KR20090008697U - Test socket with interposed substrate - Google Patents

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Abstract

본 고안은 테스트 소켓에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 디바이스의 단자와 테스트장치의 접촉패드를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓에 있어서, 그 상면에는 상기 반도체 디바이스의 단자와 대응되는 위치에 배치되는 다수개의 제1패턴과, 그 하면에는 상기 테스트장치의 접촉패드와 대응되는 위치에 배치되는 다수개의 제2패턴으로 구성되는 매개기판을 포함하되, 상기 제2패턴은 상기 제1패턴과 서로 전기적으로 접속되며 상기 제1패턴의 직하방으로부터 벗어난 위치에 배치된다.The present invention relates to a test socket, and more particularly, a test socket for electrically connecting a terminal of a semiconductor device and a contact pad of a test apparatus, the upper surface of the test socket being disposed at a position corresponding to the terminal of the semiconductor device. A first substrate having a plurality of first patterns, and a lower substrate having a plurality of second patterns disposed at positions corresponding to the contact pads of the test apparatus, wherein the second patterns are electrically connected to the first patterns. And is disposed at a position away from directly below the first pattern.

매개기판, 제1패턴, 제2패턴 Intermediate Board, First Pattern, Second Pattern

Description

매개기판을 가진 테스트 소켓{Test socket with interposed substrate}Test socket with interposed substrate

본 고안은 매개기판을 가진 테스트 소켓에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 디바이스의 단자와 테스트장치의 접촉패드가 서로 대응되는 위치에 배열되어 있지 않아도 전기적인 연결이 가능하게 하는 매개기판을 가진 테스트 소켓에 관한 것이다.The present invention relates to a test socket having an intermediate substrate, and more particularly, a test socket having an intermediate substrate that enables electrical connection even when the terminals of the semiconductor device and the contact pads of the test apparatus are not arranged at corresponding positions. It is about.

일반적인 반도체 디바이스의 불량을 판정하기 위하여 제조가 완료된 반도체 디바이스의 단락여부를 판단한다. 이를 위하여 반도체 디바이스와 테스트장치 사이에 테스트 소켓을 마련해두고, 반도체 디바이스의 단자와 테스트장치의 접촉패드를 서로 전기적으로 연결할 수 있도록 설계된다.In order to determine a failure of a general semiconductor device, a short circuit of a completed semiconductor device is determined. To this end, a test socket is provided between the semiconductor device and the test apparatus, and the terminals of the semiconductor device and the contact pads of the test apparatus are electrically connected to each other.

종래기술에 따른 테스트 소켓은 도 1에 도시한 바와 같이, 반도체 디바이스(110)의 단자(111)와 대응되는 위치에 상하방향으로 연장된 다수개의 도전부(101)와, 상기 도전부(101)를 지지하는 절연부(102)로 이루어진다. 한편, 상기 테스트장치(120)의 접촉패드(121)는 도전부(101)와 대응되는 위치에 배열된다. 테스트를 수행하기 위하여, 테스트장치(120)의 위에 상기 테스트소켓(100)을 탑재한 상태에서, 상기 반도체 디바이스(110)를 하강하여 상기 반도체 디바이스(110)의 각 단자(111)가 상기 도전부(101)에 접촉하게 하고, 상기 테스트장치(120)로부터 신호를 가하여 소정의 테스트가 수행된다.As shown in FIG. 1, the test socket according to the related art includes a plurality of conductive parts 101 extending in the vertical direction at positions corresponding to the terminals 111 of the semiconductor device 110, and the conductive parts 101. It consists of an insulating portion 102 for supporting. Meanwhile, the contact pads 121 of the test apparatus 120 are arranged at positions corresponding to the conductive parts 101. In order to perform a test, while the test socket 100 is mounted on the test apparatus 120, the semiconductor device 110 is lowered so that each terminal 111 of the semiconductor device 110 is connected to the conductive portion. A test is performed by contacting 101 with a signal from the test apparatus 120.

이러한 종래의 기술은 반도체 디바이스의 단자의 직하방에 상기 테스트장치의 접촉패드가 위치하여야만 정상적인 테스트가 수용될 수 있다. 따라서, 테스트장치의 접촉패드와 서로 대응되는 위치에 배열되지 않은 단자를 가진 반도체 디바이스를 테스트 하기 위해서는, 상기 반도체 디바이스의 단자의 위치와 대응되는 위치에 배열되는 접촉패드를 가진 테스트 장치로 교체해야 했다.In this conventional technique, a normal test can be accepted only when a contact pad of the test apparatus is positioned directly under a terminal of a semiconductor device. Therefore, in order to test a semiconductor device having terminals not arranged at positions corresponding to the contact pads of the test apparatus, it was necessary to replace the test apparatus having contact pads arranged at positions corresponding to the positions of the terminals of the semiconductor device. .

즉, 단자들의 위치가 각각 다른 반도체 디바이스의 테스트를 수행하기 위해서는 그 단자들의 위치에 맞춰서 별도의 테스트장치를 구비해야 하는 문제점이 있다. 그러나, 이와 같이 반도체 디바이스에 맞춰서 테스트장치를 새로 제작해야 하는 것은 전체적인 테스트를 위한 비용을 증가시키는 주된 원인이 된다.That is, in order to perform a test of a semiconductor device having different positions of terminals, there is a problem that a separate test apparatus must be provided according to the positions of the terminals. However, the necessity of newly fabricating the test apparatus for the semiconductor device is a major cause of increasing the cost for the overall test.

