한, 각 화소에 기재되어 있는 숫자는, 주사선과 화소 전극간의 전위차를 나타내고 있다.
도시되는 바와 같이, 우선, 1행째의 화소열에 대하여 16V의 횡전계가 인가된다. 동일한 동작이 각 행의 화소열에 대하여 행해진다. m행째의 화소열에 대한 횡전계의 인가가 종료하면, 1 프레임 기간이 종료한다.
이후, 합계로 6 프레임 기간(1 프레임 기간을 1/60초로 하면, 100ms)에 걸쳐 동일한 동작을 반복한다.
이에 따라, 각 화소에, 소정 전압에 의한 횡전계가 소정 시간 이상 인가되게 되고, 이에 따라, 디스클리네이션(벤드 전이 핵)이 확실히 형성된다.
(벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예1)
도9 는, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예1 을 설명하기 위한 타이밍 도면이다. 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예1 에서는, 선택되어 있는 주사선(액티브 레벨의 주사선)과 화소 전극과의 사이의 전위차를 이용하여, 벤드 전이 핵 형성을 위한 횡전계를 발생시킨다. 이하, 구체적으로 설명한다.
1 프레임 중의 기입 기간(시각 t1∼t5)에 있어서는 데이터선(홀수) 및 데이터선(짝수)(Y1∼Yn)에는 -5V의 전압이 각각 인가됨과 함께, 대향 전극, 유지 용량선에도 동일하게 -5V의 전압이 인가된다.
최초의 1 수평 귀선 기간(one horizontal blanking period; 1H)이 개시되는 시각 t1에 있어서 주사선(X1)이 선택되고, 주사선(X1)에는 11V의 전압이 인가됨으로써, 주사선과 화소 전극과의 사이의 전위차는 16V(=11V＋5V)가 된다. 주사선과 화소 전극의 전위 극성을 역으로 하고 있기 때문에, 전압의 절대치 자체는 그만큼 크지 않아도, 각각의 전압의 합의 전위차가 생기게 되고, 따라서, 강한 횡전계를 무리 없이 발생시킬 수 있다.
그리고, 다음의 1 수평 귀선 기간(1H)이 개시되는 시각 t2에 있어서는, 주사선(X2)을 선택하기 때문에, 주사선(X1)의 전압은 -5V로 됨과 함께, 주사선(X2)의 전압은 11V로 된다. 동일한 동작이 반복되고, m번째의 수평 귀선 기간에 있어서 주사선(Xm)이 선택되어 주사선(Xm)에 11V의 전압이 인가됨으로써, 전 주사선에 대 한 1회째의 전압 인가가 종료한다.
이때, 데이터선(Y1∼Yn)의 전위는 -5V임과 함께, 대향 전극 전위가 -5V이기 때문에, 화소 전극과 대향 전극과의 사이의 전위차는 0이고, 즉, 종전계는 발생하지 않는다. 강한 횡전계만을 액정층(OCB 액정)에 인가할 수 있고, 이에 따라, 벤드 전이 핵을 확실히 형성할 수 있다.
시각 t5∼t6까지는 귀선 기간(blanking period)이다. 시각 t6에 1 프레임을 종료한다. 그리고, 이 일련의 조작을 6 프레임분(100ms분) 반복하여 행함으로써 벤드 전이 핵 형성 시퀀스가 종료한다.
이 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예1 에 있어서의 화소 회로의 횡전계 및 종전계의 형상을 도10 에 나타낸다. 도10A, 도10B 는, 도9 에 나타나는 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예1 에 있어서의 화소 회로의 횡전계 및 종전계의 형상을 나타내는 도면이다.
도10A, 도10B 에 있어서는, 게이트가 주사선(X)과 접속되고, 소스가 데이터선(Y)과, 드레인이 유지 용량(C) 및 화소 전극(9)과 접속된 N형의 TFT 스위칭 소자(M)와, 유지 용량(C)과 병렬로 접속된 액정(LC)을 갖는 화소 회로가 나타나 있다.
도10B 는, TFT 스위칭 소자(M)가 오프시의 전계를 나타내고 있다. 즉, 도10B 에서는, 주사선(X)의 전위가 -5V, 데이터선 전위가 -5V가 되고 TFT 스위칭 소자(M)가 오프 된다. 또한, 코먼선(Lcom)의 전위가 -5V로 된다. 따라서, 횡전계 및 종전계는 모두 0이다.
다음으로, 도10A 에 나타내는 바와 같이, 초기 시퀀스에 있어서, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서 기입 기간에 들어가면, 주사선(X)이 선택되고, 주사선(X)에는 11V의 전위가 인가됨과 함께, 데이터선(Y)에는 -5V의 전위가 인가된다. 그러면, TFT 스위칭 소자(M)가 온 되고, TFT 스위칭 소자(M)의 드레인의 전위, 즉 화소 전극(9)의 전위는 -5V가 되어, 주사선(X)의 전위와 화소 전극(9)과의 사이에 16V(11V＋5V)의 횡전계가 발생한다.
이때, 화소 전극(9)의 전위가 -5V이고 코먼선(Lcom)의 전위가 -5V이기 때문에, 화소 전극(9)과 용량선(LR)과의 사이에 전위차는 없고, 따라서, 화소 전극(9)과 대향 전극(11)과의 사이의 종전계는 0V가 된다.
이와 같이, 본 시퀀스 예1 에서는, 16V의 전위차에 의한 강한 횡전계를, 무리 없이 발생시킬 수 있다.
(벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예2)
다음으로, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예2 에 대하여 설명한다. 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예2 에서는, 선택되어 있는 주사선(액티브 레벨의 주사선)을 이용한 횡전계 발생뿐만 아니라, 비선택의 주사선(비액티브 레벨의 주사선)도 이용하여 횡전계를 발생시킨다. 주사선은, 선택 기간보다도 비선택 기간의 쪽이 길기 때문에, 본 예의 시퀀스에 의하면, 횡전계를, OCB 액정에 길게 인가할 수 있다. 따라서, 벤드 전이 핵의 형성을 빠르게 할 수 있다. 즉, 효율적으로 벤드 전이 핵을 형성할 수 있다.
도11 은, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예2 를 실현하기 위한 구동 방법의 일 예를 설명하기 위한 타이밍 도면이다. 시퀀스 예1 과 동일하게, 주사선(X)은, 선 순차 구동되어, 1 수평 기간마다 각 주사선에, 순서대로 11V(선택 전압)가 인가된다. 한편, 비선택의 주사선은 -5V로 유지된다.
데이터선(Y), 대향 전극(11)(코먼), 용량선(LR)은, 모두 7V로 유지된다.
여기서, 예를 들면, 주사선(X1)(1라인째의 주사선)에 주목한다. 주사선(X1)의 선택 기간(시각 t11∼시각 t12)에 있어서는, 주사선(X1)에는 11V가 인가되고, TFT 스위칭 소자(M)가 온 되어 화소 전극(9)의 전압은 7V가 된다. 따라서, 주사선(X1)과 화소 전극(9)과의 사이의 전위차는 4V이고, 이 전위차에 의해 횡전계가 생긴다.
다음으로, 주사선(X1)이 비선택인 기간(시각 t12∼시각 t13)에 주목한다. 이때, 주사선(X1)은 -5V가 되고 TFT 스위칭 소자(M)는 오프 된다. 단, 유지 용량(C)에 의해 화소 전극(9)의 전압은 7V로 유지된다. 따라서, 비선택의 주사선(X1)과 화소 전극(9)과의 사이의 전위차는 -12V가 되어, 이에 따라 강한 횡전계가 발생한다. 이상의 동작은 다른 주사선(X2∼Xm)에 대해서도 공통이다.
이와 같이, 시퀀스 예2 에서는, 주사선(X)의 비선택 기간(선택 기간보다도 상당히 긴 기간)에 있어서, 예를 들면 -12V의 큰 전위차에 의한 강한 횡전계를 계속적으로 OCB 액정에 인가할 수 있다. 따라서, OCB 액정에 공급하는 에너지의 총량이 커지고, 이것은 벤드 전이 핵 형성의 효율적 형성에 기여한다.
또한, 주사선(X)이 선택되어 있을 때도, 예를 들면 4V의 전위차에 의한 횡전계가 OCB 액정에 인가된다. 즉, 주사선(X)의 비선택시, 선택시를 불문하고, 상시, 횡전계가 인가되게 된다. 따라서, 벤드 전이 핵 형성의 효율적 형성이 가능해진다.
이상의 1 프레임 기간의 동작을, 예를 들면 합계로 6 프레임 기간(전체로 100ms)에 걸쳐 반복한다. 이에 따라, 벤드 전이 핵을 확실히 형성할 수 있다.
이 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예2 에 있어서의 화소 회로의 횡전계 및 종전계의 형상을 도12 에 나타낸다.
도12A, 도12B 는, 도11 에 나타나는 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예2 에 있어서의 화소 회로의 횡전계 및 종전계의 형상을 나타내는 도면이다.
도12A 에 나타내는 바와 같이, 초기 시퀀스에 있어서, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서 기입 기간에 들어가면, 주사선(X)이 선택되고, 주사선(X)에는 11V의 전위가 인가됨과 함께, 데이터선(Y)에는 7V의 전위가 인가된다. 그러면, TFT 스위칭 소자(M)가 온 되고, TFT 스위칭 소자(M)의 드레인의 전위, 즉 화소 전극(9)의 전위는 7V가 되어, 주사선(X)의 전위와 화소 전극(9)과의 사이에 4V(11V－7V)의 전위차에 의한 횡전계가 발생한다.
이때, 화소 전극(9)의 전위가 7V이고, 코먼선(Lcom)의 전위도 7V이기 때문에, 화소 전극(9)과 용량선(LR)과의 사이에 전위차는 0V이고, 따라서, 화소 전극(9)과 대향 전극(11)과의 사이의 종전계는 발생하지 않는다.
도12B 는, TFT 스위칭 소자(M)가 오프시의 전계를 나타내고 있다. 즉, 도12B 에서는, 주사선(X)의 전위가 -5V, 데이터선 전위가 7V가 되고 TFT 스위칭 소자(M)가 오프 된다. 단, 유지 용량(C)에 전하가 축적되어 있기 때문에, 화소 전 극(9)의 전위는 7V로 유지된다.
따라서, 주사선(X)과 화소 전극(9)과의 사이의 전위차는 -12V(=-5V-7V)가 되고, 이 큰 전위차에 의한 강한 횡전계가 발생하여, 이 횡전계가, 주사선의 비선택 기간 중, OCB 액정에 인가되게 된다.
또한, 코먼선(Lcom)의 전위는 7V이다. 따라서, 화소 전극(9)과 대향 전극(11)과의 사이의 전위차는 0V이고, 종전계는 발생하지 않는다.
이와 같이, 본 시퀀스 예2 에서는, 긴 주사선의 비선택 기간을 유효하게 이용하여, 강한 횡전계를 OCB 액정에 길게 인가할 수 있다. 또한, 주사선의 선택시에 있어서도 횡전계를 OCB 액정에 인가할 수 있기 때문에, 벤드 핵 형성 시퀀스시에 있어서, OCB 액정에 국소적인 횡전계를 상시(즉, 연속적으로) 인가할 수 있다. 따라서, 매우 효율적인 벤드 전이 핵 형성이 실현된다. 또한, 이때, 비선택시에 있어서의 전위차(전술의 예에서는 -12V)는, 선택시의 전위차(전술의 예에서는 4V)에 비하여 크고, 따라서, 긴 비선택 기간에 있어서, 보다 강한 횡전계를 인가하는 것이 가능해진다. 또한, 이 비선택 기간에 있어서의 강한 전계는, 주사선과 화소 전극과의 사이에 극성이 다른 전압을 인가함(전술의 예에서는, 주사선에 -5V, 화소 전극에 ＋7V를 인가함)으로써 실현되기 때문에, 강한 횡전계를 무리 없이 발생시킬 수 있다.