본 고안은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 반도체 디바이스의 단자들의 위치배열이 변화되어도 테스트장치를 교체할 필요가 없는 매개기판을 가진 테스트 소켓을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide a test socket having an intermediate substrate which does not require replacing the test apparatus even when the positional arrangement of the terminals of the semiconductor device is changed.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 고안에 따른 매개기판을 가진 테스트 소켓은, 반도체 디바이스의 단자와 테스트장치의 접촉패드를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓에 있어서, 그 상면에는 상기 반도체 디바이스의 단자와 대응되는 위치에 배치되는 다수개의 제1패턴과, 그 하면에는 상기 테스트장치의 접촉패드와 대응되는 위치에 배치되는 다수개의 제2패턴으로 구성되는 매개기판을 포함하되,A test socket having an intermediate substrate according to the present invention for solving the above-mentioned problems is a test socket for electrically connecting a terminal of a semiconductor device and a contact pad of a test apparatus, the upper surface of which corresponds to a terminal of the semiconductor device. And a plurality of first patterns disposed at positions of the plurality of first patterns, and lower surfaces of the plurality of first patterns disposed at positions corresponding to the contact pads of the test apparatus.

상기 제2패턴은 상기 제1패턴과 서로 전기적으로 접속되며 상기 제1패턴의 직하방으로부터 벗어난 위치에 배치된다.The second pattern is electrically connected to the first pattern and is disposed at a position deviating from directly below the first pattern.

상기 매개기판을 가진 테스트 소켓에서, 상기 매개기판의 상측에는 제1도전성 탄성시트가 배치되며, 상기 제1도전성 탄성시트는 상기 제1패턴과 대응되는 위치에 배치되며 실리콘 고무에 다수개의 도전성 입자를 포함하고 상하방향으로 연장된 다수개의 제1도전부와, 각각의 제1도전부를 지지하며 실리콘 고무로 이루어진 제1절연부로 구성된 것이 바람직하다.In the test socket having the intermediate substrate, a first conductive elastic sheet is disposed on the upper side of the intermediate substrate, and the first conductive elastic sheet is disposed at a position corresponding to the first pattern, and a plurality of conductive particles are formed on the silicone rubber. And a plurality of first conductive parts including a plurality of first conductive parts extending in the vertical direction, and a first insulating part made of silicon rubber and supporting each of the first conductive parts.

상기 매개기판을 가진 테스트 소켓에서, 상기 도전성 입자는 10 ~ 50 ㎛ 의 입경을 가지는 것이 바람직하다.In the test socket having the intermediate substrate, the conductive particles preferably have a particle size of 10 ~ 50 ㎛.

상기 매개기판을 가진 테스트 소켓에서, 상기 도전성 입자는 실리콘 고무에 대하여 20 ~ 50 체적%의 비율로 혼합되어 있는 것이 바람직하다.In the test socket having the intermediate substrate, the conductive particles are preferably mixed at a ratio of 20 to 50% by volume with respect to the silicone rubber.

상기 매개기판을 가진 테스트 소켓에서, 상기 제1도전성 탄성시트의 양측에 상기 제1도전성 탄성시트와 이격되어 배치되는 프레임과, 가장자리는 상기 프레임에 고정되며, 중앙부위는 상기 제1도전성 탄성시트의 하면에 접촉하면서 상기 제1도전성 탄성시트를 지지하고 상기 제1도전부와 대응되는 위치에 다수개의 비아홀이 마련된 시트를 포함하는 것이 바람직하다.In the test socket having the intermediate substrate, the frame is spaced apart from the first conductive elastic sheet on both sides of the first conductive elastic sheet, the edge is fixed to the frame, the central portion of the first conductive elastic sheet Preferably, the sheet includes a sheet supporting the first conductive elastic sheet while being in contact with a lower surface and having a plurality of via holes provided at a position corresponding to the first conductive portion.

상기 매개기판을 가진 테스트 소켓에서, 상기 제1도전부와 대응되는 위치에 배치되며 상기 제1도전성 탄성시트를 전체적으로 높이조정하는 높이조정부재가 형성된 것이 바람직하다.In the test socket having the intermediate substrate, it is preferable that the height adjusting member is disposed at a position corresponding to the first conductive portion and adjusts the height of the first conductive elastic sheet as a whole.

상기 매개기판을 가진 테스트 소켓에서, 상기 높이조정부재는, 상단이 제1도전부와 접촉되며 상하방향으로 위치이동가능한 제1접촉핀과, 하단이 상기 매개기판의 제1패드와 접촉되는 제2접촉핀과, 상기 제1접촉핀의 하단 및 상기 제2접촉핀의 상단과 접촉하며, 상기 제1접촉핀과 제2접촉핀을 서로 멀어지는 방향으로 탄성바이어스시키는 제1스프링으로 이루어진 것이 바람직하다.In the test socket having the intermediate substrate, the height adjusting member includes a first contact pin whose upper end is in contact with the first conductive portion and is movable up and down, and a second lower end which is in contact with the first pad of the intermediate substrate. It is preferable that the contact pins, the first contact pins and the upper end of the second contact pins, the first spring and the first contact pins to elastically bias in a direction away from each other.

상기 매개기판을 가진 테스트 소켓에서, 상기 매개기판의 상측에는 그 매개기판의 제1패드와 대응되는 위치에 배치되는 도전부재가 마련되고, 상기 도전부재는 상기 반도체 디바이스의 단자와 접촉가능한 제3접촉핀과, 상기 매개기판의 제1패드와 접촉가능한 제4접촉핀과, 상기 제3접촉핀과 상기 제4접촉핀을 서로 멀어지는 방향으로 탄성바이어스시키는 제2스프링으로 이루어진 것이 바람직하다.In the test socket having the intermediate substrate, a conductive member disposed on a position corresponding to the first pad of the intermediate substrate is provided on the upper side of the intermediate substrate, and the conductive member is in contact with a terminal of the semiconductor device. A pin, a fourth contact pin contactable with the first pad of the intermediate substrate, and a second spring for elastically biasing the third contact pin and the fourth contact pin in a direction away from each other.

상기 매개기판을 가진 테스트 소켓에서, 상기 매개기판의 하측에는 제2도전성 탄성시트가 배치되며, 상기 제2도전성 탄성시트는 상기 제1패턴과 대응되는 위치에 배치되며 실리콘 고무에 다수개의 도전성 입자가 포함되며 그 하단이 상기 제1패턴과 접촉되고 상하방향으로 연장된 다수개의 제2도전부와, 각각의 제2도전부를 지지하며 실리콘 고무로 이루어진 제2절연부로 이루어지는 것이 바람직하다.In the test socket having the intermediate substrate, a second conductive elastic sheet is disposed below the intermediate substrate, and the second conductive elastic sheet is disposed at a position corresponding to the first pattern, and a plurality of conductive particles are formed in the silicone rubber. It is preferable that the lower end includes a plurality of second conductive parts contacting the first pattern and extending in the vertical direction, and a second insulating part supporting each second conductive part and made of silicone rubber.