또한, 벤드 전이 핵 형성시에는, 화소 전극과 대향 전극과의 사이의 전위차는 0이고, 종전계는 발생하지 않는다. 전술한 바와 같이, 여분의 종전계를 발생시키면, 그 분만큼, 횡전계의 발생 때문에 사용할 수 있는 에너지가 감소하고, 또한, 종전계가 벤드 전이 핵 형성에, 어떠한 악영향을 줄 가능성도 부정할 수 없기 때문에, 횡전계에 의한 벤드 전이 핵 형성시에는, 종전계를 0으로 하여, 가능한 한 높은 전계를 국소적으로 발생시키는 것에 집중하는 것이 바람직하다. 전술의 예에서는, 종전계가 발생하지 않기 때문에, 강한 횡전계만을 액정층(OCB 액정)에 인가할 수 있고, 이에 따라, 벤드 전이 핵을 확실히 형성할 수 있다.
이상은 선 순차 구동의 예이지만, 도13A 에 나타내는 바와 같이 m개(여기에서는 m=2)의 주사선을 동시에 구동하는 복수개 순차 구동을 채용해도 좋다. 도13A 의 예에서는, 2 라인을 동시에 구동하고 있다. 즉, 통상 동작시에 있어서 복수개 순차 구동이 가능한 경우, 초기 시퀀스에 있어서도 복수개 순차 구동을 채용할 수 있다. 이 경우, 통상 동작시와 초기 시퀀스시의 구동 방식의 일관성을 담보할 수 있다.
또한, 도13B 에 나타내는 바와 같이, 면 순차 구동(전 라인 구동)을 채용해도 좋다. 즉, 통상 동작시에 있어서 면 순차 구동이 가능한 경우, 초기 시퀀스에 있어서도 면 순차 구동을 채용할 수 있는 점을 분명하게 한 것이다. 이 경우, 통상 동작시와 초기 시퀀스시의 구동 방식의 일관성을 담보할 수 있다.
(종전계를 이용한 벤드 전이 확대를 위한 구동 방식의 구체예)
도14 는, 종전계를 이용한 벤드 전이 확대를 위한 구동 방식의 구체예를 나타내는 도면이다. 벤드 전이 확대 시퀀스에서는, 기본 시퀀스로서 2 프레임을 필요로 한다. 여기에서는 1 프레임째와 2 프레임째에 있어서, 액정에 인가하는 전압의 극성을 반전하는 프레임 반전 구동을 실행하는 것으로 한다(단, 이에 한정되는 것은 아니다). 또한, 구동 방식으로서는, 선 순차 구동을 채용하는 것으로서 설명한다.
도14 의 기본 시퀀스(1 프레임째)에서는, 1개의 주사선을 순서대로 선택하여, 데이터선을, 예를 들면 5V로 함으로써 화소 전극을 5V로 하고, 한편, 대향 전극을 0V로 하고, 이에 따라 액정에 ＋5V의 종전계를 부여한다. 이것은, 노멀리 화이트(normally white)의 액정의 경우, 전 화소에 동시에 검정(黑) 데이터를 기입하는 것에 상당한다.
1개의 주사선의 액티브 기간이 끝난 후도, 유지 용량에 의해 화소 전극의 전압이 유지되기 때문에, 1 프레임 분의 데이터 기입이 종료되면, 도14 의 오른쪽 위에 나타내는 바와 같이, 전 화소에 ＋5V가 인가되는 상태가 된다.
계속하여, 기본 시퀀스(2 프레임째)에서는, 마찬가지로, 1개의 주사선을 순서대로 선택하고, 데이터선을, 예를 들면 -5V로 함으로써 화소 전극을 -5V로 하고, 한편, 대향 전극을 0V로 하여, 이에 따라 액정에 -5V의 종전계가 인가된다(즉, 화소 전극과 대향 전극과의 전위차 자체는 5V인 채로 변화하지 않지만, 프레임마다의 극성 반전에 의해 프레임마다 종전계의 방향이 반전한다).
1개의 주사선의 액티브 기간이 끝난 후도, 유지 용량에 의해 화소 전극의 전압이 유지되기 때문에, 1 프레임 분의 데이터 기입이 종료되면, 도14 의 오른쪽 아래에 나타내는 바와 같이, 전 화소에 -5V가 인가되는 상태가 된다.
이러한 2 프레임을 1조로 하는 기본 시퀀스를 15회 반복한다. 즉, 합계로 30 프레임 기간에 걸쳐 액정에 5V의 종전계의 인가를 계속한다. 1 프레임을 1/60 초라고 하면, 5V의 종전계의 인가가 500ms 계속되게 된다.
도15 는, 도14 에 나타내는 구동을 실현하기 위한 구동 방법을 설명하기 위한 타이밍 도면이다.
시각 t10∼t13(1 프레임째의 기간(T1))에 있어서는, 데이터선에는 5V의 전압이 인가됨과 함께, 대향 전극, 유지 용량선의 전압은 0V가 된다.
선 순차로 방식으로 주사선이 순서대로 선택된다. 주사선이 선택되었을 때, 주사선의 전위는 11V가 되고, 비선택시에는 -5V가 된다. 주사선이 선택되어 TFT가 온 되면, 데이터선에는 5V가 인가되어 있기 때문에, 화소 전극의 전위가 ＋5V가 되고, 화소 전극과 대향 전극과의 전위차는 ＋5V가 되고, 이에 따라 ＋5V의 종전계가 액정에 가해진다.
시각 t13∼t17(2 프레임째의 기간(T2))에 있어서는, 데이터선에는 2V의 전압이 인가되고, 대향 전극, 유지 용량선에는 7V의 전압이 인가된다. 데이터선과 대향 전극과의 사이의 전위차는 1 프레임째와 동일하게 5V이지만, 2 프레임째의 경우, 대향 전극의 전위가 높은 점으로부터 -5V의 종전계(전위차가 5V로 방향이 반대의 종전계)가 액정에 가해지게 된다.
이상의 일련의 동작을, 정극측(15) 프레임분 및 부극측(15) 프레임분 (합계로 500ms), 반복하여 행함으로써 벤드 전이 확대 시퀀스가 종료한다.
도16A, 도16B 는, 도14 및 도15 에 나타나는 벤드 전이 확대 시퀀스 실행시에 있어서의 화소 회로의 전계의 형상을 나타내는 도면이다.
도16A 에 나타내는 바와 같이, 정극성의 구동의 경우는, 주사선(X)이 11V이 고, 데이터선(Y)이 5V이고, 화소 전극(9)이 5V이고, 대향 전극(11)(및 용량선(LR))이 0V이다. 액정(LC)에는 5V의 종전계가 인가된다.