상술한 구성을 가지는 매개기판을 가진 테스트 소켓에 따르면, 반도체 디바이스의 단자들의 배열위치가 변경되어도 상기 매개기판 만을 교체하면 별도로 테스트 장치를 교체하거나 테스트 소켓 전체를 교체할 필요가 없어 저렴한 비용으로 테스트를 수행할 수 있는 장점이 있다.According to the test socket having the intermediate substrate having the above-described configuration, even if the arrangement position of the terminals of the semiconductor device is changed, it is not necessary to replace the test apparatus or the entire test socket separately by replacing only the intermediate substrate, so that the test can be performed at low cost. There is an advantage to it.

이하, 본 고안에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

도 2는 본 실시예에 따른 매개기판을 가진 테스트 소켓의 단면도이며, 도 3은 도 2에 따른 테스트 소켓을 이용하여 테스트가 수행되는 모습을 도시한 도면이다.2 is a cross-sectional view of a test socket having an intermediate substrate according to the present embodiment, and FIG. 3 is a view illustrating a test performed using the test socket according to FIG. 2.

본 고안에 따른 테스트 소켓(10)은, 제1도전성 탄성시트(20), 높이조정부재(30), 매개기판(40) 및 제2도전성 탄성시트(50)로 구성된다.The test socket 10 according to the present invention includes a first conductive elastic sheet 20, a height adjusting member 30, a medium substrate 40, and a second conductive elastic sheet 50.

상기 제1도전성 탄성시트(20)는 상기 매개기판(40)의 상측에 배치되는 것으로서, 구체적으로는 상기 높이조정부재(30)의 위에 탑재된다. 이러한 제1도전성 탄 성시트(20)는, 제1도전부(21) 및 제1절연부(24)로 이루어진다. 상기 제1도전부(21)는 상기 반도체 디바이스(60)의 단자(61)와 대응되는 위치에 배열되며, 후술하는 매개기판(40)의 제1패턴(41)과 대응되는 위치에 배열된다. 이러한 제1도전부(21)는 실리콘 고무(22)에 다수개의 도전성 입자(23)를 포함하도록 구성되고, 상하방향으로 연장된 형태를 가진다. 상기 도전성 입자(23)는 도전성능이 우수한 철, 니켈, 코발트, 알루미늄, 구리, 및 이들 중 2이상의 합금으로 이루어지는 것이 바람직하나, 그외 도전성이 우수한 금속소재라면 무엇이라도 가능하다.The first conductive elastic sheet 20 is disposed above the intermediate substrate 40, and is specifically mounted on the height adjusting member 30. The first conductive elastic sheet 20 includes a first conductive portion 21 and a first insulating portion 24. The first conductive portion 21 is arranged at a position corresponding to the terminal 61 of the semiconductor device 60, and is arranged at a position corresponding to the first pattern 41 of the intermediate substrate 40 to be described later. The first conductive portion 21 is configured to include a plurality of conductive particles 23 in the silicone rubber 22, and has a form extending in the vertical direction. The conductive particles 23 are preferably made of iron, nickel, cobalt, aluminum, copper, and alloys of two or more thereof, which are excellent in electroconductivity, but may be any metal material having excellent conductivity.

이러한 도전성 입자(23)는 금, 은, 구리, 주석, 팔라듐, 로듐, 아연 및 크롬 중에서 선택적 적어도 하나의 금속에 의해 피복된 표면을 갖는 것도 가능하다. 이 중에서 금으로 표면을 피복하는 것이 바람직하며, 이를 위하여 무전해 도금(화학도금) 을 이용하는 것이 좋다.Such conductive particles 23 may also have a surface coated with at least one metal selected from gold, silver, copper, tin, palladium, rhodium, zinc and chromium. Among them, it is preferable to coat the surface with gold, and for this purpose, it is preferable to use electroless plating (chemical plating).

이러한 도전성 입자(23)는 10 ~ 50 ㎛ 의 입경을 가지는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 20 ~ 50 ㎛ 인 것이 좋다. 다만, 이외의 범위를 사용하는 것도 가능하다. 도전성 입자(23)의 입경이 10 ㎛ 보다 작은 경우에는 제1도전부(21) 내에 많은 도전성 입자(23)를 포함시켜야 하므로 전기적인 저항이 증가될 염려가 있어 바람직하지 못하다. 또한, 도전성 입자(23)의 입경이 50 ㎛ 보다 큰 경우에는 높낮이가 다른 반도체 디바이스(60)의 단자(61)들과 충분히 접촉할 수 없는 단점이 있어 바람직하지 못하다.It is preferable that such electroconductive particle 23 has a particle diameter of 10-50 micrometers, More preferably, it is 20-50 micrometers. However, other ranges may be used. When the particle diameter of the conductive particles 23 is smaller than 10 μm, since many conductive particles 23 must be included in the first conductive portion 21, the electrical resistance may increase, which is not preferable. In addition, when the particle diameter of the conductive particles 23 is larger than 50 μm, there is a disadvantage that the height cannot be sufficiently in contact with the terminals 61 of the other semiconductor device 60, which is not preferable.