도16B 에 나타내는 바와 같이, 부극성의 구동의 경우는, 주사선(X)이 11V이고, 데이터선(Y)이 2V이고, 화소 전극(9)이 2V이고, 대향 전극(11)(및 용량선(LR))이 7V이다. 액정(LC)에는, －5V의 종전계가 인가된다.
또한, 벤드 확대 시퀀스시에 있어서, 주사선은 11V이고, 화소 전극은 5V 또는 2V이기 때문에, 횡전계도 발생하지만, 벤드 전이 확대 처리는 주로 강한 종전계에 의해 실현되기 때문에, 이 경우의 횡전계는 무시해도 좋다.
(제2 실시 형태)
도17A 는, 본 발명의 OCB 액정 장치를 각 구성 요소와 함께 대향 기판의 측에서 본 평면도, 도17B 는 도17A 의 H－H'선을 따르는 단면도이다.
또한, 이하의 설명에 이용한 각 도면에 있어서는, 각 층이나 각 부재를 도면상에서 인식 가능할 정도의 크기로 하기 위해, 각층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
도17A, 도17B 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 액정 장치(100)는, 어레이 기판(10)(제1 기판)과 대향 기판(20)(제2 기판)이 시일재(52)에 의해 접합되고, 이 시일재(52)에 의해 구획된 영역 내에 액정층(50)이 봉입되어 있다. 액정층(50)은, 플러스의 유전율 이방성을 갖는 액정으로 구성되어 있고, 후술하는 바와 같이 초기 상태에서는 스플레이 배향, 표시 동작시에는 벤드 배향을 나타내는 것으로 되어 있다.
시일재(52)의 형성 영역의 내측의 영역에, 차광성 재료로 이루어지는 차광막(주변 구획; periphery partition)(53)이 형성되어 있다. 시일재(52) 외측의 주변 회로 영역에는, 데이터선 드라이버(101) 및 외부 회로 실장 단자(102)가 어레이 기판(10)의 1변을 따라 형성되어 있고, 이 1변에 인접하는 2변을 따라 주사선 드라이버(104)가 형성되어 있다. TFT 어레이 기판(10)의 남은 1변에는, 화상 표시 영역의 양측으로 형성된 주사선 드라이버(104)의 사이를 접속하기 위한 복수의 배선(105)이 형성되어 있다.
또한, 대향 기판(20)의 모서리부에 있어서는, 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)과의 사이에서 전기적 도통을 취하기 위한 기판간 도통재(106)가 설치되어 있다. 또한, 도17B 에 나타내는 바와 같이, 어레이 기판(10)의 내측에는 화소 전극(9)이 형성되어 있고, 어레이 기판(10)에 대향 배치된 대향 기판(20)의 내측에는 대향 전극(21)이 형성되어 있다.
(제3 실시 형태)
강한 횡전계를 발생시키기 위한 화소 레이아웃은, 도6 에 나타내는 것에 한정되는 것은 아니다.
도18 은, 횡전계를 효율적으로 발생시키기 위한 레이아웃의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도18 에 있어서는, 대략 정방형 상의 화소 전극(9)의 각변의 대략 중앙부에 오목부가 형성되어 있다. 이에 근접하여 배선되어 주사선(X1)은 오목부로 변형한 배선으로 되어 있다. 이 때문에, 화소 전극의 상하 좌우 위치에 변형한 전이 여기(transition excitation)용의 횡전계 인가부를 형성하게 된다.
따라서, 상하 전극간에 고전압이 인가되어 액정층이 스플레이 배향 상태가 되고 주위보다 왜곡의 에너지가 높아져, 이 액정 분자 배향 상태 방향으로 횡전계 인가부로부터 거의 직각으로 횡전계가 인가되기 때문에, 스플레이 배향에 있어서의 아래 기판측의 액정 분자가 비틀어지는 힘을 받아, 전이 핵의 발생이 일어나기 쉬워진다.
(제4 실시 형태)
도19 는, 강한 횡전계를 발생시키기 위한 화소 레이아웃의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도19 에서는, 주사선과 화소 전극간에 강한 횡전계를 효율적으로 발생시키기 위해, 화소열을 의도적으로 직선적으로 배치하지 않고, 또한, 주사선에 관해서는, 곡절부(bent portions)를 갖는 레이아웃을 채용하고 있다.
도시되는 바와 같이, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소에는, 화소 전극(9)이 각각 형성되어 있다. 또한, 그 화소 전극(9)의 측방에는, 당해 화소 전극(9)으로의 통전 제어를 행하는 스위칭 소자인 TFT 소자(M)가 형성되어 있다. TFT 소자(M)의 소스에는, 데이터선(Y1∼Yn)이 전기적으로 접속되어 있다. 각 데이터선(Y1∼Yn)에는 화상 신호가 공급된다. 또한 화상 신호는, 각 데이터선(Y1∼Yn)에 대하여 이 순서대로 선 순차로 공급해도 좋고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(Y1∼Yn)에 대하여 그룹마다 공급해도 좋다.
TFT 소자(M)의 게이트에는, 주사선(X1∼X3)이 전기적으로 접속되어 있다. 주사선(X1∼X3)에는, 소정의 타이밍으로 펄스적으로 주사 신호가 공급된다. 또한, 주사 신호는, 각 주사선(X1∼X3)에 대하여 이 순서대로 선 순차로 인가된다. 또 한, TFT 소자(M)의 드레인에는, 화소 전극(9)이 전기적으로 접속되어 있다. 이 TFT 소자(M), 유지 용량(C), 화소 전극(9)에 의해 화소 회로(G1a∼G1n, G2a∼G2n, Gna∼Gnn)가 구성되어 있다. 그리고, 주사선(X1∼X3)으로부터 공급된 주사 신호에 의해, 스위칭 소자인 TFT 소자(M)를 일정 기간만큼 온 상태로 하면, 데이터선(Y1∼Yn)으로부터 공급된 화상 신호가, 각 화소의 액정에 소정의 타이밍으로 기입된다.