도전성 입자(23)의 체적비율은 실리콘 고무(22)에 대하여 20 ~ 50 체적%의 비율을 가지는 것이 바람직하다. 도전성 입자(23)의 체적비율이 20 체적 % 보다 낮 은 경우에는 충분한 도전성능을 가지지 못하여 바람직하지 못하고, 50 체적 %보다 높은 비율을 가지는 경우에는 도전성 입자(23)의 수가 지나치게 많아서 적절한 탄성능력을 가지지 못하게 되어 바람직하지 못하다. 다만, 체적비율은 이에 한정되는 것은 아니며 사용환경에 따라 적절하게 변경하는 것도 가능하다.It is preferable that the volume ratio of the electroconductive particle 23 has a ratio of 20-50 volume% with respect to the silicone rubber 22. If the volume ratio of the conductive particles 23 is lower than 20% by volume, the conductive particles 23 may not have sufficient conductivity, which is undesirable. If the volume ratio of the conductive particles 23 is higher than 50% by volume, the number of the conductive particles 23 may be excessively large, so that an appropriate elastic capacity may be obtained. It is not desirable to have it. However, the volume ratio is not limited thereto, and may be appropriately changed according to the use environment.

상기 제1절연부(24)는 실리콘 고무(22)로 이루어지며, 각각의 제1도전부(21)를 서로 지지한다. 이와 함께 각각의 도전부(21)가 서로 절연된 상태를 유지하도록 한다.The first insulating portion 24 is made of silicon rubber 22 and supports each of the first conductive portions 21. In addition, the conductive parts 21 are kept insulated from each other.

상기 제1도전성 탄성시트(20)의 양측에는 제1도전성 탄성시트(20)와 이격되어 배치되는 프레임(25)과, 그 프레임(25)에 의하여 가장자리가 고정되고, 중앙부위는 상기 제1도전성 탄성시트(20)의 하면에 접촉하는 시트(26)가 마련된다.Frames 25 spaced apart from the first conductive elastic sheet 20 and the edges are fixed by the frame 25 on both sides of the first conductive elastic sheet 20, the central portion is the first conductive A sheet 26 in contact with the lower surface of the elastic sheet 20 is provided.

상기 시트(26)는 폴리에틸렌 등의 합성수지소재로 이루어지는 것이 바람직하며, 이러한 시트(26)에 의하여 상기 제1도전성 탄성시트(20)가 지지된다. 시트(26)에는 제1도전부(21)와 대응되는 위치에 다수개의 비아홀(미도시)이 마련되어 있어, 상기 비아홀을 통하여 상기 제1도전부(21)가 후술할 높이조정부재(30)의 제1접촉핀(31)과 전기적으로 접촉된다.The sheet 26 is preferably made of a synthetic resin material such as polyethylene, and the first conductive elastic sheet 20 is supported by the sheet 26. The seat 26 is provided with a plurality of via holes (not shown) at positions corresponding to the first conductive parts 21, so that the first conductive parts 21 of the height adjusting member 30, which will be described later, are formed through the via holes. The first contact pin 31 is in electrical contact.

상기 높이조정부재(30)는 반도체 디바이스(60)와 테스트장치(70)와의 이격거리가 서로 상이하게 되더라도 상기 제1도전성 탄성시트(20)가 전체적으로 높이조정되어 그 반도체 디바이스(60)의 단자(61)와 접촉할 수 있도록 하는 것이다. 즉, 구조적인 문제로 인하여 반도체 디바이스(60)와 테스트장치(70) 사이의 거리가 멀리 떨어진 경우에는 상기 높이조정부재(30)가 상기 제1도전성 탄성시트(20)를 전체적 으로 상측으로 올려 상기 반도체 디바이스(60)의 단자(61)와 접촉할 수 있도록 하며, 그와는 반대로 상기 반도체 디바이스(60)와 테스트장치(70)사이의 거리가 근접하더라도 제1도전성 탄성시트(20)가 하측으로 이동할 수 있도록 하여 반도체 디바이스(60)의 단자(61)와 제1도전성 탄성시트(20)가 효과적으로 서로 전기적으로 접촉할 수 있도록 한다.Even if the distance between the semiconductor device 60 and the test apparatus 70 is different from each other, the height adjusting member 30 has the height of the first conductive elastic sheet 20 adjusted as a whole, so that the terminals of the semiconductor device 60 61) to make contact with it. That is, when the distance between the semiconductor device 60 and the test apparatus 70 is far away due to structural problems, the height adjusting member 30 raises the first conductive elastic sheet 20 as a whole to the upper side. And the first conductive elastic sheet 20 is lowered even if the distance between the semiconductor device 60 and the test apparatus 70 is close to the terminal 61 of the semiconductor device 60. The terminal 61 and the first conductive elastic sheet 20 of the semiconductor device 60 may be effectively brought into electrical contact with each other by being movable.

이러한 높이조정부재(30)는, 제1접촉핀(31), 제2접촉핀(32), 제1스프링(33)으로 이루어진다. 상기 제1접촉핀(31) 및 제2접촉핀(32)은 상기 시트(26)를 고정하는 프레임(25)과 일체로 결합된 하우징(34) 내부에 마련되는 것으로서, 구체적으로는 상기 하우징(34)에 마련된 다수의 관통공(35)에 삽입된 상태로 배치된다. 상기 제1접촉핀(31)은 상단이 상기 제1도전부(21)와 접촉되며 상하방향으로 위치이동가능하게 놓여지는 것이다. 이러한 제1접촉핀(31)의 하단은 상기 제1스프링(33)과 접촉한다.The height adjusting member 30 is composed of a first contact pin 31, a second contact pin 32, the first spring 33. The first contact pin 31 and the second contact pin 32 are provided in the housing 34 integrally coupled with the frame 25 that fixes the seat 26. Specifically, the housing ( It is arranged in a state of being inserted into a plurality of through holes 35 provided in 34. An upper end of the first contact pin 31 is in contact with the first conductive part 21 and is positioned to be movable in the vertical direction. The lower end of the first contact pin 31 is in contact with the first spring 33.

상기 제2접촉핀(32)은 후술한 매개기판(40)의 제1패드와 접촉되는 것으로서, 그 상단은 상기 제1스프링(33)과 접촉한다. 상기 제1접촉핀(31)과 제2접촉핀(32)은 모두 전도성이 우수한 금속소재로 이루어지는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 금도금이 표면에 행하여 지는 것이 좋다.The second contact pin 32 is in contact with the first pad of the intermediate substrate 40 to be described later, the upper end of the second contact pin 32 is in contact with the first spring 33. It is preferable that both the first contact pin 31 and the second contact pin 32 are made of a metal material having excellent conductivity, and more preferably, gold plating is performed on the surface.