액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호는, 화소 전극(9)과 후술하는 대향 전극과의 사이에 형성되는 액정 용량으로 일정 기간 유지된다. 또한, 유지된 화상 신호가 리크하는 것을 방지하기 위해, 화소 전극(9)과 용량선(LR1∼LR3)과의 사이에 유지 용량(C)이 형성되고, 액정 용량과 병렬로 접속되어 있다. 이와 같이, 액정에 전압이 인가되면, 그 전압 레벨에 의해 액정 분자의 벤드 배향 상태가 변화한다. 이에 따라, 액정에 입사한 빛이 변조되어 계조 표시가 가능해진다.
초기 시퀀스(SA)를 위한 전압 인가를 행할 때에도, 화상 표시 동작의 경우와 동일하게, 데이터선에 초기 시퀀스용 신호를 공급하고, 주사선에 주사 신호를 공급하여 표시 영역 내의 복수의 화소를 구동한다.
도20A, 도20B 는, 도19 에 나타나는 화소부의 일부를 발췌하여 나타내는 도면이다. 도20A 에 나타내는 바와 같이, 도20 의 액정 장치에서는, 어레이 기판의 내면 상에, 복수의 화소 전극(9)이 데이터선(Y1∼Y3)의 연재 방향을 따라 배치된 제1 화소 전극열(9a)(홀수단째의 화소 전극열)과, 제1 화소 전극열(9a)에 주사선(X1∼X2의) 연재 방향으로 서로 인접하는 제2 화소 전극열(9b)(짝수단째의 화소 전극열)이 주사선(X1∼X2)의 연재 방향으로 교대로 복수 형성되어 있다.
제1 화소 전극열(9a)에 대하여 제2 화소 전극열(9b)은 데이터선(Y1∼Y3)의 연재 방향으로 소정 거리만큼 어긋나 배치되어 있다.
각 주사선(X1∼X2)은, 화소 전극의 배치를 따라 데이터선(Y1∼Y3)의 연재 방향으로 곡절(bend)하면서 연장(extended)되어 있다. 그 때문에, 각 주사선(X1∼X2)의 연재 방향에는 복수의 곡절부가 형성된다. 곡절부란, 본선을 화소 전극(9a, 9b)의 모서리부를 따라 대략 직각으로 곡절된 부분을 말한다. 여기서 곡절부는, 주사선(Y1∼Y3)의 양측에 위치하는 화소 전극의 모서리부에 각각 대향 배치되어 있다. 상술하면, 곡절부에는, 제1 화소 전극열(9a)의 화소 전극(9a)에 있어서의 2개의 모서리부에 대향하는 곡절부와, 제2 화소 전극열의 화소 전극(9b)에 있어서의 2개의 모서리부에 대향하는 곡절부가 있다. 또한, 상기 곡절부는, 직각으로 곡절한 부분에 한정되지 않고, 둔각, 예각이나, 곡선 형상으로 곡절한 부분이어도 좋다.
여기서, 주사선(X1∼X2)은, 자신의 연재 방향을 따르는 직선부와, 이들 직선부와 직선부를 연결하는 연결부로 구성되어 있고, 각 직선부의 위치가 데이터선(Y1∼Y3)의 연재 방향(주사선에 교차하는 방향)에 있어서 연결부를 통하여 교대로 어긋나 있다.
앞서 서술한 제1 화소 전극열의 화소 전극(9a)에 있어서의 곡절부는 직선부와 연결부에 의해 구성되고, 제2 화소 전극열의 화소 전극(9b)에 있어서의 곡절부는 직선부와 연결부에 의해 구성되어 있다. 이와 같이, 주사선(X1∼X2)의 연재 방향에는 2개의 곡절부가, 각각 2개씩 교대로 존재하게 되어 있고, 대향하는 화소 전극(9)의 모서리부와의 사이에 생기는 전계에 의해 액정의 배향을 촉진시키는 기능 을 갖고 있다.
이러한 구성을 구비한 도20A 의 액정 장치는, 화소 전극과 대향 전극과의 사이에 전압이 인가되지 않는 상태(또는 비선택 전압 인가시)에서, 스플레이 배향 상태(초기 배향 상태)로 되어 있다. 그리고, 도20B 에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(9a)에 전압을 인가했을 때에 화소 전극(9b)과 주사선(X1)의 전위가 다르기 때문에, 화소 전극(9a)의 모서리부와 이들 모서리부에 대향하는 주사선(X1)의 곡절부와의 사이에 횡전계(E1)가 생기게 된다. 즉, 화소 전극(9)의 주사선 방향으로 교차하는 횡전계(E1)와 데이터선 방향으로 교차하는 횡전계(E2)가 생기게 된다.
배향막의 러빙 방향은, 도20B 의 화살표 0 방향을 따른다. 이러한 초기 배향 상태에서 앞서 서술한 조건의 하(下)전압이 인가되면, 횡전계(E1)를 따를 수 있도록 시계 방향(RT1)으로 트위스트하는 액정 분자(51a)와, 횡전계(E2)를 따를 수 있도록 반시계 방향(RT2)으로 트위스트하는 액정 분자(51b)가 발생한다. 이러한 횡전계(E1, E2)를 따라 배향하는 액정 분자에 의해, 화소 전극(9a, 9b)의 모서리부와 이에 대향하는 주사선(X1)의 곡절부와의 근방에 있어서 배향 불량에 기인하는 디스클리네이션 라인이 발생한다. 이에 따라, 횡전계(E1, E2)의 영향을 받아 배향한 액정 분자를 핵으로 하여, 그들의 액정 분자의 주위에 벤드 배향이 전파되게 된다.
또한, 화소 전극의 모서리부와 주사선(X1)의 곡절부와의 근방에 있어서, 소망으로 하는 벤드 배향을 따르지 않는 방향으로 생기는 횡전계(E1, E2)의 영향을 받아 배향하고 있는 액정 분자가 존재하고 있어도, 비표시 영역은 전술한 바와 같 이 도시되지 않는 차광층을 형성하고 있기 때문에, 화소 표시에 영향을 주는 일은 없다.
이와 같이, 도20 의 액정 장치에서는, 제1 화소 전극열(9a)과 제2 화소 전극열(9b)을 서로의 화소 전극(9)의 위치가 데이터선(Y1∼Y3)의 연재 방향으로 소정 거리만큼 교대로 어긋나도록 배치하고, 비표시 영역에 형성되는 주사선(X1∼X2)에, 화소 전극(9a, 9b)의 배치를 따라 크랭크(crank) 형상으로 곡절하는 복수의 곡절부를 형성하는 구성으로 했다. 그리고, 이들 주사선(X1∼X2)에 있어서의 복수의 곡절부를 당해 주사선(X1∼X2)의 양측에 위치하는 화소 전극의 적어도 2개의 모서리부에 대향시킴으로써, 전압 인가시에 있어서의 화소 전극과 곡절부와의 사이에서 횡전계(E2)를 복잡하게 발생시킬 수 있다.
이와 같이 하여, 각 화소 영역(ZP)에 있어서 복수(본 실시의 형태에 있어서는 2개)의 벤드 전이 핵의 발생 포인트를 형성함으로써, 주사선(X1∼X2)을 곡절시키지 않는 액정 장치에 비하여, 전압 인가시의 화상 표시 영역 내에 있어서의 액정 분자(51) 전체를 스플레이 배향으로부터 벤드 배향으로 배향 전이를 원활히 행할 수 있다. 따라서, 액정층의 광투과율을 단시간에 변화시킬 수 있고, 고속 응답이 가능해지기 때문에 잔상 등이 발생할 일도 없고 양호한 표시를 행할 수 있다. 또한, 도20B 의 P－P'를 따르는 디바이스의 단면 구조는, 도6 에 나타내는 대로이다.
단, 이상 설명한 구성은, 강한 횡전계를 발생시키기 위한 구성의 일 예이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
(제5 실시 형태)
다음으로 본 발명의 OCB 액정 장치를 이용한 전자 기기에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에서는 휴대 전화를 예로 들어 설명한다.
도21 은, 휴대 전화의 전체 구성을 나타내는 사시도이다. 휴대 전화(1300)는, 케이스(1306), 복수의 조작 버튼이 형성된 조작부(1302), 화상이나 동영상, 문자 등을 표시하는 표시부를 주체로 하여 구성되어 있다. 표시부에는, 상기 제1∼3의 실시 형태에 따른 액정 장치(100)가 탑재된다.
전술한 대로, 본 발명의 실시 형태의 액정 장치는, 간소화된 구성을 갖고, OCB 액정의 초기 전이를 무리 없이, 효율적으로 실현할 수 있고, 소형이며 저비용라는 이점을 갖는다. 따라서, 본 발명의 실시 형태에 따른 액정 장치를 탑재하는 휴대 단말(1300)도, 소형이며 저비용라는 이점을 누릴 수 있다.
(제6 실시 형태)
다음으로, 본 실시 형태에서는, 정보 단말(예를 들면, 퍼스널 컴퓨터)을 예로 들어 설명한다. 도22 는, 본 발명의 액정 장치를 탑재한 정보 단말(PDA, 퍼스널 컴퓨터, 워드 프로세서 등)의 사시도이다.
정보 단말(1200)은, 상부 케이스(1206) 및 하부 케이스(1204)와, 키보드 등의 입력부(1202)와, 본 발명의 OCB 액정 장치를 이용한 표시 패널(100)을 갖는다. 이 정보 단말에 있어서도, 전술의 휴대 단말과 동일한 효과가 얻어진다.
또한, 본 실시 형태에 대하여 상술했지만, 본 발명의 신규 사항 및 효과로부터 일탈하지 않는 범위에서, 많은 변형이 가능하다는 것은, 당업자에게는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 이러한 변형예는, 모두 본 발명에 포함되는 것으 로 한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 적어도 하나의 실시 형태에 의하면, 이하의 효과를 얻을 수 있다. 단, 이하의 효과를 동시에 얻어진다고는 할 수 없고, 이하의 효과의 열거가 본 발명을 부당히 한정하는 근거로 되어서는 안 된다.
(1) OCB 액정 장치의 구동 방식으로서, 통상 동작시의 구동을 답습한, 특별한 고전압이나 복잡한 처리를 수반하지 않는 구동 방식을 채용함으로써, 구동 방식의 일관성을 담보할 수 있어, 액정 드라이버의 부담을 경감할 수 있고, 비용 삭감이 가능하다. 또한, 초기 시퀀스를 위해 통상 동작시와는 전혀 다른 특별한 처리를 행할 필요가 없어져, OCB 액정 장치의 사용 편의도 향상한다.
(2) 주사선과 화소 전극간의 횡전계를 이용하여 벤드 전이 핵을 형성하고, 다음으로, 화소 전극과 대향 전극간의 종전계를 이용하여 벤드 전이 확대를 행하는 심플한 구동 방식이기 때문에, 실현이 용이하다.
(3) 비선택 상태의 주사선을 이용하여 횡전계를 발생시키는 경우는, 긴 주사선의 비선택 기간을 유효하게 이용하여, 강한 횡전계를, OCB 액정에 길게 인가할 수 있다. 또한, 주사선의 선택시에 있어서도 횡전계를 OCB 액정에 인가하는 경우에는, 벤드 핵 형성 시퀀스시에 있어서, OCB 액정에 국소적인 횡전계를 상시(즉, 연속적으로) 인가하는 것이 가능해진다. 따라서, 매우 효율적인 벤드 전이 핵 형성이 실현된다. 이때, 비선택시에 있어서의 전위차를 선택시의 전위차에 비하여 크게 함으로써, 긴 비선택 기간에 있어서, 보다 강한 횡전계를 인가하는 것이 가능해진다. 또한, 이 비선택 기간에 있어서의 강한 전계는, 주사선과 화소 전극과의 사이에 극성이 다른 전압을 인가함으로써 실현될 수 있어(단, 이에 한정되는 것은 아니고), 강한 횡전계를 무리 없이 발생시킬 수 있다.
(4) 벤드 전이 핵 형성시에는, 화소 전극과 대향 전극과의 사이의 전위차는 0이고, 종전계는 발생하지 않는다. 따라서, 강한 횡전계만을 액정층(OCB 액정)에 인가할 수 있고, 이에 따라, 벤드 전이 핵을 확실히 형성할 수 있다.