상기 제1스프링(33)은 상기 제1접촉핀(31)과 제2접촉핀(32)의 사이에 배치되는 것으로서, 구체적으로는 제1접촉핀(31)의 하단 및 상기 제2접촉핀(32)의 상단과 접촉한다. 이러한 제1스프링(33)은 제1접촉핀(31)과 제2접촉핀(32)을 서로 멀어지는 방향으로 탄성바이어스 시킨다.The first spring 33 is disposed between the first contact pin 31 and the second contact pin 32. Specifically, a lower end of the first contact pin 31 and the second contact pin ( 32) is in contact with the top. The first spring 33 elastically biases the first contact pin 31 and the second contact pin 32 in a direction away from each other.

상기 매개기판(40)은 상기 높이조정부재(30) 및 상기 테스트장치(70)의 사이에 배치되는 것으로서, 그 상면에는 상기 반도체 디바이스(60)의 단자(61)와 대응되는 위치에 배치되는 다수개의 제1패턴(41)과, 그 하면에는 상기 테스트장치(70)의 접촉패드(71)와 대응되는 위치에 배치되는 다수개의 제2패턴(42)으로 구성된다. 이때, 상기 매개기판(40)은 각각의 제1, 2패턴(41, 42)이 서로 전기적으로 접속되어 있으며, 제2패턴(42)은 상기 제1패턴(41)의 직하방으로부터 벗어난 위치에 배치된다. 다만, 모든 제2패턴(42)이 상기 제1패턴(41)의 직하방으로부터 벗어난 위치에 배치될 필요는 없으며 적어도 일부의 제2패턴(42)이 상기 제1패턴(41)의 직하방으로부터 벗어나는 것도 가능하다.The intermediate substrate 40 is disposed between the height adjusting member 30 and the test apparatus 70, and a plurality of intermediate substrates 40 are disposed at positions corresponding to the terminals 61 of the semiconductor device 60. First patterns 41 and a plurality of second patterns 42 disposed at positions corresponding to the contact pads 71 of the test apparatus 70. In this case, each of the first and second patterns 41 and 42 is electrically connected to each other in the intermediate substrate 40, and the second pattern 42 is positioned at a position deviating from directly below the first pattern 41. Is placed. However, not all second patterns 42 need to be disposed at positions away from directly below the first pattern 41, and at least some of the second patterns 42 may be disposed directly below or below the first pattern 41. It is possible to escape.

이러한 매개기판(40)은 통상적인 인쇄회로기판에 사용되는 FR5 등의 소재로 이루어진다. 일반적인 매개기판(40)은 제1패턴(41)과, 제2패턴(42)이 서로 대응되는 상하방향으로 배열되는 데 비하여, 본 실시예에서는 제1패턴(41)과 제2패턴(42)이 서로 대응되는 위치로부터 벗어난 위치에 배열될 수 있다. 이에 따라, 상기 반도체 디바이스(60)의 단자(61)와 테스트장치(70)의 접촉패드(71)가 서로 상하방향으로 대응되는 위치에 배열되어 있지 않은 경우에도 상기 매개기판(40)이 각각의 반도체 디바이스(60)의 단자(61)와 테스트장치(70)의 접촉패드(71)를 서로 전기적으로 연결시킬 수 있는 장점이 있다.The intermediate substrate 40 is made of a material such as FR5 used in a conventional printed circuit board. The general intermediate substrate 40 has the first pattern 41 and the second pattern 42 arranged in a vertical direction corresponding to each other. In this embodiment, the first pattern 41 and the second pattern 42 These may be arranged at positions which deviate from positions corresponding to each other. Accordingly, even when the terminal 61 of the semiconductor device 60 and the contact pads 71 of the test apparatus 70 are not arranged at positions corresponding to each other in the vertical direction, the intermediate substrate 40 is formed in the respective substrates 40. The terminal 61 of the semiconductor device 60 and the contact pads 71 of the test apparatus 70 may be electrically connected to each other.

구체적으로는 상기 매개기판(40)의 제1패턴(41)은 높이조정부재(30)의 제1접촉핀(31)과 접촉되고, 상기 매개기판(40)의 테스트장치(70)의 접촉패드(71)와 서로 대응되는 위치에 배열되어 있게 된다.Specifically, the first pattern 41 of the intermediate substrate 40 is in contact with the first contact pin 31 of the height adjusting member 30, the contact pad of the test device 70 of the intermediate substrate 40. It is arranged at a position corresponding to 71 and each other.

상기 제2도전성 탄성시트(50)는 상기 매개기판(40)의 하측에 배치되는 것으로서, 구체적으로는 상기 매개기판(40) 및 테스트장치(70)의 사이에 배치된다. 이러한 제2도전성 탄성시트(50)는 제2도전부(51)와 제2절연부(54)로 이루어진다. 상기 제2도전부(51)는 그 상단은 상기 제2패턴(42)과 접촉하며, 그 하단이 상기 테스트장치(70)의 접촉패드(71)와 접촉된다. 이러한 제2도전부(51)는 실리콘 고무(52)에 다수개의 도전성 입자(53)가 포함된 형태로 이루어진다. 상기 제2절연부(54)는 실리콘 고무(52)로 이루어지며 각각의 제2도전부(51)를 지지한다.The second conductive elastic sheet 50 is disposed below the intermediate substrate 40, and is specifically disposed between the intermediate substrate 40 and the test apparatus 70. The second conductive elastic sheet 50 includes a second conductive portion 51 and a second insulating portion 54. An upper end of the second conductive part 51 is in contact with the second pattern 42, and a lower end thereof is in contact with the contact pad 71 of the test apparatus 70. The second conductive part 51 is formed of a silicon rubber 52 in which a plurality of conductive particles 53 are included. The second insulating portion 54 is made of silicone rubber 52 and supports each second conductive portion 51.