(5) 예를 들면, 11V 정도의 내압의 트랜지스터를 이용하여 회로를 구성할 수 있다. 즉, 액정 드라이버로서 특별한 고내압 소자가 불필요하고, 드라이버 IC의 제조를 할 때에, 점유 면적이 증대나 제조 프로세스의 복잡화, 비용 상승이라는 문제는 생기지 않는다.
(6) 횡전계를 발생시킬 때에, 종전계를 0으로 하는 것이 바람직하고, 이 경우에는, 복잡한 강한 횡전계만에 의해 디스클리네이션(벤드 전이 핵)을 효율적으로 발생시킬 수 있다.
(7) 횡전계를 발생시킬 때에, 주사선과 화소 전극의 각각에 극성이 다른 전압을 인가함으로써, 양 전압의 합의 전위차를 생기게 하여 강한 횡전계를 무리 없이 생기게 할 수 있다.
(8) 주사선, 데이터선, 코먼선(대향 전극)에 공급하는 타이밍과 공급하는 전압의 레벨을 전환함으로써, 초기 시퀀스를 효율적으로 실행할 수 있어, 특별한 전용의 드라이버 등은 불필요하다.
(9) 초기 시퀀스를, 과대한 고전압을 이용하지 않고 실현될 수 있고, 또한, 통상 동작시와 동일한 순차 구동(예를 들면, 선 순차 구동이나 복수 순차 구동)을 이용하여 실현될 수 있고, 따라서, 액정 구동 회로가 간소화되어, OCB 액정 장치의 저비용화를 달성할 수 있다.
(10) 본 발명에 의해, 벤드 전이 핵 형성 및 벤드 전이 확대의 일련의 처리를 통하여, 무리가 없는 합리적인 구동 방식을 확립할 수 있다.
(11) 본 발명은, OCB 액정 장치의 사용 편의를 높이기 위해, OCB 액정 장치의 양산화, 사회로의 보급 촉진에 공헌한다.
본 발명은, 예를 들면, OCB 액정(이에 한정되는 것이 아니고, 동일한 전이 시퀀스가 필요한 어떠한 액정에도 적용이 가능함)의 전이 시퀀스를 과대한 고전압을 이용하지 않고, 그리고, 통상 동작시와 동일한 순차 구동을 이용하여 실현할 수 있다는 효과를 가져온다. 따라서, 예를 들면, 액정 장치, 액정 장치의 구동 방법, 액정 장치 구동용 IC(집적 회로 장치) 및 전자 기기로서 유용하다.
도1 은, OCB 액정 장치에 있어서의 전원 투입시에서 화소 표시까지의 시퀀스의 개요를 나타내는 도면이다.
도2A∼도2D 는, 본 발명의 OCB 액정 장치의 일 예에 있어서의 초기 시퀀스에서의 액정 분자의 배향 상태를 나타내는 도면이다.
도3 은, 본 발명의 OCB 액정 장치의 일 예에 있어서의 초기 시퀀스의 개요를 설명하기 위한 도면이다.
도4 는, 본 발명의 액정 장치의 구성예를 나타내는 도면이다.
도5 는, 액정 구동용 IC의 구성예를 나타내는 도면이다.
도6 은, 본 발명의 액정 장치의 화소부의 구성의 일 예를 나타내는 도면이다.
도7 은, 근접하여 배치된 주사선 및 화소 전극 부근의 디바이스의 단면 구조예를 나타내는 도면이다.
도8 은, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에 있어서의 구체적인 구동 방식의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도9 는, 도8 에 나타내는 구동을 실현하기 위한 구동 방법을 설명하기 위한 타이밍 도면이다.
도10A, 도10B 는, 도8 및 도9 에 나타나는 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에 있어서의 화소 회로의 횡전계 및 종전계의 형상을 나타내는 도면이다.
도11 은, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예2 를 실현하기 위한 구동 방법의 일 예를 설명하기 위한 타이밍 도면이다.
도12A, 도12B 는, 도11 에 나타나는 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 예2 에 있어서의 화소 회로의 횡전계 및 종전계의 형상을 나타내는 도면이다.
도13A, 도13B 는 벤드 전이 핵 형성시의 구동 방식의 다른 예(복수개 순차 구동, 면 순차 구동)를 나타내는 도면이다.
도14 는, 종전계를 이용한 벤드 전이 확대를 위한 구동 방식의 구체예를 나타내는 도면이다.
도15 는, 도14 에 나타내는 구동을 실현하기 위한 구동 방법을 설명하기 위한 타이밍 도면이다.
도16A, 도16B 는, 도15 에 나타나는 벤드 전이 확대 시퀀스 실행시에 있어서의 화소 회로의 전계의 형상을 나타내는 도면이다.
도17A, 도17B 는, 본 발명의 OCB 액정 장치의 일 예의 평면도 및 단면도이다.
도18 은, 횡전계를 효율적으로 발생시키기 위한 화소부의 레이아웃의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도19 는, 횡전계를 효율적으로 발생시키기 위한 화소부의 레이아웃의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.
도20A, 도20B 는, 도19 에 나타나는 화소부의 일부를 발췌하여 나타내는 도면이다.
도21 은, 본 발명의 액정 장치를 탑재한 휴대 전화의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.
도22 는, 본 발명의 액정 장치를 탑재한 정보 단말의 사시도이다.