이러한 구성을 가지는 본 실시예에 따른 매개기판을 가지는 테스트 소켓은 다음과 같이 작동한다.The test socket having the intermediate substrate according to the present embodiment having such a configuration operates as follows.

먼저, 테스트장치 위에 제2도전성 탄성시트, 매개기판, 높이조정부재, 제1도전성 탄성시트의 순서대로 탑재한 후에, 상측으로부터 반도체 디바이스를 하강시킨다. 이와 함께, 상기 반도체 디바이스의 단자가 제1도전성 탄성시트와 접촉한 상태에서 상기 반도체 디바이스를 더욱 하강하여, 도 3에 도시한 바와 같이 제1도전성 탄성시트의 높이를 전체적으로 낮추어주고 이에 따라 각각의 반도체 디바이스의 단자가 상기 제1도전성 탄성시트의 제1도전부와 안정적인 접촉상태를 유지하도록 한다. 이후에, 상기 테스트장치로부터 소정의 신호를 가하면, 그 신호가, 제2도전성 탄성시트, 매개기판, 높이조정부재, 제1도전성 탄성시트를 거쳐서 반도체 디바이스에 전달되도록 하고, 그 반대신호는 도 3에 도시한 바와 같은 경로를 거쳐서 다시 테스트 장치로 복귀할 수 있도록 하여 테스트를 수행한다.First, after mounting the second conductive elastic sheet, the intermediate substrate, the height adjusting member, and the first conductive elastic sheet in the order of the test apparatus, the semiconductor device is lowered from the upper side. In addition, the semiconductor device is further lowered while the terminal of the semiconductor device is in contact with the first conductive elastic sheet, thereby lowering the height of the first conductive elastic sheet as a whole as shown in FIG. The terminal of the device is to maintain a stable contact with the first conductive portion of the first conductive elastic sheet. Subsequently, when a predetermined signal is applied from the test apparatus, the signal is transmitted to the semiconductor device via the second conductive elastic sheet, the intermediate substrate, the height adjusting member, and the first conductive elastic sheet, and the opposite signal is shown in FIG. 3. The test is performed by returning to the test apparatus again through the path as shown in FIG.

한편, 도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 디바이스로부터 테스트장치로 복귀 하는 신호는 제1도전성 탄성시트, 높이조정부재, 제1패턴까지는 직선적으로 내려오다가 매개기판의 내부에서 경로가 변경되어 제2패턴에 전달되며, 그 신호는 제2패턴으로부터 제2도전성 탄성시트를 거쳐 테스트장치로 복귀한다. 이와 같이, 반도체 디바이스의 단자와 테스트장치의 접촉패드의 위치가 서로 상이하게 배열되어도 그 신호는 매개기판을 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 단자들의 위치가 다른 반도체 디바이스를 테스트하기 위해서는 매개기판을 새로이 교체하면 되고, 별도로 새로운 테스트장치를 제작할 필요가 없어 전체적인 테스트비용을 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 특히, 테스트 소켓에 비하여 테스트장치는 그 접촉패드만을 교체하는 것이 어렵고 전체적인 테스트장치 전체를 교체해야 하는 경우가 많이 비용손실이 상당히 많았다.3, the signal returning from the semiconductor device to the test apparatus descends linearly to the first conductive elastic sheet, the height adjusting member, and the first pattern, and then the path is changed inside the intermediate substrate so that the second signal is returned to the test apparatus. The signal is transmitted to the pattern, and the signal is returned from the second pattern to the test apparatus via the second conductive elastic sheet. As such, even if the positions of the terminals of the semiconductor device and the contact pads of the test apparatus are arranged differently from each other, the signals can be electrically connected to each other through the intermediate substrate. Accordingly, in order to test a semiconductor device having different positions of terminals, the intermediate substrate may be newly replaced, and there is no need to manufacture a new test apparatus, thereby reducing the overall test cost. In particular, compared to the test socket, the test apparatus is difficult to replace only the contact pads, and the entire test apparatus has to be replaced, and the cost has been considerable.

또한, 본 실시예에서는 높이조정부재를 마련하여 두었기 때문에, 반도체 소자와 테스트장치와의 거리가 상이한 경우에는 그 높이조정부재에 의하여 그 높이를 충분히 수용할 수 있어 편리하다.In addition, in this embodiment, since the height adjusting member is provided, when the distance between the semiconductor element and the test apparatus is different, the height can be sufficiently accommodated by the height adjusting member, which is convenient.

이러한 본 고안에 따른 매개기판을 가진 테스트소켓은 다음과 같이 변형되는 것도 가능하다.The test socket having the intermediate substrate according to the present invention can be modified as follows.

상술한 실시예에서는 제1도전성 탄성시트(20)와 매개기판(40)의 사이에 높이조정부재(30)를 설치하는 것을 예로 들었으나, 이외에도 도 4에 도시한 바와 같이 제1도전성 탄성시트(20)와 매개기판(40)을 직접 접촉시키는 것도 가능하다. 또한, 제2도전성 탄성시트를 제거하고 매개기판을 직접 테스트장치에 접촉시키는 것도 가능하다.In the above-described embodiment, the height adjusting member 30 is installed between the first conductive elastic sheet 20 and the intermediate substrate 40, but the first conductive elastic sheet (as shown in FIG. 20) and the intermediate substrate 40 may also be in direct contact. It is also possible to remove the second conductive elastic sheet and directly contact the intermediate substrate with the test apparatus.

또한, 도 5에 도시한 바와 같이 제1도전성 탄성시트 없이 높이조정부재와 유사한 형태의 도전부재(80), 매개기판(40), 제2도전성 탄성시트(50)에 의하여 반도체 디바이스(60)의 단자(61)와 테스트장치(70)의 접촉패드(71)를 서로 전기적으로 연결하는 것도 가능하다. 이때 상기 도전부재(80)는 상기 반도체 디바이스의 단자와 접촉가능한 제3접촉핀(81), 상기 매개기판(40)의 제1패턴(41)와 접촉가능한 제4접촉핀(82) 및 상기 제3접촉핀(81)과 상기 제4접촉핀(82)을 서로 멀어지는 방향으로 탄성바이어스시키는 제2스프링(83)으로 구성된다.In addition, as shown in FIG. 5, the semiconductor device 60 may be formed by the conductive member 80, the intermediate substrate 40, and the second conductive elastic sheet 50 having a similar shape to the height adjusting member without the first conductive elastic sheet. It is also possible to electrically connect the terminal 61 and the contact pads 71 of the test apparatus 70 with each other. In this case, the conductive member 80 may include a third contact pin 81 that may contact the terminal of the semiconductor device, a fourth contact pin 82 that may contact the first pattern 41 of the intermediate substrate 40, and the third contact pin 82. The third contact pin 81 and the fourth contact pin 82 is composed of a second spring 83 to elastically bias in a direction away from each other.

또한, 도 5에 도시한 구성에서 제2도전성 탄성시트를 제거한 상태에서 테스트를 수행하는 것도 가능하다.In addition, in the configuration shown in Figure 5 it is also possible to perform the test in a state in which the second conductive elastic sheet is removed.

또한, 도 5의 구성을 변경하여 제3접촉핀, 제4접촉핀, 제2스프링으로 이루어진 도전부재(80)을 매개기판(40)의 하측에 배치시키는 것도 가능하다.5, the conductive member 80 including the third contact pin, the fourth contact pin, and the second spring may be disposed below the intermediate substrate 40.

또한, 도 5의 구성을 변경하여 제3접촉핀, 제4접촉핀이 없이 제2스프링이 상하방향으로 돌출되어 있는 도전부재를 매개기판의 하측에 배치시키는 것도 가능하다.In addition, it is also possible to change the configuration of Figure 5 to arrange the conductive member in which the second spring protrudes in the vertical direction without the third contact pin, the fourth contact pin to the lower side of the intermediate substrate.

이외에도, 상기 높이조정부재에서 제1접촉핀과, 제2접촉핀이 없이 제1스프링만 구비하는 것도 가능하다. 이때 상기 제1스프링의 상단 및 하단은 좁은 직경의 가지는 소직경스프링으로 이루어지고, 중간부분은 큰 직경을 가지는 대직경스프링으로 이루어지도록 하여, 하우징 내에서 빠지지 않으면서 상기 제1스프링의 상하단이 각각 제1도전부 및 제1패드와 접촉되는 것도 가능하다.In addition, the height adjusting member may include only the first spring and the first spring without the second contact pin. At this time, the upper and lower ends of the first spring is made of a small diameter spring having a narrow diameter, the middle portion is made of a large diameter spring having a large diameter, the upper and lower ends of the first spring without falling out of the housing, respectively It is also possible to contact the first conductive portion and the first pad.

한편, 상기 제1도전부는 상기 시트의 비아홀을 관통하여 상기 제1접촉핀과 접촉하는 것도 가능하나, 상기 비아홀에 도전층이 형성되어 있어 상기 제1도전부가 상기 도전층의 상면과 접촉하고 상기 제1접촉핀의 상면은 상기 도전층의 하면과 접촉되도록 하는 형태를 가지는 것도 가능하며, 제1도전부와 상기 제1접촉핀이 서로 접촉할 수 있는 형태라면 무엇이나 가능하다.Meanwhile, the first conductive part may contact the first contact pin through the via hole of the sheet, but a conductive layer is formed in the via hole so that the first conductive part contacts the upper surface of the conductive layer and the first conductive part contacts the upper surface of the conductive layer. The upper surface of the first contact pin may have a shape to be in contact with the lower surface of the conductive layer, and may be anything as long as the first conductive part and the first contact pin are in contact with each other.

이상에서 바람직한 실시예 및 변형예들을 들어 본 고안을 상세하게 설명하였으나, 본 고안은 반드시 이러한 실시예 및 변형예들에 한정되는 것은 아니고 본 고안의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments and modifications, the present invention is not necessarily limited to these embodiments and modifications, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. Can be.

도 1은 종래기술에 따른 테스트 소켓의 도면.1 is a diagram of a test socket according to the prior art;

도 2는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 테스트 소켓의 도면.2 is a view of a test socket according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 테스트 소켓을 이용하여 테스트를 실시하는 작동모습을 나타내는 도면.3 is a view showing an operation of performing a test using the test socket of FIG.

도 4는 본 고안의 다른 실시예에 따른 테스트 소켓의 도면.4 is a view of a test socket according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 고안의 또 다른 실시예에 따른 테스트 소켓의 도면.5 is a view of a test socket according to another embodiment of the present invention.

<도면부호의 상세한 설명><Detailed Description of Drawings>

10...테스트 소켓 20...제1도전성 탄성시트10 ... Test socket 20 ... First conductive elastic sheet

21...제1도전부 22...실리콘 고무21 ... 1st conductive part 22 ... silicone rubber

23...도전성 입자 24...제1절연부23 ... conductive particles 24 ... first insulation

25...프레임 26...시트25 ... frame 26 ... sheets

30...높이조정부재 31...제1접촉핀30 ... Height adjustment member 31 ... First contact pin

32...제2접촉핀 33...제1스프링32 ... 2nd contact pin 33 ... 1st spring

34...하우징 35...관통공34 ... housing 35 ... through

40...매개기판 41...제1패턴40 ... Media board 41 ... First pattern

42...제2패턴 50...제2도전성 탄성시트42 ... 2nd pattern 50 ... 2nd conductive elastic sheet

51...제2도전부 52...실리콘 고무51 ... 2nd conductive part 52 ... silicone rubber

54...제2절연부 60...반도체 디바이스54 Secondary insulation 60 Semiconductor device

61...단자 70...테스트장치61 Terminal 70 Test Unit

71...접촉패드 80...도전부재71 Contact pad 80 Conductive member

81...제3접촉핀 82...제4접촉핀81 ... third contact pin 82 ... fourth contact pin

83...제2스프링83 ... 2nd spring

Claims (9)