Claims (20)

  1. 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판에 협지(sandwich)되는 액정을 갖고, 초기 시퀀스(sequence)를 실행함으로써 상기 액정의 액정 분자의 배향 상태를 스플레이(splay) 배향으로부터 벤드(bend) 배향으로 전이(transition)시켜 표시 또는 광변조를 행하는 액정 장치로서,
    상기 제1 기판 상에 형성되는, 서로 교차하는 복수의 주사선 및 복수의 데이터선과,
    상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 각각의 교점에 형성되는 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자에 접속되는 화소 전극 및 상기 화소 전극의 전압을 일시적으로 유지하기 위한 유지 용량을 포함하는 화소 회로와,
    상기 제2 기판 상에, 상기 화소 전극과 대향하여 형성되는 대향 전극과,
    상기 주사선, 상기 데이터선 및 상기 대향 전극을 구동할 수 있는 드라이버와,
    상기 표시 또는 광변조를 위한 화상 신호 및 제어 신호를, 상기 드라이버에 공급하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 초기 시퀀스는, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스와, 벤드 전이 확대 시퀀스를 포함하고,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는, 상기 화소 전극과 상기 주사선 과의 사이의 전위차에 의해 횡전계(horizontal electric field)를 발생시키고,
    상기 벤드 전이 확대 시퀀스 실행시에는, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이의 전위차에 의해 종전계(vertical electric field)를 발생시키는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는,
    상기 주사선에, 상기 화소 회로에 있어서의 상기 스위칭 소자를 온 상태로 하기 위한 전압을 부여하고, 상기 데이터선에, 상기 주사선의 상기 전압과는 다른 전압을 부여하고,
    상기 벤드 전이 확대 시퀀스 실행시에는,
    상기 데이터선 및 상기 대향 전극의 각각에 다른 전압을 부여하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는, 상기 화소 전극과 비(非)선택의 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해 횡전계를 발생시키는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는,
    상기 화소 전극과 선택되어 있는 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해서도 횡전계를 발생시키는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화소 전극과 상기 비선택의 주사선과의 사이의 전위차는, 상기 화소 전극과 상기 선택되어 있는 주사선과의 사이의 전위차보다도 큰 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 액정은, OCB(Optical　Compensated　Bend) 액정인 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에 있어서,
    상기 데이터선 및 상기 대향 전극의 각각에 동일한 전압을 부여하여, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 종전계가 발생하지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스 실행시에는, 상기 화소 전극 및 상기 주사선의 각각에, 소정 전위를 기준으로 하여 극성이 다른 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 초기 시퀀스 실행시에 있어서, 상기 주사선을 순차 구동하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    순차 구동 방식으로서,
    1개의 주사선을 순서대로 구동하는 선 순차 구동 방식,
    동시에 선택되는 복수개의 주사선을 단위로 하여, 순서대로 상기 주사선을 구동하는 복수개 순차 구동 방식,
    전부(全部)의 주사선을 동시에 구동하는 면 순차 구동 방식 중 어느 하나를 채용하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스를, 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 벤드 전이 확대 시퀀스를, 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스를, 소정의 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행함과 함께,
    상기 벤드 전이 확대 시퀀스를, 소정의 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행하고,
    그리고, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간을, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간보다도 길게 설정하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  14. 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판에 협지되는 액정과, 상기 제1 기판 상에 형성되는, 서로 교차하는 복수의 주사선 및 복수의 데이터선과, 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 각각의 교점에 형성되는 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자에 접속되는 화소 전극 및 상기 화소 전극의 전압을 일시적으로 유지하기 위한 유지 용량을 포함하는 화소 회로와, 상기 제2 기판 상에, 상기 화소 전극과 대향하여 형성되는 대향 전극을 갖고, 초기 시퀀스를 실행함으로써 상기 액정의 액정 분자의 배향 상태를 스플레이 배향으로부터 벤드 배향으로 전이시켜 표시 또는 광변조를 행하는 액정 장치의 구동 방법으로서,
    상기 초기 시퀀스는, 벤드 전이 핵 형성 시퀀스와, 벤드 전이 확대 시퀀스를 포함하고,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서는,
    상기 화소 전극과 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해 횡전계를 발생시켜, 상기 횡전계를 이용하여 벤드 전이 핵을 형성하고,
    상기 벤드 전이 확대 시퀀스에서는,
    상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이의 전위차에 의해 종전계를 발생시켜, 상기 종전계에 의해 벤드 전이를 확대하는 것을 특징으로 하는 액정 장치의 구동 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서는,
    상기 주사선에, 제1 극성의 제1 전압을 부여함으로써 상기 스위칭 소자를 온 시킴과 함께,
    상기 데이터선에, 상기 제1 극성과는 반대의 극성인 제2 극성의 제2 전압을 부여하고, 이에 따라, 상기 화소 전극과 상기 주사선과의 사이에, 상기 제1 전압과 상기 제2 전압의 차이에 상당하는 전위차를 생기게 하여 횡전계를 발생시키고,
    그리고, 상기 대향 전극에, 상기 제2 극성의 제2 전압을 부여하고, 이에 따라, 상기 대향 전극과 상기 화소 전극과의 사이의 전위차를 없애 종전계가 생기지 않도록 하고,
    상기 벤드 전이 확대 시퀀스에서는,
    상기 데이터선 및 상기 대향 전극의 각각에 다른 전압을 부여하고, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이의 전위차에 의해 종전계를 발생시키는 것을 특징으로 하는 액정 장치의 구동 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서는,
    상기 화소 전극과 비선택의 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해 횡전계를 발생시켜, 상기 횡전계를 이용하여 벤드 전이 핵을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 장치의 구동 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스에서는,
    상기 화소 전극과 선택되어 있는 상기 주사선과의 사이의 전위차에 의해서도 횡전계를 발생시킴과 함께, 상기 화소 전극과 상기 비선택의 주사선과의 사이의 전위차는, 상기 화소 전극과 상기 선택되어 있는 주사선과의 사이의 전위차보다도 크게 하고,
    그리고, 상기 화소 전극 및 상기 비선택의 주사선의 각각에는, 소정 전위를 기준으로 하여 극성이 다른 전압을 인가하고,
    그리고, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 종전계가 발생하지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 액정 장치의 구동 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 초기 시퀀스에서는, 상기 주사선을 순차 구동함과 함께,
    상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스를, 소정의 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행함과 함께,
    상기 벤드 전이 확대 시퀀스를, 소정의 복수의 프레임 기간에 걸쳐 반복하여 실행하고,
    그리고, 상기 벤드 전이 확대 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간을, 상기 벤드 전이 핵 형성 시퀀스가 반복하여 행해지는 기간보다도 길게 설정하는 것을 특징으로 하는 액정 장치의 구동 방법.
  19. 제14항에 기재된 액정 장치의 구동 방법을 실행하는 액정 장치 구동용 집적 회로 장치로서,
    상기 주사선, 상기 데이터선 및 상기 대향 전극을 구동하는 드라이버와,
    상기 표시 또는 광변조를 위한 화상 신호 및 제어 신호를, 상기 드라이버에 공급하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 액정 장치 구동용 집적 회로 장치.
  20. 제1항에 기재된 액정 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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