반도체 디바이스의 단자와 테스트장치의 접촉패드를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓에 있어서,A test socket for electrically connecting a terminal of a semiconductor device and a contact pad of a test apparatus, 그 상면에는 상기 반도체 디바이스의 단자와 대응되는 위치에 배치되는 다수개의 제1패턴과, 그 하면에는 상기 테스트장치의 접촉패드와 대응되는 위치에 배치되는 다수개의 제2패턴으로 구성되는 매개기판을 포함하되,The upper surface includes a plurality of first patterns disposed at positions corresponding to the terminals of the semiconductor device, and the lower surface includes an intermediate substrate composed of a plurality of second patterns disposed at positions corresponding to the contact pads of the test apparatus. But 상기 제2패턴은 상기 제1패턴과 서로 전기적으로 접속되며 상기 제1패턴의 직하방으로부터 벗어난 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 매개기판을 가진 테스트 소켓.And the second pattern is electrically connected to the first pattern and is disposed at a position apart from directly below the first pattern. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 매개기판의 상측에는 제1도전성 탄성시트가 배치되며,The first conductive elastic sheet is disposed on the upper side of the intermediate substrate, 상기 제1도전성 탄성시트는 상기 제1패턴과 대응되는 위치에 배치되며 실리콘 고무에 다수개의 도전성 입자를 포함하고 상하방향으로 연장된 다수개의 제1도전부와, 각각의 제1도전부를 지지하며 실리콘 고무로 이루어진 제1절연부로 구성된 것을 특징으로 하는 매개기판을 가진 테스트 소켓.The first conductive elastic sheet is disposed at a position corresponding to the first pattern and includes a plurality of conductive particles in the silicone rubber and extends in a vertical direction, and supports each of the first conductive portions and the silicon. A test socket having a medium board, characterized in that consisting of a first insulating portion made of rubber. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 도전성 입자는 10 ~ 50 ㎛ 의 입경을 가지는 것을 특징으로 하는 매개 기판을 가진 테스트 소켓.The conductive particles have a particle diameter of 10 to 50 ㎛ test socket having a medium substrate. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 도전성 입자는 실리콘 고무에 대하여 20 ~ 50 체적%의 비율로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 매개기판을 가진 테스트 소켓.The conductive particle is a test socket having a medium substrate, characterized in that the mixture of 20 to 50% by volume with respect to the silicone rubber. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1도전성 탄성시트의 양측에 상기 제1도전성 탄성시트와 이격되어 배치되는 프레임과,Frames spaced apart from the first conductive elastic sheet on both sides of the first conductive elastic sheet, 가장자리는 상기 프레임에 고정되며, 중앙부위는 상기 제1도전성 탄성시트의 하면에 접촉하면서 상기 제1도전성 탄성시트를 지지하고 상기 제1도전부와 대응되는 위치에 다수개의 비아홀이 마련된 시트를 포함하는 매개기판을 가진 테스트 소켓.An edge thereof is fixed to the frame, and a center portion thereof includes a sheet which contacts the lower surface of the first conductive elastic sheet to support the first conductive elastic sheet and has a plurality of via holes provided at a position corresponding to the first conductive elastic sheet. Test socket with intermediate board. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1도전부와 대응되는 위치에 배치되며 상기 제1도전성 탄성시트를 전체적으로 높이조정하는 높이조정부재가 형성된 것을 특징으로 하는 매개기판을 가진 테스트 소켓.And a height adjusting member disposed at a position corresponding to the first conductive portion and configured to adjust the height of the first conductive elastic sheet as a whole. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 높이조정부재는,The height adjustment member, 상단이 제1도전부와 접촉되며 상하방향으로 위치이동가능한 제1접촉핀과,A first contact pin whose upper end is in contact with the first conductive part and which is movable in the vertical direction; 하단이 상기 매개기판의 제1패드와 접촉되는 제2접촉핀과,A second contact pin having a lower end contacting the first pad of the intermediate substrate; 상기 제1접촉핀의 하단 및 상기 제2접촉핀의 상단과 접촉하며, 상기 제1접촉핀과 제2접촉핀을 서로 멀어지는 방향으로 탄성바이어스시키는 제1스프링으로 이루어진 것을 특징으로 하는 매개기판을 가진 테스트 소켓.An intermediate substrate having a first spring contacting a lower end of the first contact pin and an upper end of the second contact pin, the first spring to elastically bias the first contact pin and the second contact pin in a direction away from each other. Test socket. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 매개기판의 상측에는 그 매개기판의 제1패드와 대응되는 위치에 배치되는 도전부재가 마련되고,An upper side of the intermediate substrate is provided with a conductive member disposed at a position corresponding to the first pad of the intermediate substrate, 상기 도전부재는 상기 반도체 디바이스의 단자와 접촉가능한 제3접촉핀과,The conductive member may include a third contact pin contactable with a terminal of the semiconductor device; 상기 매개기판의 제1패드와 접촉가능한 제4접촉핀과,A fourth contact pin contacting the first pad of the intermediate substrate, 상기 제3접촉핀과 상기 제4접촉핀을 서로 멀어지는 방향으로 탄성바이어스시키는 제2스프링으로 이루어진 것을 특징으로 하는 매개기판을 가진 테스트 소켓.And a second spring configured to elastically bias the third contact pin and the fourth contact pin in a direction away from each other. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8, 상기 매개기판의 하측에는 제2도전성 탄성시트가 배치되며,A second conductive elastic sheet is disposed below the intermediate substrate, 상기 제2도전성 탄성시트는 상기 제2패턴과 대응되는 위치에 배치되며 실리콘 고무에 다수개의 도전성 입자가 포함되며 그 하단이 반도체 소자의 접촉패드와 접촉되고 상하방향으로 연장된 다수개의 제2도전부와, 각각의 제2도전부를 지지하 며 실리콘 고무로 이루어진 제2절연부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 매개기판을 가진 테스트 소켓.The second conductive elastic sheet is disposed at a position corresponding to the second pattern and includes a plurality of conductive particles in the silicone rubber, and a plurality of second conductive parts having a lower end contacting the contact pad of the semiconductor element and extending in the vertical direction. And a second insulating part supporting each second conductive part and comprising a second insulating part made of silicone rubber.
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